JP5043288B2 - 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバに接続される真空ポンプと、前記プラズマ処理チャンバの内部において、その上で基板が処理される基板支持体と、前記基板支持体に面する内面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が晒されるように、前記誘電体部材を通って延びるガス噴射器(gas injector)であって、複数のガス排気口(gas outlet)を有し、少なくとも前記複数のガス排気口のいくつかの間で独立して変化する流量で処理ガスを供給するガス噴射器と、前記誘電体部材を通してRFエネルギを誘導結合し、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして前記基板を処理するRFエネルギ源と、を含むプラズマ処理システムを提供する。本システムは、高密度プラズマ化学気相成長システム又は高密度プラズマエッチングシステムであることが望ましい。
本発明は、エッチング又はCVD等による基板のプラズマ処理のための改善されたガス噴射システムを提供するものである。本噴射システムは、シリコン、ハロゲン(例えば、F、Cl、Br等)、酸素、水素、窒素等を含むガス等のガスを噴射するために使用されうる。本噴射システムは、単独又は他の反応性/不活性ガス供給装置と共に使用されうる。
ポリシリコンのエッチングの深さの統計データ(平均、標準偏差及び分布範囲(range))が軸上:軸外ガス流量比の関数として測定された。図4a−cは、ゲートのエッチングプロセスに対するエッチングプロファイルを示す図であり、図4aはより高い軸上ガス噴射の効果を示す図であり、図4cはより高い軸外噴射の効果を示す図である。軸上の流れ条件(on−axis flow conditions)は、212.9+−4.7nm(+−2.2%)のエッチング深さ及び18.3nm(+−1.4%)の分布範囲を顕著に与えた(図4aのポリシリコンのエッチング結果を参照)。軸外の流れ条件(off−axis flow conditions)は、212.6+−5.3nm(+−2.5%)のエッチング深さ及び22.3nm(+−1.7%)の分布範囲を顕著に与えた(図4cのポリシリコンのエッチング結果を参照)。対照的に、混合ガス流条件は(mixed gas flow condition)、エッチングの均一性に顕著な改善を与えた(図4bのポリシリコンのエッチング結果を参照)。混合流れ条件(mixed flow conditions)では、平均エッチング深さは、213.5+−2.3nm(+−1.1%)であり、わずか7.7nm(+−0.6%)の分布範囲であった。ポリシリコンのエッチングは、全流量が420sccmでCl2/HBr/O2の流れ混合物(flow mixture)をチャンバ圧10mTで用いた。RFアンテナ(上端)のパワーは800Wであり、下部電極に−155Vのバイアスがかけられた。噴射器の角度は60°であった。
シリコンのエッチングの深さの統計データ(平均、標準偏差及び分布範囲(range))が軸上:軸外ガス流量比の関数として測定された。図5a−cは、ゲートのエッチングプロセスに対するエッチングプロファイルを示す図であり、図5aはより高い軸上ガス噴射の効果を示す図であり、図5cはより高い軸外噴射の効果を示す図である。軸上の流れ条件(on−axis flow conditions)は、1299A+−27A(+−2.1%)のエッチング深さ及び74A(+−1.0%)の分布範囲を顕著に与えた(図5aのポリシリコンのエッチング結果を参照)。混合ガス流条件は(mixed gas flow condition)、1295A+−23A (+−1.8%)のエッチング深さ及び76A (+−1.0%)の分布範囲を与えた(図5bのポリシリコンのエッチング結果を参照)。軸外の流れ条件(off−axis flow conditions)では、エッチングの均一性に顕著な改善が生じた(図5cのポリシリコンのエッチング結果を参照)。軸外の流れ条件(off−axis flow conditions)では、1272A+−14A (+−1.1%)の平均エッチング深さ及び41A (+−0.53%)の分布範囲であった。シリコンのエッチングは、Cl2/HBr/O2の流れ混合物をチャンバ圧40mTで下部電極温度が60℃で用いた。RFアンテナ(上端)のパワーは1200Wであり、下部電極に−320Vのバイアスがかけられた。噴射器の角度は45°であった。
図6a−bは、2つの異なるガスの流量比に対してエッチング前後の差として、ゲートのクリティカルディメンジョン(CD)の変化を示す図である。図6bに示される軸外の流れの増加と比較して、軸上の流れの増加が図6aに示されている。調整可能な噴射を用いることによって、より優れたCDの均一性がもたらされる。特に、図6aに示される結果は、−3.9nmの平均CD変動、2.1nmの標準偏差7.5nmの分布範囲を与えたが、図6bに示される結果は、−3.4nmのCD変動、1.6nmの標準偏差及び5.9nmの分布範囲を与えた。
図7a−bは、2つの異なるガスの流量比に対してエッチング前後の差として、フォトレジストのトリム(trim)のCDの変化を示す図である。調整可能な噴射を用いることによって、より優れたCDの均一性がもたらされる。処理は、全流量が100sccmでCl2/O2の流れ混合物をチャンバ圧5mTで下部電極温度が60℃で用いた。RFアンテナ(上端)のパワーは385Wであり、下部電極に−34Vのバイアスがかけられた。噴射器の角度は45°であった。特に、図7aに示される結果は、−49.3nmの平均CD変動、2.5nmの標準偏差、9.1nmの分布範囲を与えたが、図7bに示される結果は、−47.6nmのCD変動、2.0nmの標準偏差及び7.5nmの分布範囲を与えた。
図.8a−bは、2つの異なるガスの流量比に対してエッチング前後の差として、ポリシリコンゲートのクリティカルディメンジョン(CD)の変化を示す図である。FIG.8aは、平均CD変動は、ガス流量の比率を単に調整することによって調整されうることを示している。Cl2/HBr/He/O2混合物を用いた2段階のプロセスが用いられた。ステップ1では、全流量400sccmでチャンバ圧は15mT、アンテナ(上端/誘導)パワーは575W、そして下部電極のセルフバイアスは−138Vであった。ステップ2では、全流量575sccmでチャンバ圧は30mT、アンテナ(上端/誘導)パワーは750W、そして下部電極のセルフバイアスは−80Vであった。特に、図8aに示される結果は、0.1nmの平均CD変動、2.4nmの標準偏差、9.5nmの分布範囲を与えたが、図8bに示される結果は、13.3nmのCD変動、2.4nmの標準偏差及び8.9nmの分布範囲を与えた。
Claims (42)
- プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバに接続される真空ポンプと、
前記プラズマ処理チャンバの内部において、その上で基板が処理される基板支持体と、
前記基板支持体に面する内面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、
前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が露出するように、前記誘電体部材を通って延びるガス噴射器であって、同一のガス供給部から同一の処理ガスを受け、少なくともそのいくつかの排気口の間で独立して変化可能な流量で前記プラズマ処理チャンバに前記処理ガスを供給する複数のガス排気口を有する本体を含み、前記ガス排気口は、前記本体の軸方向端面における軸上排気口と、周囲に離れて配置された前記本体の外側面における複数の軸外排気口とを含み、非導電性材料で形成されたガス噴射器と、
前記誘電体部材を通して前記プラズマ処理チャンバにRFエネルギを誘導結合し、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして前記基板を処理するRFエネルギ源と、
を備え、
前記本体の軸方向端面の反対側の上端は閉じられており、
前記本体は、前記上端から前記軸方向端面に延びる円筒状の中央通路と、前記中央通路を取り囲む環状通路とを備え、前記軸上排気口は、前記中央通路から前記処理ガスを受け、前記軸外排気口は、前記環状通路から前記処理ガスを受け、
前記処理ガスは、前記本体の外側面における給気口によって前記中央通路及び前記環状通路に供給され、
前記軸上排気口は、前記中央通路と同じ直径、かつ、前記軸外排気口より大きな直径を持つことを特徴とするプラズマ処理システム。 - 当該システムは、高密度プラズマ化学気相成長システム又は高密度プラズマエッチングシステムであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記RFエネルギ源は、RFアンテナを含み、
前記ガス噴射器は、前記プラズマ処理チャンバ内の前記誘電体部材と前記基板との間のプラズマ発生領域に向けて前記処理ガスを噴射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記軸上排気口及び前記軸外排気口は、第1、第2のガスラインを通して単一のガス供給部から前記処理ガスが供給され、
前記ガスラインは、前記軸外排気口とは独立して前記軸上排気口に調整可能なガス流を提供する流量調整器を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記軸上排気口は、前記基板の露出面に垂直な軸方向に延び、前記軸外排気口は、前記軸方向に対して鋭角をなして延び、
前記軸上排気口は、第1のガスラインによって供給される処理ガスを受け、
前記軸外排気口は、第2のガスラインから処理ガスを受け、
前記第1、第2のガスラインは、同一のガス供給部から前記同一の処理ガスを受けることを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記ガス噴射器は、亜音速、音速又は超音速で前記処理ガスを噴射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記軸方向端面は平面であり、前記外側面は前記軸方向端面から連続する円錐面であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記ガス噴射器は、誘電体ウィンドウに取外し可能に取り付けられて前記プラズマ処理チャンバの中央領域に前記処理ガスを供給することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記ガス噴射器は、前記基板の露出面に平行な平面に垂直な軸方向に処理ガスを噴射する少なくとも1つの前記軸上排気口と、前記基板の前記露出面に平行な前記平面に対して鋭角をなして処理ガスを噴射する前記軸外排気口と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記ガス噴射器は、誘電体ウィンドウの開口部に取外し可能に取り付けられ、
前記ガス噴射器と前記誘電体ウィンドウとの間に真空シールが設けられることを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記RFエネルギ源は、平面又は非平面のスパイラルコイルの形状をしているRFアンテナを有し、
前記ガス噴射器は、前記プラズマ処理チャンバ内の前記誘電体部材と前記基板との間のプラズマ発生領域に向けて前記処理ガスを噴射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 単一のメインガス供給部が複数のガス供給ラインに分割されて前記ガス排気口に供給を行い、前記軸上排気口と前記軸外排気口を通るガス流の比率は、前記複数のガス供給ラインに沿って配置された可変流量制御装置を用いて独立に変化されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記同一のガス供給部が複数のガス供給ラインに分割されて前記ガス排気口に供給を行い、前記ガス排気口の少なくとも一部を通るガス流の比率は、前記複数のガス供給ラインに沿って配置されたバルブと絞り部とのネットワークを用いて独立に変化されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記ガス噴射器は、該ガス噴射器に配置されたガス通路内でのプラズマ点火を最小限に抑える導電性のシールドを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 基板をプラズマ処理する方法であって、
処理チャンバの壁を形成する誘電体部材の内面が基板支持体に面した状態で、該処理チャンバ内の該基板支持体上に基板を配置する工程と、
前記処理チャンバの内部にその末端が露出するように、前記誘電体部材を通って延び、非導電性材料で形成されたガス噴射器であって、同一のガス供給部から同一の処理ガスを受け、前記処理チャンバに処理ガスを供給する複数のガス排気口を有する本体を含み、前記ガス排気口は、前記本体の軸方向の端面における中央の軸上排気口と、周囲に離れて配置された前記本体の外側面における複数の軸外排気口とを含み、前記軸外排気口は、前記軸上排気口を取り囲むガス噴射器から処理ガスを供給する工程と、
前記軸上排気口に対する前記処理ガスの流量を前記軸外排気口に対する前記処理ガスの流量とは独立して制御する工程と、
前記処理チャンバ内の前記誘電体部材を通してRFエネルギ源によって生成されたRFエネルギを誘導結合することによって、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にする工程であって、前記処理ガスがプラズマ状態で前記基板の露出面と反応する工程と、
を含み、
前記本体の軸方向端面の反対側の上端は閉じられており、
前記本体は、前記上端から前記軸方向端面に延びる円筒状の中央通路と、前記中央通路を取り囲む環状通路とを備え、前記軸上排気口は、前記中央通路から前記処理ガスを受け、前記軸外排気口は、前記環状通路から前記処理ガスを受け、
前記処理ガスは、前記本体の外側面における給気口によって前記中央通路及び前記環状通路に供給され、
前記軸上排気口は、前記中央通路と同じ直径、かつ、前記軸外排気口より大きな直径を持つことを特徴とする方法。 - 前記RFエネルギ源は、平面又は非平面のスパイラルコイルの形状をしているRFアンテナを有し、
前記ガス噴射器は、前記軸上排気口を通して前記チャンバ内の中央領域に、そして前記軸外排気口を通して前記中央領域を取り囲む環状領域に、前記処理ガスの一部を噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記ガス排気口の少なくとも一部は、前記基板の前記露出面に直接向かう方向とは異なる方向に前記処理ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記ガス噴射器は、誘電体ウィンドウの内面より下方に延び、
前記ガス排気口は、前記処理ガスを複数の方向に噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記ガス噴射器は、亜音速、音速又は超音速で前記処理ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 個々の基板は、該基板の各々の上に層を成膜するか又は該基板の各々の上の層をエッチングすることによって、前記処理チャンバ内で連続処理されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記ガス噴射器は、前記チャンバの中央部に延び、
前記ガス排気口は、前記基板の前記露出面と前記誘電体部材の前記内面との間の複数の領域で前記処理ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記ガス排気口を通してClを含むガスを噴射することによって前記基板上のアルミニウム層をプラズマエッチングする工程を含み、
前記軸外排気口は、前記基板の前記露出面に垂直ではない方向に前記ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記基板の前記露出面に垂直な軸方向に前記中央の軸上排気口を通し、そして前記中央の軸上排気口を取り囲む前記軸外排気口を通して、Cl及びBrの少なくとも一方を含むガスを噴射することによって前記基板上のポリシリコン層をプラズマエッチングする工程を含み、
前記軸外排気口は、前記軸方向に対して10〜90°の角度に向けて前記ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記基板の前記露出面に垂直な軸方向に前記中央の軸上排気口、及び、前記中央の軸上排気口を取り囲む前記軸外排気口の少なくとも一方を通して、Fを含むガスを噴射することによって前記基板上のシリコン酸化物層をプラズマエッチングする工程を含み、
前記軸外排気口は、前記軸方向に対して10〜90°の角度に向けて前記ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記基板の前記露出面に垂直な軸方向に前記中央の軸上排気口を通し、そして前記中央の軸上排気口を取り囲む前記軸外排気口を通して、Cl、Br又はClとBrの両方を含むガスを噴射することによって前記基板上のポリシリコン層をプラズマエッチングする工程を含み、
前記軸外排気口は、前記軸方向に対して10〜45°の角度に向けて前記ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記基板の前記露出面に垂直な軸方向に前記中央の軸上排気口、及び、前記中央の軸上排気口を取り囲む前記軸外排気口の少なくとも一方を通して、Fを含むガスを噴射することによって前記基板上のシリコン酸化物層をプラズマエッチングする工程を含み、
前記軸外排気口は、前記軸方向に対して10〜45°の角度に向けて前記ガスを噴射することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 単一のメインガス供給部が複数のガス供給ラインに分割されて前記ガス排気口に供給を行うことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記軸上及び軸外排気口を通るガス流の比率は、可変流量制限装置を用いて独立に変化されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記軸上及び軸外排気口を通るガス流の比率は、バルブと絞り部とのネットワークを用いて独立に変化されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記軸上及び軸外排気口を通るガス流の比率を独立に変化させて、前記基板上の前記層をエッチングすることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記軸上及び軸外排気口を通るガス流の比率を独立に変化させて、前記基板上に前記層を成膜することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記ガス噴射器は、該ガス噴射器に配置されたガス通路内でのプラズマ点火を最小限に抑える導電性のシールドを更に備えることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 半導体処理チャンバに処理ガスを供給するためのガス噴射器であって、
前記半導体処理チャンバで処理される基板を支持する基板支持体に面する軸方向端面と、前記軸方向端面の反対側の閉じられた上端と、前記軸方向端面から連続する外側面と、前記軸方向端面と前記上端との間の前記外側面中の第1、第2のガス吸気口と、前記上端から前記軸方向端面に延びる円筒状の中央通路と、前記中央通路を取り囲む環状通路と、前記噴射器本体の軸方向端面に配置された単一の軸上排気口と、前記噴射器本体の外側面に周囲に離れて配置された複数の軸外排気口と、を含む噴射器本体を備え、
前記中央通路は、前記第1のガス吸気口及び前記軸上排気口と流体の伝達を行い、
前記環状通路は、前記第2のガス吸気口及び前記複数の軸外排気口と流体の伝達を行い、
前記中央通路及び前記環状通路は、前記軸上排気口及び前記複数の軸外排気口のそれぞれを通して独立して制御可能な同一の処理ガスの流量を提供するために互いに分離しており、
前記噴射器本体は、非導電性材料で形成され、前記軸上排気口は、前記中央通路から前記処理ガスを受け、前記軸外排気口は、前記環状通路から前記処理ガスを受け、
前記処理ガスは、前記噴射器本体の外側面における第1のガス吸気口を介して前記中央通路に、前記噴射器本体の外側面における第2のガス吸気口を介して前記環状通路に供給され、
前記軸上排気口は、前記中央通路と同じ直径、かつ、前記軸外排気口より大きな直径を持つことを特徴とするガス噴射器。 - 前記軸方向端面は、平面であることを特徴とする請求項33に記載の噴射器。
- 前記噴射器本体は、前記半導体処理チャンバで処理される基板を支持する基板支持体に面する平面の軸方向端面と、前記軸方向端面から連続する円錐面の側面とを有することを特徴とする請求項33に記載の噴射器。
- 前記ガス噴射器は、当該ガス噴射器に配置されたガス通路内でのプラズマ点火を最小限に抑える導電性のシールドを更に備えることを特徴とする請求項33に記載の噴射器。
- 前記システムは、プラズマエッチングシステムであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記基板の前記露出面は、プラズマエッチングされることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記軸外排気口はそれぞれ離れて周囲に配置され、前記軸外排気口の総数は3又は4であることを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 前記軸外排気口はそれぞれ離れて周囲に配置され、前記軸外排気口の総数は3又は4であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記軸外排気口は、それぞれ45°離れて配置されることを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 前記軸外排気口は、それぞれ45°離れて配置されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
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US7723236B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Gas setting method, gas setting apparatus, etching apparatus and substrate processing system |
JP2006210727A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
JP2008532324A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 制御された処理結果分布を有するエッチング方法 |
US7722719B2 (en) * | 2005-03-07 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
US8298336B2 (en) * | 2005-04-01 | 2012-10-30 | Lam Research Corporation | High strip rate downstream chamber |
US8088248B2 (en) | 2006-01-11 | 2012-01-03 | Lam Research Corporation | Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system |
US7685965B1 (en) * | 2006-01-26 | 2010-03-30 | Lam Research Corporation | Apparatus for shielding process chamber port |
JP4833778B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US7928366B2 (en) * | 2006-10-06 | 2011-04-19 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access |
US7932181B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
CN101137266B (zh) * | 2006-08-28 | 2012-04-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气体注射装置 |
KR20080023172A (ko) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 주성엔지니어링(주) | 기판 가장자리 식각 장치 |
US7967930B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
US20080099450A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution |
US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
US7976671B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
US8002946B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
US8012366B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
US8017029B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
JP5074741B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
US20080156264A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Generator Apparatus |
US20080194112A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | International Business Machines Corporation | Method and system for plasma etching having improved across-wafer etch uniformity |
US7846497B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
JP5357037B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング装置及び方法 |
KR100872312B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-12-05 | 주식회사 디엠에스 | 에칭가스 제어시스템 |
US8144309B2 (en) * | 2007-09-05 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
US8999106B2 (en) * | 2007-12-19 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber |
US20090162570A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology |
JP5223377B2 (ja) | 2008-02-29 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9591738B2 (en) * | 2008-04-03 | 2017-03-07 | Novellus Systems, Inc. | Plasma generator systems and methods of forming plasma |
CN101585019B (zh) * | 2008-05-19 | 2013-03-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种半导体加工装置以及用于该装置中的喷嘴结构 |
KR101223945B1 (ko) * | 2008-08-18 | 2013-01-21 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 | 클러스터 분사식 가공 방법, 반도체 소자, 미소 기전 소자, 및 광학 부품 |
US8747963B2 (en) * | 2009-01-23 | 2014-06-10 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for diamond film growth |
WO2011031321A2 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-17 | Lam Research Corporation | Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus |
WO2011030326A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | System and method for generating a beam of particles |
US20110305835A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Systems and methods for a gas treatment of a number of substrates |
US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
US8133349B1 (en) | 2010-11-03 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process |
US20120152900A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers |
US8288174B1 (en) | 2011-03-24 | 2012-10-16 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic post exposure bake apparatus and method |
JP5955062B2 (ja) | 2011-04-25 | 2016-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8562785B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor |
US9245717B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor |
JP5666991B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 |
US9305810B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-04-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fast gas exchange, fast gas switching, and programmable gas delivery |
US9947512B2 (en) * | 2011-10-25 | 2018-04-17 | Lam Research Corporation | Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber |
US9574268B1 (en) * | 2011-10-28 | 2017-02-21 | Asm America, Inc. | Pulsed valve manifold for atomic layer deposition |
JP5865916B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-02-17 | 京セラ株式会社 | ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法 |
US9396912B2 (en) * | 2011-10-31 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Methods for mixed acid cleaning of showerhead electrodes |
US9941100B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle |
US9388492B2 (en) | 2011-12-27 | 2016-07-12 | Asm America, Inc. | Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition |
US20130180954A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone direct gas flow control of a substrate processing chamber |
US9679751B2 (en) | 2012-03-15 | 2017-06-13 | Lam Research Corporation | Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching |
US9162236B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Proportional and uniform controlled gas flow delivery for dry plasma etch apparatus |
US20130337172A1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Synos Technology, Inc. | Reactor in deposition device with multi-staged purging structure |
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
US10541183B2 (en) * | 2012-07-19 | 2020-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Spectral reflectometry window heater |
US10174422B2 (en) * | 2012-10-25 | 2019-01-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for selective gas injection and extraction |
CN103068137A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-04-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种进气结构及等离子体工艺设备 |
CN103060777B (zh) * | 2012-12-25 | 2014-12-31 | 王奉瑾 | 激光激发cvd镀膜设备 |
JP6061384B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-01-18 | 国立大学法人静岡大学 | アルミ・樹脂接合体の製造方法及びアルミ・樹脂接合体 |
US9790596B1 (en) * | 2013-01-30 | 2017-10-17 | Kyocera Corporation | Gas nozzle and plasma device employing same |
US9314854B2 (en) | 2013-01-30 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Ductile mode drilling methods for brittle components of plasma processing apparatuses |
US9399228B2 (en) | 2013-02-06 | 2016-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber |
US8893702B2 (en) | 2013-02-20 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Ductile mode machining methods for hard and brittle components of plasma processing apparatuses |
TWI473903B (zh) * | 2013-02-23 | 2015-02-21 | Hermes Epitek Corp | 應用於半導體設備的噴射器與上蓋板總成 |
US9536710B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection |
JP6359627B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2018-07-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ |
US9142456B2 (en) | 2013-07-30 | 2015-09-22 | Lam Research Corporation | Method for capping copper interconnect lines |
US9275869B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
JP5917477B2 (ja) | 2013-11-29 | 2016-05-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6317921B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-04-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10249511B2 (en) * | 2014-06-27 | 2019-04-02 | Lam Research Corporation | Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus |
JP6499835B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2019-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
TWM503056U (zh) * | 2014-07-24 | 2015-06-11 | Wen-Hsin Chiang | 用於電漿反應裝置之襯套單元 |
US10113232B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-10-30 | Lam Research Corporation | Azimuthal mixer |
US10465288B2 (en) * | 2014-08-15 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Nozzle for uniform plasma processing |
KR20160021958A (ko) * | 2014-08-18 | 2016-02-29 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6525567B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-06-05 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
US9951421B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Inlet for effective mixing and purging |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US9966270B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Gas reaction trajectory control through tunable plasma dissociation for wafer by-product distribution and etch feature profile uniformity |
US10957561B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US9837286B2 (en) | 2015-09-04 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US9758868B1 (en) | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
WO2017165016A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Applied Materials, Inc. | Chamber liner for high temperature processing |
US10304668B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-05-28 | Tokyo Electron Limited | Localized process control using a plasma system |
US10662527B2 (en) | 2016-06-01 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Manifolds for uniform vapor deposition |
KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
KR101872338B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2018-07-02 | 주식회사 월덱스 | 사파이어 소재를 이용한 고수명 이체형 가스분사장치 제조방법 |
FR3058162B1 (fr) * | 2016-11-02 | 2021-01-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de depot de films minces de chalcogenure |
JP7002268B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11670490B2 (en) * | 2017-09-29 | 2023-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector |
US11077410B2 (en) * | 2017-10-09 | 2021-08-03 | Applied Materials, Inc. | Gas injector with baffle |
US10818479B2 (en) * | 2017-11-12 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grounding cap module, gas injection device and etching apparatus |
US10840066B2 (en) * | 2018-06-13 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable fastening device for plasma gas injectors |
KR102601581B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 챔버의 가스 공급 장치 및 이를 적용한 플라즈마 처리 장치 |
CN111328174A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及等离子体产生方法 |
CN111383888B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-03-11 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 等离子体刻蚀机 |
CN111613508A (zh) * | 2019-02-25 | 2020-09-01 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 进气装置及反应腔室 |
US11492701B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
US10553403B1 (en) * | 2019-05-08 | 2020-02-04 | Mks Instruments, Inc. | Polygonal toroidal plasma source |
WO2021011950A1 (en) | 2019-07-17 | 2021-01-21 | Lam Research Corporation | Modulation of oxidation profile for substrate processing |
KR20210048408A (ko) | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 증착 반응기 매니폴드 |
CN112713073B (zh) * | 2019-10-24 | 2024-03-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种耐腐蚀气体输送部件及其等离子体处理装置 |
US20220392753A1 (en) * | 2019-11-05 | 2022-12-08 | Lam Research Corporation | Single crystal metal oxide plasma chamber component |
KR102225604B1 (ko) * | 2019-12-18 | 2021-03-10 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP7313269B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2023-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11854839B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-12-26 | Mks Instruments, Inc. | Valve apparatuses and related methods for reactive process gas isolation and facilitating purge during isolation |
TWI767244B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-06-11 | 朗曦科技股份有限公司 | 半導體製程腔體之氣體噴頭 |
KR20220019359A (ko) * | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배유닛을 이용한 가스공급방법 |
KR20220021206A (ko) * | 2020-08-13 | 2022-02-22 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
CN114121582B (zh) * | 2020-08-27 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其工作方法 |
JP7543176B2 (ja) | 2021-03-08 | 2024-09-02 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法 |
KR20220131680A (ko) | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
AU2022246797A1 (en) | 2021-03-31 | 2023-10-05 | 6K Inc. | Systems and methods for additive manufacturing of metal nitride ceramics |
CN113871283B (zh) * | 2021-09-28 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其工艺腔室 |
KR20230116436A (ko) | 2022-01-28 | 2023-08-04 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US20230377848A1 (en) * | 2022-05-23 | 2023-11-23 | 6K Inc. | Microwave plasma apparatus and methods for processing materials using an interior liner |
CN114698218A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-07-01 | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 | 瞬态等离子体电子密度分布的七通道微波干涉仪测量方法 |
US12040162B2 (en) | 2022-06-09 | 2024-07-16 | 6K Inc. | Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows |
US12094688B2 (en) | 2022-08-25 | 2024-09-17 | 6K Inc. | Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing a powder ingress preventor (PIP) |
CN115537765B (zh) * | 2022-09-27 | 2024-07-12 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 等离子体化学气相沉积装置和小尺寸沟槽填充方法 |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US572771A (en) * | 1896-12-08 | Automatic machine-gun | ||
JPS51144183A (en) | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor element containing surface protection film |
DE2608417C3 (de) | 1976-03-01 | 1981-02-12 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von russ |
US4270999A (en) * | 1979-09-28 | 1981-06-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process |
JPS59150417A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-28 | Toshiba Corp | 気相成長方法およびその装置 |
US4691662A (en) | 1983-02-28 | 1987-09-08 | Michigan State University | Dual plasma microwave apparatus and method for treating a surface |
JPS61100935A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング装置 |
US4614639A (en) | 1985-04-26 | 1986-09-30 | Tegal Corporation | Compound flow plasma reactor |
US4612077A (en) | 1985-07-29 | 1986-09-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Electrode for plasma etching system |
US5160543A (en) | 1985-12-20 | 1992-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming a deposited film |
US4992301A (en) | 1987-09-22 | 1991-02-12 | Nec Corporation | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness |
US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
US4996077A (en) | 1988-10-07 | 1991-02-26 | Texas Instruments Incorporated | Distributed ECR remote plasma processing and apparatus |
US4943345A (en) | 1989-03-23 | 1990-07-24 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Plasma reactor apparatus and method for treating a substrate |
US4980240A (en) | 1989-04-20 | 1990-12-25 | Honeywell Inc. | Surface etched shadow mask |
US5104634A (en) | 1989-04-20 | 1992-04-14 | Hercules Incorporated | Process for forming diamond coating using a silent discharge plasma jet process |
US5134965A (en) * | 1989-06-16 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Processing apparatus and method for plasma processing |
US5164040A (en) | 1989-08-21 | 1992-11-17 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method and apparatus for rapidly growing films on substrates using pulsed supersonic jets |
JPH04355917A (ja) | 1990-10-12 | 1992-12-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
US5252132A (en) | 1990-11-22 | 1993-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor film |
JP2839720B2 (ja) | 1990-12-19 | 1998-12-16 | 株式会社東芝 | 熱処理装置 |
JPH05315290A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | ガス流量制御装置 |
US5531834A (en) | 1993-07-13 | 1996-07-02 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma film forming method and apparatus and plasma processing apparatus |
US5614055A (en) | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
US5529657A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5525159A (en) | 1993-12-17 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
US5680013A (en) | 1994-03-15 | 1997-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces |
US5589002A (en) | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
US5522934A (en) | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
US5425810A (en) | 1994-05-11 | 1995-06-20 | Internation Business Machines Corporation | Removable gas injectors for use in chemical vapor deposition of aluminium oxide |
GB9410567D0 (en) * | 1994-05-26 | 1994-07-13 | Philips Electronics Uk Ltd | Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture |
US5540800A (en) | 1994-06-23 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing |
US5580385A (en) | 1994-06-30 | 1996-12-03 | Texas Instruments, Incorporated | Structure and method for incorporating an inductively coupled plasma source in a plasma processing chamber |
US5746875A (en) | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
US5643394A (en) | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
JP3699142B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2005-09-28 | アネルバ株式会社 | 薄膜形成装置 |
TW285746B (ja) | 1994-10-26 | 1996-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
DE4440323A1 (de) | 1994-11-11 | 1996-05-15 | Sulzer Metco Ag | Düse für einen Brennerkopf eines Plasmaspritzgeräts |
JPH08158072A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-18 | Nippon Soken Inc | ドライエッチング装置 |
US5685942A (en) | 1994-12-05 | 1997-11-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JPH0945624A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP3150056B2 (ja) | 1995-10-19 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5792269A (en) | 1995-10-31 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution for CVD systems |
US5772771A (en) | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
US5792569A (en) * | 1996-03-19 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Magnetic devices and sensors based on perovskite manganese oxide materials |
US6070551A (en) | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
US6013155A (en) | 1996-06-28 | 2000-01-11 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
US5885358A (en) | 1996-07-09 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
US6170428B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
JP3220394B2 (ja) | 1996-09-27 | 2001-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
TW415970B (en) | 1997-01-08 | 2000-12-21 | Ebara Corp | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
US6077357A (en) | 1997-05-29 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Orientless wafer processing on an electrostatic chuck |
US6042687A (en) | 1997-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing |
TW416100B (en) | 1997-07-02 | 2000-12-21 | Applied Materials Inc | Control of oxygen to silane ratio in a seasoning process to improve particle performance in an HDP-CVD system |
US6007330A (en) | 1998-03-12 | 1999-12-28 | Cosmos Factory, Inc. | Liquid precursor delivery system |
US6294466B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-09-25 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD apparatus and process for depositing titanium films for semiconductor devices |
US6143078A (en) * | 1998-11-13 | 2000-11-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for a CVD processing chamber |
US6230651B1 (en) | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
US6263829B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
US6052176A (en) * | 1999-03-31 | 2000-04-18 | Lam Research Corporation | Processing chamber with optical window cleaned using process gas |
US6257168B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-07-10 | Lam Research Corporation | Elevated stationary uniformity ring design |
US6287643B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor |
US20030155079A1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-08-21 | Andrew D. Bailey | Plasma processing system with dynamic gas distribution control |
US6486069B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-11-26 | Tegal Corporation | Cobalt silicide etch process and apparatus |
US6450117B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber |
US6403491B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window |
KR100607991B1 (ko) * | 2004-07-07 | 2006-08-02 | 삼성전자주식회사 | 화상제어장치용 광센서의 광량편차보정방법 및 인쇄기의화상제어장치 |
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