JP5190497B2 - インプリント装置及び方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態のナノインプリント装置の構成を示す側方断面図である。
図3は、第2実施形態における離型動作について説明するための平面図である。
図5は、第3実施形態における離型動作について説明するための平面図である。
図7は、第4実施形態における離型動作について説明するための平面図である。
図8は、第5実施形態における離型動作について説明するための平面図である。
図9は、第6実施形態におけるナノインプリント方法について説明するための平面図である。図9では、図5と同様、ウェハ201上の外周部分、中心部分に位置するショット領域Rが、それぞれRX1,RX2で示されている。
111 テンプレートステージ
112 ベース
113 アライメントセンサ
114 UV光源
115 CCDカメラ
116 レジスト滴下装置
121 離型制御機構
122 離型制御用演算装置
131 ショット順設定部
201 ウェハ(被転写基板)
202 レジスト材(光硬化樹脂)
211 試料ステージ
212 試料チャック
Claims (8)
- インプリント用のテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
前記テンプレートを、被転写基板上の光硬化樹脂に押印するよう移動させる、又は前記光硬化樹脂から離型するよう移動させるテンプレート移動部と、
前記光硬化樹脂に光を照射して、前記光硬化樹脂を硬化する光源と、
前記テンプレートを前記光硬化樹脂から離型する際に、前記テンプレートの離型速度又は離型角度を、前記テンプレートが離型されるショット領域の位置に基づいて制御する離型制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。 - 前記離型制御部は、前記被転写基板のエッジ上に位置するショット領域における前記離型速度を、前記エッジの内側に位置するショット領域における前記離型速度よりも遅い速度に設定することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記離型制御部は、前記被転写基板上の外周部分に位置するショット領域における前記離型角度を、前記被転写基板の主面に垂直な方向に対し傾けることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。
- 前記離型制御部は、前記離型速度を、前記被転写基板上の中心点と前記ショット領域との距離に基づいて制御することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記離型制御部は、前記離型速度を、前記被転写基板の裏面を吸引する吸引力の分布に基づいて制御することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記離型制御部は、前記離型速度を、前記被転写基板の裏面におけるチャックピンの接触位置、又は前記被転写基板の裏面におけるダストの位置に基づいて制御することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 更に、前記被転写基板上の各ショット領域のショット順を設定するショット順設定部を備え、
前記ショット順設定部は、前記ショット順を、各ショット領域が前記被転写基板上の外周部分に位置するか、外周部分の内側に位置するかに基づいて設定することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - インプリント用のテンプレートを、被転写基板上の光硬化樹脂に押印し、
前記テンプレートを前記光硬化樹脂に押印した状態で前記光硬化樹脂に光を照射して、前記光硬化樹脂を硬化し、
前記テンプレートの離型速度又は離型角度を、前記テンプレートが離型されるショット領域の位置に基づいて制御しつつ、前記テンプレートを前記光硬化樹脂から離型する、
ことを特徴とするインプリント方法。
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