JP6198942B2 - イオンミリング装置、及び試料加工方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係るイオンミリング装置の構成を示す図である。当該イオンミリング装置100は、真空チャンバ14と、真空排気系6と、リニアガイド11と、真空チャンバ14の上面に設置されたイオン源1と、真空チャンバ14の前面に設置された試料ステージ8と、を有している。
電子顕微鏡用試料を作成するためのイオンミリング装置100において、イオンビームの照射条件は、例えば加速電圧が10kV程度以下、イオンビーム電流は200μA程度以下である。このとき、イオンビーム照射によって試料に与えられる熱量は、加速電圧にイオンビーム電流を乗じたジュール熱として算出でき、前記の加速電圧、イオンビーム電流では概ね2J/s程度以下である。
図2は、試料ユニットベース5に搭載される各部材の構成を示す図である。特に本実施形態では、上述の課題を解決するために新たにスリット付遮蔽板13を設けている。具体的には、遮蔽板中央部に開口(スリット)を有するスリット付遮蔽板13を、試料とマスク2の手前(紙面手前)に設置する。スリット付遮蔽板13は、その開口部分が試料3の観察面と重なるように設置・固定される。
(1)図3は、スリット付遮蔽板13の別の構成例を示す図である。当該スリット付遮蔽板13は、複数種類の幅のスリットを有するスリット板132と、スリット板132の先端部から試料ホルダ方向に延びる折り返し部131と、を有している。
本発明の実施形態によるイオンミリング装置では、イオンビームの加速電圧を3kV程度にした場合、イオンビームが広がってしまうため、その広がった照射領域を規制するための規制部材をマスクとイオン源との間に設ける。規制部材は、所定幅のスリットや所定の大きさの開口部等を有する遮蔽板によって実現される。このように規制部材を設けることにより、イオンビームが試料に照射される領域を小さくすることができるため、熱に弱い試料がイオンビームの熱によって変形してしまうという不都合を回避することができるようになる。
2・・・マスク(遮蔽板)
3・・・試料
4・・・試料マスクユニット微動機構
5・・・試料ユニットベース
6・・・真空排気系
7・・・試料ホルダ
8・・・試料ステージ
9・・・試料保持材
10・・・フランジ
11・・・リニアガイド
12・・・マスクホルダ
13・・・スリット付遮蔽板
14・・・真空チャンバ
20・・・イオンビーム
Claims (12)
- 試料に対してイオンビームを照射して前記試料をミリングするイオンミリング装置であって、
前記イオンビームを放出するイオン源と、
試料を載置して固定する試料ホルダと、
前記試料を覆い、前記試料の一部のみをミリングする対象として露出させるための試料マスクと、
前記試料マスクを固定するためのマスクホルダと、
前記試料マスクと前記イオン源との間に配置され、前記イオンビームの前記試料に対する照射領域を規制するためのビーム照射領域規制部材と、を有し、
前記ビーム照射領域規制部材は、前記マスクホルダに接して設置されることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記ビーム照射領域規制部材は、その先端から延びる、前記イオンビームの回り込みを防止するための折り込み部を有することを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記ビーム照射領域規制部材は、前記試料マスクから空間的に離間して配置されることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記ビーム照射領域規制部材は、所定幅のスリット或いは所定の大きさの開口部を有する遮蔽板であることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
さらに、前記ビーム照射領域規制部材を冷却するための冷却機構を有することを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項5において、
前記ビーム照射領域規制部材は、前記試料マスクよりも熱伝導性が高い材料で構成されることを特徴とするイオンミリング装置。 - 試料に対してイオンビームを照射して前記試料をミリングするイオンミリング装置であって、
前記イオンビームを放出するイオン源と、
試料を載置して固定する試料ホルダと、
前記試料を覆い、前記試料の一部のみをミリングする対象として露出させるための試料マスクと、
前記試料マスクと前記イオン源との間に配置され、前記イオンビームの前記試料に対する照射領域を規制するためのビーム照射領域規制部材と、を有し、
前記ビーム照射領域規制部材は、複数の異なる幅のスリットを有する遮蔽板で構成され、
さらに、前記ビーム照射領域規制部材を移動させて前記複数の異なる幅のスリットのそれぞれを前記試料の露出部分に対向させるための遮蔽板移動機構を有することを特徴とするイオンミリング装置。 - 試料に向かってイオンビームを照射し、前記試料をイオンミリングすることにより前記試料を加工する試料加工方法であって、
前記試料を試料ホルダに載置し、
前記試料ホルダに載置された前記試料の上に、前記試料を覆い、その一部のみをミリングする対象として露出させるための試料マスクを載置し、
前記試料マスクとイオン源との間であって、前記試料マスクを固定するためのマスクホルダに接するように、前記イオンビームの前記試料に対する照射領域を規制するためのビーム照射領域規制部材を配置し、
3kV程度の加速電圧で前記イオン源から放出されるイオンビームを、前記ビーム照射領域規制部材を介して前記試料の露出部分に照射することを特徴とする試料加工方法。 - 請求項8において、
前記ビーム照射領域規制部材は、その先端から延びる、前記イオンビームの回り込みを防止するための折り込み部を有することを特徴とする試料加工方法。 - 請求項8において、
前記ビーム照射領域規制部材を、前記試料マスクから空間的に離間して配置することを特徴とする試料加工方法。 - 請求項8において、
前記ビーム照射領域規制部材は、所定幅のスリット或いは所定の大きさの開口部を有する遮蔽板であることを特徴とする試料加工方法。 - 試料に向かってイオンビームを照射し、前記試料をイオンミリングすることにより前記試料を加工する試料加工方法であって、
前記試料を試料ホルダに載置することと、
前記試料ホルダに載置された前記試料の上に、前記試料を覆い、その一部のみをミリングする対象として露出させるための試料マスクを載置することと、
前記試料マスクとイオン源との間に、前記イオンビームの前記試料に対する照射領域を規制するためのビーム照射領域規制部材を配置することと、
3kV程度の加速電圧で前記イオン源から放出されるイオンビームを、前記ビーム照射領域規制部材を介して前記試料の露出部分に照射することと、を含み、
前記ビーム照射領域規制部材は、複数の異なる幅のスリットを有する遮蔽板で構成され、
さらに、遮蔽板移動機構により、前記ビーム照射領域規制部材を移動させて前記複数の異なる幅のスリットのそれぞれを前記試料の露出部分に対向させることを含むことを特徴とする試料加工方法。
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