JP6043476B2 - イオン源およびそれを用いたイオンビーム装置 - Google Patents
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Description
さらに、図7に示すように引き出し電極24の略中央部がエミッタティップ21に向かって凸構造31をもつことを特徴とする。このようにすると、2個の端子と前記引き出し電極との距離が長くなり、2個の端子と前記引き出し電極間の放電などが無くなり、信頼性が高くなるという効果を奏する。
Claims (13)
- イオンを生成するエミッタティップと、該エミッタティップを支持するエミッタベースマウントと、前記エミッタティップを加熱する機構と、前記エミッタティップに対向して設けられ、イオンが通過できる開口部を有する引き出し電極と、前記エミッタティップの近傍にガスを供給する機構と、を有するガス電界電離イオン源において、
前記エミッタティップ加熱機構は、少なくとも2個の突出した端子間を接続するフィラメントに通電して前記エミッタティップを加熱する機構であり、前記端子間がV字状のフィラメントで接続され、V字のなす角度が鈍角であり、前記フィラメントの略中央に前記エミッタティップが接続され、
前記ガス電界電離イオン源を搭載したイオンビーム装置において、イオン光源を試料に投影する倍率が少なくとも0.5以上であることを特徴とするイオンビーム装置。 - イオンを生成するエミッタティップと、該エミッタティップを支持するエミッタベースマウントと、前記エミッタティップを加熱する機構と、前記エミッタティップに対向して設けられ、イオンが通過できる開口部を有する引き出し電極と、前記エミッタティップの近傍にガスを供給する機構と、を有するガス電界電離イオン源において、
前記エミッタティップ加熱機構が、少なくとも2個の端子間を接続するフィラメントに通電して前記エミッタティップを加熱する機構であり、
前記フィラメントの形状が直線状であり、前記フィラメントの他に、少なくとも2個の端子間を接続する第2の線材が存在し、前記エミッタティップが前記フィラメントと前記第2の線材に接続される位置が前記フィラメントと前記エミッタティップとが接続される位置に比べて、前記エミッタティップの根元側であることを特徴とするガス電界電離イオン源。 - イオンを生成するエミッタティップと、前記エミッタティップを支持するエミッタベースマウントと、前記エミッタティップを加熱する機構と、前記エミッタティップに対向して設けられ、イオンが通過できる開口部を有する引き出し電極と、前記エミッタティップの近傍にガスを供給する機構と、を有するガス電界電離イオン源を搭載したイオンビーム装置において、
前記イオンビーム装置は防音カバーを有し、イオン光源を試料に投影する倍率が少なくとも0.5以上であることを特徴とするイオンビーム装置。 - イオンを生成するエミッタティップと、該エミッタティップを支持するエミッタベースマウントと、前記エミッタティップを加熱する機構と、前記エミッタティップに対向して設けられ、イオンが通過できる開口部を有する引き出し電極と、前記エミッタティップの近傍にガスを供給する機構と、を有するガス電界電離イオン源において、
前記エミッタティップ加熱機構が、少なくとも2個の端子間を接続するフィラメントに通電して前記エミッタティップを加熱する機構であり、前記フィラメントの略中央に前記エミッタティップが接続され、エミッタティップ温度が相対的に低温時には、エミッタティップが、前記2個の端子以外の端子に接続され、相対的に高温時には、非接続されることを特徴とするガス電界電離イオン源。 - 請求項1に記載のイオンビーム装置であって、前記引き出し電極の略中央部が凸構造をもつことを特徴とするイオンビーム装置。
- 請求項1に記載のイオンビーム装置であって、前記フィラメントの断面形状がU字、またはV字、または前記フィラメントの形状が中空チューブ状であることを特徴とするイオンビーム装置。
- 請求項4に記載のガス電界電離イオン源であって、前記エミッタティップからイオンビームが放出される時には前記エミッタティップが前記2個の端子以外の端子に接続され、フィラメント加熱時には、非接続されることを特徴とするガス電界電離イオン源。
- 請求項1に記載のイオンビーム装置であって、前記フィラメントにセラミックコーティングを施したことを特徴とするイオンビーム装置。
- 請求項1に記載のイオンビーム装置であって、前記フィラメント略中央部分の局所抵抗率が相対的に高くなる構造としたことを特徴とするイオンビーム装置。
- 請求項1、3のいずれかに記載の前記ガス電界電離イオン源に供給するガスが、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンの少なくとも1つを含むことを特徴とするイオンビーム装置。
- 請求項1、3のいずれかに記載の前記ガス電界電離イオン源の前記エミッタティップをナノピラミッドで構成したことを特徴とするイオンビーム装置。
- 請求項1に記載のイオンビーム装置において、
前記ガス電界電離イオン源のエミッタティップを冷却する冷凍システムに接続されるコンプレッサと前記ガス電界電離イオン源とを空間的に分離するカバーを有することを特徴とするイオンビーム装置。 - 請求項1、3のいずれかに記載のイオンビーム装置において、
電界電離放出型走査電子顕微鏡の最高分解能よりも高い分解能で、試料観察像の画像ゆれが生じないことを特徴とするイオンビーム装置。
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