JP6121072B1 - 反射型x線発生装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記反射型X線発生装置において好ましくは、第2の面の全ての法線は、第1の面の法線と円筒の回転軸とを含む平面に対して傾斜している。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、ターゲットの表面は平面であり、第2の面の法線は、ターゲットの平面の法線と円筒の回転軸とを含む平面に対して傾斜する。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、第2の面は曲面である。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、第2の面は平面であり、第1の面と第2の面との境界線は、ヘッド部におけるX線を照射するターゲットに最も近い位置に位置する。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、ヘッド部は、円筒の上部が第3の面によってさらに削られた形状を含んでおり、第2および第3の面はいずれも平面であり、第3の面は、第1の面との間で境界線を形成し、第2の面と第3の面とは、円筒の回転軸を含む平面に関して対称である。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、ヘッド部は、円筒の上部が第4の面によってさらに削られた形状を含んでおり、第1の面と第2の面との境界線、第2の面と第3の面との境界線、第3の面と第4の面との境界線、および第4の面と第1の面との境界線の各々は直線状であり、かつ円筒における削られていない部分と隣接する。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、第2の面は、円筒を円錐形状に削る曲面であり、第1および第2の面の各々は、円筒の回転軸を取り囲むように配置されている。
上記反射型X線発生装置において好ましくは、電子銃から照射する電子線の一の方向に対する傾斜角を調節する調節部をさらに備える。
10 チャンバー
11 ヘッド部
11a ヘッド部の孔
12 ウインドウ
13 ターゲット
14 底部
14a,14b,14c 底部の孔
15 本体
15a 本体の開口
16a,16b 金属板
20 電子銃
30 伸縮部
30a 伸縮部の内径側部分
30b 伸縮部の外径側部分
40 調節部
41 押しネジ
42 引きネジ
51 電極
52 固定台
52a 固定台下端部
52b 固定台の溝
52c 固定台の孔
60 真空ポンプ
70 X線検出装置
80 制御部
81 X線発生制御部
82 位置角度調節部
83 画像生成部
90 操作部
100 ケース
101 電源
AR1 電子線の進行方向を示す矢印
AR2 ウインドウからワークへのX線の放射方向の中で、ウインドウの法線方向と一致するX線の進行方向を示す矢印
AR3 ワークにおけるヘッド部側の平面の法線の方向を示す矢印
AR4 放射状に広がるX線の端部の進行方向
CS1,CS2 曲面
D1,D2,D3,D4,D11,D12 距離
IS 内部空間
LN1,LN2,LN3,LN4 境界線
M1,M2 電子銃の傾斜方向を示す矢印
M11,M12 電子線の軌跡の変化する方向を示す矢印
OA 円筒の回転軸
PL1,PL2,PL3,PL4,PL10 平面
WK ワーク
X1 ワークの端部がヘッド部と干渉する位置
Claims (20)
- 少なくとも一の方向に延在する内部空間を構成するチャンバーと、
前記内部空間において前記チャンバーに支持され、ターゲットへ電子線を照射する電子銃とを備え、
前記チャンバーは、前記ターゲットから発生したX線を前記内部空間外へ導くウインドウと、前記一の方向に沿って、前記一の方向に対して垂直な方向の長さが小さくなるヘッド部とを含み、
前記ウインドウは前記ヘッド部に固定され、
前記ヘッド部は、円筒の上部が少なくとも第1の面および第2の面の各々によって削られた形状を含んでおり、前記第1の面には前記ウインドウが設けられ、前記第1の面は平面であり、前記第2の面は、前記第1の面との間で境界線を形成し、前記第1の面の法線および第2の面の全ての法線の各々は、前記円筒の回転軸に対して傾斜している、反射型X線発生装置。 - 前記第2の面の全ての法線は、前記第1の面の法線と前記円筒の回転軸とを含む平面に対して傾斜している、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 前記ターゲットの表面は平面であり、
前記第2の面の法線は、前記ターゲットの平面の法線と前記円筒の回転軸とを含む平面に対して傾斜する、請求項1に記載の反射型X線発生装置。 - 前記第2の面は曲面である、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 前記第2の面は平面であり、
前記第1の面と前記第2の面との境界線は、前記ヘッド部における前記X線を照射するターゲットに最も近い位置に位置する、請求項1に記載の反射型X線発生装置。 - 前記ヘッド部は、円筒の上部が第3の面によってさらに削られた形状を含んでおり、前記第2および第3の面はいずれも平面であり、前記第3の面は、前記第1の面との間で境界線を形成し、前記第2の面と前記第3の面とは、前記円筒の回転軸を含む平面に関して対称である、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 前記ヘッド部は、円筒の上部が第4の面によってさらに削られた形状を含んでおり、
前記第1の面と前記第2の面との境界線、前記第2の面と前記第3の面との境界線、前記第3の面と前記第4の面との境界線、および前記第4の面と前記第1の面との境界線の各々は直線状であり、かつ前記円筒における削られていない部分と隣接する、請求項6に記載の反射型X線発生装置。 - 前記第2の面は、前記円筒を円錐形状に削る曲面であり、
前記第1および第2の面の各々は、前記円筒の回転軸を取り囲むように配置されている、請求項1に記載の反射型X線発生装置。 - 前記電子銃から照射する電子線の前記一の方向に対する傾斜角を調節する調節部をさらに備えた、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 外部からの力により伸縮可能な伸縮部をさらに備え、
前記電子銃は、前記伸縮部を介して前記チャンバーに支持され、
前記調節部は、前記伸縮部を局所的に伸縮させる、請求項9に記載の反射型X線発生装置。 - 前記電子銃を固定し、前記伸縮部と連結された固定台をさらに備え、
前記チャンバーは、前記ウインドウとの間で前記電子銃および前記固定台を挟む位置に設けられた底部をさらに含み、
前記伸縮部は前記底部に支持される、請求項10に記載の反射型X線発生装置。 - 前記調節部は、前記電子銃と前記底部との距離を局所的に大きくする方向に前記固定台を押す押し部を含む、請求項11に記載の反射型X線発生装置。
- 前記調節部は、前記電子銃と前記底部との距離を局所的に小さくする方向に前記固定台を引く引き部を含む、請求項11に記載の反射型X線発生装置。
- 前記調節部は、
前記電子銃と前記底部との距離を局所的に大きくする方向に前記固定台を押す押しネジと、
前記電子銃と前記底部との距離を局所的に小さくする方向に前記固定台を引く引きネジとを含み、
前記押しネジおよび前記引きネジによって前記固定台は固定される、請求項11に記載の反射型X線発生装置。 - 外部に露出した前記ウインドウの部分の面積は、0.5平方ミリメートル以上20平方ミリメートル以下である、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 前記ターゲットは、軽元素材料よりなる基板と、前記基板における電子線が照射される面に形成された重金属材料とを含む、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 前記ターゲットにおける電子線が照射される面から前記ウインドウの外面までの距離の最小値は、0.1mm以上4mm以下である、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
- 前記ターゲットにおける電子線が照射される面から前記ウインドウの外面までの距離の最小値は、0.2mm以上2mm以下である、請求項17に記載の反射型X線発生装置。
- 前記ターゲットにおける電子線が照射される面から前記ウインドウの外面までの距離の最小値は、0.3mm以上1.5mm以下である、請求項18に記載の反射型X線発生装置。
- 焦点径が0より大きく5μm以下である、請求項1に記載の反射型X線発生装置。
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JPS6113454U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-25 | 株式会社東芝 | 回転陽極形x線管 |
JPS6162344U (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | ||
JPS63228553A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Hitachi Ltd | X線管用ターゲット及びそれを用いたx線管 |
JPH10255701A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Rigaku Ind Co | X線照射装置とこれを用いた蛍光x線分析装置 |
JP2004111336A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Hamamatsu Photonics Kk | X線管 |
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---|---|---|---|---|
JPS6113454U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-25 | 株式会社東芝 | 回転陽極形x線管 |
JPS6162344U (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | ||
JPS63228553A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Hitachi Ltd | X線管用ターゲット及びそれを用いたx線管 |
JPH10255701A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Rigaku Ind Co | X線照射装置とこれを用いた蛍光x線分析装置 |
JP2004111336A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Hamamatsu Photonics Kk | X線管 |
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