JP2011199163A - テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】テンプレート1は、例えば、主面10に複数の凹部22からなるパターン142が形成された第1の厚さH1を有する第1の領域14と、主面10にパターン142の凹部22とは間隔及び寸法の少なくとも一方が異なる複数の凹部23からなるパターン162が形成された第1の厚さH1と異なる第2の厚さH2を有する第2の領域16と、を備えて概略構成されている。
【選択図】図1
Description
(テンプレートの構成)
図1(a)は、実施の形態に係るテンプレートの平面図であり、(b)は、(a)のI(b)−I(b)線で切断した断面図である。図1(a)は、パターンが形成されたテンプレート1の主面10側を示している。図1(b)は、図1(a)のI(b)−I(b)線で切断した断面の主面10が、図1(b)の下側になるように図示している。
図2(a)〜(f)は、実施の形態に係るテンプレートの製造方法の工程図である。まず、図2(a)に示すように、Si系基板である基板100を用意する。この基板100の厚さは、例えば、H1と同じ厚さである。
図3(a)〜(d)は、実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程図である。図3(a)〜(d)は、テンプレート1の撓みを説明するため、凹部22、23の形状等を誇張して図示している。
実施の形態に係るテンプレート1によると、パターン形状の欠陥を抑制することができる。上記のテンプレート1によると、厚肉部140と薄肉部160を形成しない場合と比べて、テンプレート1と硬化したレジスト膜32との分離が、テンプレート1に形成されたパターンの疎密に応じて徐々に行われるので、分離に必要な力が小さくなってパターン形状の欠陥を抑制し、良好なレジストパターン34を得ることができる。また、上記のテンプレート1によると、テンプレート1の反力が、パターンの疎密に応じた反力となるので、パターンの疎密に応じて分離の速度が異なってパターン形状の欠陥を抑制し、良好なレジストパターン34を得ることができる。
以下に、本発明の変形例について説明する。図4(a)〜(h)は、変形例に係るテンプレートの要部断面図である。図4(a)〜(f)は、凹部の寸法が同じで、間隔が異なる変形例である。図4(g)は、凹部の間隔が同じで、寸法が異なる変形例である。図4(h)は、凹部の寸法と間隔が異なる変形例である。これらの変形例は、実施の形態と同様の効果を有するものであるので、以下では、主に、実施の形態との違いを示す。また、以下では、実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分は、実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略する。
Claims (5)
- 主面に複数の凹部からなる第1のパターンが形成された第1の厚さを有する第1の領域と、
前記主面に前記第1のパターンの前記凹部とは間隔及び寸法の少なくとも一方が異なる複数の凹部からなる第2のパターンが形成された前記第1の厚さと異なる第2の厚さを有する第2の領域と、
を備えたテンプレート。 - 前記第1の領域の前記第1の厚さは、前記第2の領域の前記第2の厚さよりも厚い請求項1に記載のテンプレート。
- 前記第1の領域の前記第1の厚さは、前記第2の領域の前記第2の厚さよりも薄い請求項1に記載のテンプレート。
- 主面に複数の凹部からなる第1のパターンが形成された第1の厚さを有する第1の領域と、前記主面に前記第1のパターンの前記凹部とは間隔及び寸法の少なくとも一方が異なる複数の凹部からなる第2のパターンが形成された前記第1の厚さと異なる第2の厚さを有する第2の領域と、を形成することを含むテンプレートの製造方法。
- 請求項1乃至3に記載のテンプレートを用いた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010066517A JP5205407B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
US13/024,932 US20110237086A1 (en) | 2010-03-23 | 2011-02-10 | Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010066517A JP5205407B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199163A true JP2011199163A (ja) | 2011-10-06 |
JP5205407B2 JP5205407B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=44656969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010066517A Expired - Fee Related JP5205407B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110237086A1 (ja) |
JP (1) | JP5205407B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6279430B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2018-02-14 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレート、テンプレート形成方法および半導体装置の製造方法 |
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JP2007122802A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | スタンパー、凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法 |
JP2008265004A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法 |
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-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010066517A patent/JP5205407B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-10 US US13/024,932 patent/US20110237086A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110237086A1 (en) | 2011-09-29 |
JP5205407B2 (ja) | 2013-06-05 |
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