JP4789122B2 - 電子源 - Google Patents
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Description
D.Tuggle,J.Vac.Sci.Technol.16,p1699(1979) M.J.Fransen,"On the Electron−Optical Properties of the ZrO/W Schottky Electron Emitter",ADVANCES IN IMAGING AND ELECTRON PHYSICS, VOL.III, p91−166,1999 by Academic Press.
(1)絶縁碍子に設けた一対の導電端子間に張ったフィラメントに、電子放射部となる尖鋭化した端部を有するロッド状の陰極を接合してなる電子源であって、陰極の電子放射部とは異なる端部が、絶縁碍子にろう付けされた金属ピンを介して絶縁碍子に固定されていることを特徴とする電子源。
(2)陰極の電子放射部とは異なる端部が、前記金属ピンに溶接により固定されている上記(1)に記載の電子源。
(3)陰極がモリブデンまたはタングステンの<100>方位の単結晶からなり、陰極の一部にジルコニウム、ハフニウム、チタン、スカンジウム、イットリウム、バリウムから選ばれた元素の酸化物を拡散源として有する上記(1)または(2)に記載の電子源。
(4)ジルコニウムの酸化物を拡散源として有する上記(3)に記載の電子源。
(5)陰極がタングステンからなる上記(3)または(4)に記載の電子源。
(6)フィラメントがタングステンまたはタングステン合金からなる上記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の電子源。
(7)上記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の電子源を使用した電子線利用装置。
2: 拡散源
3: フィラメント
4: 導電端子
5: 絶縁碍子
6: 金属ピン
8: 陰極の電子放射部と異なる端部
絶縁碍子5に固定された導電端子4にタングステン或いはタングステン合金製のワイヤーからなるヘアピン型フィラメント3を溶接により取り付ける。次にフィラメント3の所定の位置に、電子ビームを放射するタングステンの<100>方位の単結晶からなるニードル状の陰極1を溶接等により接合して固着する。この場合、陰極1を接合する位置としては、ヘアピン型フィラメント3のヘアピン部が好ましい。
しかる後に、例えば、引き出し電極を陰極1の前面に取り付け、好ましくは約10−7Paの真空下で引き出し電極と陰極1との間に電圧を印加することで、陰極1の先端部に<100>結晶面からなる電子放射部を形成する。上記において、陰極1は、電子放射部を形成する先端部を事前に尖鋭に加工してからフィラメント3に接合してもよい。
(実施例)
絶縁碍子にろう付けされた一対の導電端子にタングステン製のフィラメントをスポット溶接により固定した。そして、<100>方位の単結晶タングステン陰極をフィラメントにスポット溶接により取り付けた。さらに、フィラメントに取り付けられた陰極の電子放射部とは異なる端部を、絶縁碍子中央部にろう付け固定された金属ピンにスポット溶接により固定した。
図1に示す従来構造の電子源、即ち、陰極を金属ピンにスポット溶接すること以外は実施例と同様の方法で作製した電子源について、実施例と同様に共振試験を実施した。
なお、2006年9月5日に出願された日本特許出願2006−240100号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (7)
- 絶縁碍子に設けた一対の導電端子間に張ったフィラメントに、電子放射部となる尖鋭化した端部を有するロッド状の陰極を接合してなる電子源であって、陰極の電子放射部とは異なる端部が、絶縁碍子にろう付けされた金属ピンを介して絶縁碍子に固定されていることを特徴とする電子源。
- 陰極の電子放射部とは異なる端部が、前記金属ピンに溶接により固定されている請求項1に記載の電子源。
- 陰極がモリブデンまたはタングステンの<100>方位の単結晶からなり、陰極の一部にジルコニウム、ハフニウム、チタン、スカンジウム、イットリウム、及びバリウムからなる群から選ばれた元素の酸化物を拡散源として有する請求項1または2に記載の電子源。
- ジルコニウムの酸化物を拡散源として有する請求項3に記載の電子源。
- 陰極がタングステンからなる請求項3または4に記載の電子源。
- フィラメントがタングステンまたはタングステン合金からなる請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子源。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子源を使用した電子線利用装置。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0785775A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-31 | Samsung Display Devices Co Ltd | 直熱形ディスペンサ陰極構造体 |
JP2001052596A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-02-23 | Schlumberger Technologies Inc | 安定化ZrO2リザーバーを有するショットキーエミッタカソード |
JP2003507872A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-02-25 | フェイ カンパニ | 寿命が延長されたショットキーエミッター |
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---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0785775A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-31 | Samsung Display Devices Co Ltd | 直熱形ディスペンサ陰極構造体 |
JP2001052596A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-02-23 | Schlumberger Technologies Inc | 安定化ZrO2リザーバーを有するショットキーエミッタカソード |
JP2003507872A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-02-25 | フェイ カンパニ | 寿命が延長されたショットキーエミッター |
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