JP4504880B2 - 真空排気系を利用したシリンダを用いたイオンビーム電流測定機構 - Google Patents

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本発明は、走査顕微鏡(SEM)や透過型顕微鏡(TEM)などで観察される試料を作製するためのイオンミリング装置およびイオンミリング方法に関する。
イオンミリング装置は、金属,ガラス,セラミックなどの表面あるいは断面を、アルゴンイオンビームを照射するなどして研磨するための装置であり、電子顕微鏡により試料の表面あるいは断面を観察するための前処理装置として好適である。
電子顕微鏡による試料の断面観察において、従来は観察したい部位の近傍を例えばダイヤモンドカッター,糸のこぎり等を使用して切断した後、切断面を機械研磨し、電子顕微鏡用の試料台に取り付けて像を観察していた。
機械研磨の場合、例えば高分子材料やアルミニウムのように柔らかい試料では、観察表面がつぶれる、あるいは研磨剤の粒子によって深い傷が残るといった問題があった。又、例えばガラスあるいはセラミックのように固い試料では研磨が難しく、柔らかい材料と固い材料とが積層された複合材料では、断面加工が極めて難しいという問題があった。
これに対し、イオンミリングは、柔らかい試料でも表面の形態がつぶれることなく加工できる、固い試料および複合材料の研磨が可能である。鏡面状態の断面を容易に得ることができるという効果がある。
特許文献1には、イオンミリング装置の試料ホルダおよびホルダ固定具に関して記載されている。
特許文献2には、真空チャンバ内に配置され、試料にイオンビームを照射するためのイオンビーム照射手段と、前記真空チャンバ内に配置され、前記イオンビームにほぼ垂直な方向の傾斜軸をもつ傾斜ステージと、その傾斜ステージ上に配置され、前記試料を保持する試料ホルダと、前記傾斜ステージ上に位置し、前記試料を照射するイオンビームの一部を遮る遮蔽材とを具えた試料作製装置であり、前記傾斜ステージの傾斜角を変化させながら前記イオンビームによる試料加工を行うようにし試料の位置調整用の光学顕微鏡が試料ステージ引出し機構の上端部に取り付けられた試料作製装置が記載されている。
特開平9−293475号公報 特開2005−91094号公報
試料に照射されるイオンビームのビーム電流値を測定するために真空チャンバにイオンビーム測定子が設けられる。従来このイオンビーム測定子を移動させてイオンビーム通路上に配置あるいはイオンビーム通路上から除去するのに手動で行っており、簡便さに欠けるきらいがあった。
本発明は、かかる点に鑑みて、イオンビーム測定子の移動を行うに際して、手間取らずに簡便にイオンビーム電流を任意のボタン操作でモニタ出来、加工性能を調整するために役立てることのできるイオンミリング装置を提供することを目的とする。
本発明は、真空チャンバに取り付けられ、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、試料を固定する試料ホルダを固定する試料ホルダ固定具と、前記試料ホルダ,該試料ホルダに固定された試料の一部を遮蔽するマスク,前記試料ホルダを回転する試料回転機構および前記マスクと試料との遮蔽位置関係を調整するマスク位置調整部から構成される試料マスクユニットと、および前記真空チャンバと真空排気装置とを排気管で結ぶ真空排気系とを備えたイオンミリング装置において、イオンビーム測定子が前記真空チャンバの内部に設けられ、該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が前記真空排気系に連通して設けられ、かつ各真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁がそれぞれ設けられることを特徴とするイオンミリング装置を提供する。
本発明によれば、イオンビーム測定子の移動を行うに際して、イオンビーム測定子駆動装置を設けたので、手間取らずに簡便に行うことができると共に、イオンビームで加工中のイオンビーム電流をモニタしながらイオンビーム電流を調整出来、最適な条件設定で試料加工を行うことができる。
本発明の実施例であるイオンミリング装置は、真空チャンバに取り付けられ、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、試料を固定する試料ホルダを固定する試料ホルダ固定具と前記試料ホルダ,該試料ホルダに固定された試料の一部を遮蔽するマスク,前記試料ホルダを回転する試料回転機構および前記マスクと試料との遮蔽位置関係を調整するマスク位置調整部から構成される試料マスクユニットとおよび前記真空チャンバと真空排気装置とを排気管で結ぶ真空排気系とを備えたイオンミリング装置において、イオンビーム測定子が前記真空チャンバの内部に設けられ該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が前記真空排気系に連通して設け、前記駆動部に真空排気による減圧と大気による大気圧を作動させる圧力変換室を有し、前記真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁をそれぞれ設けることで、イオンビーム測定子を出し入れ可能とする。前記駆動部に真空排気による減圧と大気による大気圧の切り替えは、一方を真空排気による減圧、もう一方を大気に接続しそれらを切り替えて供給のできる3方電磁弁により、前記3方弁を任意に操作することでイオンビーム測定子が出し入れ可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明によるイオンミリング装置の構成を示したものであり、試料マスクユニットと試料微動ベースが真空チャンバの内部に設置されている状態を示している。以下では、イオン源からアルゴンイオンビームを照射する場合について説明する。従って、以下でイオンビームはアルゴンイオンビームを意味するが、本実施例はアルゴンイオンビームに限定されない。
アルゴンイオンのイオン源1におけるアルゴンイオンの電流密度は、イオン源制御部7で制御される。真空チャンバ15は真空排気系制御部9にて真空排気系6を制御して真空又は大気の状態にでき、その状態を保持できる。
試料ホルダ固定具5は、試料を微動、固定させる試料微動ベースとしての機能を有し、マスク2で遮蔽された試料3を固定する試料ホルダ23を固定し、イオンビームの光軸に対して任意の角度に回転傾斜できるように構成されており、回転傾斜させる方向と傾斜角度は、試料微動制御部8により制御される。試料ホルダ固定具5を回転傾斜させることにより、試料ホルダ23に固定されている試料3をイオンビームの光軸に対して所定の角度に設定することができる。また、試料ホルダ固定具5の上部に設置された試料マスクユニット微動機構4は、イオンビームの光軸に対して横方向の前記左右、すなわち、X方向とY方向に移動できるように構成される。
試料ホルダ固定具5は、真空チャンバ15の容器壁の一部を兼ねるフランジ10に固定されており、フランジ10をリニアガイド11に沿って引き出して真空チャンバ15を大気状態に開放した時に、試料ホルダ固定具5が真空チャンバの外部へ引き出されるように構成されている。このようにして、試料ステージ引出機構が構成される。
試料マスクユニット本体の構成を図2により説明する。図2の(a)は平面図、(b)は側面図である。実施例では、少なくとも試料ホルダ23とその回転機構、マスク2とその微調整機構とを一体に構成したものを試料マスクユニット(本体)21と称する。図2では、試料ホルダ23の回転機構として試料ホルダ回転リング22と試料ホルダ回転ねじ28が備えられており、イオンビームの光軸に対して、垂直に試料ホルダを回転できるようにしている。
試料マスクユニット21は、マスクの位置と回転角を微調整できる機構を持ち、図1の試料マスクユニット微動機構4に取り付け、取り外しができる。
マスク2はマスクホルダ25にマスク固定ねじ27により固定される。マスクホルダ25はマスク微調整機構(すなわちマスク位置調整部)26を操作することによってリニアガイド24に沿って移動し、これにより試料3とマスク2の位置が微調整される。試料ホルダ23は、下部側より試料ホルダ回転リング22に挿入され固定される。試料3は試料ホルダ23に接着固定される。試料ホルダ位置制御機構30により試料ホルダ23の高さ方向の位置を調整し、試料ホルダ23をマスク2に密着させる。
試料ホルダ回転リング22は、試料ホルダ回転ねじ28を回すことによって回転するように構成されており、逆回転はばね29のばね圧で戻るようになっている。
図3は、試料マスクユニット21の他の例を示す。この例にあっては、試料ホルダ固定金具35を使用しており、他の構成は図2に示す例と基本的に同一である。図3(a)は、試料3を固定した試料ホルダ23を試料マスクユニット21内に装着した状態を示し、図3(b)は試料3を固定した試料ホルダ23を試料マスクユニット21から取り外した状態を示す。
図4は、イオンビーム測定子駆動装置100を示す。
図4において、真空チャンバ15にはイオン源1が取り付けられ、イオン源制御部7によって制御されたイオンビーム40が試料3に向けて照射される。試料3に照射されるイオンビームが適切な値に設定されているかを測定するために真空チャンバ15の内部にあってイオンビーム40の通路を遮る方向に移動させるようにされたイオンビーム測定子38が設けられる。このイオンビーム測定子38の駆動のためにイオンビーム測定子駆動装置100が設けられる。
イオンビーム測定子駆動装置100の本体をなすシリンダ61は0リング62を介して真空チャンバ15に取り付けられる。イオンビーム測定子駆動装置100は、このシリンダ61と、ピストン60の両側に設けられた棒状の連結体63,64と、一方の連結体64の端側に設けられたばね収納室65と、該連結体64に作動するばね66と、および排気管67とから構成される。他方の連結体63の端部にはイオンビーム測定子38が連結される。ピストン60の左側、すなわちイオンビーム測定子38の反対側に形成された圧力変換室71には排気管67が連結して設けてある。ばね収納室65は0リング68を介してシリンダ61に連結され、内部にばね収納部屋69が形成してあり、このばね収納部屋69内に一方の連結体63の作動端部70が設けられてばね圧縮された時のばね収納部屋69の内壁に沿った移動作用をなす。真空引きによる、あるいは大気圧による圧力差によってピストン60およびイオンビーム測定子38をイオンビーム40の逆方向またはイオンビーム40の方向に駆動する。また、作動端部70とばね収納部屋69の端(図面で左側)との間にはイオンビーム測定子38をイオンビーム40の逆方向に駆動させるようにばね66が配置してある。ばね66はピストン60に真空チャンバ内の真空圧が作動する方向とは逆方向に操作力が作動する。
真空チャンバ15は排気管81を介して真空排気装置82と連結され、排気管81にターボ分子ポンプ(TMP)83および弁84が設けられて、真空排気装置82を含めた真空排気系90が設けてある。
排気管67は排気管81を介して真空排気装置82に連結され、排気管67に圧力変換室71,真空排気装置82および外部(大気)に連通する配管86に連通する三方弁85が設けられ、真空排気装置82を含めた他方の真空排気系91が形成される。
弁84と三方弁85とは、一方が開のときには閉、他方が閉のときには開となる操作が真空排気系制御部(図1参照)によって付与される。イオンビーム測定子38に連結された固定式の下部イオンビーム測定子39が試料3の下側方向にある。
イオンビーム測定子38はイオン源1よりイオンビームが出ている間、操作パネル上の任意のボタン操作により駆動させ、イオンビームで試料を研磨加工中のイオンビーム電流をモニタできる。
試料3を固定する試料ホルダ23を固定する試料マスクユニット微動機構4および試料ホルダ固定具は、試料ホルダ23を装着した時、試料3及びマスク2で遮蔽されないイオンビームが試料ホルダ固定具より下部へ通過できるための空間を有する。
試料ホルダ固定具より下部へ通過したイオンビーム電流を測定、又はモニタできる別のイオンビーム測定板39が、試料ホルダ固定具の下部に固定した状態で設置されている。
このように、イオンビーム測定子38は真空排気によって駆動される駆動部、すなわちシリンダーピストン機構、特に該シリンダーピストン機構のピストン60によって駆動される。この場合の駆動方向は圧力変換室71が真空排気系91によって真空とされるためにイオンビーム10から離れる方向である。そして、この場合にばね収納部屋69内にあるバネの元に戻ろうとする力が作動する。弁84、三方弁85の操作、および圧力変換室71における真空排気による減圧と大気による大気圧でイオンビーム測定子を作動操作のために排気系制御回路(図示せず)を備えた真空排気系制御部9が設けられる。
本実施例にあっては真空排気系によるイオンビーム測定子38の駆動を行っているので、省スペースが可能となり、静かに安定して測定を行うことができるという特徴がある。
本実施例にあっては2つの真空排気系90および91が設けられるが、真空排気装置82を共通して設けているという特徴を有する。すなわち真空動力源の共通化を行って、イオンビーム測定子38を駆動するという特徴を有する。イオンミリング装置100の真空排気系を利用して駆動部を動かすことで、通常駆動部を動かすのに必要とされる圧空(コンプレッサ等で生成)を必要としないでイオンビーム測定子38を動かし、イオンビームによるビーム電流を測定することができる。前記試料を固定する試料ホルダ23を固定する試料マスクユニット微動機構4および試料微動ベース5は、試料ホルダ23を装着した時、前記試料3及びマスク2で遮蔽されないイオンビームが試料微動ベース5より下部へ通過できるための空間を有し、試料微動ベース5より下部へ通過したイオンビーム電流を測定、又はモニタできる別の下部イオンビーム測定子39が、試料微動ベース5の下部に固定した状態で設置されている。
図5は、矢印部より空気を圧力変換室71に導入して駆動部を介してイオンビーム測定子38をイオンビーム40方向に駆動している状態を示している。この場合には真空排気系91には真空は動作しない。イオンビーム測定子38をイオンビーム40の通過路に設置することによってイオンビーム40が設定の値になっているかどうかの測定を行う。
図6はイオンミリングを行う場合の状態を示す。この場合には真空排気系91が使用され、真空排気系92および空気圧系(空気導入管86等)が遮断される。真空排気系91の真空作動(矢印)によってイオンビーム測定子38はイオンビーム40から離れる方向(右方)に移動し、イオンビーム40の試料3への照射が可能とされる。この状態でイオンビーム40の試料3への照射がなされ、試料のイオンミリングがなされる。
このとき、試料微動ベース5より下部へ通過したイオンビーム電流を測定、又はモニタできる別の下部イオンビーム測定子39が、試料微動ベース5の下部に固定した状態で設置されて下部イオンビーム測定子39でイオンビーム電流を測定、又はモニタすることができる。
図7は、試料の断面とマスクを平行にする方法を示した説明図である。
試料ホルダ回転ねじ28を回してX1方向の位置調整を行い、試料3の断面とマスク2の稜線が平行になるよう後述するようにして顕微鏡下で微調整する。このとき、試料3の断面がマスクより僅かに突出、例えば50μm程度突出するようにマスク微調整機構26を回して設定する。
図8は、試料3の断面研磨したい部位をイオンビーム中心に合わせる方法を示した説明図である。感光紙等を試料ホルダ23に取り付け、イオンビームを照射することによりできた痕、すなわちビーム中心とルーペの中心をルーペ微動機構(図示せず)でX2,X3を駆動して合わせておく。X3,Y3方向の位置を調整してルーペ中心に合わせることで、イオンビーム中心と断面研磨したい部位を合わせることができる。
図9は、イオンビームで試料3の断面を鏡面研磨する方法を示した説明図である。アルゴンイオンビームを照射すると、マスク2で覆われていない試料3をマスク2に沿って、深さ方向に取り除くことができ、且つ、試料3の断面の表面を鏡面研磨することができる。
このように、イオンミリング時に試料に対する遮蔽位置関係が調整されたマスク2を備えた試料マスクユニット21が試料微動ベース5に戻され、装着されることになる。
近年、特に半導体分野で、複合材料を電子顕微鏡で断面観察することが重要となってきており、複合材料の断面を鏡面研磨する重要性が増している。本実施例により、イオンビーム測定子を、容易に設定することが可能になった。
本発明の一実施例によるイオンミリング装置の概略構成図である。 試料マスクユニットの概略構成図である。 試料マスクユニットの他の例を示す図である。 イオンビーム測定子駆動装置の構成図である。 イオンビーム測定子の駆動状態(1)を示す図である。 イオンビーム測定子の駆動状態(2)を示す図である。 試料の断面とマスクを平行にする方法を示した説明図である。 アルゴンイオンビーム中心と試料の断面研磨したい部位とを合わせる方法を示した説明図である。 イオンミリングによる試料断面研磨方法を示した説明図である。
符号の説明
1…イオン源、2…マスク、3…試料、4…試料マスクユニット微動機構、5…試料ホルダ固定具、6…真空排気系、7…イオン源制御部、8…試料微動制御部、9…真空排気系制御部、10…フランジ、11…リニアガイド、15…真空チャンバ、21…試料マスクユニット、22…試料ホルダ回転リング、23…試料ホルダ、24…リニアガイド、25…マスクホルダ、26…マスク微動機構、28…試料ホルダ回転ネジ、29…ばね、30…試料ホルダ位置制御機構、35…試料ホルダ固定金具、38…イオンビーム測定子、40…イオンビーム、42…固定台、60…ピストン、61…シリンダ、62…Oリング、63,64…連結体、65…ばね収納室、66…ばね、67…排気管、70…作動端部、71…圧力変換室、81…排気管、84…弁、85…三方弁、90…真空排気系、91…真空排気系、100…イオンビーム測定子駆動装置。

Claims (7)

  1. 真空チャンバに取り付けられ、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、試料を固定する試料ホルダを固定する試料ホルダ固定具と、前記試料ホルダ,該試料ホルダに固定された試料の一部を遮蔽するマスク,前記試料ホルダを回転する試料回転機構および前記マスクと試料との遮蔽位置関係を調整するマスク位置調整部から構成される試料マスクユニットと、および前記真空チャンバと真空排気装置とを排気管で結ぶ真空排気系とを備えたイオンミリング装置において、イオンビーム測定子が前記真空チャンバの内部に設けられ、該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が前記真空排気系に連通して設けられ、かつ各真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁がそれぞれ設けられることを特徴とするイオンミリング装置。
  2. 請求項1において、前記駆動部に真空排気による減圧と大気による大気圧を作動させる圧力変換室が設けられ、かつ該駆動部に真空排気による減圧が作動する方向と逆方向に操作力が作動するばねが設けられることを特徴とするイオンミリング装置。
  3. 請求項1,2において、前記イオンビーム測定子は、前記イオンビーム源と前記試料ホルダとの間に設けられ、前記真空排気系によって駆動されることを特徴とするイオンミリング装置。
  4. 請求項1,2,3において、前記イオンビーム測定子は前記イオンビーム源よりイオンビームが出ている間、操作パネル上の任意のボタン操作により駆動させ、イオンビームで試料を研磨加工中のイオンビーム電流をモニタすることを特徴とするイオンミリング装置。
  5. 請求項1のイオンミリング装置において、前記試料を固定する試料ホルダを固定する試料マスクユニット微動機構および試料ホルダ固定具は、試料ホルダを装着した時、前記試料及びマスクで遮蔽されないイオンビームが試料ホルダ固定具より下部へ通過できるための空間を有することを特徴とするイオンミリング装置。
  6. 請求項5において、試料ホルダ固定具より下部へ通過したイオンビーム電流を測定、又はモニタできるイオンビーム測定板が、試料ホルダ固定具の下部に固定した状態で設置されていることを特徴とするイオンミリング装置。
  7. 請求項6において、前記イオンビーム測定子駆動してイオンビームが照射される位置にあるときは、該イオンビーム測定子でイオンビーム電流をモニタし、前記イオンビーム測定子駆動してイオンビームが照射されない位置にあるときは、前記イオンビーム測定板でイオンビーム電流をモニタすることを特徴とするイオンミリング装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5009126B2 (ja) * 2007-10-26 2012-08-22 真則 尾張 アトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置
JP2009245783A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Hitachi High-Technologies Corp イオンミリング装置及びイオンミリング方法
US8653489B2 (en) * 2010-04-11 2014-02-18 Gatan, Inc. Ion beam sample preparation apparatus and methods
WO2019167165A1 (ja) 2018-02-28 2019-09-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンミリング装置及びイオンミリング装置のイオン源調整方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0277843U (ja) * 1988-12-01 1990-06-14
JPH02141878U (ja) * 1989-05-02 1990-11-29
JPH08118905A (ja) * 1994-10-20 1996-05-14 Shimadzu Corp 真空装置
JPH1164282A (ja) * 1997-08-19 1999-03-05 Hitachi Ltd 質量分析装置の調整方法
JP2005091094A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Jeol Ltd 試料作製装置および試料作製方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0277843U (ja) * 1988-12-01 1990-06-14
JPH02141878U (ja) * 1989-05-02 1990-11-29
JPH08118905A (ja) * 1994-10-20 1996-05-14 Shimadzu Corp 真空装置
JPH1164282A (ja) * 1997-08-19 1999-03-05 Hitachi Ltd 質量分析装置の調整方法
JP2005091094A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Jeol Ltd 試料作製装置および試料作製方法

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