JP5044042B2 - 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル - Google Patents
側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル Download PDFInfo
- Publication number
- JP5044042B2 JP5044042B2 JP2011504064A JP2011504064A JP5044042B2 JP 5044042 B2 JP5044042 B2 JP 5044042B2 JP 2011504064 A JP2011504064 A JP 2011504064A JP 2011504064 A JP2011504064 A JP 2011504064A JP 5044042 B2 JP5044042 B2 JP 5044042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching element
- resistivity switching
- insulating
- conductive electrode
- sidewall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
- H10B63/22—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the metal-insulator-metal type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of the switching material, e.g. layer deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of the switching material, e.g. layer deposition
- H10N70/023—Formation of the switching material, e.g. layer deposition by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of the switching material, e.g. layer deposition
- H10N70/026—Formation of the switching material, e.g. layer deposition by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Patterning of the switching material
- H10N70/068—Patterning of the switching material by processes specially adapted for achieving sub-lithographic dimensions, e.g. using spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
- H10N70/8265—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices on sidewalls of dielectric structures, e.g. mesa or cup type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/884—Other compounds of groups 13-15, e.g. elemental or compound semiconductors
- H10N70/8845—Carbon or carbides
Description
本願は、2008年4月11日に出願された米国仮特許出願第61/071,093号(特許文献1)および2008年6月30日に出願された米国特許出願第12/216,110号(特許文献2)の利益を主張し、その両方の全体が本願明細書において参照により援用されている。
R=ρ*t/(L*W) [1]
により計算することができ、ここでρは材料の抵抗率であり、tは層の高さであり、(L*W)は伝導性経路の面積である。その結果として、層の抵抗はジオメトリに大きく依存することがある。図1B、1C、2Aおよび2Bは、抵抗のそのような依存性を示す。図1Bおよび1Cは、ダイオード(これは、明瞭性を目的として図1Bおよび1Cから省略されているけれども素子24より上または下に置かれることができる)の頂部に置かれた抵抗率スイッチング素子24を示す。素子24の低抵抗率状態へのスイッチングの間に形成される伝導性フィラメント25のL*W面積はセルの構造によって限定されないので、伝導性フィラメントの抵抗は割合に低い抵抗であり得る。代表的な金属酸化物スイッチャブル抵抗材料は1KΩから10KΩまでの範囲内の抵抗を有するフィラメントを形成することができ、3次元ダイオードアレイに用いられるべく形成されるダイオードにより通常達成される抵抗より低い抵抗である。3次元ダイオードアレイ内のダイオードは、比較的に低い抵抗のフィラメントを確実にリセットすることはできないかもしれない。
R=ρ*T/(l*W) [2]
によって計算し、ここでlは絶縁構造の側壁上の素子14の堆積された厚さである。長さlは図1Bおよび1Cの長さLより著しく小さいことがある。抵抗は、図2Aおよび2Bの構成では図1Bおよび1Cのものと比べて(L/l)の率で増大する。高さTは、絶縁構造13の側壁を覆う抵抗率スイッチング素子14の高さである。高さTは、図1Bおよび1Cの、前の平面厚さtと同じであることがあり、場合によっては平面厚さtより大きいことがある。
Claims (19)
- メモリデバイスであって、
第1の伝導性電極と、
絶縁構造と、
前記絶縁構造の側壁上に置かれている抵抗率スイッチング素子と、
前記抵抗率スイッチング素子の上に置かれている第2の伝導性電極と、
前記第1の伝導性電極および前記第2の伝導性電極の間に前記抵抗率スイッチング素子と直列に置かれているステアリング素子と、を備え、
前記第1の伝導性電極から前記第2の伝導性電極への第1の方向における前記抵抗率スイッチング素子の高さは、第1の方向と直角をなす第2の方向における前記抵抗率スイッチング素子の厚さより大きく、
前記絶縁構造は、複数の絶縁レールを含み、
前記抵抗率スイッチング素子は、少なくとも1つの絶縁レールの側壁上に、隣接するレール間に露出した前記第1の伝導性電極と接触して置かれ、
複数の絶縁レールの間のスペースは、絶縁充填材料で充填され、
各絶縁レールは、前記抵抗率スイッチング素子が前記第1の伝導性電極および前記ステアリング素子と接触して置かれるように、前記第1の伝導性電極および前記ステアリング素子と部分的に位置ずれをしているデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記ステアリング素子は、前記抵抗率スイッチング素子より上に置かれているダイオードを含むデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記ステアリング素子は、前記抵抗率スイッチング素子より下に置かれているダイオードを含むデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記ステアリング素子は、伝導性障壁層によって前記抵抗率スイッチング素子から分離されている柱形pinダイオードを含むデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記抵抗率スイッチング素子は、前記絶縁構造の側壁上に置かれている金属酸化物層であるデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記抵抗率スイッチング素子は、アンチヒューズ誘電体、ヒューズ、ポリシリコン記憶効果材料、金属酸化物またはスイッチャブルな複合金属酸化物材料、カーボンナノチューブ材料、グラフェンスイッチャブル抵抗材料、炭素抵抗率スイッチング材料、相変化材料、伝導性ブリッジ素子、電解質スイッチング材料、あるいはスイッチャブルなポリマー材料から選択されるデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記絶縁構造は、絶縁層内のトレンチを含み、
前記抵抗率スイッチング素子は、前記絶縁層内のトレンチの側壁上に、前記絶縁層内のトレンチの底に露出した前記第1の伝導性電極と接触して置かれているデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記抵抗率スイッチング素子は、10nmより大きい高さと10nmより小さい厚さとを有するデバイス。 - メモリデバイスを作る方法であって、
第1の伝導性電極を形成するステップと、
前記第1の伝導性電極の上に絶縁構造を形成するステップと、
前記絶縁構造の側壁上に抵抗率スイッチング素子を形成するステップと、
前記抵抗率スイッチング素子の上に第2の伝導性電極を形成するステップと、
前記第1の伝導性電極および前記第2の伝導性電極の間に前記抵抗率スイッチング素子と直列にステアリング素子を形成するステップと、
絶縁レール形の絶縁構造を形成するために絶縁層を、前記第1の伝導性電極が隣接する絶縁レール間で露出され、かつ前記抵抗率スイッチング素子が少なくとも1つの絶縁レールの側壁上に前記第1の伝導性電極と接触して形成されるように、パターニングするステップと、
前記絶縁レール間のスペースを絶縁充填材料で充填するステップと、を含み、
前記第1の伝導性電極から前記第2の伝導性電極への第1の方向における前記抵抗率スイッチング素子の高さは、第1の方向と直角をなす第2の方向における前記抵抗率スイッチング素子の厚さより大きく、
前記ステアリング素子は、前記抵抗率スイッチング素子より上または下に置かれているダイオードを含む方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記抵抗率スイッチング素子の上に絶縁層を形成するステップと、
前記第2の伝導性電極を形成するステップの前に、前記抵抗率スイッチング素子の上面を露出させるために前記絶縁層を平坦化するステップと、
をさらに含む方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記抵抗率スイッチング素子は、
前記絶縁構造の側壁上に置かれている金属酸化物層であるか、または
アンチヒューズ誘電体、ヒューズ、ポリシリコン記憶効果材料、金属酸化物またはスイッチャブルな複合金属酸化物材料、カーボンナノチューブ材料、グラフェンスイッチャブル抵抗材料、炭素抵抗率スイッチング材料、相変化材料、伝導性ブリッジ素子、電解質スイッチング材料、あるいはスイッチャブルなポリマー材料から選択されるか、または
金属または金属窒化物層を前記絶縁構造の側壁上に堆積させ、金属酸化物または金属オキシニトリド層を形成するために金属または金属窒化物層を酸化させることによって形成された金属酸化物を含む方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記絶縁構造を形成するために絶縁層内にトレンチを、前記第1の伝導性電極が前記トレンチの底で露出され、かつ前記抵抗率スイッチング素子が前記トレンチの絶縁構造の側壁上に前記第1の伝導性電極と接触して形成されるように、形成するステップをさらに含む方法。 - 請求項9記載の方法において、
柱形絶縁構造を形成するために絶縁層を、前記抵抗率スイッチング素子が前記柱形絶縁構造の側壁上に形成されるように、パターニングするステップをさらに含む方法。 - メモリデバイスであって、
第1の伝導性電極と、
絶縁構造と、
前記絶縁構造の側壁上に置かれている抵抗率スイッチング素子と、
前記抵抗率スイッチング素子の上に置かれている第2の伝導性電極と、
前記第1の伝導性電極および前記第2の伝導性電極の間に前記抵抗率スイッチング素子と直列に置かれているステアリング素子と、を備え、
前記第1の伝導性電極から前記第2の伝導性電極への第1の方向における前記抵抗率スイッチング素子の高さは、第1の方向と直角をなす第2の方向における前記抵抗率スイッチング素子の厚さより大きく、
前記ステアリング素子は、前記抵抗率スイッチング素子より上または下に置かれているダイオードを含み、
前記絶縁構造は、複数の絶縁レールを含み、
前記抵抗率スイッチング素子は、少なくとも1つの絶縁レールの側壁上に、隣接するレール間に露出した前記第1の伝導性電極と接触して置かれ、
複数の絶縁レールの間のスペースは、絶縁充填材料で充填され、
各絶縁レールは、前記抵抗率スイッチング素子が前記第1の伝導性電極および前記ステアリング素子と接触して置かれるように、前記第1の伝導性電極および前記ステアリング素子と部分的に位置ずれをしているデバイス。 - 請求項14記載のデバイスにおいて、
前記ステアリング素子は、伝導性障壁層によって前記抵抗率スイッチング素子から分離されている柱形pinダイオードを含み、
前記抵抗率スイッチング素子は、前記絶縁構造の側壁上に置かれている金属酸化物層であるデバイス。 - 請求項14記載のデバイスにおいて、
前記抵抗率スイッチング素子は、アンチヒューズ誘電体、ヒューズ、ポリシリコン記憶効果材料、金属酸化物またはスイッチャブルな複合金属酸化物材料、カーボンナノチューブ材料、グラフェンスイッチャブル抵抗材料、炭素抵抗率スイッチング材料、相変化材料、伝導性ブリッジ素子、電解質スイッチング材料、あるいはスイッチャブルなポリマー材料から選択されるデバイス。 - 請求項14記載のデバイスにおいて、
前記絶縁構造は、絶縁層内のトレンチを含み、
前記抵抗率スイッチング素子は、前記絶縁層内のトレンチの側壁上に、前記絶縁層内のトレンチの底に露出した前記第1の伝導性電極と接触して置かれているデバイス。 - 請求項14記載のデバイスにおいて、
前記絶縁構造は、絶縁柱を含み、前記抵抗率スイッチング素子が前記絶縁柱の少なくとも1つの側壁上に形成されるデバイス。 - 請求項14記載のデバイスにおいて、
前記抵抗率スイッチング素子は、10nmより大きい高さと10nmより小さい厚さとを有するデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7109308P | 2008-04-11 | 2008-04-11 | |
US61/071,093 | 2008-04-11 | ||
US12/216,110 US7812335B2 (en) | 2008-04-11 | 2008-06-30 | Sidewall structured switchable resistor cell |
US12/216,110 | 2008-06-30 | ||
PCT/US2009/039126 WO2009126492A1 (en) | 2008-04-11 | 2009-04-01 | Sidewall structured switchable resistor cell |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012130412A Division JP5395213B2 (ja) | 2008-04-11 | 2012-06-08 | 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011517855A JP2011517855A (ja) | 2011-06-16 |
JP2011517855A5 JP2011517855A5 (ja) | 2012-05-24 |
JP5044042B2 true JP5044042B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=40839545
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011504064A Expired - Fee Related JP5044042B2 (ja) | 2008-04-11 | 2009-04-01 | 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル |
JP2012130412A Expired - Fee Related JP5395213B2 (ja) | 2008-04-11 | 2012-06-08 | 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012130412A Expired - Fee Related JP5395213B2 (ja) | 2008-04-11 | 2012-06-08 | 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7812335B2 (ja) |
EP (1) | EP2277201A1 (ja) |
JP (2) | JP5044042B2 (ja) |
KR (1) | KR101532203B1 (ja) |
CN (2) | CN102983273A (ja) |
TW (1) | TWI380437B (ja) |
WO (1) | WO2009126492A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7830698B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-11-09 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
KR20110050422A (ko) * | 2008-07-08 | 2011-05-13 | 쌘디스크 3디 엘엘씨 | 탄소계 저항률 스위칭 물질과 이를 형성하는 방법 |
US8470646B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-06-25 | Sandisk 3D Llc | Modulation of resistivity in carbon-based read-writeable materials |
WO2011034541A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light-emitting diode including a metal-dielectric-metal structure |
JP5439147B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-03-12 | 株式会社東芝 | 抵抗変化メモリ |
US8374018B2 (en) * | 2010-07-09 | 2013-02-12 | Crossbar, Inc. | Resistive memory using SiGe material |
CN102332454B (zh) * | 2010-07-15 | 2013-04-10 | 复旦大学 | 一次可编程存储单元、存储器及其制备方法 |
JP5572056B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-08-13 | 株式会社東芝 | 記憶装置及びその製造方法 |
US8502185B2 (en) * | 2011-05-31 | 2013-08-06 | Crossbar, Inc. | Switching device having a non-linear element |
US8482078B2 (en) * | 2011-05-10 | 2013-07-09 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit diode |
US8394682B2 (en) * | 2011-07-26 | 2013-03-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming graphene-containing switches |
US8879299B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-11-04 | Sandisk 3D Llc | Non-volatile memory cell containing an in-cell resistor |
KR20130043533A (ko) * | 2011-10-20 | 2013-04-30 | 삼성전자주식회사 | 도전성 버퍼 패턴을 갖는 비-휘발성 메모리소자 및 그 형성 방법 |
US8710481B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-04-29 | Sandisk 3D Llc | Non-volatile memory cell containing a nano-rail electrode |
KR20130087233A (ko) | 2012-01-27 | 2013-08-06 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
US9276204B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-03-01 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Memristor with channel region in thermal equilibrium with containing region |
US8658476B1 (en) | 2012-04-20 | 2014-02-25 | Crossbar, Inc. | Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device |
WO2014050198A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法 |
CN104051619B (zh) * | 2013-03-13 | 2017-07-04 | 旺宏电子股份有限公司 | 具有相变元件的存储器单元及其形成方法 |
US9093635B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-07-28 | Crossbar, Inc. | Controlling on-state current for two-terminal memory |
KR101458566B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-11-07 | 재단법인대구경북과학기술원 | 정류소자 및 그의 제조 방법 |
KR102225782B1 (ko) | 2014-07-28 | 2021-03-10 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US10062842B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-08-28 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Composite selector electrodes |
US9806256B1 (en) | 2016-10-21 | 2017-10-31 | Sandisk Technologies Llc | Resistive memory device having sidewall spacer electrode and method of making thereof |
KR102474306B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2022-12-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 크로스-포인트 어레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20200127712A (ko) | 2019-05-03 | 2020-11-11 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자 |
US10991879B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-04-27 | Western Digital Technologies, Inc. | Multi-level phase change memory cells and method of making the same |
CN112018234B (zh) * | 2020-07-22 | 2021-10-15 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 |
WO2022260701A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Microchip Technology Incorporated | Carbon nanotube (cnt) memory cell element and methods of construction |
Family Cites Families (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8400959D0 (en) | 1984-01-13 | 1984-02-15 | British Petroleum Co Plc | Semiconductor device |
US4646266A (en) | 1984-09-28 | 1987-02-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Programmable semiconductor structures and methods for using the same |
US5166760A (en) | 1990-02-28 | 1992-11-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor Schottky barrier device with pn junctions |
DE69426695T2 (de) | 1993-04-23 | 2001-08-09 | Irvine Sensors Corp | Elektronisches modul mit einem stapel von ic-chips |
US5555204A (en) | 1993-06-29 | 1996-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
US5535156A (en) | 1994-05-05 | 1996-07-09 | California Institute Of Technology | Transistorless, multistable current-mode memory cells and memory arrays and methods of reading and writing to the same |
US5559732A (en) | 1994-12-27 | 1996-09-24 | Syracuse University | Branched photocycle optical memory device |
US5751012A (en) | 1995-06-07 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell |
US5693556A (en) | 1995-12-29 | 1997-12-02 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of making an antifuse metal post structure |
US5723358A (en) | 1996-04-29 | 1998-03-03 | Vlsi Technology, Inc. | Method of manufacturing amorphous silicon antifuse structures |
US5835396A (en) | 1996-10-17 | 1998-11-10 | Zhang; Guobiao | Three-dimensional read-only memory |
US5915167A (en) | 1997-04-04 | 1999-06-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
NO972803D0 (no) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Opticom As | Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte |
NO973993L (no) | 1997-09-01 | 1999-03-02 | Opticom As | Leseminne og leseminneinnretninger |
US6111784A (en) | 1997-09-18 | 2000-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film memory element utilizing GMR effect, and recording/reproduction method using such memory element |
US5991193A (en) | 1997-12-02 | 1999-11-23 | International Business Machines Corporation | Voltage biasing for magnetic ram with magnetic tunnel memory cells |
US6483736B2 (en) | 1998-11-16 | 2002-11-19 | Matrix Semiconductor, Inc. | Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication |
US6034882A (en) | 1998-11-16 | 2000-03-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication |
US6377502B1 (en) | 1999-05-10 | 2002-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device that enables simultaneous read and write/erase operation |
US6187617B1 (en) | 1999-07-29 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure having heterogeneous silicide regions and method for forming same |
US6306718B1 (en) | 2000-04-26 | 2001-10-23 | Dallas Semiconductor Corporation | Method of making polysilicon resistor having adjustable temperature coefficients |
US6420215B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-07-16 | Matrix Semiconductor, Inc. | Three-dimensional memory array and method of fabrication |
US8575719B2 (en) | 2000-04-28 | 2013-11-05 | Sandisk 3D Llc | Silicon nitride antifuse for use in diode-antifuse memory arrays |
US6777773B2 (en) | 2000-08-14 | 2004-08-17 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory cell with antifuse layer formed at diode junction |
JP5792918B2 (ja) | 2000-08-14 | 2015-10-14 | サンディスク・スリー・ディ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーSandisk 3D Llc | 高集積メモリデバイス |
US6541312B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-04-01 | Matrix Semiconductor, Inc. | Formation of antifuse structure in a three dimensional memory |
US6486065B2 (en) | 2000-12-22 | 2002-11-26 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method of forming nonvolatile memory device utilizing a hard mask |
US6706402B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-03-16 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
US6574130B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-06-03 | Nantero, Inc. | Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory |
US6584029B2 (en) | 2001-08-09 | 2003-06-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One-time programmable memory using fuse/anti-fuse and vertically oriented fuse unit memory cells |
US6567301B2 (en) | 2001-08-09 | 2003-05-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One-time programmable unit memory cell based on vertically oriented fuse and diode and one-time programmable memory using the same |
US6525953B1 (en) | 2001-08-13 | 2003-02-25 | Matrix Semiconductor, Inc. | Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication |
US6580144B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One time programmable fuse/anti-fuse combination based memory cell |
US6693823B2 (en) | 2002-01-02 | 2004-02-17 | Intel Corporation | Minimization of metal migration in magnetic random access memory |
US6559516B1 (en) | 2002-01-16 | 2003-05-06 | Hewlett-Packard Development Company | Antifuse structure and method of making |
US7038248B2 (en) | 2002-02-15 | 2006-05-02 | Sandisk Corporation | Diverse band gap energy level semiconductor device |
US6853049B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-02-08 | Matrix Semiconductor, Inc. | Silicide-silicon oxide-semiconductor antifuse device and method of making |
US6778421B2 (en) | 2002-03-14 | 2004-08-17 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Memory device array having a pair of magnetic bits sharing a common conductor line |
US6548313B1 (en) | 2002-05-31 | 2003-04-15 | Intel Corporation | Amorphous carbon insulation and carbon nanotube wires |
US7081377B2 (en) | 2002-06-27 | 2006-07-25 | Sandisk 3D Llc | Three-dimensional memory |
US6952043B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-10-04 | Matrix Semiconductor, Inc. | Electrically isolated pillars in active devices |
US7071008B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-07-04 | Unity Semiconductor Corporation | Multi-resistive state material that uses dopants |
US6834008B2 (en) | 2002-08-02 | 2004-12-21 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple modes of operation |
US7105108B2 (en) | 2002-08-15 | 2006-09-12 | Advanced Energy Technology Inc. | Graphite intercalation and exfoliation process |
JP4509467B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2010-07-21 | シャープ株式会社 | 不揮発可変抵抗素子、及び記憶装置 |
US6813177B2 (en) | 2002-12-13 | 2004-11-02 | Ovoynx, Inc. | Method and system to store information |
US8637366B2 (en) | 2002-12-19 | 2014-01-28 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell without a dielectric antifuse having high- and low-impedance states |
US7800932B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance |
US7176064B2 (en) | 2003-12-03 | 2007-02-13 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising a semiconductor junction diode crystallized adjacent to a silicide |
US6946719B2 (en) | 2003-12-03 | 2005-09-20 | Matrix Semiconductor, Inc | Semiconductor device including junction diode contacting contact-antifuse unit comprising silicide |
JP2006511965A (ja) | 2002-12-19 | 2006-04-06 | マトリックス セミコンダクター インコーポレイテッド | 高密度不揮発性メモリを製作するための改良された方法 |
US7618850B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-11-17 | Sandisk 3D Llc | Method of making a diode read/write memory cell in a programmed state |
US20050226067A1 (en) | 2002-12-19 | 2005-10-13 | Matrix Semiconductor, Inc. | Nonvolatile memory cell operating by increasing order in polycrystalline semiconductor material |
US7285464B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-10-23 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell comprising a reduced height vertical diode |
DE60323202D1 (de) | 2003-02-21 | 2008-10-09 | St Microelectronics Srl | Phasenwechselspeicheranordnung |
US7113426B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-09-26 | Nantero, Inc. | Non-volatile RAM cell and array using nanotube switch position for information state |
US6914801B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-07-05 | Ovonyx, Inc. | Method of eliminating drift in phase-change memory |
US7511352B2 (en) | 2003-05-19 | 2009-03-31 | Sandisk 3D Llc | Rail Schottky device and method of making |
US6873543B2 (en) | 2003-05-30 | 2005-03-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory device |
US6815704B1 (en) | 2003-09-04 | 2004-11-09 | Silicon Storage Technology, Inc. | Phase change memory device employing thermally insulating voids |
JP2005109659A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
US6847544B1 (en) | 2003-10-20 | 2005-01-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory which detects changes between first and second resistive states of memory cell |
US6999366B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-02-14 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Magnetic memory including a sense result category between logic states |
US7172840B2 (en) | 2003-12-05 | 2007-02-06 | Sandisk Corporation | Photomask features with interior nonprinting window using alternating phase shifting |
US7474000B2 (en) | 2003-12-05 | 2009-01-06 | Sandisk 3D Llc | High density contact to relaxed geometry layers |
US6951780B1 (en) | 2003-12-18 | 2005-10-04 | Matrix Semiconductor, Inc. | Selective oxidation of silicon in diode, TFT, and monolithic three dimensional memory arrays |
US20050221200A1 (en) | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Matrix Semiconductor, Inc. | Photomask features with chromeless nonprinting phase shifting window |
US7307013B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-12-11 | Sandisk 3D Llc | Nonselective unpatterned etchback to expose buried patterned features |
US7405465B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-07-29 | Sandisk 3D Llc | Deposited semiconductor structure to minimize n-type dopant diffusion and method of making |
US7224013B2 (en) | 2004-09-29 | 2007-05-29 | Sandisk 3D Llc | Junction diode comprising varying semiconductor compositions |
US7608503B2 (en) | 2004-11-22 | 2009-10-27 | Macronix International Co., Ltd. | Side wall active pin memory and manufacturing method |
KR100719346B1 (ko) | 2005-04-19 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 셀, 그 형성 방법 및 이를 이용한 저항 메모리배열 |
US7812404B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-10-12 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material |
US20060250836A1 (en) | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Matrix Semiconductor, Inc. | Rewriteable memory cell comprising a diode and a resistance-switching material |
US7426128B2 (en) | 2005-07-11 | 2008-09-16 | Sandisk 3D Llc | Switchable resistive memory with opposite polarity write pulses |
US7345907B2 (en) | 2005-07-11 | 2008-03-18 | Sandisk 3D Llc | Apparatus and method for reading an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements |
US7615770B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-11-10 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit having an insulated memory |
US7601995B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-10-13 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit having resistive memory cells |
US20070111429A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-17 | Macronix International Co., Ltd. | Method of manufacturing a pipe shaped phase change memory |
US7397060B2 (en) * | 2005-11-14 | 2008-07-08 | Macronix International Co., Ltd. | Pipe shaped phase change memory |
US7884346B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element and manufacturing method thereof |
JP2007281208A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層抵抗変化素子アレイ、抵抗変化装置、多層不揮発性記憶素子アレイ、及び不揮発性記憶装置 |
US7575984B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-08-18 | Sandisk 3D Llc | Conductive hard mask to protect patterned features during trench etch |
US7492630B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-02-17 | Sandisk 3D Llc | Systems for reverse bias trim operations in non-volatile memory |
KR100881181B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US7667999B2 (en) | 2007-03-27 | 2010-02-23 | Sandisk 3D Llc | Method to program a memory cell comprising a carbon nanotube fabric and a steering element |
US7982209B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-07-19 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising a carbon nanotube fabric element and a steering element |
KR100888617B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2009-03-17 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
WO2009015298A2 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Intermolecular, Inc. | Nonvolatile memory elements |
US8665629B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-03-04 | Qimonda Ag | Condensed memory cell structure using a FinFET |
JP5374865B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-12-25 | 富士通株式会社 | 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法 |
US7764534B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-07-27 | Sandisk 3D Llc | Two terminal nonvolatile memory using gate controlled diode elements |
JP5364280B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US7830698B2 (en) | 2008-04-11 | 2010-11-09 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
US7859887B2 (en) | 2008-04-11 | 2010-12-28 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
US7723180B2 (en) | 2008-04-11 | 2010-05-25 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
-
2008
- 2008-06-30 US US12/216,110 patent/US7812335B2/en active Active
-
2009
- 2009-04-01 EP EP09731080A patent/EP2277201A1/en not_active Withdrawn
- 2009-04-01 KR KR1020107024382A patent/KR101532203B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-01 CN CN2012105722908A patent/CN102983273A/zh active Pending
- 2009-04-01 WO PCT/US2009/039126 patent/WO2009126492A1/en active Application Filing
- 2009-04-01 JP JP2011504064A patent/JP5044042B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-01 CN CN200980112695.XA patent/CN101999170B/zh active Active
- 2009-04-10 TW TW098112104A patent/TWI380437B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-06-08 JP JP2012130412A patent/JP5395213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101999170B (zh) | 2013-01-16 |
TWI380437B (en) | 2012-12-21 |
CN101999170A (zh) | 2011-03-30 |
KR101532203B1 (ko) | 2015-07-06 |
JP5395213B2 (ja) | 2014-01-22 |
EP2277201A1 (en) | 2011-01-26 |
CN102983273A (zh) | 2013-03-20 |
KR20110005830A (ko) | 2011-01-19 |
TW200950078A (en) | 2009-12-01 |
JP2011517855A (ja) | 2011-06-16 |
JP2012212902A (ja) | 2012-11-01 |
WO2009126492A1 (en) | 2009-10-15 |
US7812335B2 (en) | 2010-10-12 |
US20090256129A1 (en) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5044042B2 (ja) | 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル | |
US7351992B2 (en) | Forming nonvolatile phase change memory cell having a reduced thermal contact area | |
US7781269B2 (en) | Triangle two dimensional complementary patterning of pillars | |
TWI381490B (zh) | 製造非揮發性記憶體裝置之方法 | |
US8283711B2 (en) | Non-volatile memory devices having data storage layer | |
US8624293B2 (en) | Carbon/tunneling-barrier/carbon diode | |
US7759201B2 (en) | Method for fabricating pitch-doubling pillar structures | |
US20110147690A1 (en) | Phase change memory device having 3 dimensional stack structure and fabrication method thereof | |
JP2012533885A (ja) | 犠牲材を使用してダマシンダイオードを作る方法 | |
US20130187114A1 (en) | Non-Volatile Memory Cell Containing a Nano-Rail Electrode | |
US11043537B2 (en) | Three-dimensional phase change memory device including vertically constricted current paths and methods of manufacturing the same | |
US8148230B2 (en) | Method of making damascene diodes using selective etching methods | |
KR102532156B1 (ko) | 제한된 전류 경로들을 포함하는 3차원 메모리 디바이스 및 그 제조 방법들 | |
CN110176471B (zh) | 交叉点阵列器件及其制造方法 | |
US20100283053A1 (en) | Nonvolatile memory array comprising silicon-based diodes fabricated at low temperature |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120330 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120330 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120330 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5044042 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |