JPH04136944A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPH04136944A JPH04136944A JP2259647A JP25964790A JPH04136944A JP H04136944 A JPH04136944 A JP H04136944A JP 2259647 A JP2259647 A JP 2259647A JP 25964790 A JP25964790 A JP 25964790A JP H04136944 A JPH04136944 A JP H04136944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- chamber
- removing base
- stand
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線を利用して露光を行なうＸ線露光装置に
係り、特に露光部におけるＸ線マスクと試料との位置決
め精度の悪化を防止したＸ線露光装置に関する。
係り、特に露光部におけるＸ線マスクと試料との位置決
め精度の悪化を防止したＸ線露光装置に関する。
（従来の技術）
従来、ＬＳＩパターンを形成するには、光露光装置が一
般に用いられていたが、近年、半導体ＤＲＡＭ等の容量
の増加に伴い、集積化が一段と進んでＬＳＩパターンの
微細化が求められ、微細化されたパターンを光露光装置
で形成するのは、解像度や生産性の面で限界に近くなっ
てきている。
般に用いられていたが、近年、半導体ＤＲＡＭ等の容量
の増加に伴い、集積化が一段と進んでＬＳＩパターンの
微細化が求められ、微細化されたパターンを光露光装置
で形成するのは、解像度や生産性の面で限界に近くなっ
てきている。
そこで最近では、光露光装置よりも微細なパタンを形成
することが可能なＸ線露光装置の開発が進められている
。このＸ線露光装置では、高揮度のＸ線源が必要とされ
るが、このようなＸ線源としてシンクロトロンが注目さ
れている。
することが可能なＸ線露光装置の開発が進められている
。このＸ線露光装置では、高揮度のＸ線源が必要とされ
るが、このようなＸ線源としてシンクロトロンが注目さ
れている。
第２図は、Ｘ線源としてシンクロトロンを用いた従来の
一般的なＸ線露光装置を示す概略構成図である。
一般的なＸ線露光装置を示す概略構成図である。
即ち、図示しないシンクロトロンから放射されたＸ線１
は、Ｘ線反射ミラーで反射され、超高真空のボート２内
を通って、この先端面に装着されたＸ線取出し窓３から
チャンバ４内に入る。ここに、前記ポート２が超高真空
に保たれているのは、Ｘ線１は、雰囲気による輝度減衰
率が大きいので、この減衰を防止するためである。
は、Ｘ線反射ミラーで反射され、超高真空のボート２内
を通って、この先端面に装着されたＸ線取出し窓３から
チャンバ４内に入る。ここに、前記ポート２が超高真空
に保たれているのは、Ｘ線１は、雰囲気による輝度減衰
率が大きいので、この減衰を防止するためである。
前記チャンバ４内は、この内部を通過するＸ線の減衰を
防止するため、一般に大気圧又は減圧されたヘリウム雰
囲気になっており、この内部には、定盤等の架台５の上
部に位置して露光部６が配置されている。
防止するため、一般に大気圧又は減圧されたヘリウム雰
囲気になっており、この内部には、定盤等の架台５の上
部に位置して露光部６が配置されている。
この露光部６は、マスクステージ７を介してＸ線マスク
８を保持するマスクステージ架台９と、ｘ、ｙ、ｚ及び
θ方向に移動及び回転自在なウェハステージ１０を備え
該ウェハステージ１０の前面に設けたウェハチャックを
介して試料として半導体ウェハ１１を保持するウェハス
テージ架台１２とから主に構成されている。そして、前
記Ｘ線取り出し窓３からチャンバ４内に取り込まれたＸ
線１は、Ｘ線マスク８に照射され、このＸ線マスク８を
通して半導体ウェハ１１の表面にＸ線を照射することに
より、半導体ウェハ１１上にＸ線マスク８のマスクパタ
ーンを露光するようなされている。
８を保持するマスクステージ架台９と、ｘ、ｙ、ｚ及び
θ方向に移動及び回転自在なウェハステージ１０を備え
該ウェハステージ１０の前面に設けたウェハチャックを
介して試料として半導体ウェハ１１を保持するウェハス
テージ架台１２とから主に構成されている。そして、前
記Ｘ線取り出し窓３からチャンバ４内に取り込まれたＸ
線１は、Ｘ線マスク８に照射され、このＸ線マスク８を
通して半導体ウェハ１１の表面にＸ線を照射することに
より、半導体ウェハ１１上にＸ線マスク８のマスクパタ
ーンを露光するようなされている。
このように、露光部６全体を大気圧又は減圧したヘリウ
ム雰囲気のチャンバ４内に配置することによって、放射
光強度の減衰率を小さくするとともに、解像度を上げる
ことができる。
ム雰囲気のチャンバ４内に配置することによって、放射
光強度の減衰率を小さくするとともに、解像度を上げる
ことができる。
ここに、Ｘ線露光では、レンズやミラーによる性能の良
い光学系を組むことができないので、１対１の投影露光
となる。従って、Ｘ線マスク８と半導体ウェハ１１との
位置関係を高精度に設定する必要がある。
い光学系を組むことができないので、１対１の投影露光
となる。従って、Ｘ線マスク８と半導体ウェハ１１との
位置関係を高精度に設定する必要がある。
このため、下部に複数の空気ばね１３を備えた除振台１
４の上部に、前記露光部６を内部に配置したチャンバ４
全体を架台５ごと設置して、外部からの振動が露光部６
に伝わらないようにすることが一般に行われていた。
４の上部に、前記露光部６を内部に配置したチャンバ４
全体を架台５ごと設置して、外部からの振動が露光部６
に伝わらないようにすることが一般に行われていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来例においては、ポート２の振動
がチャンバ４から架台５に伝わってしまい、この架台５
の振動によって露光部６が振動することで、転写時にお
けるＸ線マスク８と半導体ウェハ１１との位置合わせ精
度が悪化してしまうといった問題点があった。
がチャンバ４から架台５に伝わってしまい、この架台５
の振動によって露光部６が振動することで、転写時にお
けるＸ線マスク８と半導体ウェハ１１との位置合わせ精
度が悪化してしまうといった問題点があった。
ここに、先端面にＸ線取出し窓３を装着し、Ｘ線１を該
Ｘ線取出し窓３まで導くポート２は、この内部を常に超
高真空に維持する必要があるが、チャンバ４内のヘリウ
ムがＸ線取出し窓３からこの内部に僅かに漏れるため、
ポート２の基端部に真空ポンプ（図示せず）を連結して
、常に真空引きを行うことが通常行われ、この時に発生
する振動によって、ポート２が振動してしまう。
Ｘ線取出し窓３まで導くポート２は、この内部を常に超
高真空に維持する必要があるが、チャンバ４内のヘリウ
ムがＸ線取出し窓３からこの内部に僅かに漏れるため、
ポート２の基端部に真空ポンプ（図示せず）を連結して
、常に真空引きを行うことが通常行われ、この時に発生
する振動によって、ポート２が振動してしまう。
本発明は上記に鑑み、ポートの振動が露光部に伝わって
しまうことを防止して、Ｘ線マスクと試料たる半導体ウ
ェハとの位置合わせ精度が悪化してしまうことがないよ
うにしたものを提供することを目的とする。
しまうことを防止して、Ｘ線マスクと試料たる半導体ウ
ェハとの位置合わせ精度が悪化してしまうことがないよ
うにしたものを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明に係るＸ線露光装置は
、Ｘ線を発生させるＸ線源と、このＸ線源から放射され
たＸ線を通過させ先端面にＸ線取出し窓を装着した高真
空のポートと、前記Ｘ線取出し窓から放射されるＸ線を
Ｘ線マスクを通過させて該Ｘ線マスクのマスクパターン
を試料面に照射する露光部と、前記露光部をＸ線低減衰
雰囲気にするチャンバとを備えたＸ線露光装置において
、前記露光部を除振台を備えた架台上に設置するととも
に、前記除振台ごと前記チャンバ内に配置したものであ
る。
、Ｘ線を発生させるＸ線源と、このＸ線源から放射され
たＸ線を通過させ先端面にＸ線取出し窓を装着した高真
空のポートと、前記Ｘ線取出し窓から放射されるＸ線を
Ｘ線マスクを通過させて該Ｘ線マスクのマスクパターン
を試料面に照射する露光部と、前記露光部をＸ線低減衰
雰囲気にするチャンバとを備えたＸ線露光装置において
、前記露光部を除振台を備えた架台上に設置するととも
に、前記除振台ごと前記チャンバ内に配置したものであ
る。
（作 用）
上記にように構成した本発明によれば、ポートの振動は
チャンバに伝達されるが、このチャンバと上部に露光部
を設置した架台との間には、除振台が介装されているた
め、前記チャンバの振動は外部からの振動と同様にこの
除振台によって吸収され、この振動が架台、ひいては露
光部に伝達されてしまうことを防止することができる。
チャンバに伝達されるが、このチャンバと上部に露光部
を設置した架台との間には、除振台が介装されているた
め、前記チャンバの振動は外部からの振動と同様にこの
除振台によって吸収され、この振動が架台、ひいては露
光部に伝達されてしまうことを防止することができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
この実施例においては、上記従来例と異なる点は以下の
通りである。
通りである。
即ち、図示しないシンクロトロンから放射されたＸ線］
は、Ｘ線反射ミラーで反射され、超高真空のポート２内
を通って、この先端面に装着されたＸ線取出し窓３から
密閉状態のチャンバ４内に入るのであるが、このチャン
バ４は、床面１５上に設置されている。
は、Ｘ線反射ミラーで反射され、超高真空のポート２内
を通って、この先端面に装着されたＸ線取出し窓３から
密閉状態のチャンバ４内に入るのであるが、このチャン
バ４は、床面１５上に設置されている。
そして、このチャンバ４の内部に位置して、下部に空気
ばね１３を備えた除振台１４が配置され、この除振台１
４の上部に架台５が、更にこの架台の５の上部に、マス
クステージ７を介してＸ線マスク８を保持するマスクス
テージ架台９と、Ｘ＋Ｙ、 Ｚ及びθ方向に移動及び
回転自在なウェハステージ１０を備え該ウェハステージ
１０の前面に設けたウェハチャックを介して試料として
半導体ウェハ１１を保持するウェハステージ架台１２と
から主に構成された露光部６が夫々設置されている。
ばね１３を備えた除振台１４が配置され、この除振台１
４の上部に架台５が、更にこの架台の５の上部に、マス
クステージ７を介してＸ線マスク８を保持するマスクス
テージ架台９と、Ｘ＋Ｙ、 Ｚ及びθ方向に移動及び
回転自在なウェハステージ１０を備え該ウェハステージ
１０の前面に設けたウェハチャックを介して試料として
半導体ウェハ１１を保持するウェハステージ架台１２と
から主に構成された露光部６が夫々設置されている。
これにより、真空ポンプの駆動に伴ってポート２に発生
する振動はチャンバ４に伝達されるが、このチャンバ４
と上部に露光部６を設置した架台５との間には空気ばね
１３を備えた除振台１４が介装されているため、このチ
ャンバ４の振動は外部からの振動と同様にこの除振台１
４によって吸収され、この振動が架台５、ひいては露光
部６に伝達されてしまうことを防止することができる。
する振動はチャンバ４に伝達されるが、このチャンバ４
と上部に露光部６を設置した架台５との間には空気ばね
１３を備えた除振台１４が介装されているため、このチ
ャンバ４の振動は外部からの振動と同様にこの除振台１
４によって吸収され、この振動が架台５、ひいては露光
部６に伝達されてしまうことを防止することができる。
なお、密閉状のチャンバ４は、露光部６の保守、点検等
のため分割面４Ｃで上部チャンバ４ａと下部チャンバ４
ｂとに分割可能である。また分割するかわりにシャッタ
ー付きの窓等でもよい。
のため分割面４Ｃで上部チャンバ４ａと下部チャンバ４
ｂとに分割可能である。また分割するかわりにシャッタ
ー付きの窓等でもよい。
なお、チャンバ４の内部は、一般に大気圧又は減圧した
ヘリウム雰囲気に維持されているが、Ｘ線の減衰防止効
果の向上を図るためには、超高真空雰囲気にすることが
望ましく、このようにした場合にも、本発明が適用でき
ることは勿論である。
ヘリウム雰囲気に維持されているが、Ｘ線の減衰防止効
果の向上を図るためには、超高真空雰囲気にすることが
望ましく、このようにした場合にも、本発明が適用でき
ることは勿論である。
以上詳述したように本発明によれば、真空排気系のポン
プが主な原因と考えられるポートに発生する振動は、チ
ャンバに伝達されるが、チャンバと架台、ひいては露光
部との間には除振台が介装されているため、この振動を
この除振台で確実に吸収して、この振動が露光部に伝わ
ってしまうことを防止することができる。
プが主な原因と考えられるポートに発生する振動は、チ
ャンバに伝達されるが、チャンバと架台、ひいては露光
部との間には除振台が介装されているため、この振動を
この除振台で確実に吸収して、この振動が露光部に伝わ
ってしまうことを防止することができる。
これによって、露光部における良好な位置決め精度を維
持して、Ｘ線を光源としたＸ線露光を行うことができる
といった効果がある。
持して、Ｘ線を光源としたＸ線露光を行うことができる
といった効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第２図は
従来例を示す概略構成図である。 １・・・Ｘ線、２・・・ポート、３・・・Ｘ線取出し窓
、４・・・チャンバ、５・・・架台、６・・・露光部、
８・・・Ｘ線マスク、１２・・・半導体ウェハ（試料）
、１３・・・空気ばね、１４・・・除振台。
従来例を示す概略構成図である。 １・・・Ｘ線、２・・・ポート、３・・・Ｘ線取出し窓
、４・・・チャンバ、５・・・架台、６・・・露光部、
８・・・Ｘ線マスク、１２・・・半導体ウェハ（試料）
、１３・・・空気ばね、１４・・・除振台。
Claims (1)
- Ｘ線を発生させるＸ線源と、このＸ線源から放射され
たＸ線を通過させ先端面にＸ線取出し窓を装着した高真
空のポートと、前記Ｘ線取出し窓から放射されるＸ線を
Ｘ線マスクを通過させて該Ｘ線マスクのマスクパターン
を試料面に照射する露光部と、前記露光部をＸ線低減衰
雰囲気にするチャンバとを備えたＸ線露光装置において
、前記露光部を除振台を備えた架台上に設置するととも
に、前記除振台ごと前記チャンバ内に配置したことを特
徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259647A JPH04136944A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259647A JPH04136944A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04136944A true JPH04136944A (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=17336958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2259647A Pending JPH04136944A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04136944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786156A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-03-31 | Canon Inc | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| JP2002015989A (ja) * | 1993-07-21 | 2002-01-18 | Canon Inc | 処理システム及びこれを用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2259647A patent/JPH04136944A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786156A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-03-31 | Canon Inc | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| JP2002015989A (ja) * | 1993-07-21 | 2002-01-18 | Canon Inc | 処理システム及びこれを用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100695988B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템 | |
| JP2000321783A (ja) | 真空室に用いる気体軸受およびそのリソグラフィ投影装置での適用 | |
| JP2001210587A (ja) | リソグラフ投影装置に用いる洗浄ガスシステム | |
| JP2007251195A (ja) | リトグラフ装置 | |
| KR100695555B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JP2783575B2 (ja) | 回路製造のための露光方法及び露光装置 | |
| JPH06260385A (ja) | 露光装置 | |
| US6529260B2 (en) | Lifting support assembly for an exposure apparatus | |
| KR100524265B1 (ko) | 진공챔버용 격리 마운트와 리소그래피 투영장치에의 그 적용 | |
| JPH04136944A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| KR20000077035A (ko) | 다중-스테이지 구동 장치 및 전사 투영 장치에서 그 적용 | |
| JP2644705B2 (ja) | 素子製造方法及び露光装置 | |
| JP2002252162A (ja) | Ｘ線反射マスク、その保護方法、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| TWI758452B (zh) | 曝光裝置、曝光方法、平板顯示器的製造方法以及元件製造方法 | |
| JP2000200745A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2911864B2 (ja) | 素子製造方法及び露光装置 | |
| US7034924B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JPH11295901A (ja) | 露光装置 | |
| JP3039542B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPS6286724A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04230900A (ja) | シンクロトロン放射光照射装置及びｘ線露光装置 | |
| JP3405500B2 (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JPH0587013B2 (ja) | ||
| JPH0346319A (ja) | Ｘ線による露光方法 | |
| JP3358107B2 (ja) | 露光装置 |