JP5004549B2 - 電子部品の基板への搭載方法及びはんだ面の形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、はんだ接合により電子部品を基板上に実装する実装構造、特に、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金面を用いて電子部品を基板上に搭載する方法に関する。また、本発明は、電子部品等を搭載する面として好適なはんだ面を形成する方法に関する。本発明は、電子部品をはんだ面接合により基板上に搭載するあらゆる種類の電子装置、例えば、シリコンインターボーザー、ＬＥＤ、光部品等に利用することができる。
従来、電子部品の基板に搭載するための接合用材料として、ＰｂおよびＳｎを主成分とするはんだが用いられてきた。また、鉛を含まないはんだ合金も使用されている。このような無鉛はんだとして、従来、はんだ接合により電子部品を基板上に実装する場合、基板上の電極部分に金（Ａｕ）或いはすず（Ｓｎ）のめっきを施していた。或いは、Ａｕ−Ｓｎ合金のはんだペレットを使用していた。
図１ははんだ接合により電子部品を基板上に実装する従来例を示すもので、キャビティ付きの基板のステージ用電極上に半導体チップを実装する場合を示す。図１において、１はキャビティ付きの略矩形のシリコン基板で、周囲に枠状の突起部があり、中央部は窪んだキャビティ領域２とされた形状を有する。キャビティ領域２の中心部は半導体チップ搭載領域３であって、この領域には銅よりなるステージ用電極４が形成される。キャビティ領域２内の半導体チップ搭載部３の周辺には、搭載された半導体チップ５とボンディング・ワイヤ等（図示せず）で接続される多数の銅よりなる端子電極６が所定間隔おきに形成されている。端子電極の裏面側は、外部接続端子として形成されている。
このようなキャビティ付きシリコン基板１に電子部品５を搭載するには、従来、次のような方法で行われていた。
図１（ａ）において、シリコン基板１に孔開け加工等を施すと共に、エッチング等で中央に凹部を有するキャビティ形状２に構成し、孔部にスルーホールめっき等を施して、中央にステージ用電極４及び周辺に多数の端子電極６を形成する。なお、シリコン基板はキャビティ形状であるために、凹部の内部表面の平滑化処理をうまく行うことができず、ステージ用電極４及び端子電極６の表面は、図では誇張して示したように、凹凸がある形状である。
そして、中央のステージ用電極４の表面及び周辺の端子電極６の表面にそれぞれ金（Ａｕ）めっき７を施す。このように、ステージ用電極４および端子電極６の表面に金めっき７を施すのは、これらの半導体チップ５とステージ用電極４との密着性、及び端子電極６とボンディングワイヤ（図示せず）との接合性を良好にするためである。
図１（ｂ）において、金（Ａｕ）めっき７が施されたステージ用電極４にＡｕ−Ｓｎはんだペレット８が貼付される。このＡｕ−Ｓｎはんだペレット８は、搭載する半導体チップ５とステージ用電極４との間の接合性を良好にするものである。
図１（ｃ）においては、Ａｕ−Ｓｎはんだペレット８により半導体チップ５がシリコン基板１のステージ用電極４上に実装される。この半導体チップ５の実装は、リフロー又は半導体チップ５と電極４との同時加熱により行う。
その後、シリコン基板１上に実装した半導体チップ５の電極と端子電極６との間がボンディングワイヤ（図示せず）により接続される。
また、本発明に関連する先行技術しては、特開２００６−３５３１０号公報（特許文献１）がある。この先行技術によると、電子部品の基板実装用のはんだとして融点の比較的高い無鉛はんだを使用する場合であっても、リフロー時の熱による悪影響が生じず、電子部品内部の接合であるダイボンディング等に好適に用いることができる無鉛はんだ合金を得ることを目的とし、Ｃｕを１０質量％を超えて２４．９質量％以下、Ｓｂを５質量％以上含有し、残部がＳｎからなり、かつ、Ｓｎの含有量が７０質量％を超える無鉛はんだとしている。また、Ｃｕとともに、Ａｇ、ＡｕおよびＰｄからなる群から選択された１種以上の元素を所定量含有させること、また、Ｔｅを添加することが好ましく、ＰまたはＧｅを添加することも好ましい旨の開示がある。
特開２００６−３５３１０号公報
図１に示した従来技術のように、キャビティ付きシリコン基板のような、キャビティ内部の表面に対して研磨治具等の器具を操作することが困難であるため、内部表面の平滑化が困難なステージ電極や端子電極を有する基板のステージ電極上に電子部品（半導体チップ）を実装する場合には、ステージ電極や端子電極について表面の平滑化が困難であるため、表面の平滑化が十分でなく、実装した電子部品とステージ電極との間の密着性が良好でないと、という問題がある。また、これを解消するために、ステージ用電極や端子電極上に金めっきを施したり、更にステージ用電極にはＡｕ−Ｓｎはんだペレットを使用する等、半導体チップ搭載面を平滑化するのに高価な手段を必要とする、という問題がある。
また、上述した先行技術（特許文献１）に開示されている無鉛はんだ合金においても、上述のようなキャビティ付きシリコン基板のような表面の平滑化が困難な基板に対して電子部品を密着性良く搭載することができるものではない。
そこで、本発明では、基板のはんだ面に電子部品を搭載する場合等に好適に使用することのできる、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金からなる平滑化されたはんだ面を安価に形成し得るはんだ面の形成方法を提供することを課題とする。
更に、本発明は、キャビティ付きシリコン基板のような表面の平滑化が困難な基板であっても、電子部品を搭載するステージ電極面を平滑化して電子部品を好適に搭載することのできる基板への電子部品の搭載方法を提供することを課題とする。
上記の課題を達成するために、本発明によれば、基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上にＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化することを特徴とするはんだ面の形成方法が提供される。このように本発明では、基板の電極面にＡｕバンプを形成した後Ｓｎ系はんだシートとの間で、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金とした上で、平滑化処理を行っているので、平滑なはんだ面を安価に形成することができる。
基板上の複数の電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプのそれぞれに接触するように１枚のＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートと複数のＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金としたことを特徴とする。この場合において、複数のＡｕバンプと１枚のＳｎ系はんだシートとの間で、１塊のＡｕ−Ｓｎ共晶合金としているので、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金は個々の電極面に接合され、且つ平滑化処理を行っているので、平滑なはんだ面を安価に形成することができる。
更にまた、本発明によると、基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上に多数個のＳｎ系はんだボールを適用し、該Ｓｎ系はんだボールとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化することを特徴とする。この場合も、基板の電極面にＡｕバンプを形成した後Ｓｎ系はんだボールとの間で、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金とした上で、平滑化処理を行っているので、平滑なはんだ面を安価に形成することができる。
この場合において、基板上の複数の電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプの形成領域に、個々のＳｎ系はんだボールを通過させる大きさの多数個の孔を有する振り込めマスクを用いて、該振り込めマスクの孔を介して前記Ｓｎ系はんだボールを適用することを特徴とする。
前記Ａｕバンプをボンダーによりスタッドバンプとして形成することを特徴とする。この場合において、ボンダーとして、通常のワイヤボンディングにおいて使用されているワイヤボンダーを使用することができる。これにより、金のスタッドバンプを容易且つ安価に形成することができる。
また、本発明によると、基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上にＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化し、該平滑化した共晶合金の面上に電子部品を接合することを特徴とする基板への電子部品の搭載方法が提供される。本発明では、基板の電極面にＡｕバンプを形成した後Ｓｎ系はんだシートとの間で、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金とした上で、平滑化処理を行った後に電子部品を平滑面に搭載しているので、電極面と電子部品との間の密着性を良好にすることができる。
前記基板は、周囲部が枠状に形成され且つ中央部の凹部に前記電極面が形成されたキャビティ付きシリコン基板であり、前記凹部内の中心部に電子部品搭載用ステージ電極が形成され、該凹部内のステージ電極の周囲に複数の端子電極が形成されたものであり、前記共晶合金の面上に電子部品を接合した後、該電子部品と前記複数の端子電極との間でワイヤボンディングが行われることを特徴とする。これにより、キャビティ付きシリコン基板のような、表面の平滑化が困難な電極上に電子部品を実装する場合においても、安価な方法で電極の表面の平滑化を確保することができ、実装した電子部品とステージ電極との間の密着性を良好にすることができる。
電子部品搭載用ステージ電極は複数の電極面からなり、該電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプのそれぞれに接触するように１枚のＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートと複数のＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とすることを特徴とする請求項５に記載の基板への電子部品の搭載方法。この場合において、複数のＡｕバンプと１枚のＳｎ系はんだシートとの間で、１塊のＡｕ−Ｓｎ共晶合金とされ、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金は個々の電極面に接合され且つ平滑化処理されているので、実装した電子部品とステージ電極との間の密着性を良好にすることができる。
更にまた、本発明によると、基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上に多数個のＳｎ系はんだボールを適用し、該Ｓｎ系はんだボールとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化し、該平滑化した共晶合金の面上に電子部品を接合することを特徴とする基板への電子部品の搭載方法が提供される。本発明では、基板の電極面にＡｕバンプを形成した後Ｓｎ系はんだボールとの間で、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金とした上で、平滑化処理を行った後に電子部品を平滑面に搭載しているので、電極面と電子部品との間の密着性を良好にすることができる。
この場合においても、電子部品搭載用ステージ電極は複数の電極面からなり、該電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプの形成領域に、個々のＳｎ系はんだボールを通過させる大きさの多数個の孔を有する振り込めマスクを用いて、該振り込めマスクの孔を介して前記Ｓｎ系はんだボールを適用することが可能である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
図２及び図３は本発明の実施形態に係る電子部品を基板に実装する方法を工程順に説明する図であり、図２（ａ）〜（ｆ）は前半の工程、図３（ａ）〜（ｅ）は後半の工程をそれぞれ示す。
まず、図２（ａ）において、キャビティ付き基板を形成するための所定の厚さのシリコンウエハ１０を準備する。次に図２（ｂ）において、シリコンウエハ１０上に第一次のレジスト１２が塗布され、パターニングされる。このパターニングにより、次の工程で穴あけ加工をするレジストの部位に開口１２ａ、１２ｂが形成される。これらの開口１２ａ、１２ｂは、電子部品を搭載するためのステージ電極を形成する複数の部位（１２ａ）及びワイヤボンディングする端子電極を形成する部位（１２ｂ）に相当する。
図２（ｃ）において、第一次穴あけ加工を行う。この穴開け加工にあたっては、ドライエッチング又はウェットエッチングにより行うのが好適である。必要により、形成される穴がテーバ状となるように、穴加工の始め点及び終点を規制した等方性エッチングが行われる。これにより、レジスト１２の開口部１２ａ、１２ｂに相当する部位に穴１４、１６が形成される。中央にある複数の穴１４はステージ電極を形成する部位、周囲部にある複数の穴１６は端子電極を形成する部位に相当する。
図２（ｄ）において、シリコンウエハ１０上に第二次のレジスト１２が塗布され、パターニングされる。このパターニングにより、次の工程で基板のキャビティを形成するレジストの部位に開口１２ｃが形成される。この開口１２ｃは、前の工程で穴加工した、ステージ電極を形成する部位及び端子電極を形成する部位を含み且つ基板の外周領域に残された矩形状の枠ないしダムの内側領域に相当する。
図２（ｅ）において、キャビティを形成するための第二次穴あけ加工を行う。この穴開け加工にあたっては第一次穴開け加工の場合と同様ドライエッチング又はウェットエッチングにより行われる。これにより、基板の中央部にキャビティ１８が形成され、このキャビティ１８内部領域の中心部にステージ電極を形成するための複数の穴１４が、周囲部に端子電極を形成する複数の穴１６が残される。キャビティ１８の内側は例えば１辺が約１．８ｍｍ程度の正方形であり、基板の外側は例えば１辺が約２．５ｍｍ程度の正方形である。
図２（ｆ）において、残りのレジストを除去した後、シリコン基板１０の表面に酸化膜が形成され、更にキャビティ１８内部の穴１４及び１６に貫通電極２０、２２が形成される。これらの貫通電極２０、２２は銅のスルーホール電解めっき等により形成することができる。中心領域にある複数の貫通電極２０は電子部品を搭載するためのステージ電極であり、周囲領域にある複数の貫通電極２２はワイヤボンディングにより接続するための端子電極である。
図３（ａ）において、中央領域にある複数の貫通電極２０に金 （Ａｕ）のスタッドバンプ２４が形成される。スタッドバンプ２４は、ワイヤボンディングする際に使用されるポンダー（図示せず）により形成することができる。即ち、金 （Ａｕ）ワイヤをボンダー先端から排出して電極２０に接触させた直後に、ボンダー先端を電極２０から離し且つワイヤを切断することにより、図示のように、電極２０に接触した側が膨らみ上端が尖った形状のスタッド状金パンプ２４となる。これらのスタッドバンプ２４は、電子部品（図示せず）の搭載領域に存在するすべてのステージ電極２０について形成する。
この場合において、中心部の１つのステージ用電極２０に対して複数のスタッドバンプ２４を形成しても良く、また、複数のステージ用電極２０のそれぞれに１又は複数のスタッドバンプ２４を形成しても良い。
図３（ｂ）において、ステージ用電極２０の電子部品搭載領域上のスタッドバンプ２４の上から、この領域に、電子部品搭載領域の大きさ（例えば１辺約１．０ｍｍ程度の正方形）に相当する板状のＳｎ系はんだシート２６を搭載する。このはんだシート２６は、Ｓｎ系はんだペレットをシート状に形成したものである。Ｓｎ系はんだシート２６に代えて、Ｓｎ−Ａｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだシートを用いてもよい。
図３（ｃ）において、加熱炉にてリフローを行う。これにより、電子部品搭載領域上にＳｎ系はんだシート２６とスタッド状金パンプ２４とのＳｎ−Ａｕ系はんだ共晶合金２８が形成される。
図３（ｄ）において、共晶合金２８の層を平滑化する。平滑化にあたっては、通常コイニングにより、２００〜２５０℃の温度下で共晶合金２８を上方から平滑面を有する治具（図示せず）でたたく作用をすることにより、共晶合金２８の上面が平滑化される。
図３（ｅ）において、共晶合金２８の上面に電子部品３０を搭載すると共に、電子部品３０の上面の電極とシリコン基板の端子電極２２との間をボンディングワイヤ３２により電気的に接続する。
上記のような本発明の実施形態において、Ａｕスタッドバンプ２４を形成する場合の金線は、Ａｕの組成９９．９９％（４Ｎ）〜９９．９９９９％（６Ｎ）のものを使用するとして、この場合のＳｎ系はんだ材料は、例えば、
Ｓｎ３．５Ａｇ（Ｓｎ９６．５質量％、Ａｇ３．５質量％）、
Ｓｎ３．０Ａｇ０．５Ｃｕ（Ｓｎ９６．５質量％、Ａｇ３．０質量％、Ｃｕ０．５質量％）、
Ｓｎ９Ｚｎ（Ｓｎ９１．０質量％、Ｚｎ９．０質量％）、
Ｓｎ８Ｚｎ１Ｂｉ（Ｓｎ９１．０質量％、Ｚｎ８．０質量％、Ｂｉ１．５質量％）、
等である。
例えば、Ａｕワイヤ（線）８０ｍｇを使った場合、Ｓｎ３．５Ａｇを２０．７３ｍｇ使用すると、Ａｕ：Ｓｎの比率は、約８０：２０の共晶組成に近くなる。また、例えば、Ａｕワイヤ（線）８０ｍｇを使った場合、Ｓｎ３．０Ａｇ０．５Ｃｕを２０．７３ｍｇ使用すると、Ａｕ：Ｓｎの比率は、約８０：２０の共晶組成に近くなる。
このように、Ａｕ：Ｓｎの比率が３０〜９０質量％になるようにする。また、Ａｕ：Ｓｎの共晶組成は、８０：２０が好適である。
図４は、スタッドパンプを用いないでＳｎ−Ａｕ系はんだシート２６のみを用いた例である。即ち、図２（ａ）〜（ｆ）の工程の後、図４（ａ）のように、ステージ用電極２０の電子部品搭載領域上に矩形のＳｎ−Ａｕ系はんだシート２６を搭載する。そして、図４（ｂ）において、リフローにより、ステージ用電極２０に溶融接合させる。更に、図４（ｃ）において、コイニング等によりはんだシート２６の表面を平滑化し、図４（ｄ）において、はんだシート２６上に電子部品３０を搭載し、電子部品３０の上面の電極とシリコン基板の端子電極２２との間をボンディングワイヤ３２により電気的に接続する。
図５は、スタッドパンプやはんだシートのいずれも用いないで、電子部品３０を直接ステージ電極２０上に接合した例である。即ち、図２（ａ）〜（ｆ）の工程の後、図５において、複数のステージ用電極２０上にはんだバンプ３４を搭載し、或いは、電子部品３０の底面にステージ用電極２０に対応する位置に予めはんだバンプ３４を付着させておき、電子部品３０を基板のステージ上に搭載した後、リフローすることにより、バンプ３４により電子部品３０とステージ電極用２０とを接合する。
図６は、図３に示した実施形態におけるはんだシートに代えてはんだボールを用いた場合の実施形態を示す。図２及び図３で説明した点と異なる部分のみ説明する。
図６（ａ）に示す工程は、図３（ａ）に示す工程と同じであって、中央領域にある複数の貫通電極２０に金 （Ａｕ）のスタッドバンプ２４を形成した状態を示す。
図６（ｂ）及び図６（ｃ）において、ステージ用電極２０の電子部品搭載領域上のスタッドバンプ２４の上から、これら複数のＡｕバンプの形成領域、即ち、電子部品搭載領域の大きさ（例えば１辺約１．０ｍｍ程度の正方形）に相当するこの領域全体にわたって、多数個の孔を有する振り込めマスク４０を用いて、この振り込めマスク４０の孔を介してＳｎ系はんだボール４２を適用する。
振り込めマスク４０の孔は板状のマスク板であって、複数のＡｕバンプの形成領域（電子部品搭載領域）に対応する領域全体に分散して多数配置されており、各孔ははんだボール４２を各１個ずつ通過させることのできる大きさないし直径を有する。振り込めマスク４０ははんだボール４２の形成領域が、Ａｕバンプの形成領域と一致するように、シリコン基板１０の周囲の枠の上に位置決めして載置され、全体として所定量となるように多数のはんだボール４２が振り込めマスク４０の上面に充填され、各はんだボール４２は振り込めマスク４０の多数の孔を介して下方に落下される。シリコン基板１０のＡｕバンプの形成領域の全体にわたってはんだボール４２が適用された後、振り込めマスク４０が取り外され、次の工程に移る。
図６（ｄ）において、加熱炉にてリフローを行う。これにより、電子部品搭載領域上にはんだボール４２とスタッド状金パンプ２４とのＳｎ−Ａｕ系はんだ共晶合金４４が形成される。この場合において、スタッド状金パンプ２４はリフロー前からステージ用電極２０に固着されているので、はんだボール４２とスタッド状金パンプ２４とではんだ共晶合金４４が形成される際に、この共晶合金が所定の位置からずれることはない。
図６（ｅ）において、図３（ｄ）の工程と同様、共晶合金４４の層を平滑化する。平滑化にあたっては、通常コイニングにより、２００〜２５０℃の温度下で共晶合金４４を上方から平滑面を有する治具（図示せず）でたたく作用をすることにより、共晶合金４４の上面が平滑化（４４ａ）される。
図６（ｆ）において、図３（ｅ）の工程と同様、共晶合金４４ａの上面に電子部品３０を搭載すると共に、電子部品３０の上面の電極とシリコン基板の端子電極２２との間をボンディングワイヤ３２により電気的に接続する。
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
以上説明したように、本発明によれば、基板のはんだ面に電子部品を搭載する場合等に好適に使用することのできる、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金からなる平滑化されたはんだ面を安価に形成することができる。また、電子部品を搭載した場合に、接合するはんだ面が平坦であり、電子部品と電極との密着性が良好となる。
シリコン基板に電子部品を搭載する従来の方法を示す。 本発明によるシリコン基板への電子部品の搭載方法の前工程を示す。 図２に示した工程に続く本発明による電子部品の搭載方法の後工程を示す。 Ａｕ−Ｓｎはんだシートを用いたはんだ面の形成方法を示す。 はんだバンプによる電子部品の搭載方法を示す。 図３に示した実施形態におけるはんだシートに代えてはんだボールを用いた場合の実施形態を示す。
符号の説明
１０ キャビティ付きシリコン基板
１８ キャビティ
２０ ステージ用電極
２２ 端子電極
２４ スタッド（Ａｕ）バンプ
２６ Ｓｎ系はんだシート
２８ Ａｕ−Ｓｎ共晶合金
３０ 電子部品
３２ ボンディングワイヤ
４０ 振り込めマスク
４２ Ｓｎ系はんだボール

Claims (10)

  1. 基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上にＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化することを特徴とするはんだ面の形成方法。
  2. 基板上の複数の電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプのそれぞれに接触するように１枚のＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートと複数のＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金としたことを特徴とする請求項１に記載のはんだ面の形成方法。
  3. 基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上に多数個のＳｎ系はんだボールを適用し、該Ｓｎ系はんだボールとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化することを特徴とするはんだ面の形成方法。
  4. 基板上の複数の電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプの形成領域に、個々のＳｎ系はんだボールを通過させる大きさの多数個の孔を有する振り込めマスクを用いて、該振り込めマスクの孔を介して前記Ｓｎ系はんだボールを適用することを特徴とする請求項３に記載のはんだ面の形成方法。
  5. 前記Ａｕバンプをボンダーによりスタッドバンプとして形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のはんだ面の形成方法。
  6. 基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上にＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化し、該平滑化した共晶合金の面上に電子部品を接合することを特徴とする基板への電子部品の搭載方法。
  7. 電子部品搭載用ステージ電極は複数の電極面からなり、該電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプのそれぞれに接触するように１枚のＳｎ系はんだシートを搭載し、該Ｓｎ系はんだシートと複数のＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とすることを特徴とする請求項６に記載の基板への電子部品の搭載方法。
  8. 基板の電極面にＡｕバンプを形成し、該Ａｕバンプ上に多数個のＳｎ系はんだボールを適用し、該Ｓｎ系はんだボールとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金とし、該共晶合金を平滑化し、該平滑化した共晶合金の面上に電子部品を接合することを特徴とする基板への電子部品の搭載方法。
  9. 電子部品搭載用ステージ電極は複数の電極面からなり、該電極面のそれぞれに１又は複数のＡｕバンプを形成し、これら複数のＡｕバンプの形成領域に、個々のＳｎ系はんだボールを通過させる大きさの多数個の孔を有する振り込めマスクを用いて、該振り込めマスクの孔を介して前記Ｓｎ系はんだボールを適用することを特徴とする請求項８に記載のはんだ面の形成方法。
  10. 前記基板は、周囲部が枠状に形成され且つ中央部の凹部に前記電極面が形成されたキャビティ付きシリコン基板であり、前記凹部内の中心部に電子部品搭載用ステージ電極が形成され、該凹部内のステージ電極の周囲に複数の端子電極が形成されたものであり、前記共晶合金の面上に電子部品を接合した後、該電子部品と前記複数の端子電極との間でワイヤボンディングが行われることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の基板への電子部品の搭載方法。
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