JP5032580B2 - トリクロロシランの製造方法 - Google Patents

トリクロロシランの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5032580B2
JP5032580B2 JP2009533782A JP2009533782A JP5032580B2 JP 5032580 B2 JP5032580 B2 JP 5032580B2 JP 2009533782 A JP2009533782 A JP 2009533782A JP 2009533782 A JP2009533782 A JP 2009533782A JP 5032580 B2 JP5032580 B2 JP 5032580B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
trichlorosilane
reactor
tetrachlorosilane
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009533782A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010507552A (ja
Inventor
プフリューグラー ベルンハルト
リング ローベルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=38664033&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP5032580(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Publication of JP2010507552A publication Critical patent/JP2010507552A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5032580B2 publication Critical patent/JP5032580B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/54Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明は、超臨界圧力範囲で熱により水素化することによってトリクロロシランを製造する方法に関する。
トリクロロシランと水素とを反応させて多結晶シリコンを製造する際に、大量のテトラクロロシランが生じる。テトラクロロシランは、テトラクロロシランの変換、例えば、触媒を用いた、もしくは熱によるテトラクロロシランと水素との脱ハロゲン化水素反応によって、ふたたびトリクロロシランと塩化水素とに変換することができる。テトラクロロシランをトリクロロシランへと変換するためには、2つの変法が知られている。低温変換は、ケイ素および触媒の存在下に、400℃〜700℃の範囲の温度で行われる。特許のUS2595620、US2657114(Union Carbide and Carbon Corporation/Wagner 1952)およびUS2943918(Compagnie de Produits Chimiques et electrometallurgiques/Pauls 1956)は、触媒の存在下でのテトラクロロシランの部分水素化について報告している。
触媒、たとえば銅の存在は、トリクロロシランおよび該トリクロロシランから製造される多結晶シリコンの不純物につながる可能性があるので、第二の方法、つまり高温法が開発された。この方法の場合、原料であるテトラクロロシランと水素とを、低温法よりは高い温度で触媒を用いずにトリクロロシランへと反応させる。テトラクロロシランの変換は、吸熱プロセスであり、生成物の形成は平衡状態によって限定されている。特に優れた収率およびトリクロロシランを得るためには、反応器中に高温(>900℃)が存在していなくてはならない。たとえばUS−A3933985(Motorola INC/Rodgers 1976)は、テトラクロロシランと水素とを900℃〜1200℃の範囲の温度およびH:SiClのモル比1:1〜3:1で反応させてトリクロロシランを形成することを記載している。この場合、12〜13%のトリクロロシラン収率が達成される。
US−A4217334(Degussa/Weigert 1980)は、テトラクロロシランを900℃〜1200℃の温度範囲で水素により水素化することによって、テトラクロロシランをトリクロロシランへと変換するための最適化された方法を記載している。H:SiClの高いモル比(50:1まで)および高温の生成物ガスの300℃以下への液体クエンチングによって(液体:生成物または不活性の液体、冷却時間:50ミリ秒)、明らかにより高いトリクロロシラン収率(H:SiClの比5:1で約35%まで)が達成される。この方法の欠点は、反応ガス中の明らかにより高い水素割合ならびに液体により適用されるクエンチングであり、というのも、いずれも方法のエネルギー費用ひいてはコストを著しく高めるからである。クエンチングは、SiHClおよびHCl側に存在する反応平衡を凍結するために必要である。
US4,217,334からも、平衡状態をクエンチングによって「凍結」することが有利であることが公知である。US4,217,334では、この凍結は、SiClを用いて1100℃から300℃へと迅速にクエンチングすることによって行われている。この方法もまた、エネルギーに関して満足のいくものでなく、ひいては高価である。
JP60081010(Denki Kagaku Kogyo K.K./1985)のアブストラクトは、生成物ガス中のトリクロロシラン含有率を高めるための、低いH:SiCl比でのクエンチ法を記載している。反応器中の温度は1200℃〜1400℃であり、反応混合物は、1秒以内に600℃未満に冷却される。このクエンチ法でも、反応ガスのエネルギーが大部分失われ、このことによってプロセスの経済性は著しく不利な影響を受ける。
DE3024319は、テトラクロロシランと水素とからなる混合物を高温反応器中、900〜1300℃で反応させ、かつその際に生じる塩化水素を冷却後に、後反応器中で280〜350℃でケイ素と接触させてさらにトリクロロシランへと反応させる連続的な方法を記載している。未反応のテトラクロロシランと未反応の水素はふたたび高温反応器に供給される。有利にはこの方法は、1〜6バールで実施される。プロセスのエネルギー効率を高めるために、DE3024319では、熱交換器ユニットが高温反応器に一体化されている。
多結晶シリコンの製造の、たとえば光起電のための経済的な重要性の増加に基づいて、および常に上昇し続けるエネルギー価格に基づいて、この数年の間、シラン変換の際の、トリクロロシランの収率に対する一次エネルギー使用をより効率的なものにする努力がこれまで以上になされてきた。本発明の課題は、テトラクロロシランを熱により水素化することによってトリクロロシランを製造するための安価な方法であって、高いトリクロロシラン収率と、従来技術に比較して高い経済性とが可能となる方法を提供することであった。
前記課題は、テトラクロロシラン含有原料ガスを、水素含有原料ガスと、900℃〜1300℃の温度で反応させて、トリクロロシラン含有生成物混合物を製造する方法において、反応を原料ガスの超臨界圧力で行うことを特徴とする方法によって解決される。
有利にはテトラクロロシラン含有原料ガスはテトラクロロシランからなる。有利には水素含有原料ガスは水素からなる。有利にはトリクロロシラン含有生成物混合物は、トリクロロシラン、塩化水素、ならびに未反応の原料ガスからなる。
化学平衡を調整する反応速度は、圧力の上昇に付随して現れる。原料ガスの混合物(原料混合物)の臨界圧力をえる圧力では、化学平衡は反応空間中での原料ガスの滞留時間とはほぼ無関係である。原料混合物の臨界圧力を上回る圧力上昇によってトリクロロシランの収率はそれ以上上昇しないので、原料混合物の臨界圧力を上回る圧力が、最適な圧力として選択される。
水素の臨界圧力は、約12.9バールであり、テトラクロロシランの臨界圧力は35.9バールである。混合物の臨界圧力は、混合物中の成分のモル分率から、個々の成分の臨界圧力でかけ算することによって得られる。混合物は、系統圧力が混合物の臨界圧力よりも大きくなると超臨界状態となる。このことは、テトラクロロシラン:Hのモル比として1:3を例にとると18.7バールの場合に該当する。
有利には反応を12.9バールよりも高い圧力で、好ましくは12.9〜100バールで行う。特に有利には反応を12.9〜35.9バールの圧力で、つまりH/テトラクロロシラン混合物の超臨界圧力範囲内で行う。とりわけ有利には14〜24バールの圧力で反応を行う。
有利にはテトラクロロシランと水素とは、1:1〜1:100のモル比で存在している。特に有利にはテトラクロロシラン:Hのモル比は、1:1〜1:10の範囲で、および特に有利には1:1〜1:3の範囲である。このことにより達成される高い効率は、規定の反応器サイズの場合、トリクロロシランの高い空時収率において、ならびに全プロセスの高いエネルギー効率によって明らかである。
本発明による方法は、高温法で通例のとおり、その他の成分、たとえば触媒を添加しないで行われる。有利には反応を950〜1200℃の温度で行う。
反応帯域中の原料ガスの滞留時間は、有利には200〜0.05秒、特に有利には10〜0.1秒である。
引き続き生成物混合物を200〜0.05秒、有利には10〜0.1秒の冷却時間で300℃まで冷却する。冷却は有利には向流式熱交換器、たとえばDE3024319に記載されているような熱交換器を用いて行う。
前記の条件下で、明らかに改善されたトリクロロシラン収率が得られる。前記の滞留時間および300℃までの冷却時間で、圧力1バールおよびモル比1:3において、約11〜12質量%のトリクロロシラン収率が達成される。圧力を5バールに高めると、トリクロロシラン約13.5質量%のトリクロロシラン収率が達成される。原料流の臨界圧力の範囲の比較的高い圧力の場合に、ほぼ20%の最も高いトリクロロシラン収率が達成される。
本発明による方法によって、エネルギー回収と同時に高いトリクロロシラン収率が可能になる。さらに所定の反応器サイズで、従来の方法よりも高い空時収率、ひいてはこれに伴う反応器の熱除去の低減、ならびに周辺装置、たとえば熱交換器の縮小が可能になる。
本発明による方法は、SiClを水素化するための慣用の反応器中で実施することができる。有利には、反応ガスと接触する反応器内壁に、窒化ケイ素または炭化ケイ素をベースとする部材が内張されているか、または反応器内壁が前記の材料からなる反応器中で実施する。このような反応器はたとえばDE102005046703から公知である。
反応器が、高温反応で通常使用される、合金化されていないC鋼からなっている場合には、反応器壁の温度は、冷媒によって200℃以下に維持すべきである。このためには、反応器が有利には二重壁を備えており、該二重壁の中を冷媒が流れる。冷媒として、水が考えられるが、しかしシラン、たとえばSiClも考えられる。あるいは、および冷却の必要性を回避するために、反応器は高合金鋼、たとえばX12CrMo7から構成されていてもよい。
本発明による方法は有利には、超臨界範囲の原料流の系統圧力(これは前記の圧力範囲と理解すべきである)で、および臨界未満範囲の生成物流の系統圧力(これは生成物混合物の臨界圧力よりも低い圧力と理解すべきである)で実施される。このような系統圧力はたとえば、生成物混合物を反応帯域の後でただちに放圧することによって達成することができる。特に有利には本発明による方法は、熱交換器が一体化された反応器中で実施される。
以下では実施例ならびに比較例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。実施例中に記載されている試験は、耐圧性のスチールジャケットを備えた石英ガラス反応器中で実施した。一体化された熱交換器を有する全反応器体積を加圧下に置くことができる。圧力発生のために水素を使用し、これを圧縮装置で所望の圧力に圧縮する。この反応器を以下では高温反応器と呼ぶ。
例1:
テトラクロロシラン25モル%および水素75モル%からなる気体混合物を、温度950℃および第1表に記載されている圧力段階および高温反応器中での滞留時間1秒で、それぞれ反応させた。その際、熱交換器ユニット中の気体混合物を、反応器から排出される高温ガスにより予熱し、かつ最終的に950℃の温度で高温反応器に通過させた。反応器から排出された生成物ガスの組成物、つまりSiHCl(TCS)とSiCl(STC)とからなる混合物を、ガスクロマトグラフィーにより測定した。測定値は第1表に記載されている。
Figure 0005032580
STC含有率はそのつど、100質量%TCS割合として生じる。
これらの結果は、圧力を高めると、反応速度は約1秒の滞留時間で顕著に上昇し、かつ原料混合物の臨界圧力(この場合、18.6バール)に達した後には、もはやTCSの顕著な上昇にはつながらないことを示している。
例2:
テトラクロロシラン25%および水素75%からなる気体混合物を、熱交換器ユニット中で反応器から排出される高温ガスによって予熱し、かつ最終的に950℃の温度で高温反応器に通過させた。反応器中での滞留時間は、50ミリ秒、もしくは500ミリ秒、もしくは5秒であった。反応器からの冷却時間は一定して約1秒に維持した。圧力は、第2表に記載されているように変更した。反応器から排出される生成物ガスの組成物、つまりSiHClおよびSiClの混合物を、ガスクロマトグラフィーにより測定した。測定値は第2表に記載されている。
Figure 0005032580
この例は、prit(臨界圧力、ここでは18.6バール)を上回る圧力範囲での製造速度は、反応空間中での滞留時間とは無関係であることを示している。

Claims (6)

  1. テトラクロロシランを含有する原料ガスと水素を含有する原料ガスとの原料ガス混合物を900℃〜1300℃の温度で反応させて、トリクロロシランを含有する生成物混合物を製造する方法において、反応を、前記原料ガス混合物の超臨界圧である12.9〜24バールで行うことを特徴とする、トリクロロシランの製造方法。
  2. 反応を、14〜24バールで行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。
  3. 前記原料ガス混合物において、テトラクロロシランと水素とが、1:1〜1:3のモル比で存在していることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
  4. 前記原料ガス混合物が反応帯域中に10〜0.1秒滞留することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 超臨界範囲の原料流の系統圧力および臨界未満範囲の生成物流の系統圧力で実施することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 臨界未満範囲の生成物流の系統圧力を、反応帯域後における放圧によって行うことを特徴とする、請求項5記載の方法。
JP2009533782A 2006-10-25 2007-10-12 トリクロロシランの製造方法 Expired - Fee Related JP5032580B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006050329.5 2006-10-25
DE102006050329A DE102006050329B3 (de) 2006-10-25 2006-10-25 Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
PCT/EP2007/060858 WO2008049740A1 (de) 2006-10-25 2007-10-12 Verfahren zur herstellung von trichlorsilan

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010507552A JP2010507552A (ja) 2010-03-11
JP5032580B2 true JP5032580B2 (ja) 2012-09-26

Family

ID=38664033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009533782A Expired - Fee Related JP5032580B2 (ja) 2006-10-25 2007-10-12 トリクロロシランの製造方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8197784B2 (ja)
EP (1) EP2086879B2 (ja)
JP (1) JP5032580B2 (ja)
KR (1) KR101078502B1 (ja)
CN (1) CN101528598B (ja)
AT (1) ATE514653T1 (ja)
CA (1) CA2662487C (ja)
DE (1) DE102006050329B3 (ja)
ES (1) ES2366414T5 (ja)
WO (1) WO2008049740A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2945343B1 (en) * 2008-01-28 2019-06-19 BlackBerry Limited Providing session initiation protocol request contents method and system
DE102008041974A1 (de) 2008-09-10 2010-03-11 Evonik Degussa Gmbh Vorrichtung, deren Verwendung und ein Verfahren zur energieautarken Hydrierung von Chlorsilanen
US10315181B2 (en) 2010-09-27 2019-06-11 Gtat Corporation Heater and related methods therefor
DE102011002749A1 (de) 2011-01-17 2012-07-19 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan
US20120199323A1 (en) 2011-02-03 2012-08-09 Memc Electronic Materials Spa Shell and tube heat exchangers and methods of using such heat exchangers
CN103443027B (zh) * 2011-03-25 2016-07-06 赢创德固赛有限公司 具有凸缘或喇叭形端部的碳化硅管的应用
WO2012177274A2 (en) 2011-06-21 2012-12-27 Gtat Corporation Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane
DE102012223784A1 (de) 2012-12-19 2014-06-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan
KR101580171B1 (ko) 2014-01-23 2015-12-24 한국화학연구원 금속 실리사이드 표면개질 방법, 표면개질된 금속 실리사이드를 이용한 삼염화실란의 제조방법 및 제조장치
KR20210092797A (ko) * 2018-12-19 2021-07-26 와커 헤미 아게 클로로실란을 제조하는 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2595620A (en) * 1948-11-27 1952-05-06 Union Carbide & Carbon Corp Hydrogenation of halogenosilanes
US2657114A (en) * 1949-06-21 1953-10-27 Union Carbide & Carbon Corp Chlorosilanes
DE1054436B (de) * 1956-02-11 1959-04-09 Pechiney Prod Chimiques Sa Verfahren zur Herstellung von kompaktem Silicium hohen Reinheitsgrades
US3933985A (en) * 1971-09-24 1976-01-20 Motorola, Inc. Process for production of polycrystalline silicon
US4217334A (en) * 1972-02-26 1980-08-12 Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler Process for the production of chlorosilanes
US4676967A (en) * 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
US4309259A (en) 1980-05-09 1982-01-05 Motorola, Inc. High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride
DE3024319C2 (de) * 1980-06-27 1983-07-21 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
US4526769A (en) * 1983-07-18 1985-07-02 Motorola, Inc. Trichlorosilane production process
JPS6081010A (ja) * 1983-10-13 1985-05-09 Denki Kagaku Kogyo Kk トリクロルシランの製造法
JPS6221707A (ja) * 1985-07-22 1987-01-30 Nippon Steel Corp トリクロルシランの製造方法
JP3529070B2 (ja) * 1995-12-01 2004-05-24 電気化学工業株式会社 カーボン製反応容器
JP3421202B2 (ja) * 1996-10-09 2003-06-30 三菱化学株式会社 プロピレンの重合方法及びそれを用いて得られるプロピレン系重合体
JP2000302714A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd トリメチルヒドロキノンの製造方法
DE10062413A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-04 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE10063863A1 (de) * 2000-12-21 2003-07-10 Solarworld Ag Wirbelbettreaktor für die Trichlorsilansynthese
US20020187096A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Kendig James Edward Process for preparation of polycrystalline silicon
CN1183034C (zh) * 2002-02-08 2005-01-05 中国有色工程设计研究总院 四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法
DE102004019760A1 (de) 2004-04-23 2005-11-17 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von HSiCI3 durch katalytische Hydrodehalogenierung von SiCI4
DE102005005044A1 (de) 2005-02-03 2006-08-10 Consortium für elektrochemische Industrie GmbH Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan mittels thermischer Hydrierung von Siliciumtetrachlorid
DE102005005004A1 (de) 2005-02-03 2006-08-10 Volkswagen Ag Befestigungsmittel an einem Kraftfahrzeug
DE102005046703A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Hydrierung von Chlorsilanen

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008049740A1 (de) 2008-05-02
ES2366414T3 (es) 2011-10-20
ATE514653T1 (de) 2011-07-15
CN101528598A (zh) 2009-09-09
ES2366414T5 (es) 2014-09-22
JP2010507552A (ja) 2010-03-11
CA2662487C (en) 2012-07-17
CA2662487A1 (en) 2008-05-02
CN101528598B (zh) 2012-06-13
KR101078502B1 (ko) 2011-10-31
US8197784B2 (en) 2012-06-12
DE102006050329B3 (de) 2007-12-13
EP2086879A1 (de) 2009-08-12
US20100008842A1 (en) 2010-01-14
EP2086879B1 (de) 2011-06-29
KR20090057281A (ko) 2009-06-04
EP2086879B2 (de) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5032580B2 (ja) トリクロロシランの製造方法
KR100908465B1 (ko) 테트라클로로실란의 열 수화에 의한 트리클로로실란의 제조방법
TWI448429B (zh) 三氯矽烷之製造方法、三氯矽烷之製造裝置、以及多結晶矽之製造方法
JP5397580B2 (ja) トリクロロシランの製造方法と製造装置および多結晶シリコンの製造方法
US20070148075A1 (en) Process for producing silicon
KR20140136985A (ko) 트리클로로실란의 제조
TW201233627A (en) Process for preparing trichlorosilane
US7056484B2 (en) Method for producing trichlorosilane
CN105980305B (zh) 三氯氢硅制造工艺
JPS63233007A (ja) クロロポリシランの製造方法
KR101816339B1 (ko) 연속식 관형반응기를 이용한 클로로실란가스 제조방법
KR20160144541A (ko) 삼염화실란의 제조방법
JP5333725B2 (ja) トリクロロシランの製造方法および利用方法
KR101672796B1 (ko) 염소가스 혹은 염화수소를 이용하여 다결정실리콘 제조원료인 고순도의 삼염화실란을 제조하는 방법
KR20160102807A (ko) 금속 실리콘 입자 분산액 및 이를 이용한 클로로실란의 제조방법
JPS63100016A (ja) トリクロロシランの製造方法
JPH01278411A (ja) ヘキサクロルジシランおよびオクタクロルトリシランの製造方法
JPH0352408B2 (ja)
JPS6395107A (ja) トリクロロシランの製造方法
JPS6395109A (ja) トリクロロシランの製造方法
FR2989074A1 (fr) Procede de production de germane et de silane
JPS63100015A (ja) トリクロロシランの製造方法
JPS6395108A (ja) トリクロロシランの製造方法
JPS59156907A (ja) シランの製造方法
JPS6395110A (ja) トリクロロシランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120507

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120530

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5032580

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees