JP2018125377A - インプリント装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(a)から図1(e)は、第1実施形態に係るインプリント方法を示す断面図である。
図1(a)において、基材1にはショット領域SHが設けられている。そして、滴下部3からインプリント材2を基材1上のショット領域SHに滴下する。基材1は、半導体層であってもよいし、絶縁層であってもよいし、導電層であってもよい。インプリント材2の材料は、例えば、レジスト材を用いることができる。このレジスト材は、例えば、紫外線硬化樹脂を用いることができる。インプリント材2の滴下では、インクジェット法によりインプリント材2を基材1上に吐出させるようにしてもよい。
図4において、光源5がxy平面内で千鳥状に配列されている。この配列方法は、xy平面内で光源5を最密充填とすることができる。このため、図3(a1)から図3(c1)の光源5の配列方法に比べて1つのショット領域SH内に配置可能な光源5の個数を増加させることができ、ショット領域SH内で点灯される光源5の分布を高精細化することができる。
図5は、第2実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
図5において、インプリント装置には、装置全体を支持する基台21、ウェハWを載せるステージ22、ステージ22を水平方向に駆動する水平駆動部23、テンプレート4を垂直方向に駆動する垂直駆動部24、垂直駆動部24下でテンプレート4を支持する支持部25、ウェハWにインプリント材を滴下する滴下部3、紫外線をウェハW上に照射する照射部27、垂直駆動部24および滴下部3をウェハW上で支持する支持部28、照射部27をテンプレート4上で支持する支持部29、支持部28をウェハW上で支持する支持部30が設けられている。照射部27には、複数の光源5が設けられている。
図6は、第3実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
図6のインプリント装置では、図5のインプリント装置に縮小投影光学系33が設けられている。縮小投影光学系33は、光源5とテンプレート4との間に配置されている。縮小投影光学系33は、点灯された光源5の分布を縮小してウェハW上に投影することができる。
図7は、第4実施形態に係るインプリント装置の概略構成を示す側面図である。
図7のインプリント装置では、図5のインプリント装置に除去部34が設けられている。除去部34は、未硬化のインプリント材を除去することができる。未硬化のインプリント材を除去するために、例えば、未硬化のインプリント材に洗浄液を吹き付け、未硬化のインプリント材を洗い流すようにしてもよい。
図8は、第5実施形態に係る光源分布制御プログラムが実行されるハードウェア構成を示すブロック図である。
図8において、図5の制御部31には、CPUなどを含むプロセッサ41、固定的なデータを記憶するROM42、プロセッサ41に対してワークエリアなどを提供するRAM43、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース44、外部との通信手段を提供する通信インターフェース45、プロセッサ41を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置46を設けることができ、プロセッサ41、ROM42、RAM43、ヒューマンインターフェース44、通信インターフェース45および外部記憶装置46は、バス47を介して接続されている。
そして、光源分布制御プログラム46bがプロセッサ41にて実行されると、ショットレイアウト情報46aが参照されることにより、ショット領域の形状に対応して紫外線が照射されるように一斉に点灯される光源5が選択される。
図9(a)から図9(g)は、第6実施形態に係るインプリントリソグラフィが適用される半導体装置の製造方法を示す断面図である。この実施形態では、積層体に段差構造を形成する方法を例にとる。
図9(a)において、ショット領域SHAには、積層体TAが設けられている。積層体TAでは、絶縁層51、52が順次積層されている。絶縁層51の材料は、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。絶縁層52の材料は、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。なお、積層体TAは、絶縁層51、52の積層構造の他、絶縁層と導電層の積層構造であってもよいし、絶縁層と半導体層の積層構造であってもよい。
そして、インプリント材53を積層体TA上に滴下する。インプリント材53の滴下では、インクジェット法によりインプリント材53を積層体TA上に吐出させるようにしてもよい。
Claims (5)
- 各々独立に点灯および消灯が可能であり、ショット領域の方向に指向性を持つ紫外線を発生する複数の光源と、
前記点灯される光源の分布を前記ショット領域ごとに制御する光源分布制御部を備えるインプリント装置。 - 前記ショット領域の形状に対応して紫外線が照射されるように一斉に点灯される前記光源が選択される請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記光源とテンプレートとの間に配置された縮小投影光学系を備える請求項1または2に記載のインプリント装置。
- 前記ショット領域外の未硬化の紫外線硬化樹脂を除去する除去部を備える請求項1から3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- エッチング材上にインプリント材を滴下し、
前記滴下されたインプリント材にテンプレートを押し当てることでインプリントパターンを前記エッチング材上に形成し、
前記テンプレートを介して前記インプリントパターンに紫外線を照射することで前記インプリントパターンを硬化させ、
前記硬化されたインプリントパターンをマスクとして前記エッチング材をエッチングすることでエッチングパターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記紫外線を発生する複数の光源が設けられ、
前記複数の光源は、各々独立に点灯および消灯が可能であり、
前記紫外線はショット領域の方向に指向性を持ち、
前記点灯される光源の分布が前記ショット領域ごとに制御される半導体装置の製造方法。
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