JP6365133B2 - インプリント装置、基準マーク基板、アライメント方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント装置に用いられる基準マーク基板、基準マーク基板に対する転写基板のアライメント方法に関する。

インプリント法は、表面に微細な凹凸パターンが形成された型（転写基板）を、樹脂材料等の被成形材料が塗布された被転写基板に押し付ける（押印する）ことにより、被成形材料を力学的に変形させ、被成形材料に凹凸パターンを転写する技術である。

インプリント法において用いられる転写基板は、一度作製されれば、微細な凹凸パターンが転写された成形体を繰り返し製造できるため、高いスループットが得られて経済的であるとともに、有害な廃棄物の排出を少なく抑えることができる。このため、近年、種々の分野で応用が進められている。

このようなインプリント法で用いられる転写基板は、一般的に、電子線リソグラフィ法によって製造されている。電子線リソグラフィ法によれば、転写基板用の母材の表面に電子線レジストを塗布し、電子線レジストに電子線を用いて描画を行ってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして転写基板用の母材をエッチングして凹凸パターンを形成することができる。

上記のようにして電子線リソグラフィ法により製造される転写基板は、高価な電子線描画装置によって長時間かけて描画を行うことにより製造されるため、製造コストが非常に高くなるという問題がある。そのため、電子線リソグラフィ法により製造された転写基板をインプリント法に実際に用いたときに、転写基板が直ぐに破損して再使用できなくなると、非常に大きな損失が生じる。

そのため、インプリント法においては、電子線リソグラフィ法によって製造された転写基板を母型（マスターテンプレート）として扱い、このマスターテンプレートからインプリント法によりレプリカテンプレートを製造し、このレプリカテンプレートからインプリント法により、製造対象の基板等の物品を製造する手法が一般的に採用されている。

このようにマスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造する手法によれば、レプリカテンプレートを低コストで大量に製造可能である。そのため、レプリカテンプレートが破損した場合でもあっても製造コストを抑制することができ、直ぐに在庫のレプリカテンプレートに交換することができるため、生産性の低下も抑制することができる。

ところで、インプリント法による典型的な製造手順は、概略として、転写基板を搬入してチャックに保持させる工程と、転写基板のアライメント（位置合わせ）を行う工程と、被転写基板を搬入して基板ステージに保持させる工程と、被転写基板のアライメントを行う工程と、被転写基板に被形成材料を塗布する工程と、被成形材料に転写基板を接触させてパターンを転写する工程と、被成形材料を硬化させ、当該硬化した被成形材料から転写基板を離型する工程と、を含む。このようなインプリント法による製造手順は、上記のようにマスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造する場合であっても、レプリカテンプレートから製造対象の物品を製造する場合であっても、基本的に、同様である。なお、マスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造する場合には、離型の後に、パターンが転写され硬化された被成形材料をマスクとして被転写基板をエッチングすることが一般的である。

ところで、転写基板のアライメントを行う工程では、例えば、チャックに保持された転写基板を介して基板ステージ上に固定された基準マーク基板の基準マークがアライメントカメラによって観察されながら、基準マーク基板と転写基板とが所定の位置関係になるように位置合わせされる。

この時、アライメントカメラの取り付け誤差などのために、転写基板と基準マーク基板との間の間隔が離れているほど基準マークの観察精度が低下し、位置合わせ誤差が大きくなる。そのため、位置合わせ時に転写基板と基準マーク基板との間の間隔をできるだけ狭めておくことが好ましい。

しかしながら、転写基板と基準マーク基板との間の間隔を狭めると、転写基板が基板ステージに保持された被転写基板に接触して破損が生じるおそれがある。この問題を解決するために、特許文献１には、基板ステージ上に被転写基板が保持されていない状態で基準マーク基板に対して転写基板を位置合わせする方法が提案されている。

特開２０１３−１５７５５３号公報

本件発明者らが、高精度のアライメントを目的として鋭意研究を重ねたところ、転写基板と基準マーク基板との間の間隔を例えば５０μｍ以下に狭めると、基準マーク基板上に付着していた異物（例えば、摺動部から発生した発塵物やオイル）が転写基板と基準マーク基板との間に挟み込まれてしまうことで、転写基板の転写パターンが破壊されたり汚損されたりする、という問題があることを知見した。

この問題は、特許文献１に記載の方法では解決できない。

本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、基準マーク基板に対して転写基板を位置合わせする際に、基準マーク基板上の異物により転写基板の転写パターンが破壊または汚損されることを防止できるインプリント装置を提供することにある。

本発明のインプリント装置は、
被転写基板を保持する基板ステージと、
前記基板ステージ上に固定され、基準マークを有する基準マーク基板と、
前記基板ステージの上方に配置され、転写パターンを有する転写基板を保持するチャックと、
前記チャックに保持された前記転写基板を介して前記基準マーク基板の前記基準マークを観察可能なアライメントカメラと、
を備え、
前記基準マーク基板のうち前記基準マークが前記アライメントカメラによって観察される時に前記転写基板の前記転写パターンと向かい合う領域には、凹部または孔部が形成されている。

本発明のインプリント装置において、少なくとも１つの基準マークは、前記凹部または孔部に対して前記基準マーク基板の一側に設けられ、少なくとも１つの別の基準マークは、前記凹部または孔部に対して前記基準マーク基板の他側に設けられていてもよい。

本発明のインプリント装置において、前記チャックに保持された前記転写基板の前記転写パターンを介して前記基板ステージ上を観察可能な転写観察用カメラを更に備えていてもよい。

本発明のインプリント装置において、前記基準マーク基板の前記基準マークの表面には、金属膜が設けられていてもよい。

本発明の基準マーク基板は、
被転写基板を保持する基板ステージと、前記基板ステージの上方に配置され、転写パターンを有する転写基板を保持するチャックと、前記チャックに保持された前記転写基板を介して前記基板ステージ上を観察可能なアライメントカメラと、を備えたインプリント装置の前記基板ステージ上に固定される基準マーク基板であって、
基準マークを有し、
前記基準マークが前記アライメントカメラによって観察される時に前記転写基板の前記転写パターンと向かい合う領域には、凹部または孔部が形成されている。

本発明の基準マーク基板において、少なくとも１つの基準マークは、前記凹部または孔部に対して当該基準マーク基板の一側に設けられ、少なくとも１つの別の基準マークは、前記凹部または孔部に対して当該基準マーク基板の他側に設けられていてもよい。

本発明の基準マーク基板において、前記基準マークの表面には、金属膜が設けられていてもよい。

本発明のアライメント方法は、
基準マークを有する基準マーク基板と、転写パターンを有する転写基板と、を一軸方向に向かい合うように配置し、
前記基準マーク基板と前記転写基板とを前記一軸方向に相対移動させて互いに接近させ、
前記転写基板を介して前記基準マーク基板の前記基準マークを観察しながら、前記基準マーク基板と前記転写基板とを前記一軸方向に対して直角な方向に相対移動させて互いに位置決めするアライメント方法であって、
前記基準マーク基板のうち前記転写基板を介して前記基準マークを観察する時に前記転写基板の転写パターンと向かい合う領域には、凹部または孔部が形成されている。

本発明によれば、基準マーク基板に対して転写基板を位置合わせする際に、基準マーク基板上の異物により転写基板の転写パターンが破壊または汚損されることを防止できる。

図１は、本発明の一実施の形態によるインプリント装置を示す断面図である。 図２は、図１のインプリント装置に用いられる基準マーク基板の平面図である。 図３（ａ）〜図３（ｅ）は、図１のインプリント装置に用いられる基準マーク基板の作製方法を説明するための図である。 図４は、図１のインプリント装置の一変形例を示す断面図である。

以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示の理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

図１は、本発明の一実施の形態によるインプリント装置を示す断面図である。図２は、図１のインプリント装置に用いられる基準マーク基板の平面図である。

図１に示すように、本実施の形態によるインプリント装置１０は、被転写基板１２を保持する基板ステージ１１と、基板ステージ１１上に固定され、基準マーク２１を有する基準マーク基板２０と、基板ステージ１１の上方に配置され、転写パターン３１を有する転写基板３０を保持するチャック１３と、チャック１３に保持された転写基板３０を介して基準マーク基板２０の基準マーク２１を観察可能なアライメントカメラ１４と、を備えている。

このうち基板ステージ１１は、それ自体は公知のＸＹステージであり、Ｘ方向およびＸ方向と交差するＹ方向にそれぞれ移動可能である。基板ステージ１１は、さらに、Ｘ方向およびＹ方向の両方に対して直角な回転軸回りに回転可能であってもよい。また、基板ステージ１１には、基板ステージ１１の位置を計測するレーザ干渉計（不図示）が設けられている。レーザ干渉計は、基板ステージ１１に向けてレーザ光を照射するとともにその反射光を受光して、それらの干渉に基づいて基板ステージ１１の位置を計測するようになっている。

基板ステージ１１上に保持される被転写基板１２としては、たとえば、レプリカテンプレート用の石英ガラス基板や半導体製造用のシリコンウエハなどが挙げられる。

基準マーク基板２０は、基板ステージ１１のうち被転写基板１２が配置されるべき領域の外側に固定されている。

図１および図２に示すように、基準マーク基板２０は、互いに対向する一対の主面を有しており、一方の主面に複数（図示された例では８つ）の基準マーク２１が形成されている。各基準マーク２１は、微細な凹凸パターンを含んでいる。凹凸パターンのピッチは、後述する転写パターン３１のピッチより一桁程度大きくてよく、たとえば１００ｎｍ〜１μｍである。

基準マーク基板２０の材質としては、剛性が高く変形しにくい材料が用いられ、たとえば石英ガラスが用いられる。

図１に示すように、基板ステージ１１の上方には、Ｘ方向およびＹ方向の両方に対して直角なＺ方向に移動可能なチャックステージ（不図示）が配置されており、チャック１３は、当該チャックステージに固定されて支持されている。図１に示すように、チャック１３は、転写基板３０の縁部を保持するようになっている。

転写基板３０は、互いに対向する一対の主面を有しており、一方の主面に微細な凹凸からなる転写パターン３１が形成されている。転写パターン３１の凹凸のピッチは、製造対象とする製品の設計に応じて適宜決定されるが、たとえば１０ｎｍ〜１００ｎｍである。

図示された例では、転写基板３０のうち転写パターン３１の外側には、基準マーク基板２０の基準マーク２１に個別に対応するように、複数のアライメントマーク３２が形成されている。各アライメントマーク３２は、凹凸パターンを含んでいる。凹凸パターンのピッチは、転写パターン３１のピッチより一桁程度大きくてよく、たとえば１００ｎｍ〜１μｍである。アライメントマーク３２の凹凸パターンのピッチは、基準マーク２１の凹凸パターンのピッチとは異なっている。そのため、アライメントマーク３２と基準マーク２１とがＺ方向に重なって配置される時、アライメントマーク３２と基準マーク２１との干渉によりモアレが生じるようになっている。

転写基板３０の材質としては、光透過性を有する物質が用いられ、たとえば石英ガラスが用いられる。

図示された例では、転写基板３０は、転写パターン３１およびアライメントマーク３２が形成された領域がその周囲の領域より突出している段差構造（メサ構造）を有している。段差構造（メサ構造）により、転写基板３０の離型作業が容易となる。

図１に示すように、チャック１３に保持された転写基板３０の上方には、転写基板３０のアライメントマーク３２と対応するようにアライメントカメラ１４が設けられている。アライメントカメラ１４は、チャックステージ（不図示）に固定されて支持されている。

アライメントカメラ１４は、例えばＣＣＤを有しており、転写基板３０の対応するアライメントマーク３２を観察可能であるとともに、転写基板３０を介して基準マーク基板２０の基準マーク２１を観察可能である。

本実施の形態では、図１に示すように、チャック１３に保持された転写基板３０の上方には、転写基板３０の転写パターン３１と対応するように転写観察用の補助カメラ１５が設けられている。補助カメラ１５は、チャックステージ（不図示）に固定されて支持されている。

補助カメラ１５は、例えばＣＣＤを有しており、チャック１３に保持された転写基板３０の転写パターン３１を介して基板ステージ１１上を観察可能である。

図１および図２に示すように、基準マーク基板２０のうち基準マーク２１がアライメントカメラ１４によって観察される時に転写基板３０の転写パターン３１と向かい合う領域には、凹部２２が形成されている。平面視において凹部２２の輪郭は転写パターン３１の全体を取り囲むように位置することが可能であり、すなわち平面視において転写パターン３１の全体が凹部２２の内側に位置することが可能である。

基準マーク２１は、凹部２２の外側を周方向に取り囲むように設けられている。言い換えれば、少なくとも１つの基準マーク２１は、凹部２２に対して基準マーク基板２０の一側（図２における右側あるいは上側）に設けられ、少なくとも１つの別の基準マーク２１は、凹部２２に対して基準マーク基板２０の他側（図２おける左側あるいは下側）に設けられている。

基準マーク基板２０のうち転写パターン３１と向かい合う領域に凹部２２が形成されていることで、基準マーク基板２０と転写基板３０との間の間隔が狭められる際に、転写基板３０の転写パターン３１と転写基板３０との間で、基準マーク基板２０上に付着していた異物Ｄを挟み込んでしまうことを抑制できる。

凹部２２の深さが深いほど、異物Ｄの挟み込みをより効果的に抑制できるため好ましく、凹部２２の深さは、たとえば５０μｍ以上であることが好ましい。この場合、転写基板３０と基準マーク基板２０との間の間隔が５０μｍまで狭められても、１００μｍ以下の大きさの異物Ｄであれば転写基板３０の転写パターン３１と基準マーク基板２０との間に挟み込んでしまうことを防止できる。なお、異物Ｄの大きさが１００μｍ以上であれば、転写観察用の補助カメラ１５により検出することが可能であり、したがって、転写基板３０の転写パターン３１と基準マーク基板２０との間で挟み込む前に検出された異物Ｄを取り除くことが可能である。

また、本実施の形態では、後述する図３（ｅ）に示すように、基準マーク基板２０の基準マーク２１の表面には、金属膜４２が設けられている。より詳しくは、基準マーク２１の凹凸パターンの凸部の表面は金属膜４２で覆われて金属色を呈しており、凹部の底面は基準マーク基板２０の本体が露出していて、たとえば透明色を呈している。そのため、凸部と凹部とで光反射率が大きく異なっており、すなわち、基準マーク２１を光学的に観察することが容易である。

次に、図３（ａ）〜図３（ｅ）を参照して、このような構成からなる基準マーク基板２０の作製方法の一例を説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、互いに対向する一対の主面を有し、一方の主面に金属膜４２が成膜された基板４１が用意される。基板４１の材質は、たとえば石英ガラスである。金属膜４２の材質は、たとえばクロム（Ｃｒ）である。金属膜４２の厚みは、たとえば数１０ｎｍである。

図３（ａ）に示すように、金属膜４２の表面に電子線レジスト４３が塗布され、電子線を用いて基準マーク２１に対応するパターン４３Ｐが電子線レジスト４３に描画され、電子線レジスト４３が現像されることで、パターン４３Ｐが開口される。電子線レジスト４３のパターン４３Ｐの開口から金属膜４２の表面が部分的に露出される。

次に、図３（ｂ）に示すように、エッチングガスを用いたドライエッチングにより、金属膜４２のうち電子線レジスト４３のパターン４３Ｐの開口から露出する部分がエッチングされて、基板４１の表面が露出され、次に、基板４１のうち電子線レジスト４３のパターン４３Ｐの開口から露出する部分がエッチングされて、基準マーク２１が形成される。その後、金属膜４２の表面から電子線レジスト４３が剥離される。

次に、図３（ｃ）に示すように、金属膜４２の表面に感光性レジスト４４が塗布され、レーザを用いて凹部２２に対応する第１パターン４４ａが感光性レジスト４４に描画されるとともに、基準マーク２１に対してパターン４４ａとは反対側のリング状領域に沿って第２パターン４４ｂが感光性レジスト４４に描画され、感光性レジスト４４が現像されることで、第１パターン４４ａおよび第２パターン４４ｂがそれぞれ開口される。感光性レジスト４４の第１パターン４４ａおよび第２パターン４４ｂの開口から金属膜４２の表面が部分的に露出される。

次に、図３（ｄ）に示すように、エッチング液を用いたウェットエッチングにより、金属膜４２のうち感光性レジスト４４の第１パターン４４ａおよび第２パターン４４ｂの開口から露出する部分がエッチングされて、基板４１の表面が露出され、次に、基板４１のうち感光性レジスト４４の第１パターン４４ａおよび第２パターン４４ｂの開口から露出する部分がエッチングされて、凹部２２と切断用溝部４５とが形成される。

次に、図３（ｅ）に示すように、切断用溝部４５に沿って基板４１が切断された後、金属膜４２の表面から感光性レジスト４４が剥離される。このようにして、基準マーク基板２０が作製され得る。

次に、本実施の形態によるインプリント装置１０の作用（本発明の一実施の形態によるアライメント方法）について説明する。

まず、図１に示すように、転写基板３０がインプリント装置１０内に搬入され、チャック１３に保持される。

次に、基板ステージ１１がＸ方向および／またはＹ方向に移動されることで、基板ステージ１１上に固定された基準マーク基板２０が、チャック１３に保持された転写基板３０と向かい合う位置まで移動される。これにより、アライメントカメラ１４は、転写基板３０のアライメントマーク３２を観察するとともに、転写基板３０を介して基準マーク基板２０の基準マーク２１を観察することができる。

次に、チャックステージ（不図示）がＺ方向に移動されることで、チャック１３に保持された転写基板３０と基準マーク基板２０との間の間隔が狭められる。位置合わせ誤差を低減するために、転写基板３０と基準マーク基板２０との間の間隔は、５０μｍ以下に狭めることが好ましく、１０μｍ以下に狭めることが更に好ましい。

この時、基準マーク基板２０のうち転写基板３０の転写パターン３１と向かい合う領域に凹部２２が形成されているため、基準マーク基板２０上の異物Ｄ（たとえば、摺動部から発生した発塵物やオイル）が転写基板３０の転写パターン３１と基準マーク基板２０との間に挟み込まれることで転写パターン３１が破壊されたり汚損されたりすることが防止される。

なお、基準マーク基板２０上の異物Ｄが転写基板３０のアライメントマーク３２と基準マーク基板２０の基準マーク２１との間に挟み込まれることも考えられる。しかしながら、基準マーク２１およびアライメントマーク３２の凹凸パターンのピッチは転写パターン３１のピッチに比べて一桁以上大きいため、基準マーク２１およびアライメントマーク３２は、転写パターン３１より剛性が高い。そのため、アライメントマーク３２と基準マーク２１との間に異物Ｄを挟み込んでしまっても、アライメントマーク３２および基準マーク２１は破壊されづらい。また、アライメントマーク３２の一部および基準マーク２１の一部が破壊されても、モアレを利用した位置合わせ作業には影響が少ない。

次に、転写基板３０のアライメントマーク３２と基準マーク基板２０の基準マーク２１とがアライメントカメラ１４により観察されながら、基板ステージ１１がＸ方向および／またはＹ方向に移動されることで、転写基板３０のアライメントマーク３２と基準マーク基板２０の基準マーク２１とがＺ方向において重なるように配置される。これにより、アライメントマーク３２と基準マーク２１との干渉によるモアレがアライメントカメラ１４によって観察される。

次に、基板ステージ１１がＸ方向および／またはＹ方向に移動されることで、複数のアライメントカメラ１４の各々が観察するモアレの程度が均等になるように調整される。これにより、複数の基準マーク２１からなる多角形の重心と複数のアライメントマーク３２からなる多角形の重心とが一致される。すなわち、基準マーク基板２０に対して転写基板３０が所定の位置関係になるように位置合わせされる。この状態で、レーザ干渉計（不図示）により基板ステージ１１の位置が計測されることで、転写基板３０の位置が求められる。

その後、被転写基板１２がインプリント装置１０内に搬入されて基板ステージ１１上に保持され、被転写基板用のアライメントカメラ（不図示）を用いて被転写基板１２がアライメントされる。この状態で、レーザ干渉計（不図示）により基板ステージ１１の位置が計測されることで、被転写基板１２の位置が求められる。そして、被転写基板１２の表面に樹脂材料等の被成形材料が塗布され、被転写基板１２の位置情報と転写基板３０の位置情報とに基づいて、基板ステージ１１がＸ方向および／またはＹ方向に移動され、被転写基板１２と転写基板３０とが所定の位置関係になるように位置合わせされる。そして、チャックステージ（不図示）がＺ方向に移動されることで、転写基板３０の転写パターン３１が被転写基板１２上の被成形材料に押し付けられ、被成形材料に転写パターン３１が転写される。そして、被成形材料が硬化された後、チャックステージ（不図示）がＺ方向に逆向きに移動されることで、硬化された被成形材料から転写基板３０が離型される。

以上のような本実施の形態によれば、基準マーク基板２０のうち基準マーク２１がアライメントカメラ１４によって観察される時に転写基板３０の転写パターン３１と向かい合う領域には、凹部２２が形成されているため、基準マーク基板２０と転写基板３０との間の間隔が狭められる時に基準マーク基板２０上の異物Ｄが転写基板３０の転写パターン３１と基準マーク基板２０との間に挟み込まれてしまって転写パターン３１が破壊されたり汚損されたりすることが防止され得る。

また、本実施の形態によれば、転写観察用の補助カメラ１５により転写基板３０の転写パターン３１を介して基板ステージ１１上を観察可能であるため、比較的大きいサイズの異物Ｄであれば、転写パターン３１と基準マーク基板２０との間に挟み込んでしまう前に補助カメラ１５によって検知して除去することが可能である。

また、本実施の形態によれば、基準マーク基板２０の基準マーク２１の表面に金属膜４２が設けられているため、基準マーク２１を光学的に観察することが容易である。

なお、前述の実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、前述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、前述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いるとともに、重複する説明を省略する。

例えば、図４に示すように、基準マーク基板２０’のうち基準マーク２１がアライメントカメラ１４によって観察される時に転写基板３０の転写パターン３１と向かい合う領域には、貫通孔からなる孔部２３が形成されていてもよい。この場合も、前述した実施の形態と同様の作用効果が得られる。

１０ インプリント装置
１１ 基板ステージ
１２ 被転写基板
１３ チャック
１４ アライメントカメラ
１５ 補助カメラ
２０ 基準マーク基板
２０’ 基準マーク基板
２１ 基準マーク
２２ 凹部
２３ 孔部
３０ 転写基板
３１ 転写パターン
３２ アライメントマーク
４１ 基板
４２ 金属膜
４３ 電子線レジスト
４３Ｐ パターン
４４ 感光性レジスト
４４ａ 第１パターン
４４ｂ 第２パターン
４５ 切断用溝部

Claims (8)

1. 被転写基板を保持する基板ステージと、
   前記基板ステージ上に固定され、基準マークを有する基準マーク基板と、
   前記基板ステージの上方に配置され、転写パターンを有する転写基板を保持するチャックと、
   前記チャックに保持された前記転写基板を介して前記基準マーク基板の前記基準マークを観察可能なアライメントカメラと、
   を備え、
   前記基準マーク基板のうち前記基準マークが前記アライメントカメラによって観察される時に前記転写基板の前記転写パターンと向かい合う領域には、凹部または孔部が形成されている
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 少なくとも１つの基準マークは、前記凹部または孔部に対して前記基準マーク基板の一側に設けられ、少なくとも１つの別の基準マークは、前記凹部または孔部に対して前記基準マーク基板の他側に設けられている
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記チャックに保持された前記転写基板の前記転写パターンを介して前記基板ステージ上を観察可能な補助カメラ
   を更に備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
4. 前記基準マーク基板の前記基準マークの表面には、金属膜が設けられている
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリント装置。
5. 被転写基板を保持する基板ステージと、前記基板ステージの上方に配置され、転写パターンを有する転写基板を保持するチャックと、前記チャックに保持された前記転写基板を介して前記基板ステージ上を観察可能なアライメントカメラと、を備えたインプリント装置の前記基板ステージ上に固定される基準マーク基板であって、
   基準マークを有し、
   前記基準マークが前記アライメントカメラによって観察される時に前記転写基板の前記転写パターンと向かい合う領域には、凹部または孔部が形成されている
   ことを特徴とする基準マーク基板。
6. 少なくとも１つの基準マークは、前記凹部または孔部に対して当該基準マーク基板の一側に設けられ、少なくとも１つの別の基準マークは、前記凹部または孔部に対して当該基準マーク基板の他側に設けられている
   ことを特徴とする請求項５に記載の基準マーク基板。
7. 前記基準マークの表面には、金属膜が設けられている
   ことを特徴とする請求項５または６に記載の基準マーク基板。
8. 基準マークを有する基準マーク基板と、転写パターンを有する転写基板と、を一軸方向に向かい合うように配置し、
   前記基準マーク基板と前記転写基板とを前記一軸方向に相対移動させて互いに接近させ、
   前記転写基板を介して前記基準マーク基板の前記基準マークを観察しながら、前記基準マーク基板と前記転写基板とを前記一軸方向に対して直角な方向に相対移動させて所定の位置関係になるように位置合わせするアライメント方法であって、
   前記基準マーク基板のうち前記転写基板を介して前記基準マークを観察する時に前記転写基板の転写パターンと向かい合う領域には、凹部または孔部が形成されている
   ことを特徴とするアライメント方法。

Images