JPH0441457B2

JPH0441457B2 -

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Publication number: JPH0441457B2
Application number: JP58022243A
Authority: JP
Inventors: Baruto Re Hoore Yan
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1982-02-15
Filing date: 1983-02-15
Publication date: 1992-07-08
Also published as: EP0087196B1; DE3374626D1; NL8200559A; JPS58155637A; EP0087196A1; US4524278A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は対象物空間に位置させたターゲツトに
荷電粒子ビームを照射させる装置であつて、放射
源と、前記対象物空間の近くに位置させたビー
ム・スプリツタを有しているビーム変調系とを具
えているビーム照射装置に関するものである。

〔従来技術〕

この種の装置は米国特許第3491236号から既知
であつて、これには電子ビーム照射装置の一部分
としてこの装置が述べられている。この装置では
照射すべきターゲツト近くに配置したビーム・ス
プリツタを使用して、ターゲツトのいくつかの領
域を、ターゲツトを変位させることなく照射する
ことができる。このことは形成すべきパターンの
方位精度を向上させる。さらに、ビーム・スプリ
ツタの個所で大きな断面を有する電子ビームを利
用することによつて、いくつかの基本ビームを同
時に同じ方法で使用することができ、よつて動作
速度を速めることができる。

上述の電子ビーム照射装置において単一走査ビ
ームを使用する場合には、多くの用途にとつてそ
の動作速度が遅すぎるという欠点がある。扇状ビ
ームから取出される基本ビームを使用する場合
に、同等の複数のパターンのみを形成することは
勿論であるが、これは多くの用途にとつては制限
がある。このようにして得られる基本ビームの相
対的な均一性は、ほぼ同一の製品を得るためには
通常は不適切である。例えば１つの幅広からビー
ムから分離させた多数のビームで同様なチツプを
生産するためには、ビーム断面の電流密度を均一
としなければならない。この電流密度の均一化を
極めて幅広のビームの内側部分（この部分は電流
密度が多少均一である）だけを用いて達成する場
合には、陰極負荷が極めて高くなり、そのために
ビーム・スプリツタにて蔽えぎられたビーム粒子
によつてこのビーム・スプリツタが過度に加熱さ
れてビーム・スプリツタの負荷が増大し、寿命を
短くすると言う欠点がある。さらに、このような
ビームでは、粒子のエネルギー分布が大きく広が
り、電子ビーム照射装置の精度の向上を図るため
には極めて不利である。

〔発明の概要〕

本発明の目的は上述した従来装置の有する欠点
を回避するか、少なくとも実質的に軽減する荷電
粒子ビーム照射装置を提供することにある。

この目的の達成を図るため、本発明は冒頭にて
述べた種類のビーム照射装置において、当該装置
が放射源の近くに配置した別のビーム・スプリツ
タと、２つのビーム・スプリツタ間に設けた多重
ビーム偏向器を含む電極系とを具えるようにした
ことを特徴とする。

本発明によるビーム照射装置においては、ビー
ム・スプリツタを放射源側にも設けるため、幾何
学的及び光学的調整値を選択することによつて断
面及び間隔を選定できるような基本ビームを形成
することができる。このようにして、高い融通性
が得られるように基本ビームの各々を個別的に操
作することができる。その上さらに、ビームを個
別の基本ビームに分割するので、粒子の相互作用
効果を低減させて、装置の照射精度を高めること
ができる。放射ビームは装置の放射源側で基本ビ
ームから成るマトリツクスに分割されているの
で、発生しているいずれの散乱をも用意に蔽えぎ
ることができ、よつて加工片に及ぼす有害な影響
をなくすことができる。

本発明の好適実施例においては、放射源近くに
位置させるビーム・スプリツタがグリツド構体を
具え、放射ビームの移動方向にみて、このグリツ
ド構体のいずれかの側に好ましくは対称レンズ系
を設けるようにする。幾何学的条件及び印加すべ
き電位を選択することによつて、グリツド構体の
少なくとも大部分にわたる電界強度を均一にする
ことができる。このグリツド構体の電界強度が均
一の部分の表面は湾曲グリツド構体を用いること
によつて増大させることができる。グリツト構体
及びこれに隣接する電極の電位を選択することに
よつて、荷電粒子の入射ビームを、互いに発散さ
せる基本ビームのマトリツクスに分割する発散レ
ンズを形成することができる。網状の孔による微
小レンズ作用により、これら基本ビームの各々は
選択されるべき開口角をもつたビームを構成す
る。

放射ビームの分割は主として電界効果によるも
のであつて、網状構体のシヤドウ効果による影響
は僅かであるので、網状構体の透過率は高い。従
つて放射源の陰極から供給されるほぼ全体の電流
が有効的に用いられるため、前述したようなビー
ム相互作用による問題は殆ど起らず、網状構体が
過度に高い熱負荷に曝されることはない。

ビーム偏向器を第１ビーム・スプリツタからそ
の後方の好適距離、例えば200mmだけ離れたとこ
ろに位置させる場合には、ビームがその個所で偏
向素子のマトリツクスによつて個別的に影響され
得るような程度にこれらのビームを離間させる。

本発明の他の好適実施例によれば、ビーム偏向
器の前方にレンズ系を置き、このレンズ系によつ
て基本ビームの各々を装置の光軸に対して垂直に
向けたビーム偏向器により光軸に対して平行に向
けるようにする。好ましくはこのレンズ系が放射
源側のビーム・スプリツタを対称物側のビーム・
スプリツタ上に結像させるレンズ系の一部を形成
するようにすることもできる。さらにこの目的の
ためにビーム偏向器のマトリツクスの反対側に好
ましくは対称的な第２レンズ系を設けることがで
きる。

本発明の他の好適例では、ビーム偏向器の両側
に有孔プレートを設け、これら有孔プレートによ
り基本ビームを通過させ、かつ、偏向器に対する
電位を適切に選定することによつて、結像レンズ
による基本ビームの主要通路に対する収束作用を
補償することができる。

また、処理すべき対象物のビーム・スプリツタ
を発散レンズとしても作用させることによつて、
それぞれの基本ビームの交点（クロスオーバ）が
少なくともほぼ放射源の像と一致するようになす
こともできる。既知の手段を使用して各基本ビー
ムに対し、例えば米国特許第4151422号明細書に
記載されているようなスポツト整形（spot−
shaping）を行なうことができる。その結果、広
い制限内で、各基本ビームは対象物を個別的にか
つ独立して照射することができ、又これに所望の
パターンを形成することができる。

〔実施例の説明〕

第１図は本発明によるビーム照射装置の構成成
分を示す。これら構成成分は放射源４、第１ビー
ム・スプリツタ６、ビーム偏向装置８、第２ビー
ム・スプリツタ１０、縮小結像レンズ１２及びタ
ーゲツト１４であつて、これら構成成分は光軸２
上又はその回りに配置されている。図中放射源を
以下物点と称する単一放射点１６を有する単一放
射源として示しているが、このような点は描画中
すなわち像形成動作中にその点に対して光軸の方
向にシフトさせることができる。またこの放射源
は、例えば、米国特許第4259678号明細書に記載
されているようにマトリツクス状に配列した複数
の放射素子で構成することもできる。或いは又こ
の放射源をヨーロツパ特許第0028585号明細書に
開示されているように構成してもよいが、ミラー
素子の各々が電圧制御可能な放射源として作動す
るように構成することもできる。この種の多重放
射源では、第１ビーム・スプリツタ６がこの多重
放射源の一部分を形成する。ビーム分離が不十分
な単一放射源又は多重放射源の場合に個別のビー
ム・スプリツタ６によつてビーム分離を行う。こ
のビーム・スプリツタは第１ａ図に一例を示すよ
うな網状構体１８を具えている。図示の例に示す
構体は、例えば、互いに直交方向に向けた２つの
ワイヤ・グリツドから成つていて、これらワイ
ヤ・グリツドを、例えば、太さを10μｍとしたタ
ングステン・ワイヤで形成し、ピツチを100μｍ
とする。これら両ワイヤ・グリツドを互いに対向
させて取り付けるか、互いに組み込んで取り付け
るかしてもよいが、例えば、ワイヤ・グリツドに
おける帯電現象に起因してビーム形状が悪くなる
のを抑えるためには、これらワイヤ・グリツドを
互いにある距離だけ離して、例えば、光軸に沿つ
て測つてグリツドのピツチに対応する距離だけ離
して取り付けるのが有利である。散乱を抑えてビ
ーム分離をはつきりと行うためには、ほぼ同じ透
過度を有する帯状材料から成るワイヤ・グリツド
を有利に用いることができる。網状構体の両側
に、好ましくは１個以上のブツシユから成る電極
２０及び２２を設け、これらの電極の幾何学的形
状や網状電極からの距離を調整して、網状電極表
面の少なくとも中央部分を横切る電界の強度をほ
ぼ均一にする。ワイヤ・グリツドを凸状にすべく
組み合わせて構成することによつて、これを電極
２０及び２２が発生する電界の等電位面に対し良
好に適合させることができ、従つて網状構体の相
当広い部分を横切る電界強度を均一とすることが
できる。

図示の例のビーム偏向装置８は複数の偏向素子
２６（第３図に詳細に示す）から成るマトリツク
スで構成し、これらの各偏向素子はＸ方向への偏
向用電極アレイ２８とＹ方向に対し直交するＹ方
向への偏向用電極アレイ３０とを有している。こ
れらの電極アレイを全て光軸に直交する同一の平
面に取り付けることができるが、電界の不均一性
による結像不良を防止するためには、これらの電
極アレイを光軸の方向に前後にずらして配置する
のが好適である。このようにすれば容量性結合も
低下するため、制御中の２つの電極アレイ間のク
ロストークを低減させることができる。これらの
電極は各基本ビームに対し例えば0.5〜2.0mmの横
方向寸法を有する孔を形成すると共に例えば１〜
５mmのピツチで備えられている。各電極アレイの
少なくとも一方の電極に電位を与えるのである
が、双方の電極に電位を与えるのが好適である。
この偏向素子のマトリツクスは、例えば、いわゆ
る厚膜法により絶縁担体上に設けた電極で構成す
ることもできる。所望の孔を備えていて、例え
ば、厚さが0.5mmのAl₂O₃から成る担体の両側に電
極アレイと、これに所望電位を与える導電トラツ
クとを設ける。この場合には、偏向素子を対称構
造とすることができるため、熱負荷が加わる場合
に不所望な変形を低減させることができるという
利点がある。この場合、偏向素子のマトリツクス
には第１有孔プレート３２及び第２有孔プレート
３４を隣接させる。これらの有孔プレートは、こ
れらにビーム通路を適用する場合には同一の構成
のものとし得ると共に、これらのプレートは、例
えば、第１ａ図に示す一方の網状構体として形成
することができる。これらの有孔プレートの孔の
形状は矩形状以外の例えば円形状又は六角形状と
することもできる。第２ビーム・スプリツタ１０
の網状構体の方形の孔１００を基本ビームの局所
断面と適合させるようになし、その面積を例えば
0.5×0.5mm²となし、ピツチをＸ及びＹ方向に２mm
とすることができる。これら孔を金属プレートに
あけて、一定の電位をこれらの孔に与えることが
できるようにする。第１有孔プレート３２の前方
に第１レンズ４０を設け、第２有孔プレート３４
の後方に第２レンズ４３を配設する。なお、これ
らのレンズは同等のレンズとすることができる。
偏向素子のマトリツクスを横切る均一電界を使用
することにより、これらレンズは第１有孔プレー
ト３２の前方で合成ビームを光軸に平行に向け、
そして第２有孔プレート３４の後方でビームを再
び光軸の方へと収束させる。この場合、第２有孔
プレート３４の領域においては、基本ビームの
各々は光軸に対し著しく微小な角度であるが、そ
れぞれ異なる角度をとることができる。なお、基
本ビームの数は第１レンズ４０と第２レンズ４２
との間に配置し得る偏向素子の個数によつて決ま
ることは明らかである。利用し得る空間は球面収
差を最大限度の程度まで許容できるかによつて決
まる。

第２ビーム・スプリツタ１０の構造を第１ビー
ム・スプリツタの構造と同一とし得る。従つて、
この第２ビーム・スプリツタも網状構体４４、第
１電極４６及び第２電極４８で構成することがで
きる。これらの幾何学的形状・配置及び電位を適
当に選定することによつて、荷電粒子に対し発散
レンズ作用を及ぼすことができる。第２ビーム・
スプリツタの後方に配置したレンズ１２を縮小結
像レンズとして構成し、このレンズで、基本ビー
ムに重大な影響を及ぼすことなく、これらの基本
ビームを所定の相対的な方位でターゲツト１４に
投射させる。このターゲツトの領域では、基本ビ
ームの方形断面積は例えば１×1μm²であつて、
この断面積はスポツト整形によつて縮小させるこ
とができる。このターゲツトは半導体基板とする
ことができ、この基板に基本ビームによつて直接
パターンを形成することができる。

或いは又、このターゲツトはマスクとすること
ができ、マスク・プレート上に堆積させた放射感
応層を基本ビームで処理し、後の工程での現像に
供せしめることができる。

第２図は本発明によるビーム照射装置を電子ビ
ーム・リングラフイツク装置の形で示した線図で
ある。円筒容器５０の内部は動作中は真空となつ
ていて、その中に放射源４、第１ビーム・スプリ
ツタ６、ビーム偏向装置８、第２ビーム・スプリ
ツタ１０、結像レンズ１２及びターゲツト１４を
配置している。この場合にはターゲツトを半導体
材料のウエーハをもつて構成しており、このウエ
ーハに集積回路を設けようとするものである。こ
のウエーハをテーブル５２上に設け、このウエー
ハを規定された方法でＸ及びＹ方向に変位させる
ことができるようになしている。この変位を行わ
せるため、このビーム照射装置にＸ−Ｙ駆動機構
５４と、Ｘ−Ｙ位相測定装置５６と、例えば光学
式のＸ−Ｙ位置検出器５８とを設ける。

読取装置６０は、例えば、描かれるべきパター
ンの図形を読取るための手段を具えていて、この
装置から導出した信号を好ましくはデイジタル的
に記憶するメモリ６２に供給するか、又はこれら
信号を直接処理するための制御ユニツト６４に直
接供給する。この制御ユニツトにおいては、これ
ら信号を偏向装置のそれぞれの偏向素子における
デイジタル制御信号に変換する。このために、こ
れらの制御信号をデータ・バス６６を経てデイジ
タル−アナログ変換器６８に供給する。各基本ビ
ームに必要とする制御周波数を1MHzとして、例
えばツール・ユニツト当たり1μ／Ｓの速度で書
込みを行うことができる。

例えば、独立して制御できる10×10本の基本ビ
ームから成るマトリツクスの場合に、このことは
制御周波数が100MHzであることを意味する。電
子ビームをＸ方向にも、Ｙ方向にも同じように1/
４づつのステツプで順次蔽えぎることのできるよ
うなスポツト整形によると、実際上ビームを消去
することなく16通りの異なる書込ビームが得られ
る。これは照射すべきパターンに依存し、このよ
うなビーム整形は単一の全ビームに較べて書込周
波数にとつて有利である。単一ビームを使用する
場合には、高い制御周波数が必要となることは明
らかである。所定の用途にとつては、このような
高い周波数及び使用すべき局所電流密度によつ
て、例えばベルシエ（Boersch）効果に起因し
て、例えば、ターゲツト上の照射すべき最小寸法
の精度又はターゲツト上での境界の規定に制限が
課せられることがある。ある特定使用のシステム
には、電子ビームを用いる代わりにイオン・ビー
ムを用いることができる。イオンがH⁺イオンで
ある場合でも、イオン当たり相当多量のエネルギ
ーが転送されるので、基本ビーム当たり相当少数
の粒子を使用することができ、従つて電流密度も
相当小さくすることができる。イオン・ビームを
用いる他の利点はターゲツト材料中への浸透深さ
を良好に規定できる点にある。従つて、放射感応
層を所定のエネルギーを有するイオン・ビームに
丁度適合するように使用して不所望のイオンイン
プランシーシヨンを防ぐごとができる。他方、こ
の層をイオン照射に適応させる場合には、本発明
による装置を局所イオンインプラーテーシヨンに
対して首尾よく使用することができる。

イオンを用いる場合粒子当たりのエネルギー転
送量が大きいと、これら粒子が当たる装置部分の
加熱量が増大する。これがため、変調個所を粒子
を減速させて、これと同時に小さな制御パルスで
ビームを偏向させることができるようにするのが
有利である。特にスポツト整形を適用する場合に
は、エネルギー転送量が高いことを考慮すると、
例えば第２網状構体に対して熱負荷に対する耐性
及びイオン粉砕（ion pulverization）に関して
一層厳しい要件が課せられる。

制御ユニツト６４には制御装置７０を接続し、
この制御装置により例えばスポツト移動の際ビー
ムの放出を止めるように放射源をパルス作動させ
る。このユニツト６４には第１及び第２ビーム・
スプリツタ用の給電源７２及び７４をそれぞれ接
続する。電極２０，２２，４０，４２，４６及び
４８に対してはそれぞれの端子を介して図示され
ていない普通の電源から所望の位置を与えること
ができる。２枚の有孔プレート３２及び３４を給
電源７６に接続し、レンズ１２に対しては給電源
７８を用いる。第２図には光軸に沿う唯１本のビ
ーム８０を示している。例えば、各々断面積が１
×1μm²であつてピツチを2μｍとした基本ビーム
を10×10のマトリツクス状に配置して成るビーム
を用いると、20×20μm²のフイールドを４段階の
偏向ステツプで完全に照射することができる。こ
のフイールドの後に偏向を行つて次の20×20μm²
のフイールドを照射し、このように順次照射を繰
返し行う。主要な偏向に基づく収差が大きくなり
すぎる場合には、ターゲツトを移動させる。この
移動は、例えば、２×２mm²のフイールドを照射し
た後に行う。従つて、10×10本の基本ビームから
成るビーム・マトリツクスを用いる場合には、タ
ーゲツト１４を機械的に変位させることなく100
個の方形領域の各々に対し任意のパターンで２×
２mm²の方形領域を描画することができる。

第３図は本発明によるビーム照射装置の基本ビ
ームのビーム通路を示す線図である。放射源４か
ら放出され開口角が例えば0.5°のビーム９０か
ら、例えば0.05°の開口角を有する基本ビーム９
４をビーム・スプリツタ６によつて選び出す。こ
の図ではビーム・スプリツタ６の１つの孔９２の
みを示す。好ましくは、この基本ビーム９４を偏
向装置の第１レンズ４０によつて偏向させて、こ
の基本ビームがビーム偏向装置に少なくともほぼ
垂直に当たるようにする。図には２枚のＸ偏向電
極２８と、２枚のＹ偏向電極３０と、２枚のＹ偏
向電極３０と、ビーム偏向装置のマトリツクスの
各ビーム偏向素子に光学的に対応する各グリツド
（有孔プレート）３２及び３４の各々の孔９６及
び９８とを示してある。一方のグリツド、例え
ば、グリツド３４を省いてもよいが、通常はこの
グリツドを補正レンズとして作用させてグリツド
３２による光学収差を補正するのが有利である。
第２レンズ４２はビームを再びビーム照射装置の
光軸２に向けて収束させる。次いで基本ビームは
第２ビーム・スプリツタ１０を通つて通過する。
このビーム・スプリツタの１つの孔を１００で示
す。ビーム整形を行つているため、基本ビームの
物点はビーム・スプリツタ１０の１つの孔上に位
置する。縮小レンズとして示した構成素子１２も
偏向機能を呈することができる。しかしながら、
いずれの既知のタイプのビーム整形方法を使用す
ることもできる。このビーム照射装置のレンズ作
用を調整して複数の基本ビームの交点が放射源の
ある一つの像と少なくともほぼ一致するようにな
る。所要に応じ、各構成素子の電界強度を好適な
順に選定することによつて、このビーム照射装置
全体のレンズ効果を零にすることができる。

第４図は本発明の他の実施例を示し、この実施
例では２個のレンズ４０及び４２を用いる代わり
に、既知の方法で球面収差の補正ができるミラー
系５０を用いる。ミラー系へ入射するビームと反
射して戻つてきたビームとの分離を磁界５２によ
つて既知の方法で行う。好ましくは放射源の像を
レンズ５４を用いてこの磁界の中心部に結像させ
る。このミラー系を用いると、給電用リード線を
このミラー系の後側に完全に取り付けることがで
きるため、ビーム通路のじやまにならないという
利点がある。

単一放出面を有する放射源及びこの放射源から
ある距離だけ離れた所に配置させたビーム・スプ
リツタを用いる場合に、有効的に使用されるべき
ビーム変調器の一部分を横切る電流密度の均一性
は、ビームに走査動作をさせることによつて改善
させることができる。その場合、使用する走査周
波数は十分高い周波数、例えば、書込制御中に生
ずる最高周波数よりも100倍高い周波数とする必
要がある。例えば米国特許第3745342号明細書に
開示されているような直線形の放射源を使用する
場合には、この放射源の長手方向に直交する方向
に直線的に一回走査するだけで十分である。ま
た、ビームが例えば４つの異なる位置を順次に占
めるようにすることによつて、走査を行うことも
できる。

上述においては、本発明を主としてイオン又は
電子リソグラフイ用の装置と関連させて説明し
た。しかしながら、本発明はイオン・インプラン
テーシヨンとか、荷電粒子ビーム好ましくは電子
ビームによつてスクリーン上に図形又は文字数字
情報を表示させる装置とか、例えばフアイリング
用像情報を記録するマイクロフオーマツトとかに
も同様に使用して好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるビーム照射装置の結像系
を示す図式的線図、第１ａ図及び第１ｂ図はこの
結像系の構成素子を示す線図、第２図は本発明に
よる装置を電子ビーム・パターン書込装置の形で
示した線図、第３図はスポツト整形を伴う本発明
によるビーム照射装置を通るビーム通路を示す線
図、第４図は反射形マトリツクスを具えるビーム
変調装置を示す線図である。２……光源、４……放射源、６……第１ビー
ム・スプリツタ、８……ビーム偏向装置（電極
系）、１０……第２ビーム・スプリツタ、１２…
…縮小結像レンズ、１４……ターゲツト、１６…
…放射点、１８，４４……網状構体、２０，２
２，２８，３０，４６，４８……電極、２６……
偏向素子、３２……第１有孔プレート（又はグリ
ツド）、３４……第２有孔プレート（又はグリツ
ド）、４０……第１レンズ、４２……第２レンズ、
５０……円筒容器、５１……ミラー系、５２……
テーブル、５４……Ｘ−Ｙ駆動機構、５６……Ｘ
−Ｙ位置測定装置、５８……位置検出器、６０…
…読取装置、６２……メモリ、６４……制御ユニ
ツト、６６……データ・バス、６８……Ｄ／Ａ変
換器、７０……制御装置、７２，７４，７６，７
８……給電源、８０，９０……ビーム、９２，９
６，９８……孔、９４……基本ビーム、１００…
…孔。

Claims

【特許請求の範囲】１対象物空間に位置させたターゲツト１４に荷
電粒子ビームを照射させる装置であつて、放射源
４と対象物空間の近くに位置させたビーム・スプ
リツタ１０を有しているビーム変調系とを具えて
いるビーム照射装置において、当該装置が前記放
射源の近くに配置した別のビーム・スプリツタ６
と、２つのビーム・スプリツタ間に設けた多重ビ
ーム偏向器を含む電極系８とを具えるようにした
ことを特徴とするビーム照射装置。２前記放射源側の別のビーム・スプリツタ６が
網状構体を具え、該網状構体の両側に、該網状構
体の近くに発生させる電界を均一にするために電
極アレイ２０，２２を配置したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のビーム照射装置。３前記放射源側の別のビーム・スプリツタを、
互いに直交する方向に向けた２組の平行なワイヤ
系で構成し、これら系のワイヤに互いに異なる電
位を与えることができるようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１又は第２項に記載のビー
ム照射装置。４前記ビーム変調系を前記放射源側の前記ビー
ム・スプリツタからある距離だけ離した個所に配
置し、この場合に該距離を前記個所において前記
ビーム変調系が各基本ビームに対し個別の、独立
して制御できるビーム偏向器２６を具え得るよう
な距離で前記基本ビームを互いに離して位置させ
るような距離としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１〜３項のいずれか一つに記載のビーム照
射装置。５前記多重ビーム偏向器のレンズ系を、前記基
本ビームを該多重ビーム偏向器に垂直に向けると
共に該多重ビーム偏向器の後方で前記基本ビーム
を再び収束させるのに用いるようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれか一
つに記載のビーム照射装置。６前記対象物側のビーム・スプリツタと、前記
多重ビーム偏向器の結像側との間に基本ビームを
通す有孔プレートを配置し、かつ、前記対象物側
のビーム・スプリツタにそれに隣接するリング状
電極によつて電界を与えることのできるようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項の
いずれか一つに記載のビーム照射装置。７前記多重ビーム偏向器の両側に有孔プレート
３２及び３４を配置し、これらの有孔プレートに
基本ビームを通過させ、かつこれらの有孔プレー
トに隣接するリング状電極によつて電界を与える
ことができるようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１〜６項のいずれか一つに記載のビー
ム照射装置。８Ｘ方向に対する複数のビーム偏向素子と、Ｙ
方向に対する複数のビーム偏向素子とを、前記多
重ビーム偏向器の、互いにある距離だけ離れて位
置し、かつ光軸に対し直交する方向のそれぞれの
平面に、それぞれ取り付けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１〜７項のいずれか一つに記載の
ビーム照射装置。９前記多重ビーム偏向器を電気的に絶縁してい
る担体プレートを以つて構成し、該担体プレート
の両側に金属層部分の形態で偏向電極を設け、該
偏向電極に対し前記担体プレート上に設けられて
いる導電性トラツクによつて所望の制御電位を与
えることができるようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１〜８項のいずれか一つに記載の
ビーム照射装置。１０前記放射源が、対象物側のビーム・スプリ
ツタとしても作用する放射素子のマトリツクスを
具えることを特徴とする特許請求の範囲第１〜９
項のいずれか一つに記載のビーム照射装置。１１前記多重ビーム偏向器が可制御ミラー電極
５０のマトリツクスを具えることを特徴とする特
許請求の範囲第８項に記載のビーム照射装置。１２基本ビーム毎にスポツト整形を行うために
荷電粒子用の可制御光学手段を具えることを特徴
とする特許請求の範囲第１〜１１項のいずれか一
つに記載のビーム照射装置。１３形成されるべきパターンの図形を読取るた
めの読取装置によつてマイクロ回路を規定するパ
ターンを形成するための電子リソグラフイツク装
置として構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１〜１２項のいずれか一つに記載のビーム照
射装置。１４ターゲツトにパターンを書込むためのイオ
ン・リソグラフイツク装置として構成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１〜１２項のいずれ
か一つに記載のビーム照射装置。１５基本ビーム相互間の関係が乱されることな
く、前記ビーム変調系の前方にイオン・ビームを
減速する手段を設け、該ビーム変調系の後方にイ
オン・ビームを再び加速する手段を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１４項に記載のビー
ム照射装置。１６前記ビーム・スプリツタが、前記基本ビー
ムの断面を六角形又は円形となるように、六角形
の構造をしていることを特徴とする特許請求の範
囲第１〜１５項のいずれか一つに記載のビーム照
射装置。