JP5064734B2 - プログラム速度を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 - Google Patents
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Description
1200 ページバッファ回路
1300 列選択回路
1400 入出力回路
1500 行選択回路
1600 ワードライン電圧発生回路
1700 制御ロジック回路
Claims (28)
- フラッシュメモリ装置をプログラムする方法において、
ビットラインセットアップ区間でビットラインにプログラムデータを印加しながら第1電圧で選択ラインを充電する段階と、
前記選択ラインを対応するワードラインに電気的に連結するようにブロックワードラインを活性化させる段階と、
前記選択ライン中の一つに前記第1電圧より高い第2電圧を供給する段階とを含む
ことを特徴とするプログラム方法。 - 前記第2電圧が前記一つの選択ラインに供給されながら、前記第1電圧は選択されない残りの選択ラインに供給される
ことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。 - フラッシュメモリ装置の選択されたセルのプログラムが終了された後、前記活性化されたブロックワードラインを非活性化させる
ことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。 - 前記ブロックワードラインを活性化する段階は前記選択ラインと前記対応するワードラインとの間に共有する電荷を有するように前記ブロックワードラインを活性化する時、前記対応するワードラインから前記第1電圧を維持する段階をさらに含み、前記第2電圧は電荷ポンプから供給される
ことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。 - 前記第1電圧はパス電圧を構成し、前記第2電圧はプログラム電圧を構成する
ことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。 - フラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
ビットラインセットアップ区間でビットラインにプログラムデータを印加する段階と、
前記ビットラインセットアップ区間と同時に進行されるワードラインのイネーブル区間でパス電圧で選択ラインを充電する段階と、
前記ビットラインセットアップ区間の終了後に前記選択ラインを対応するワードラインに電気的に連結する段階と、
前記ワードラインイネーブル区間の終了後にプログラム実行区間でプログラム電圧で前記選択ライン中の一つを駆動する段階とを含む
ことを特徴とするプログラム方法。 - 前記ビットラインセットアップ区間は前記ワードラインイネーブル区間より短い
ことを特徴とする請求項6に記載のプログラム方法。 - 前記フラッシュメモリ装置の選択されたセルの前記プログラム実行区間で残りの選択ラインは前記パス電圧で駆動される
ことを特徴とする請求項6に記載のプログラム方法。 - 前記選択ラインはブロックワードラインが活性化されることによって前記対応するワードラインに電気的に連結される
ことを特徴とする請求項6に記載のプログラム方法。 - 前記活性化されたブロックワードラインは前記フラッシュメモリ装置の選択されたセルのプログラムループが終了された後、非活性化される
ことを特徴とする請求項9に記載のプログラム方法。 - 前記選択ラインが対応するワードラインに電気的に連結される段階は前記選択ラインと前記対応するワードラインとの間に共有する電荷を有するように前記対応するワードラインから電荷ポンプ回路から供給された電圧を維持する段階をさらに含み、前記プログラム電圧は前記電荷ポンプ回路によって供給される
ことを特徴とする請求項6に記載のプログラム方法。 - ワードラインとビットラインのマトリックスで配列されたメモリセルを含むメモリセルアレイと、
ビットラインセットアップ区間で前記ビットラインにプログラムデータを印加するように構成されたページバッファ回路と、
選択ラインにプログラム電圧と/或はパス電圧を印加するように構成された第1デコーディング及び駆動回路と、
ワードラインイネーブル区間で前記選択ラインが対応するワードラインに電気的に連結されるように構成された第2デコーディング及び駆動回路と、
前記ページバッファ回路、前記第1及び駆動回路及び第2デコーディング及び駆動回路に電気的に連結されてあり、ビットラインセットアップ区間で前記パス電圧で前記選択ラインの充電を制御するように構成された制御ロジック回路とを含む
ことを特徴とするフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインセットアップ区間が終了後に前記制御ロジック回路は前記選択ラインが前記対応するワードラインに電気的に連結されるように構成された
ことを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記選択ラインが前記対応するワードラインに連結された後、プログラム実行区間で、前記制御ロジック回路は前記選択ラインの一つにプログラム電圧を印加するように構成された
ことを特徴とする請求項13に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記パス電圧は前記プログラム実行区間で残りの選択ライン中に供給される
ことを特徴とする請求項14に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記制御ロジック回路は前記ビットラインセットアップ区間で前記ビットラインに前記プログラムデータを印加するように構成された
ことを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリ装置。 - ワードラインとビットラインのマトリックスで配列された不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、
第1イネーブル信号と第2イネーブル信号に応答してパス電圧及びプログラム電圧で選択ラインを駆動するように構成された選択ラインと、
第3イネーブル信号に応答してブロックアドレスをデコーディングするように構成されたデコーディング回路と、
前記デコーディング回路の出力に応答してブロックワードラインを活性化するように構成されたブロックワードラインと、
前記ブロックワードラインの活性に応答して前記選択ラインを対応するワードラインに連結するように構成されたスイッチ回路と、
プログラム動作の間に前記第1イネーブル信号乃至第3イネーブル信号を生成するように構成された制御ロジック回路とを含み、
前記制御ロジック回路は前記第1イネーブル信号を活性化させ、前記プログラム動作のビットラインセットアップ区間で前記パス電圧で前記選択ラインを充電するようにする
ことを特徴とするフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインセットアップ区間の終了後に、前記制御ロジック回路は前記第3イネーブル信号を活性化させ、前記対応するワードラインが前記スイッチ回路を通じて前記選択ラインに連結されるようにする
ことを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記第3イネーブル信号は活性化された後に、前記制御ロジック回路は前記第2イネーブル信号を活性化して前記プログラム電圧で前記選択ライン中に一つを駆動させる
ことを特徴とする請求項18に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記第1イネーブル信号は前記第2イネーブル信号が活性化された時、非活性化される
ことを特徴とする請求項19に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記パス電圧と前記プログラム電圧は高電圧ポンプ回路から供給される
ことを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記ワードラインは前記第1イネーブル信号の活性区間で前記選択ラインと電荷共有方式で駆動され、前記第2イネーブル信号の活性区間で前記高電圧ポンプ回路によって駆動される
ことを特徴とする請求項21に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記制御ロジックによって制御されるページバッファ回路をさらに具備して、前記ビットラインセットアップ区間でプログラムデータによって前記ビットラインをセットアップさせる
ことを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリ装置。 - 複数のワードライン、前記各々のワードラインに対応する選択ライン、前記ワードラインと前記選択ラインとの間に連結され、ブロックワードラインによって制御されるトランジスタを含むスイッチ回路を含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
第1電圧で前記選択ラインを充電する段階と、
前記選択ラインを各々のワードラインに電気的に連結する前記ブロックワードラインを活性化させる段階と、
前記ブロックワードラインの活性後に前記選択ラインの一つに前記第1電圧より高い第2電圧を供給する段階とを含む
ことを特徴とするプログラム方法。 - 前記活性化されたブロックワードラインは前記フラッシュメモリ装置の選択されたセルのプログラムループの終了後に非活性化される
ことを特徴とする請求項24に記載のプログラム方法。 - ブロックワードラインを活性化させる段階は前記選択ラインと前記各々のワードラインとの間に共有する電荷を有するように、前記ブロックワードラインが活性化される時、前記各々のワードラインから前記第1電圧を維持する段階をさらに含み、前記第2電圧は電荷ポンプから供給される
ことを特徴とする請求項24に記載のプログラム方法。 - 前記第1電圧はパス電圧を構成し、前記第2電圧はプログラム電圧を構成する
ことを特徴とする請求項24に記載のプログラム方法。 - 前記選択ラインは前記第1電圧で充電されながら、プログラムデータによってビットラインバイアス電圧でセットアップされる
ことを特徴とする請求項24に記載のプログラム方法。
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