JP5031172B2 - シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療用の放射線撮影等に用いられるシンチレータパネルとこのシンチレータパネルと撮像素子とを組み合わせた放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
放射線を電気信号に変換し信号の電気的な処理を可能にする放射線イメージセンサは、医療や工業用として広く利用されている。取得した電気信号は電気的に処理してモニタ上に表示することが可能である。このような放射線イメージセンサの代表的なものとして、放射線を光に変換するシンチレータ材料を使用した放射線イメージセンサがある。この放射線イメージセンサでは、変換された光をさらに電気信号に変換するための撮像素子が組み合わされている。撮像素子には例えばMOS型のイメージセンサなどが使用される。医療分野あるいは非破壊検査(そのうち、特にマイクロフォーカスX線源等を用いる検査)においては放射線の照射線量が限られるため、限られた照射線量でも高い光出力を出せる感度の高い放射線イメージセンサが望まれている。
【0003】
図16は、WO99/66345号公報(以下、従来技術1と呼ぶ。)に記載されている放射線イメージセンサの縦断面図である。この放射線イメージセンサ92は、基板95と、基板95上に形成された光反射膜96と、光反射膜96上に形成されたシンチレータ10とから構成されるシンチレータパネル91に対し、撮像素子20がシンチレータ10に対向配置された状態で組み合わされて形成されている。放射線30は基板95側より入射して光反射膜96を通過し、シンチレータ10で光に変換される。変換された光は撮像素子20により受光され電気信号へ変換される。光反射膜96はシンチレータ10で発生した光を反射してシンチレータ10側へと返し、撮像素子20の受光部に入射する光の量を増加させるという機能を有する。光反射膜96には、主にアルミニウムなどの金属膜が使用される。
【0004】
図17は、特開平5−196742公報(以下、従来技術2と呼ぶ。)に記載されている放射線イメージング装置の縦断面図である。この放射線イメージング装置93は、基板94と、基板94上に配置された撮像素子としての光検出器98と、光検出器98上に形成されたシンチレータ10と、シンチレータ10上に設けられた薄膜97と、薄膜97上に形成された光反射膜90と、光反射膜90上に形成された水分シール層99とを備えている。放射線30は水分シール層99側より入射する。シンチレータ10を固定支持する基体として光検出器98が使用され、光反射膜90は薄膜97を介してシンチレータ10の上に形成されている点で、配置構成は、従来技術1とは大きく異なる。薄膜97は、有機材料又は無機材料からなり、シンチレータ10上の凹凸を吸収し光反射膜90の反射率を均一にする。光反射膜90として、互いに光屈折率が異なるTiO2及びSiO2などから構成される誘電体多層膜を使用してもよいことが記されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の放射線イメージセンサには、次のような問題があった。従来技術1では光反射膜96として金属膜が使用されるが、この金属膜96はシンチレータ10と反応して腐食することが多い。特にシンチレータ10としてCsI(Tl)を使用した場合にはこの腐食は顕著であった。
【0006】
従来技術2では光反射膜90として誘電体多層膜が使用されているが、シンチレータ10は一本の径が数μm〜数十μm程度の微小な柱状結晶が複数林立した構造であるため表面に微細な凹凸が存在するが、こうした凹凸面上に誘電体多層膜90を直接形成することは困難なため、この凹凸を平坦化するための薄膜97を介在させている。誘電体多層膜90を高反射率を備えた状態で形成するには、それが形成される基体を300℃程度に加熱して蒸着する必要があるが、この薄膜97が有機膜の場合には、高温をかけること自体困難である。300℃以下の温度で多層膜を形成することも可能であるが、形成される膜厚の制御が難しいうえ、誘電体多層膜90が着色した状態で形成されてしまうといった不具合が生じ、反射率が下がり、光出力が低下する結果になる。また、無機膜で薄膜97を形成しようとしても、無機膜ではシンチレータ上に多層膜を形成するための平坦な面を形成することが困難で、その結果、誘電体多層膜の表面(反射面)に凹凸が生じて高い反射率を持たせることができない。
【0007】
そこで本発明は、耐腐食性に優れると共に高い光出力を出せるシンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【0008】
上記課題を解決するため、本発明に係るシンチレータパネルは、耐熱性の光透過基板と、この基板の一方の表面上に形成される光吸収部材と、この光吸収部材上に堆積される誘電体多層膜ミラーと、誘電体多層膜ミラー上に柱状構造を成して複数配列して堆積され、入射された放射線を光に変換して発生させるシンチレータと、を備えており、この光吸収部材は、シンチレータから発せられて誘電体多層膜ミラーを透過した光を吸収して、多層膜ミラー方向への反射を抑制することを特徴とする。
【0009】
あるいは、光吸収部材は、誘電体多層膜ミラーと光透過基板との界面ではなく、光透過基板の誘電体多層膜ミラーが設けられる面とは反対の面上に配置してもよい。
【0010】
このようなシンチレータパネルによれば、耐熱性基板上に高温で誘電体多層膜ミラーを形成することができるので、良好な反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを実現することができ、光出力を向上させることができる。誘電体多層膜ミラーはシンチレータと反応することがなく、耐腐食性にも優れる。さらに、誘電体多層膜ミラーはその特性上わずかに光を透過するが、本発明では、光透過性の基板のいずれかの表面に光吸収部材を設けることによって、誘電体多層膜ミラーを抜けて基板内部で散乱して入射位置とは別の位置からシンチレータに再入射する迷光の発生を抑制することができ、シンチレータパネルの解像度やS/N比の劣化を抑制することができる。
【0011】
基板をガラス基板とすると、薄くて撓むことがない基板が実現され、特性の良好なシンチレータパネルが得られる。
【0012】
この光吸収部材としては、例えば、ブラックアルミニウムやカーボン粒子を含有するポリイミドが好ましい。
【0013】
シンチレータは輝尽性蛍光体であってもよい。この場合には、放射線画像を一時的に蓄積することが可能となる。
【0014】
一方、本発明に係る放射線イメージセンサは、上記いずれかのシンチレータパネルと、そのシンチレータに対向して配置されシンチレータにより発生した光を電気信号に変換する撮像素子と、を備えたことを特徴とする。
【0015】
これにより、上記の特徴を有するシンチレータパネルを備えた放射線イメージセンサが実現され、このシンチレータパネルにより生成された光を電気的に処理して、モニタなどで表示することが可能となる。
【0016】
また、シンチレータの反対面に光吸収膜を備える本発明に係るシンチレータパネルと、このシンチレータパネルのシンチレータに対向して配置されシンチレータにより発生した光を電気信号に変換する撮像素子と、これら撮像素子とシンチレータパネルを被覆するとともに光吸収膜に圧接して固定されているハウジングと、を備えていてもよい。
【0017】
このような放射線イメージセンサによれば、ハウジングにより放射線イメージセンサは保護される。またハウジングを遮光性材質で形成すれば、外乱光が放射線イメージセンサに入射するのを効果的に抑制できる。さらに、ハウジングが光吸収膜に圧接した状態に設けられるため、シンチレータパネルが撮像素子に密着する。これにより、シンチレータで発生した光を撮像素子で認識する際、光漏れ、クロストークなどの発生が防止される。
【0018】
ここで、光吸収膜を弾性体で形成すると、シンチレータの撮像素子への密着がより確実になって好ましい。
【0019】
一方、本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、耐熱性の光透過基板を用意し、この基板上に所定の膜厚を有する誘電体層を多層積層することにより所望の反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを形成し、誘電体多層膜ミラー上に放射線を光に変換するシンチレータの柱状構造を堆積させ、基板のシンチレータ形成面と反対の面にシンチレータが発して誘電体多層膜ミラーおよび光透過基板を透過した光を吸収して、前記光透過基板方向への反射を抑制する光吸収部材を形成し、少なくともシンチレータを保護膜で被覆する、工程を備えることを特徴とする。
【0020】
あるいは、耐熱性の光透過基板を用意し、この基板上に光吸収部材を形成し、光吸収部材上に所定の膜厚を有する誘電体層を多層積層することにより所望の反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを形成し、誘電体多層膜ミラー上に放射線を光に変換するシンチレータの柱状構造を堆積させ、少なくともシンチレータを保護膜で被覆する、工程を備えることを特徴とする。
【0021】
これらの製造方法により上述の本発明に係るシンチレータパネルを効率よく製造することができる。
【0022】
さらに得られたシンチレータパネルのシンチレータに対向して撮像素子を配置することで本発明に係る放射線イメージセンサを製造できる。また、シンチレータパネルをハウジングで被覆する工程をさらに備えていてもよい。
【0023】
あるいは、耐熱性の光透過基板を用意し、この基板上に所定の膜厚を有する誘電体層を多層積層することにより所望の反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを形成し、誘電体多層膜ミラー上に放射線を光に変換するシンチレータの柱状構造を堆積させ、少なくともシンチレータを保護膜で被覆してシンチレータパネルを作成し、シンチレータパネルのシンチレータに対向して撮像素子を、シンチレータパネルのシンチレータ形成面と反対の面に弾性体からなる光吸収部材をそれぞれ配置してハウジング内に収容する、工程を備えるものでもよい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説明は省略する。
【0025】
図1は、本発明に係るシンチレータパネルの第1の実施形態の縦断面図である。シンチレータパネル1は、放射線30が入射されるパイレックスガラス基板5と、パイレックスガラス基板5上(放射線入射面とは反対の面)に形成された誘電体多層膜ミラー6と、誘電体多層膜ミラー6上に形成され、パイレックスガラス基板5に入射され誘電体多層膜ミラー6を通過した放射線30を光に変換して発生させるシンチレータ10とを備えている。シンチレータは一本の径が数μm〜数十μm程度の微小な柱状結晶が複数林立した構造である。シンチレータ10にはCsI(Tl)が使用されている。パイレックスガラス基板5の放射線入射面上には光吸収膜としてのブラックアルミニウム7が設けられ、シンチレータ10で発生し誘電体多層膜ミラー6及びパイレックスガラス基板5を透過した光を吸収する。この点については後に詳述する。これら全体は保護膜としてのポリパラキシリレン膜12で被覆され、シンチレータパネル1が形成されている。なお、パイレックスガラス基板5と誘電体多層膜ミラー6との間には、SiNのような薄い層が設けられてもよい。この薄い層は、ガラス基板表面を均一な清浄表面とすることに役に立つ。
【0026】
このシンチレータパネル1では、シンチレータ10を柱状結晶として蒸着形成するための基板としてパイレックスガラスを使用しているため、基板が薄く形成されていると共に撓みの発生が防止されている。このように薄く形成されているため、その分だけ放射線に対する感度が高くなっている。また、基板に撓みが生じないため、シンチレータパネル1に撮像素子20を取り付ける際など、製造時の取り扱いが容易になっている。
【0027】
また、誘電体多層膜ミラー6は、互いに光屈折率が異なるTiO2とSiO2とが交互に複数回繰り返して積層された多層膜であり、シンチレータ10で発生した光を反射し光出力を増幅する光反射膜として作用する。この誘電体多層膜ミラー6は耐熱性を有するパイレックスガラス基板5上に形成されるため、300℃近い高温での蒸着が可能で、これにより反射率の高い状態に形成されている。また、誘電体多層膜は耐腐食性に優れるため、金属膜のようにシンチレータ10と反応して腐食するということがない。なお、誘電体多層膜ミラー6とシンチレータ10との間には、シンチレータ10が誘電体多層膜ミラー6から剥離するのを防止する剥離防止層として、ポリイミド層が設けられてもよい。
【0028】
次に、このシンチレータパネル1の製造工程について述べる。まず、20cm角0.5mm厚のパイレックスガラス基板5を準備し(図2A参照)、このパイレックス基板5上にTiO261、63…641及びSiO262、64…642を真空蒸着法で交互に繰り返し積層し(図2B、図2C参照)、合計42層(合計約4μm)からなる誘電体多層膜ミラー6を成膜する(図2D参照)。その後、誘電体多層膜ミラー6上に、シンチレータ10として厚さ300μmのCsIの膜を蒸着法により形成する(図2E参照)。そして、CsI表面の異物、異常成長部を平坦にするため、CsI表面にガラス板をのせ、1気圧の力で圧力をかける。パイレックスガラス基板5の放射線入射面には、光吸収膜としてブラックアルミニウム7をアルゴンガス中で蒸着する(図2F参照)。最後に、CVD法により、保護膜として厚さ10μmのポリパラキシリレン膜12を形成して全体を覆い、図1に示されるシンチレータパネル1が形成される。
【0029】
図3は、本発明に係る放射線イメージセンサの第1の実施形態の縦断面図である。この放射線イメージセンサ2は、図1に示されたシンチレータパネル1のシンチレータ10に対して、撮像素子20を対向配置した状態で組み合わせることで構成されている。撮像素子20はシンチレータ10により発生した光を電気信号に変換するものである。撮像素子20としては、例えば、2次元的に配列されたSiフォトダイオードを有するMOS型のイメージセンサが使用される。
【0030】
図4は、この放射線イメージセンサ2の動作を説明する拡大断面図である。被写体32によって遮光されないあるいは透過した放射線30は、ポリパラキシリレン膜12、ブラックアルミニウム7、パイレックスガラス基板5、誘電体多層膜ミラー6を通過してシンチレータ10へ入射する。シンチレータ10は入射した放射線30を光へ変換し放射する。シンチレータ10から放射された光のうち、撮像素子側へとは向かわず誘電体多層膜ミラー6側へと向かう成分は、誘電体多層膜ミラー6により反射されシンチレータ10へと返され、最終的に撮像素子20へと向かい受光される。撮像素子20は受光した光画像情報を電気信号へと変換して出力する。出力された電気信号は画像信号としてモニタなどに送られ、表示される。前述したように、本実施形態では、誘電体多層膜ミラー6が高反射率をもつため、この誘電体多層膜ミラー6が使用されたシンチレータパネル1及び放射線イメージセンサ2は高い光出力を有する。
【0031】
しかしながら、誘電体多層膜ミラー6の光反射率は100%ではないため、シンチレータ10で発生した光で誘電体多層膜ミラー6側へと向かう光の成分のうち、数%は誘電体多層膜ミラー6を透過してしまう。パイレックスガラス基板5も光透過性であるので、誘電体多層膜ミラー6を透過した光はパイレックスガラス基板5を通過する。本実施形態によるシンチレータパネル1では、パイレックスガラス基板5の放射線入射面(誘電体多層膜ミラー6とは反対の面)に光吸収膜としてのブラックアルミニウム7が形成されているため、透過光はこのブラックアルミニウム7で吸収されるため、放射線入射面で反射して誘電体多層膜ミラー6側へと戻ることがない。すなわち、パイレックスガラス基板5に入射した光がパイレックスガラス基板5の放射線入射面で反射した後に撮像素子20へ入射したり、パイレックスガラス基板5に入射した光がパイレックスガラス基板5を通過し、ハウジング25内で反射を繰り返した後、最終的に撮像素子20へ入射し、シンチレータ10から直接撮像素子20に入射する光と比べて拡がってしまうことがない。結果として、得られる放射線画像のコントラストを低下させて光出力に悪影響を及ぼしたり、擬似信号を発生することがないシンチレータパネル1が実現されている。
【0032】
上述したように、シンチレータパネル1の基板としてガラスを使用すると、薄くかつ撓まないシンチレータパネルが形成できるという利点がある。また、光反射膜として誘電体多層膜を使用すると、耐腐食性に優れかつ高反射率を備えた光反射膜を形成できるという利点がある。これら双方を取り入れたシンチレータパネルを形成した場合、コントラストを低下させる要因となる透過光が発生するが、本実施形態では、さらに光吸収膜(本実施形態ではブラックアルミニウム7)を設けることによりこの透過光を吸収させ、これら双方の利点を生かし、かつ不具合を解消している。
【0033】
解像度を劣化させる要因となる迷光を抑制するためには、光吸収膜7に代えて、出射面での反射を抑制する反射防止膜を配置してもよい。この反射防止膜は、外部から反射防止膜へ入射しようとする光に対しては反射膜あるいは吸収膜として機能することが好ましい。
【0034】
本発明に係る放射線イメージセンサ2のコントラスト比を評価するため、本発明の実施例としてのサンプル2個(実施例1、2と呼ぶ。)と、従来型の放射線イメージセンサとしてのサンプル1個(比較例1と呼ぶ。)をそれぞれ構成を変えて作成した。いずれのサンプルもパイレックスガラス製の基板に誘電体多層膜の光反射膜を設け、CsIからなるシンチレータを堆積して、ポリパラキシリレン膜を保護膜として設けたものであり、撮像素子はC−MOSを使用した。違いは、比較例1が光吸収膜を有しないのに対し、実施例1は、ブラックアルミニウムの光吸収膜を、実施例2は暗色系モルトプレインの光吸収膜を有している点である。
【0035】
コントラスト比を測定するための試験として、直径3cm、厚さ0.5mmの鉛製の被写体をパイレックスガラス基板5上に配置して放射線を照射し、鉛で隠れた部分及び放射線に露呈している部分に対し、放射線イメージセンサ2が取得した信号値をそれぞれの場合について測定し、比率として算出した。比較例1を100とした時の実施例1、2のコントラスト比はいずれも110であり、比較例1よりも明瞭な像が取得できることが確認された。
【0036】
図5は、本発明に係るシンチレータパネルの第2の実施形態を示す縦断面図である。このシンチレータパネル1aは、図1に示される第1の実施形態のシンチレータパネル1とほぼ同様の構成を有する。ただし、可視光から紫外線域までの光に対して高い反射率を有するTa2O5/SiO2を積層した誘電体多層膜ミラー6aを使用している点と、CsBr:Eu等のいわゆる輝尽性蛍光体をシンチレータ10aとして使用している点が相違する。
【0037】
このシンチレータパネル1aは、図1に示されるシンチレータパネル1と異なり、シンチレータ10a側から放射線30を照射して使用する。こうして入射する放射線によってシンチレータ10aは励起される。その後、図6に示されるように、He−Neレーザビーム34をシンチレータ10aにスキャン照射することで、照射された放射線30量に応じた光がシンチレータ10aから放射される。この放射される光を光検出器22により検出して電気信号に変換することで、放射線画像に相当する画像信号を取り出すことができる。
【0038】
このようにシンチレータ6aとして輝尽性蛍光体を使用することで、放射線イメージを一時的に蓄積し、レーザビーム走査によってこれを読み出すことで、大面積の撮像素子を用意する必要がなくなり、胸部撮影などの大面積の放射線画像取得が容易になる。
【0039】
輝尽性蛍光体としては、上記のCsBr:Euのほか、日本特許第3130633号公報に開示されているような各種の蛍光体を利用することができる。また、誘電体多層膜ミラーとしては、第1の実施形態に用いたTiO2/SiO2積層体やHFO2/SiO2積層体等を使用することができる。
【0040】
図7は、本発明に係る放射線イメージセンサの第2の実施形態を示す縦断面図である。この放射線イメージセンサ2aは、図3に示される放射線イメージセンサ2を、駆動、読み出し回路を有する制御装置24とともにセンサ基板22上に載置し、ハウジング25内に収容したものであり、センサ2は、一対の固定ジグ23によりセンサ基板22に固定されている。
【0041】
ハウジング25は、放射線透過性を有し、センサ2を保護、遮光する。また、固定ジグ23とハウジング25の協働により、シンチレータパネル1は撮像素子20に対し密着するため、シンチレータ10で発生した光を撮像素子20で認識する際、光漏れ、クロストークなどが発生するのを防止することができる。なお、ハウジング25は、センサ基板22を含まず放射線イメージセンサ2のみを被覆するものであってもよい。
【0042】
ちなみに、特開平11−160442には、弾性体の押圧力により蛍光体がCCD素子の受光面に固定されるX線画像検出器が開示されているが、この弾性体は蛍光体をCCD素子に押圧する作用にとどまり本発明のような光吸収性を有するものではない。
【0043】
図8は、本発明に係る放射線イメージセンサの第3の実施形態の縦断面図である。この放射線イメージセンサ2bのシンチレータパネル1bは、本発明に係るシンチレータパネル1と異なり、シンチレータパネル1b自体には光吸収膜7が設けられていない。その代わりとして、シンチレータパネル1bのポリパラキシリレン膜12によりコートされたパイレックスガラス基板5の放射線入射面と、とハウジング25との間に弾性体である暗色系のモルトプレイン17が配置されている。モルトプレイン17の代わりに黒色のスポンジを使用してもよい。ハウジング25はモルトプレイン17に対し圧接した状態に設けられている。
【0044】
モルトプレイン17は弾性体であるため、ハウジング25の作用によりシンチレータパネル1は撮像素子20に対してより押圧される。これにより、シンチレータパネル1は撮像素子20に対しより密着するため、シンチレータ10で発生した光を撮像素子20で認識する際、光漏れ、クロストークなどが発生するのをさらに防止することができる。なお、弾性体としての光吸収部材17は、ガラス基板5に当接し押圧しているため、力が均等に加わりやすいという効果もある。
【0045】
図9は、本発明に係るシンチレータパネルの第3の実施形態の縦断面図である。このシンチレータパネル1dは、パイレックスガラス基板5と、誘電体多層膜ミラー6と、シンチレータ10と、ポリパラキシリレン膜12とを備えている点は、図1に示されるシンチレータパネル1と同一であるが、基板5の放射線入射側に光吸収膜7を有しておらず、基板5と誘電体多層膜ミラー6との間に反射膜としてのアルミニウム膜70を有している点が相違する。
【0046】
この反射膜としては、アルミニウム膜70以外にクロム(Cr)と銀(Ag)、又はクロム(Cr)と銅(Cu)など、2層以上から成る金属膜を使用してもよい。クロムは、銀や銅、またガラスと密着性がよく、パイレックスガラス基板5から剥離されるのを防止する効果がある。
【0047】
この反射膜としてのアルミニウム膜70はシンチレータ10と反応して腐食しやすいが、本実施形態では、アルミニウム膜70とシンチレータ10との間に耐腐食性に優れた誘電体多層膜ミラー6が形成されているので、この腐食の問題についても解決されている。なお、誘電体多層膜ミラー6とシンチレータ10との間にはシンチレータ10が誘電体多層膜ミラー6から剥離するのを防止する剥離防止層として、ポリイミド層を設けてもよい。
【0048】
次に、このシンチレータパネル1dの製造工程について述べる。まず、20cm角0.5mm厚のパイレックスガラス基板5を準備し(図10A参照)、このパイレックスガラス基板5上に透過光反射膜としてのアルミニウム膜70を1500Å蒸着する(図10B参照)。以下、誘電体多層膜ミラー6を成膜して(図10C〜図10E参照)、シンチレータ10を形成し(図10F参照)、最後にポリパラキシリレン膜12を形成して全体を覆うまでの工程は、図2A〜図2Fに示される対応する工程と同一であるため工程の詳細な説明は省略する。こうして図9に示されるシンチレータパネル1dが得られる。
【0049】
本実施形態のシンチレータパネル1dでは、第1の実施形態のシンチレータパネル1と異なり、誘電体多層膜ミラー6と基板5との間に反射膜であるアルミニウム膜70を設けているため、誘電体多層膜ミラー6の反射率を極端に向上させる必要はなく、その層数は4層程度であってもよい。
【0050】
図11は、このシンチレータパネル1dを用いた本発明に係る放射線イメージセンサの第4の実施形態の縦断面図である。この放射線イメージセンサ2は、図9に示されたシンチレータパネル1に対し、撮像素子20をシンチレータ10に対向配置した状態で組み合わせて構成されている。撮像素子20としては、第1〜第4の実施形態と同様に2次元的に配列されたSiフォトダイオードを有するMOS型のイメージセンサを使用することができる。
【0051】
図12は、図11の放射線イメージセンサ1dの動作を説明する拡大断面図である。被写体32によって遮光されないあるいは透過した放射線30は、ポリパラキシリレン膜12、パイレックスガラス基板5、アルミニウム膜70、誘電体多層膜ミラー6を通過してシンチレータ10へ入射する。シンチレータ10は入射した放射線30を光へ変換し放射する。シンチレータ10から放射された光のうち、撮像素子側へとは向かわず誘電体多層膜ミラー6側へと向かう成分は、誘電体多層膜ミラー6により反射されシンチレータ10へと返され、最終的に撮像素子20へと向かい受光される。撮像素子20はこれらの光画像情報を電気信号へと変換して出力する。出力された電気信号はモニタなどに送られて、イメージ画像が表示される。ここで、前述したように、誘電体多層膜ミラー6は光反射率が100%ではないため、シンチレータ10で発生した光で誘電体多層膜ミラー6側へと向かう光の成分のうち、数%は誘電体多層膜ミラー6を透過してしまう。本実施形態によるシンチレータパネル1dでは、誘電体多層膜ミラー6とパイレックスガラス基板5との間にアルミニウム膜70が設けられているため、透過光はこのアルミニウム膜70で反射され、誘電体多層膜ミラー6へと返される。すなわち、シンチレータ10側からパイレックスガラス基板5への光入射を確実に阻止することができるとともに、パイレックスガラス基板5側からシンチレータ10側への光入射もまた確実に阻止することができるので、外乱光の入射や迷光の発生を確実に抑制して、第1の実施形態と同様に、解像度の劣化やS/N比の低下を抑制することができる。
【0052】
図13は、本発明に係るシンチレータパネルの第4の実施形態の縦断面図である。このシンチレータパネル1eでは、パイレックスガラス基板5と誘電体多層膜ミラー6との間に光吸収膜としてのカーボン含有ポリイミド80が設けられている。カーボン含有ポリイミド80は、シンチレータ10から放射され誘電体多層膜ミラー6を透過した光を吸収するものである。このシンチレータパネル1eは、シンチレータパネル1dとほぼ同一の工程で製造されるが、図10Bに示されるアルミ蒸着工程に代えて、カーボン含有ポリイミド樹脂を塗布して硬化させる工程を備えている点のみが相違する。
【0053】
図14は、図13に示されたシンチレータパネル1eに対し撮像素子20を組み合わせて形成された放射線イメージセンサ2eの縦断面図であり、図15はその動作を示す拡大断面図である。被写体32によって遮光されないあるいは透過された放射線30は、ポリパラキシリレン膜12、パイレックスガラス基板5、カーボン含有ポリイミド80、誘電体多層膜ミラー6を通過してシンチレータ10へ入射する。シンチレータ10は入射した放射線30を光へ変換し放射する。既に述べたように、この光のうちの一部は誘電体多層膜ミラー6を透過するが、本実施形態では、パイレックスガラス基板5と誘電体多層膜ミラー6との間に、光吸収膜としてのカーボン含有ポリイミド80が設けられているため、透過光はこのカーボン含有ポリイミド80上で吸収される。これにより、パイレックスガラス基板5へと進み、パイレックスガラス基板5の放射線入射面で反射して誘電体多層膜ミラー6側へと戻る光成分や、放射線入射面を通過しハウジング25内で反射を繰り返し、再度放射線イメージセンサ52内部に入光するような光成分は発生しない。従って、コントラストを低下させるなど光出力に悪影響を及ぼすことが防止されている。
【0054】
第3、第4の実施形態で示されたシンチレータパネル1d、1eを有する放射線イメージセンサ2d、2eのコントラスト比を評価するため、本発明の実施例としてのサンプル2個(実施例3、実施例4)と、従来型の放射線イメージセンサとしてのサンプル1個(比較例2)をそれぞれ構成を変えて作成した。いずれのサンプルもパイレックスガラス製の基板に誘電体多層膜の光反射膜を設け、CsIからなるシンチレータを堆積して、ポリパラキシリレン膜を保護膜として設けたものであり、撮像素子はC−MOSを使用した。違いは、比較例2がパイレックス基板上に直接誘電体多層膜を形成しているのに対し、実施例3は、誘電体多層膜と基板との間にアルミニウム膜を、実施例4は、誘電体多層膜と基板との間にカーボン含有ポリイミド膜を有している点である。
【0055】
コントラスト比を測定するための試験として、直径3cm、厚さ0.5mmの鉛製の被写体をパイレックスガラス基板5上に配置して放射線を照射し、鉛で隠れた部分及び放射線に露呈している部分に対し、放射線イメージセンサが取得した信号値をそれぞれの場合について測定し、比率として算出した。比較例2を100とした時の実施例3、4のコントラスト比はいずれも110であり、比較例2よりも明瞭な像が取得できることが確認された。
【0056】
本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、各実施形態の構成を組み合わせた変形形態も当然、本発明の範囲に含まれる。例えば、シンチレータパネルの第3、第4の実施形態において、第2の実施形態のようにシンチレータに輝尽性蛍光体を用いてもよい。また、図11、図14に示される放射線イメージセンサを図8、図9に示されるようなハウジングに収容してもよい。さらに、基板5への光の入反射を抑制する部材を基板の一方の面だけではなく、両方の面に設けてもよい。
【0057】
【産業上の利用可能性】
本発明に係るシンチレータパネル、放射線イメージセンサは、胸部撮影などの医療用あるいは非破壊検査等の工業用途において好適に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るシンチレータパネルの第1の実施形態の縦断面図である。
【図2】 図2A〜図2Fは、図1のシンチレータパネルの製造方法を示す縦断面図である。
【図3】 図1のシンチレータパネルを用いた放射線イメージセンサの縦断面図である。
【図4】 図3の放射線イメージセンサの動作を示す拡大断面図である。
【図5】 本発明に係るシンチレータパネルの第2の実施形態の縦断面図である。
【図6】 図5のシンチレータパネルの使用法を説明する図である。
【図7】 本発明に係る放射線イメージセンサの第2の実施形態を示す縦断面図である。
【図8】 本発明に係る放射線イメージセンサの第3の実施形態を示す縦断面図である。
【図9】 本発明に係るシンチレータパネルの第3の実施形態を示す縦断面図である。
【図10】 図10A〜図10Fは、図9のシンチレータパネルの製造方法を説明する縦断面図である。
【図11】 図10のシンチレータパネルを利用した本発明に係る放射線イメージセンサの第4の実施形態を示す縦断面図である。
【図12】 図11の放射線イメージセンサの動作を説明する拡大断面図である。
【図13】 本発明に係るシンチレータパネルの第4の実施形態の縦断面図である。
【図14】 図13のシンチレータパネルを利用した本発明に係る放射線イメージセンサの第5の実施形態を示す縦断面図である。
【図15】 図14の放射線イメージセンサの動作を説明する拡大断面図である。
【図16】 従来型の放射線イメージセンサを示す縦断面図である。
【図17】 従来型の放射線イメージセンサを示す縦断面図である。
Claims (16)
- 耐熱性の光透過基板と、
前記基板の一方の表面上に形成される光吸収部材と、
前記光吸収部材上に堆積される誘電体多層膜ミラーと、
前記誘電体多層膜ミラー上に柱状構造を成して複数配列して堆積され、入射された放射線を光に変換して発生させるシンチレータと、
少なくとも前記シンチレータを被覆する保護膜と、
を備えており、前記光吸収部材は、前記シンチレータから発せられて前記誘電体多層膜ミラーを透過した光を吸収して、前記多層膜ミラー方向への反射を抑制することを特徴とするシンチレータパネル。 - 耐熱性の光透過基板と、
前記基板の一方の表面上に形成される光吸収部材と、
前記基板の前記光吸収部材が形成された面と反対の面上に堆積される誘電体多層膜ミラーと、
前記誘電体多層膜ミラー上に柱状構造を成して複数配列して堆積され、入射された放射線を光に変換して発生させるシンチレータと、
少なくとも前記シンチレータを被覆する保護膜と、
を備えており、前記光吸収部材は、前記シンチレータから発せられて前記誘電体多層膜ミラー、前記光透過基板を通過した光を吸収して、前記光透過基板方向への反射を抑制することを特徴とするシンチレータパネル。 - 前記基板はガラス基板である請求項1または2に記載のシンチレータパネル。
- 前記光吸収部材はブラックアルミニウムである請求項1または2に記載のシンチレータパネル。
- 前記光吸収部材はカーボン粒子を含有するポリイミドである請求項1または2に記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータと前記誘電体多層膜ミラーとの間に剥離防止層をさらに備えている請求項1〜5のいずれかに記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータは、CsI又はNaIを主成分とする請求項1〜6のいずれかに記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータは輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のシンチレータパネル。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のシンチレータパネルと、
前記シンチレータパネルの前記シンチレータに対向して配置され前記シンチレータにより発生した光を電気信号に変換する撮像素子と、
を備えたことを特徴とする放射線イメージセンサ。 - 請求項2記載のシンチレータパネルと、
前記シンチレータパネルの前記シンチレータに対向して配置され前記シンチレータにより発生した光を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子とシンチレータパネルを被覆するとともに前記光吸収部材に圧接して固定されているハウジングと、
を備えている放射線イメージセンサ。 - 前記光吸収部材は弾性体からなる請求項10記載の放射線イメージセンサ。
- 耐熱性の光透過基板を用意し、
この基板上に所定の膜厚を有する誘電体層を多層積層することにより所望の反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを形成し、
前記誘電体多層膜ミラー上に放射線を光に変換するシンチレータの柱状構造を堆積により形成し、
前記基板の前記誘電体多層膜形成面と反対の面に前記シンチレータが発して前記誘電体多層膜ミラーおよび前記光透過基板を透過した光を吸収して、前記光透過基板方向への反射を抑制する光吸収部材を形成し、
これと前後して少なくとも前記シンチレータを保護膜で被覆する、
工程を備えるシンチレータパネルの製造方法。 - 耐熱性の光透過基板を用意し、
この基板上に光吸収部材を形成し、
前記光吸収部材上に所定の膜厚を有する誘電体層を多層積層することにより所望の反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを形成し、
前記誘電体多層膜ミラー上に放射線を光に変換するシンチレータの柱状構造を堆積により形成し、
少なくとも前記シンチレータを保護膜で被覆する、
工程を備えており、前記光吸収部材は、前記シンチレータから発せられて前記誘電体多層膜ミラーを透過した光を吸収して前記誘電体多層膜ミラー方向への反射を抑制する部材であるシンチレータパネルの製造方法。 - 請求項12または13記載の製造方法で得られたシンチレータパネルのシンチレータに対向して撮像素子を配置する工程をさらに備えている放射線イメージセンサの製造方法。
- 前記シンチレータパネルをハウジングで被覆する工程をさらに備えている請求項14記載の放射線イメージセンサの製造方法。
- 耐熱性の光透過基板を用意し、
この基板上に所定の膜厚を有する誘電体層を多層積層することにより所望の反射特性を有する誘電体多層膜ミラーを形成し、
前記誘電体多層膜ミラー上に放射線を光に変換するシンチレータの柱状構造を堆積により形成し、
少なくとも前記シンチレータを保護膜で被覆してシンチレータパネルを作成し、
前記シンチレータパネルのシンチレータに対向して撮像素子を、シンチレータパネルのシンチレータ形成面と反対の面に弾性体からなり前記シンチレータから発せられ、前記誘電体多層膜ミラー、前記光透過基板を透過した光を吸収して前記光透過基板方向への反射を抑制する光吸収部材をそれぞれ配置してハウジング内に収容する、
工程を備える放射線イメージセンサの製造方法。
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Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2001284525A1 (en) | 2000-09-11 | 2002-03-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
US20040164251A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Bergh Rudy Van Den | Storage phosphor panel, radiation image sensor and methods of making the same |
US6898265B1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-05-24 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Scintillator arrays for radiation detectors and methods of manufacture |
US7164140B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Stimulable phosphor panel and method of producing stimulable phosphor panel |
JP5010244B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-08-29 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置 |
JP2007165696A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008026013A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | シンチレータパネルおよび放射線検出器 |
DE102006038969B4 (de) * | 2006-08-21 | 2013-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4894453B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2012-03-14 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像検出器 |
JP5326200B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2013-10-30 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータプレート、シンチレータパネル、及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクター |
JP5239866B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2013-07-17 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線フラットパネルディテクター |
WO2008090796A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクタ |
JP2008185393A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル |
JP5050572B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2012-10-17 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像検出器 |
JP4501952B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、その駆動方法および電子機器 |
JP4770773B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-09-14 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線用シンチレータパネルの製造方法、及び放射線画像撮影装置 |
WO2008126757A1 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | シンチレータパネル |
JP5301108B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-09-25 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
US7468514B1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US7732788B2 (en) * | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
EA013284B1 (ru) | 2007-06-15 | 2010-04-30 | Хамамацу Фотоникс К.К. | Панель преобразования радиационного изображения и датчик радиационного изображения |
US7465932B1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US20080311484A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Hamamatsu Photonicfs K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
JP2009025075A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線用シンチレータパネルおよびフラットパネルディテクター |
JP2009032929A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2009022518A1 (ja) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | シンチレータパネル |
US8525132B2 (en) * | 2007-09-06 | 2013-09-03 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Flat panel detector |
JP4693827B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
WO2010018496A2 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and method for preparing same |
JP2010122094A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nuclear Fuel Ind Ltd | 燃料集合体の外観検査装置用反射鏡および燃料集合体の外観検査装置 |
JP5883556B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2016-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
CN102520435A (zh) * | 2010-06-24 | 2012-06-27 | 江苏康众数字医疗设备有限公司 | 闪烁体组合板 |
CN101893717A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-11-24 | 江苏康众数字医疗设备有限公司 | 闪烁体面板以及闪烁体组合板 |
JP5710347B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2015-04-30 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置及び製造方法 |
JP5653829B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2015-01-14 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置、放射線撮影システム及び放射線撮影方法 |
US8993971B2 (en) * | 2011-06-15 | 2015-03-31 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High resolution positron emission tomography |
JP5911274B2 (ja) * | 2011-11-28 | 2016-04-27 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
JP5947155B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-07-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線像変換パネル |
RU2522737C1 (ru) * | 2012-12-27 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Автономный приемник рентгеновского и ультрафиолетового излучения |
JP6186748B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-08-30 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
US9702986B2 (en) * | 2013-05-24 | 2017-07-11 | Teledyne Dalsa B.V. | Moisture protection structure for a device and a fabrication method thereof |
JP6487263B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-03-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
JP6258895B2 (ja) * | 2015-06-03 | 2018-01-10 | 三菱電機プラントエンジニアリング株式会社 | 放射能汚染検査装置 |
JP6154518B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-06-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線像変換パネル |
JP7325295B2 (ja) * | 2019-10-24 | 2023-08-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61246700A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-11-01 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
JPH0258000A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-02-27 | Konica Corp | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
JPH05203755A (ja) * | 1991-09-23 | 1993-08-10 | General Electric Co <Ge> | 光収集効率を高めた光検出器シンチレータ放射線撮像装置 |
JPH07287100A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル及び放射線像読取方法 |
JPH0850200A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-02-20 | Sony Corp | 増感紙、フィルム自動搬送装置及び増感紙の製造方法 |
JPH09297181A (ja) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
JPH10160898A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sony Corp | 蛍光体素子及び放射線像観測装置 |
JPH11101895A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Canon Inc | 放射線検出装置の製造方法 |
JP2000098095A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線増感スクリーン |
JP2000162396A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kasei Optonix Co Ltd | 放射線増感紙セット |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4032791A (en) * | 1976-06-16 | 1977-06-28 | Gte Sylvania Incorporated | Fluorescent screen and method of making |
JPS5689702A (en) | 1979-12-21 | 1981-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Laser beam reflecting mirror |
JPS59500583A (ja) * | 1982-04-18 | 1984-04-05 | コスロウ テクノロジ−ズ コ−ポレイシヨン | 螢光光学変換体を用いて多重化した大規模列の離散電離放射線検出器 |
JPS5950583A (ja) | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS6173901A (ja) | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置用金属鏡の製造方法 |
NL8602021A (nl) | 1986-08-07 | 1988-03-01 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een beeldopneeminrichting voor radiografische toepassingen. |
US5433988A (en) * | 1986-10-01 | 1995-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray |
FR2647955B1 (fr) | 1989-05-30 | 1991-08-16 | Thomson Tubes Electroniques | Ecran d'entree de tube intensificateur d'image radiologique |
JPH03130633A (ja) | 1989-10-13 | 1991-06-04 | Hitachi Metals Ltd | 半導体圧力センサの零点補正装置 |
US5864146A (en) | 1996-11-13 | 1999-01-26 | University Of Massachusetts Medical Center | System for quantitative radiographic imaging |
JPH0451482A (ja) | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 自己消弧型避雷装置 |
JPH04118599A (ja) | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Fujitsu Ltd | X線画像変換シートおよびそのシートを用いる装置 |
US5187369A (en) | 1990-10-01 | 1993-02-16 | General Electric Company | High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer |
US5179284A (en) | 1991-08-21 | 1993-01-12 | General Electric Company | Solid state radiation imager having a reflective and protective coating |
US5132539A (en) * | 1991-08-29 | 1992-07-21 | General Electric Company | Planar X-ray imager having a moisture-resistant sealing structure |
JP3130633B2 (ja) | 1992-03-05 | 2001-01-31 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
US5463225A (en) | 1992-06-01 | 1995-10-31 | General Electric Company | Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating |
TW331667B (en) * | 1995-09-05 | 1998-05-11 | Canon Kk | Photoelectric converter |
JP2966345B2 (ja) | 1996-02-07 | 1999-10-25 | 元旦ビューティ工業株式会社 | 縦葺外装構造及びその施工方法 |
JP2966348B2 (ja) | 1996-07-16 | 1999-10-25 | 株式会社日本触媒 | スルフィド基含有チオール化合物の製造方法 |
EP0903590B1 (en) * | 1997-02-14 | 2002-01-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of producing the same |
CN100397096C (zh) | 1997-02-14 | 2008-06-25 | 浜松光子学株式会社 | 放射线检测元件及其制造方法 |
US6040962A (en) * | 1997-05-14 | 2000-03-21 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element with conductive films and magnetic domain films overlapping a central active area |
JP3334581B2 (ja) | 1997-11-27 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | X線画像検出器 |
US6031234A (en) | 1997-12-08 | 2000-02-29 | General Electric Company | High resolution radiation imager |
WO1999066351A1 (fr) | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de depot de fil organique |
WO1999066350A1 (fr) | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur et capteur d'image radiologique |
JP3691391B2 (ja) | 1998-06-18 | 2005-09-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
EP1024374B1 (en) | 1998-06-18 | 2002-06-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
EP1118878B1 (en) | 1998-06-18 | 2005-08-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and method for producing the same |
WO2000036436A1 (fr) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Element optique et detecteur de rayonnement mettant ce dernier en application |
CN1161625C (zh) | 1999-04-09 | 2004-08-11 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁体面板和射线图象传感器 |
KR100687365B1 (ko) | 1999-04-16 | 2007-02-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 |
JP4298081B2 (ja) * | 1999-09-01 | 2009-07-15 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びそれを備えた放射線撮像システム |
JP2001074845A (ja) | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Canon Inc | 半導体装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
US6414315B1 (en) * | 1999-10-04 | 2002-07-02 | General Electric Company | Radiation imaging with continuous polymer layer for scintillator |
AU2001284525A1 (en) | 2000-09-11 | 2002-03-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
CN1304853C (zh) | 2000-09-11 | 2007-03-14 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁器面板、放射线图象传感器和它们的制造方法 |
GB0022488D0 (en) | 2000-09-13 | 2001-09-19 | Serco Ltd | Method apparatus for identifying the source of an impulsive or explosive ev ent |
JP2002148342A (ja) | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
DE20021660U1 (de) | 2000-12-20 | 2002-05-02 | Alanod Aluminium Veredlung Gmb | Verbundmaterial |
DE20021657U1 (de) | 2000-12-20 | 2002-05-02 | Alanod Aluminium Veredlung Gmb | Abdeckteil für eine Lichtquelle |
US6835936B2 (en) | 2001-02-07 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system |
US7618511B2 (en) | 2003-03-07 | 2009-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and method of manufacturing radiation image sensor |
JP2006119124A (ja) | 2004-09-22 | 2006-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよびその製造方法 |
JP2006113007A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネル |
-
2001
- 2001-09-11 AU AU2001284525A patent/AU2001284525A1/en not_active Abandoned
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61246700A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-11-01 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
JPH0258000A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-02-27 | Konica Corp | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
JPH05203755A (ja) * | 1991-09-23 | 1993-08-10 | General Electric Co <Ge> | 光収集効率を高めた光検出器シンチレータ放射線撮像装置 |
JPH07287100A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル及び放射線像読取方法 |
JPH0850200A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-02-20 | Sony Corp | 増感紙、フィルム自動搬送装置及び増感紙の製造方法 |
JPH09297181A (ja) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
JPH10160898A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sony Corp | 蛍光体素子及び放射線像観測装置 |
JPH11101895A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Canon Inc | 放射線検出装置の製造方法 |
JP2000098095A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線増感スクリーン |
JP2000162396A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kasei Optonix Co Ltd | 放射線増感紙セット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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