JP5126219B2 - 半導体部品および半導体部品の製造方法 - Google Patents

半導体部品および半導体部品の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体素子が封入された半導体部品および半導体部品の製造方法に関する。
近年、半導体素子が封入された半導体パッケージにおいては、半導体の動作周波数の上昇や配線の高密度化に伴って発熱量が増加してきており、発生した熱を確実に逃がして、熱抵抗を効率よく低減することが求められている。また、電子機器を稼動した後の増設やバージョンアップや保守の利便性に優れた半導体パッケージとして、表面に薄板状の電極が格子状に並べられたLGA(Land Grid Array)形態の半導体パッケージが広く利用されている。
図1は、従来のLGA形態の半導体パッケージの断面図である。
半導体パッケージ10は、下面に薄板状の電極が配置された配線基板11と、I/O端子14が取り付けられた半導体素子12と、半導体素子12で発生した熱を放熱するヒートスプレッダ17と、ヒートスプレッダ17を支持するスペーサ16などで構成されており、半導体素子12とヒートスプレッダ17とは接合部材13によって接合され、スペーサ16と配線基板11およびヒートスプレッダ17は接着剤15で接着されている。半導体素子12の熱抵抗率を低減するためには、半導体素子12で発生した熱をヒートスプレッダ17に効率よく伝達することが必要であり、半導体素子12とヒートスプレッダ17を接合する接合部材13の厚さは綿密に調整されている。
また、半導体パッケージ10は、ピンが格子状に並んだソケットに配線基板11が対向するように配置され、ソケットに強く押し付けられることによって電子機器内に装着される。このように、LGA形態の半導体パッケージ10は、ピンやはんだなどで構成された凸状の電極を備えた半導体パッケージと比較して、電子機器内への着脱が容易であるとともに、電力を効率よく供給することができるという利点がある。
ところで、LGA形態の半導体パッケージ10では、外形寸法によってソケットとの位置合わせが行われており、ソケットに半導体パッケージ10が強く押し付けられることによって、電子機器内に装着されている。このため、接着剤15の食み出しなどによって、配線基板11やヒートスプレッダ17が傾いて接着されてしまうと、ソケットからの加圧力Fが配線基板11表面の一部分に偏って印加され、配線基板11が割れてしまったり、内部配線が断線してしまう恐れがある。また、接着剤15が半導体パッケージ10の外形寸法を超えて食み出してしまった場合には、半導体パッケージ10とソケットとの間に位置ずれが生じてしまい、接続不良が生じてしまうという問題がある。
この点に関し、特許文献1および特許文献2には、食み出した接着剤が収容されるように、スペーサの端面に段差を設ける技術について記載されている。特許文献1および特許文献2に記載された技術によると、余った接着剤がスペーサの端面に押し出されて段差内に入り込むため、接着剤の食み出しを軽減することができる。
特開2006−80297号公報 特開2004−296739号公報
しかし、半導体パッケージ10自体が小型であるため、スペーサ端面の段差に収容できる接着剤の量は微量であり、接着剤の食み出しによる配線基板の破損や接続不良を解決するには不十分であるという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑み、接着剤の食み出しによる不具合が軽減された半導体部品を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の第1の半導体部品は、複数の入出力信号を有する半導体素子と、
半導体素子の下部に配置され、半導体素子の複数の入出力信号を外部に引き出すための配線基板と、
半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、
半導体素子と熱伝導部材との間に配置され、熱伝導部材を半導体素子に接合するための接合部材と、
半導体素子を囲むように開口が形成され、上面に複数の凹を有し、熱伝導部材を支持するための支持部材と、
支持部材と配線基板との間に配置され、支持部材と配線基板とを接着する第1の接着部材と、
支持部材と熱伝導部材との間に配置され、支持部材と熱伝導部材とを接着する第2の接着部材とを有することを特徴とする。
本発明の第1の半導体部品によると、支持部材の上面に複数の凹部分が設けられており、それら凹部分それぞれに余った接着部材が入り込むため、接着剤の食み出しを十分に軽減することができ、熱伝導部材および配線基板を支持部材に精度良く接着することができる。また、支持部材に切り欠きではなく溝状の凹が設けられることによって、支持部材の強度を維持することができ、支持部材の開口内に配置される半導体素子などをソケット等の加圧力から確実に保護することができる。
また、本発明の第1の半導体部品において、上記複数の凹は、支持部材の上面における外周部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の複数の溝であることが好ましい。
支持部材の外周部に凹が設けられることによって、支持部材の外側にまで接着部材が食み出してしまって、半導体部品の外形が変わってしまう不具合を回避することができる。
また、本発明の第1の半導体部品において、上記支持部材の上面における外周部の隅の部分における複数の溝は、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成され、隅の部分に向かって夫々段階的に短くなることが好適である。
この好適な半導体部品によると、接着部材が剥れてしまいやすい外周部の隅の部分ほど溝の長さが短いため、接着部材の食み出しの回避と、支持部材の確実な接着とを両立させることができる。
また、本発明の第1の半導体部品において、上記支持部材の上面における外周部の隅の部分における複数の溝は、外周方向から内周方向へ向かって延長が開口内の一点で交わるように互いに角度を有して形成されることも好ましい。
支持部材の上面に、外周方向から内周方向へ向かって延長が開口内の一点で交わるように互いに角度を有して放射状の溝が設けられることによって、支持部材の外周部の隅に近いほど溝と溝の間があくこととなり、支持部材を確実に接着することができる。
また、本発明の第1の半導体部品において、上記複数の溝は、支持部材の下面においても形成されることが好ましい。
支持部材の下面にも複数の溝が設けられることによって、支持部材の下面と配線基板との間の接着部材の食み出しを防止することができる。
また、上記目的を達成する本発明の第2の半導体部品は、複数の入出力信号を有する半導体素子と、
上記半導体素子の下部に配置され、半導体素子の複数の入出力信号を外部に引き出すための配線基板と、
半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、
半導体素子と熱伝導部材との間に配置され、熱伝導部材を半導体素子に接合するための接合部材と、
半導体素子を囲むように開口が形成され、切欠きを複数有し、熱伝導部材を支持するための支持部材と、
支持部材と配線基板との間に配置され、支持部材と配線基板とを接着する第1の接着部材と、
支持部材と熱伝導部材との間に配置され、支持部材と熱伝導部材とを接着する第2の接着部材とを有することを特徴とする。
支持部材に、溝ではなく切り欠きが設けられることによっても、接着部材の食み出しを効率よく回避することができる。また、本発明の第2の半導体部品では、支持部材の上面に溝状の凹を設けた本発明の第1の半導体部品と比較して、支持部材の強度は劣るが、製造工程を複雑化せずに、接着部材の食み出しを確実に回避することができるという利点がある。
また、本発明の第2の半導体部品において、上記切欠きは、支持部材の外周部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の切欠きであることが好ましい。
支持部材の外周部に切り欠きが形成されることによって、支持部材の開口内に配置される接合部材を確実に熱伝導部材と接触させることができ、半導体素子で発生した熱を効率よく放熱することができる。
また、本発明の第2の半導体部品において、上記支持部材の外周部の隅の部分における複数の切欠きは、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成され、隅の部分に向かって夫々段階的に短くなることが好適である。
この好適な半導体部品によると、接着部材の食み出しの回避と、支持部材の確実な接着とを両立させることができる。
また、本発明の第2の半導体部品において、上記支持部材の外周部の隅の部分における複数の切欠きは、外周方向から内周方向へ向かって延長が開口内の一点で交わるように互いに角度を有して形成されることも好ましい。
支持部材の外周部に放射状の切り欠きが形成されることによっても、支持部材の隅が剥がれてしまう不具合を回避することができる。
また、本発明の第3の半導体部品は、複数の入出力信号を有する半導体素子と、
半導体素子の下部に配置され、半導体素子の複数の入出力信号を外部に引き出すための配線基板と、
半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、
半導体素子と熱伝導部材との間に配置され、熱伝導部材を半導体素子に接合するための接合部材と、
半導体素子を囲むように開口が形成され、熱伝導部材を支持するための支持部材と、
半導体素子を囲むように開口が形成されるとともに、支持部材と配線基板との間に配置され、複数の切欠きを有し、支持部材と配線基板とを接着する第1の接着部材と、
半導体素子を囲むように開口が形成されるとともに、支持部材と熱伝導部材との間に配置され、複数の切欠きを有し、支持部材と熱伝導部材とを接着する第2の接着部材とを有することを特徴とする。
支持部材に切り欠きが形成されることに替えて、第1の接着部材および第2の接着部材それぞれに複数の切り欠きが形成されることによっても、接着部材の食み出しを回避することができる。
また、本発明の第3の半導体部品において、上記接着部材の外周部の隅の部分における複数の切欠きは、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成され、隅の部分に向かって夫々段階的に短くなることが好適である。
この好適な半導体部品によると、接着部材の食み出しを回避し、支持部材を確実に接着することができる。
また、本発明の第3の半導体部品において、上記接着部材の外周部の隅の部分における複数の切欠きは、外周方向から内周方向へ向かって延長が開口内の一点で交わるように互いに角度を有して形成されることも好ましい。
接着部材の外周部に放射状の切り欠きが形成されることによっても、支持部材の接着精度を維持することができる。
また、本発明の第3の半導体部品において、上記支持部材は、支持部材の外周部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の切欠きを複数有することが好ましい。
第1の接着部材および第2の接着部材に加えて、支持部材にも複数の切り欠きが設けられることによって、接着部材の食み出しを確実に軽減することできる。
また、本発明の第3の半導体部品において、上記支持部材が有する切欠き、第1の接着部材が有する切欠きと第2の接着部材が有する切欠きは、互いに上下方向に貫通して形成されることが好ましい。
第1の接着部材、第2の接着部材、および支持部材それぞれに、互いに上下方向に貫通する切り欠きが形成されることによって、接着部材の食み出しが確実に回避される。
また、上記目的を達成する本発明の第1の半導体部品の製造方法は、配線基板と、配線基板上に配置された半導体素子と、半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、半導体素子と熱伝導部材との間に配置され、熱伝導部材を半導体素子に接合するための接合部材と、半導体素子を囲むように形成された支持部材であって、支持部材の上面における各辺部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の溝を複数有し、熱伝導部材を支持するための支持部材とを有する半導体部品の製造方法であって、
配線基板の上部に半導体素子と接合部材とを重ねて配置するとともに、配線基板の上部に半導体素子を囲むように第1の熱硬化性接着部材と支持部材と第2の熱硬化性接着部材とを重ねて配置するステップと、
接合部材及び第2の熱硬化性接着部材の上部に熱伝導部材を配置するステップと、
接合部材を融解させるとともに、第1及び第2の熱硬化性接着部材を融解させることにより、支持部材が有する複数の溝に熱硬化性接着部材を充填させるステップと、
支持部材が有する複数の溝に充填された熱硬化性接着部材を硬化させるステップとを有することを特徴とする。
本発明の第1の半導体部品の製造方法によると、接着部材の食み出しによる不具合が軽減された半導体部品を製造することができる。
ここで、第1の半導体部品の製造方法については、ここではその基本形態のみを示すのにとどめるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明の第1の半導体部品の製造方法には、上記の基本形態のみではなく、前述した第1の半導体部品の各形態に対応する各種の形態が含まれる。
また、上記目的を達成する本発明の第2の半導体の製造方法は、配線基板と、配線基板上に配置された半導体素子と、半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、半導体素子と熱伝導部材との間に配置され、熱伝導部材を半導体素子に接合するための接合部材と、半導体素子を囲むように形成された支持部材であって、支持部材の上面における各辺部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の切欠きを複数有し、熱伝導部材を支持するための支持部材とを有する半導体部品の製造方法であって、
配線基板の上部に半導体素子と接合部材とを重ねて配置するとともに、配線基板の上部に半導体素子を囲むように第1の熱硬化性接着部材と支持部材と第2の熱硬化性接着部材とを重ねて配置するステップと、
接合部材及び第2の熱硬化性接着部材の上部に熱伝導部材を配置するステップと、
前記接合部材を融解させるとともに、前記第1及び第2の熱硬化性接着部材を融解させることにより、支持部材が有する複数の溝に熱硬化性接着部材を充填させるステップと、
支持部材が有する複数の切り欠きに充填された熱硬化性接着部材を硬化させるステップとを有することを特徴とする。
本発明の第2の半導体部品の製造方法によると、接着部材の食み出しによる不具合が軽減された半導体部品を製造することができる。
ここで、第2の半導体部品の製造方法については、ここではその基本形態のみを示すのにとどめるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明の第2の半導体部品の製造方法には、上記の基本形態のみではなく、前述した第2の半導体部品の各形態に対応する各種の形態が含まれる。
以上のように、本発明によれば、接着剤の食み出しによる不具合が軽減された半導体部品を提供することができる。
従来のLGA形態の半導体パッケージの断面図である。 本発明の一実施形態である半導体部品の概略構成図である。 スペーサを示す図である。 半導体部品の製造方法を示す図である。 本発明の第2実施形態におけるスペーサを示す図である。 本発明の第3実施形態におけるスペーサを示す図である。 本発明の第4実施形態におけるスペーサを示す図である。 図7に示すスペーサが適用された半導体部品の製造方法を示す図である。 本発明の第5実施形態におけるスペーサを示す図である。 本発明の第6実施形態である半導体部品の分解斜視図である。 本発明の第7実施形態における接着シートを示す図である。 本発明の第8実施形態における接着シートを示す図である。 本発明の第9実施形態である半導体部品を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図2は、本発明の一実施形態である半導体部品の概略構成図である。
図2のパート(A)には、半導体部品100の分解斜視図が示されている。
半導体部品100は、配線基板110上に、接合部材123、接着シート130、スペーサ140、およびヒートスプレッダ150などが重ねられて構成されている。
配線基板110は、下面に薄板状の複数の電極が配置されており、それらの電極がソケットに押し付けられることによって、外部装置との間で信号や電力がやり取りされる。配線基板110は、本実施形態にいう配線基板の一例に相当する。
接合部材123の下には、半導体素子が配置されており、半導体素子とヒートスプレッダ150とが接合部材123によって接着されている。半導体素子、および接合部材123については後で図示する。また、接着シート130とスペーサ140は、それぞれに開口131,142が設けられており、半導体素子や接合部材123は、それら開口131,142の内側に配置されている。
接着シート130は、熱硬化性の接着材料で構成されており、スペーサ140を間に挟んで2枚用意されている。配線基板110とスペーサ140との間に配置された接着シート130は、本実施形態にいう第1の接着部材の一例にあたるとともに、本実施形態にいう第1の熱硬化性接着部材の一例にも相当する。また、スペーサ140とヒートスプレッダ150との間に配置された接着シート130は、本実施形態にいう第2の接着部材の一例にあたるとともに、本実施形態にいう第2の熱硬化性接着部材の一例にも相当する。
図3は、スペーサ140を示す図である。
図3のパート(A)は、スペーサ140の、ヒートスプレッダ150と対向する側の面(以下では、この面を上面と称する)を示す図であり、図3のパート(B)は、スペーサ140の、配線基板110と対向する側の面(以下では、この面を下面と称する)を示す図である。
スペーサ140は、ヒートスプレッダ150を支持するものであり、図3に示すように、上面および下面それぞれの外周部分に、相互に同じ長さを有する複数の溝141が形成されている。スペーサ140は、本実施形態にいう支持部材の一例にあたり、複数の溝141は、本実施形態にいう「複数の凹」の一例にあたるとともに、本実施形態にいう「複数の溝」の一例に相当する。
図2に戻って説明する。
ヒートスプレッダ150は、接合部材123の下に配置された半導体素子で発生した熱を放熱するものである。ヒートスプレッダ150は、本実施形態にいう熱伝導部材の一例に相当する。
図2のパート(B)には、半導体部品100の外観斜視図が示されている。
半導体部品100は、外観上、配線基板110とヒートスプレッダ150との間にスペーサ140などが挟まれており、それら配線基板110、ヒートスプレッダ150、およびスペーサ140によって形成された空間内に、半導体素子や接合部材123が封入されている。
続いて、半導体部品100の製造方法について説明する。
図4は、半導体部品100の製造方法を示す図である。
半導体部品100を製造するにあたり、まず、配線基板110上に、1枚目の接着シート130、スペーサ140、および2枚目の接着シート130がこの順に配置され、接着シート130およびスペーサ140それぞれの開口131,142の内側に、接着材料121aによってI/O端子121が接着された半導体素子122、および接合部材123が順に配置される(図4のステップS11)。半導体素子122は、本実施形態にいう半導体素子の一例にあたり、接合部材123は、本実施形態にいう接合部材の一例に相当する。また、図4のステップS11に示す接着シート130およびスペーサ140を配置する過程は、本実施形態の半導体部品の製造方法における「第1の熱硬化性接着部材と支持部材と第2の熱硬化性接着部材とを重ねて配置するステップ」の一例に相当する。
尚、本実施形態においては、2枚の接着シート130の間にスペーサ140を挟んだものの厚さが、半導体素子122上に接合部材123が載せられたものの厚さよりも厚くなるように、従来よりも厚めの接着シート130が適用されている。
続いて、接合部材123および接着シート130の上に、ヒートスプレッダ150が重ねられて、各種要素が接着される前の半導体部品100(以下では、接着処理前の半導体部品100を未接着半導体部品100´と称する)が形成される。図4のステップS12_aには、未接着半導体部品100´を中央付近で切断したときの断面が示されており、図4のステップS12_bには、未接着半導体部品100´を外周部分で切断したときの断面図が示されている。ステップS12_bに示すように、スペーサ140の上面および下面には複数の溝141が形成されており、この時点では、それらの溝141の内側に接着シート130が入り込んでいない。このヒートスプレッダ150を重ねるステップS12は、本実施形態の半導体部品の製造方法における「熱伝導部材を配置するステップ」の一例に相当する。
ヒートスプレッダ150が重ねられ、未接着半導体部品100´が加熱されると、接合部材123の表面が溶融して粘性を増すとともに、2枚の接着シート130が液状に融解される。さらに、ヒートスプレッダ150が接合部材123に向けて押し付けられる(図4のステップS13)。本実施形態においては、厚めの接着シート130が用いられており、ヒートスプレッダ150が接合部材123の上面の高さまで押し込まれることによって、2枚の接着シート130が融解した熱硬化性接着材料132がスペーサ140の上面および下面に形成された複数の溝141に押し出される。複数の溝141に熱硬化性接着材料132を押し出すステップS13は、本実施形態の半導体部品の製造方法における「複数の溝に熱硬化性接着部材を充填させるステップ」の一例に相当する。
続いて、未接着半導体部品100´が冷却される(図4のステップS14)。その結果、接合部材123および熱硬化性接着材料132が硬化して、接合部材123がヒートスプレッダ150に接着されるとともに、スペーサ140がヒートスプレッダ150および配線基板110に接着される。この熱硬化性接着材料132を硬化するステップS14は、本実施形態の半導体部品の製造方法における「熱硬化性接着部材を硬化させるステップ」の一例に相当する。
硬化した熱硬化性接着材料132´は、スペーサ140とヒートスプレッダ150および配線基板110との間でそれらを接合しているとともに、余った分がスペーサ140の溝141に入り込んでいる。このように、半導体部品100は、熱硬化性接着材料132の食み出しが生じておらず、均一な厚みを有しているため、ソケットに強く押し付けられることによって配線基板110が割れてしまったり、外形で位置決めされるソケットとの間に位置ずれが生じてしまって、接続不良が生じてしまうなどという不具合を回避することができる。また、厚めの接着シート130が用いられることによって、スペーサ140と配線基板110やヒートスプレッダ150との間の隙間が余った熱硬化性接着材料132で充填されるため、従来、ステップS14の後段で実行されていた、アンダーフィル材などといった液状の樹脂を隙間に充填・硬化する工程を省くことができ、製造コストを軽減することができる。
以上で、本発明の第1実施形態の説明を終了し、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態は、スペーサに形成された溝の形状を除いては第1実施形態と同様の構成を有しているため、第1実施形態と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第1実施形態との相違点についてのみ説明する。
図5は、本発明の第2実施形態におけるスペーサ140_2を示す図である。
本実施形態のスペーサ140_2は、図2に示す第1実施形態のスペーサ140とは異なり、中央部分の溝141の長さL2よりも、隅部分の溝の長さL1が短く形成されている。スペーサ140_2を図2に示すヒートスプレッダ150および配線基板110に接着しても、スペーサ140_2の隅部分は剥がれてしまいやすい。本実施形態のスペーサ140_2によると、隅部分ほど溝141の長さが短いため、接着シート130との接触面積が大きく、隅部分を確実にヒートスプレッダ150および配線基板110に接着することができる。
以上で、本発明の第2実施形態の説明を終了し、本発明の第3実施形態について説明する。本発明の第3実施形態についても、スペーサに設けられた溝の形状を除いては第1実施形態と同様の構成を有しているため、第1実施形態と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第1実施形態との相違点についてのみ説明する。
図6は、本発明の第3実施形態におけるスペーサ140_3を示す図である。
本実施形態のスペーサ140_3は、隅部分Pの溝141が、開口142の内側で交わるように互いに角度を有して放射状に設けられている。この図6に示すスペーサ140_3では、接着しても剥れてしまいやすい隅部分Pが、外周側ほど溝141同士の間があいており、接着シート130との接触面積が大きくなる。このように、スペーサ140_3の隅部分Pに放射状の溝141を設けることによっても、スペーサ140_3の接着精度を維持して、熱硬化性接着材料の食み出しを防止することができる。
以上で、本発明の第3実施形態の説明を終了し、本発明の第4実施形態について説明する。本発明の第4実施形態については、スペーサに溝ではなく切り欠きが設けられている点を除いては第1実施形態と同様の構成を有しているため、第1実施形態と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第1実施形態との相違点についてのみ説明する。
図7は、本発明の第4実施形態におけるスペーサ160を示す図である。
本実施形態のスペーサ160では、図2に示す第1実施形態のスペーサ140とは異なり、溝141ではなく、外周部分に複数の切り欠き161が形成されている。また、本実施形態のスペーサ160は、中央部分の切り欠き161の長さL2よりも、隅部分の切り欠き161の長さL1が短く形成されており、スペーサ160の接着精度の維持が図られている。
図8は、図7に示すスペーサ160が適用された半導体部品101の製造方法を示す図である。
本実施形態においても、図4に示す第1実施形態の半導体部品100の製造方法と同様に、配線基板110上に、1枚目の接着シート130、スペーサ160、および2枚目の接着シート130の順に配置され、接着シート130およびスペーサ160それぞれの開口131,162の内側に、I/O端子121が設けられた半導体素子122、および接合部材123が順に配置される(図8のステップS21)。
続いて、ヒートスプレッダ150が重ねられて、未接着半導体部品101´が形成される。図8のステップS22_aには、未接着半導体部品101´を中央付近で切断したときの断面が示されており、図8のステップS22_bには、未接着半導体部品101´を外周部分で切断したときの断面図が示されている。本実施形態においては、ステップS22_bに示すように、スペーサ160に切り欠き161が設けられている。
さらに、未接着半導体部品101´が加熱されて接合部材123および2枚の接着シート130が融解される(図8のステップS23)。その結果、2枚の接着シート130が融解した熱硬化性接着材料132がスペーサ160の切り欠き161に押し出されて充填される。複数の切り欠き161に熱硬化性接着材料132を押し出すステップS23は、本実施形態の半導体部品の製造方法における「複数の切り欠きに熱硬化性接着部材を充填させるステップ」の一例に相当する。
切り欠き161に熱硬化性接着材料132が充填されると、未接着半導体部品100´が冷却される(図8のステップS24)。本実施形態においては、硬化した熱硬化性接着材料132´は、スペーサ160とヒートスプレッダ150および配線基板110との接着に使用されずに余った分がスペーサ160の切り欠き161に入り込んでいる。このように、スペーサ160に溝ではなく切り欠き161を設けることによって、さらに効率よく余った熱硬化性接着材料132´を収容することができる。
以上で、本発明の第4実施形態の説明を終了し、本発明の第5実施形態について説明する。本発明の第5実施形態については、スペーサに設けられた切り欠きの形状を除いては、本発明の第4実施形態と同様の構成を有しているため、第4実施形態と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第4実施形態との相違点についてのみ説明する。
図9は、本発明の第5実施形態におけるスペーサ160_2を示す図である。
本実施形態のスペーサ160_2は、隅部分Pの切り欠き161が、開口162内で交わるように互いに角度を有して放射状に設けられている。本実施形態のスペーサ160_2では、隅部分Pは他の部分よりも接着シート130との接触面積が大きいため、接着精度の維持と、熱硬化性接着材料の食み出しを防止とを両立することができる。
以上で、本発明の第5実施形態の説明を終了し、本発明の第6実施形態について説明する。本発明の第6実施形態については、スペーサおよび接着シートの形状を除いては本発明の第1実施形態と同様の構成を有しているため、第1実施形態と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第1実施形態との相違点についてのみ説明する。
図10は、本発明の第6実施形態である半導体部品200の分解斜視図である。
本実施形態の半導体部品200は、図2に示す第1実施形態の半導体部品100と同様に、配線基板110上に2枚の接着シート180、スペーサ170、およびヒートスプレッダ150が重ねられており、接着シート180およびスペーサ170それぞれに設けられた開口181,171の内側に半導体部129が配置されている。また、第1実施形態の半導体部品100とは異なり、スペーサ170に溝や切り欠きなどが設けられておらず、その代わりに、2枚の接着シート180それぞれの外周部分に切り欠き182が形成されている。
図10に示す接着シート180を溶融すると、余った熱硬化性接着材料が接着シート180の切り欠き182の部分にまで広がる。このため、スペーサ170を確実に接着することができるとともに、熱硬化性接着部材が半導体部品200の外面にまで食み出してしまう不具合を回避することができる。
以上で、本発明の第6実施形態の説明を終了し、本発明の第7実施形態について説明する。本発明の第7実施形態については、接着シートの切り欠きの形状を除いては本発明の第6実施形態と同様の構成を有しているため、第6実施形態との相違点についてのみ説明する。
図11は、本発明の第7実施形態における接着シート180_2を示す図である。
本実施形態の接着シート180_2では、中央部分の切り欠き182の長さL2よりも、隅部分の切り欠き182の長さL1が短く形成されている。本実施形態の接着シート180_2では、接着シート180_2とスペーサ170との接触面積が、スペーサ170が剥がれてしまいやすい隅部分ほど大きいため、スペーサ170の接着精度を維持したまま、熱硬化性接着部材の食み出しを回避することができる。
以上で、本発明の第7実施形態の説明を終了し、本発明の第8実施形態について説明する。本発明の第8実施形態については、接着シートの切り欠きの形状を除いては本発明の第6実施形態と同様の構成を有しているため、第6実施形態との相違点についてのみ説明する。
図12は、本発明の第8実施形態における接着シート180_3を示す図である。
本実施形態の接着シート180_3は、隅部分Pの切り欠き182が、開口181内で交わるように互いに角度を有して放射状に設けられているため、剥れてしまいやすい外周側ほどスペーサ170と大きな面積で接触する。このように、接着シート180_3の隅部分Pに放射状の切り欠き182を設けることによっても、スペーサ170の接着精度を維持して、熱硬化性接着材料の食み出しを防止することができる。
以上で、本発明の第8実施形態の説明を終了し、本発明の第9実施形態について説明する。本発明の第9実施形態については、スペーサの形状を除いては本発明の第6実施形態と同様の構成を有しているため、第6実施形態との相違点についてのみ説明する。
図13は、本発明の第9実施形態である半導体部品300を示す図である。
図13のパート(A)には、本実施形態の半導体部品300の分解斜視図が示されている。
本実施形態の半導体部品300は、図10に示す第6実施形態の半導体部品200と同様に、接着シート180に切り欠き182が形成されており、さらに、スペーサ140にも切り欠き142が形成されている。また、2枚の接着シート180とスペーサ140は、それぞれの切り欠き182,142を揃えて重ねられている。
図13のパート(B)には、半導体部品300の外周部分の断面図が示されている。
図13のパート(B)に示す接着シート180を溶融すると、スペーサ170とヒートスプレッダ150および配線基板110との接着に利用されずに余った熱硬化性接着材料は、接着シート180の切り欠き182の部分にまで広がるとともに、スペーサ170の切り欠き142にも押し出される。このため、接着シート180が厚い場合であっても、確実に熱硬化性接着材料の食み出しを回避することができる。
ここで、上記では、スペーサの上面と下面の両面に溝を設ける例について説明したが、本発明にいう支持部材は、片面にのみ溝が設けられたものであってもよい。
また、上記では、スペーサと接着シートそれぞれに切り欠きを設ける例について説明したが、本発明にいう支持部材および接着部材は、一方に切り欠きが設けられ、他方には溝が設けられたものであってもよい。
また、上記では、スペーサの外周部分にのみ溝を設ける例について説明したが、本発明にいう支持部材は、上面全体に溝が設けられたものであってもよい。

Claims (8)

  1. 複数の入出力信号を有する半導体素子と、
    前記半導体素子の下部に配置され、前記半導体素子の前記複数の入出力信号を外部に引き出すための配線基板と、
    前記半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、
    前記半導体素子と前記熱伝導部材との間に配置され、前記熱伝導部材を前記半導体素子に接合するための接合部材と、
    前記半導体素子を囲むように開口が形成され、上面に、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された複数の凹を有し、前記熱伝導部材を支持するための支持部材と、
    前記支持部材と前記配線基板との間に配置され、前記支持部材と前記配線基板とを接着する第1の接着部材と、
    前記支持部材と前記熱伝導部材との間に配置され、前記支持部材と前記熱伝導部材とを接着する第2の接着部材とを有し、
    前記凹に前記第1の接着部材の一部または前記第2の接着部材の一部を受け入れることを特徴とする半導体部品。
  2. 前記複数の凹は、前記支持部材の上面における外周部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の複数の溝であることを特徴とする請求項1記載の半導体部品。
  3. 前記支持部材の上面における前記外周部の隅の部分における複数の溝は、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成され、前記隅の部分に向かって夫々段階的に短くなることを特徴とする請求項2記載の半導体部品。
  4. 前記支持部材の上面における前記外周部の隅の部分における複数の溝は、外周方向から内周方向へ向かって延長が前記開口内の一点で交わるように互いに角度を有して形成されることを特徴とする請求項2記載の半導体部品。
  5. 前記複数の溝は、前記支持部材の下面においても形成されることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の半導体部品。
  6. 複数の入出力信号を有する半導体素子と、
    前記半導体素子の下部に配置され、前記半導体素子の前記複数の入出力信号を外部に引き出すための配線基板と、
    前記半導体素子が発生する熱を放熱するための熱伝導部材と、
    前記半導体素子と前記熱伝導部材との間に配置され、前記熱伝導部材を前記半導体素子に接合するための接合部材と、
    前記半導体素子を囲むように開口が形成され、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された切欠きを複数有し、前記熱伝導部材を支持するための支持部材と、
    前記支持部材と前記配線基板との間に配置され、前記支持部材と前記配線基板とを接着する第1の接着部材と、
    前記支持部材と前記熱伝導部材との間に配置され、前記支持部材と前記熱伝導部材とを接着する第2の接着部材とを有し、
    前記切欠きに前記第1の接着部材の一部または前記第2の接着部材の一部を受け入れることを特徴とする半導体部品。
  7. 前記切欠きは、前記支持部材の外周部の所定範囲において、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成された所定長の切欠きであることを特徴とする請求項6記載の半導体部品。
  8. 前記支持部材の前記外周部の隅の部分における複数の切欠きは、外周方向から内周方向へ向かって互いに交わらずに形成され、前記隅の部分に向かって夫々段階的に短くなることを特徴とする請求項7記載の半導体部品。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157462B (zh) * 2010-01-21 2016-03-02 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其制造方法
US9354138B2 (en) * 2013-07-02 2016-05-31 Texas Instruments Incorporated Fixture for test circuit board reliability testing
DE102013015041B4 (de) * 2013-09-12 2018-03-08 Jörg Alexander Böken Vorrichtung zur Signalisierung von Bewegungen eines Bewegungsapparates eines Menschen
US9831190B2 (en) 2014-01-09 2017-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device package with warpage control structure
DE102019119094A1 (de) 2018-08-31 2020-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Ausbilden derselben
US11101236B2 (en) * 2018-08-31 2021-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and method of forming the same
US11234351B2 (en) * 2018-10-18 2022-01-25 Facebook Technologies, Llc Display fabrication microassembly system
US11710672B2 (en) * 2019-07-08 2023-07-25 Intel Corporation Microelectronic package with underfilled sealant
US11302600B2 (en) * 2019-12-18 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817974A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Hitachi Ltd 放熱構造を持つbga型lsiパッケージ
JPH1050877A (ja) * 1996-07-30 1998-02-20 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JPH10144737A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH11345920A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2003218253A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2995686A (en) * 1959-03-02 1961-08-08 Sylvania Electric Prod Microelectronic circuit module
JPH05251980A (ja) 1992-03-05 1993-09-28 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイスおよびその実装構造
US5424918A (en) * 1994-03-31 1995-06-13 Hewlett-Packard Company Universal hybrid mounting system
JPH09293808A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH1174403A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3519285B2 (ja) * 1998-09-28 2004-04-12 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP2000349178A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US7173329B2 (en) * 2001-09-28 2007-02-06 Intel Corporation Package stiffener
JP2004296739A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法
TWI273680B (en) * 2003-03-27 2007-02-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with embedded heat spreader abstract of the disclosure
JP2006080297A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
TWM303325U (en) * 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817974A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Hitachi Ltd 放熱構造を持つbga型lsiパッケージ
JPH1050877A (ja) * 1996-07-30 1998-02-20 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JPH10144737A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH11345920A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Fujitsu Ltd 半導体装置
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