JP4990801B2 - El装置 - Google Patents

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Description

本発明は、有機ELディスプレイ等のEL(Electroluminescent)装置に関する。
有機ELディスプレイ等のEL装置は、一般的に、マザー基板上に複数のEL装置に対応する構成を一度に形成し、そのマザー基板を分割することにより複数のEL装置が形成されるようになっている。その分割工程では、マザー基板の分割ラインに沿って傷を付け、その傷の付いた部分に衝撃や外力等を付与し、分割ラインに沿ってマザー基板を割るようになっている。他の分割方法としては、マザー基板の分割ラインに沿ってレーザ照射を行って、マザー基板を局所的に加熱して、クラック等を発生させることにより分割する方法もある。
一方、EL装置では、有機材料を用いた有機層等を外界から保護するため、素子形成領域を覆うようにシリコン窒化膜等の保護膜が基板上に形成されている。
しかしながら、マザー基板の分割時にマザー基板に与えられる衝撃や外力等により、あるいは、EL装置の搬送時に該装置に印加される外力等により、有機層等を保護している保護膜にクラックが生じ、そのクラックが基板の内方に位置する素子形成領域にまで及ぶ場合がある(クラックが生じた際のより詳細な様子等は、図1及び図2に基づいて後述する)。
そこで、本発明の解決すべき課題は、保護膜に生じたクラックが基板の内方の素子形成領域に及ぶのを良好に防止することができるEL装置を提供することである。
上記の課題を解決するため、請求項1の発明では、四角形状を成す基板と、前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、前記素子形成領域と前記基板の端部との間の領域に設けられた凸部と、前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜とを備え、前記凸部は、前記基板の4辺のうちの少なくとも2辺に沿って略筋状に形成されている。
また、請求項2の発明では、請求項1の発明に係るEL装置において、前記凸部は、樹脂により形成されている。
また、請求項3の発明では、請求項1又は請求項2の発明に係るEL装置において、前記凸部は、その上部よりも下部が幅狭となるように側壁面を傾倒させている。
また、請求項4の発明では、請求項1ないし請求項3のいずれかの発明に係るEL装置において、前記凸部は、前記基板の4辺に沿って連続的に形成されている。
また、請求項5の発明では、請求項1ないし請求項4のいずれかの発明に係るEL装置において、前記素子形成領域と前記基板の端部との間の領域のうち、前記基板の4辺のうちの少なくとも1辺に沿って配設され、前記有機発光素子を駆動する駆動素子をさらに備え、前記凸部は、前記駆動素子が配設されていない前記基板の2辺以上に沿って形成されている。
また、請求項6の発明では、請求項1ないし請求項5のいずれかの発明に係るEL装置において、前記凸部は、前記基板の4辺のうちの少なくとも2辺に沿って複数列に形成されている。
また、請求項7の発明では、請求項1ないし請求項6のいずれかの発明に係るEL装置において、前記凸部の高さは、保護膜の厚みよりも大きく設定される。
また、請求項8の発明では、請求項1ないし請求項7のいずれかの発明に係るEL装置において、前記基板はマザー基板から分割されたものであり、前記基板の辺は、前記基板が前記マザー基板から分割される際の分割ラインに対応している。
また、請求項9の発明では、基板と、前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、前記素子形成領域と前記基板の端部との間に配置され、樹脂により形成された凸部と、前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜とを備え、前記凸部は、前記基板の端部に沿って略筋状に形成されている。
また、請求項10の発明では、基板と、前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、前記素子形成領域と前記基板の端部との間に設けられた凸部と、前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜とを備え、前記凸部は、その上部よりも下部が幅狭となるように側壁面を傾倒させている。
また、請求項11の発明では、基板と、前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、前記素子形成領域と前記基板の端部との間に設けられた凹部と、前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、凹部の内面を被覆するように形成された保護膜とを備え、前記凹部は、前記基板の端部に沿って略筋状に形成されている。
また、請求項12の発明では、請求項11の発明に係るEL装置において、前記凹部の深さは、前記保護膜の厚みよりも大きい。
また、請求項13の発明では、請求項1ないし請求項10のいずれかの発明に係るEL装置において、前記素子形成領域はシール材によって取り囲まれており、前記凸部は前記シール材よりも前記基板の端部側に位置している。
また、請求項14の発明では、請求項11又は請求項12の発明に係るEL装置において、前記素子形成領域はシール材によって取り囲まれており、前記凹部は前記シール材よりも前記基板の端部側に位置している。
また、請求項15の発明では、前記素子形成領域は、隣り合う前記有機発光素子間の領域に配置される隔壁を更に有し、前記隔壁及び前記凸部は、上面よりも下面が幅狭となる断面逆テーパー状に形成され、上面の幅と下面の幅との差が前記隔壁よりも前記凸部の方が大きい。
また、請求項16の発明では、基板と、前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、前記素子形成領域と前記基板の端部との間の領域に設けられた凸部と、前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜と、を備え、前記凸部は、前記基板の端部に沿って形成されている。
また、請求項17の発明では、請求項16に記載のEL装置において、前記凸部は、樹脂により形成されている。
また、請求項18の発明では、請求項16又は請求項17に記載のEL装置において、前記凸部は、前記凸部の上部よりも下部が幅狭となるように側壁面を傾倒させていることを特徴とする。
また、請求項19の発明では、請求項16乃至請求項18のいずれかに記載のEL装置において、前記凸部は、前記基板の端部に沿って連続的に形成されている。
また、請求項20の発明では、請求項16乃至請求項19のいずれかに記載のEL装置において、前記凸部は、前記基板に沿って複数列に形成されていることを特徴とする。
また、請求項21の発明では、請求項16乃至請求項20のいずれかに記載のEL装置において、前記凸部の厚みは、前記凸部上における前記保護膜の厚みよりも大きい。
また、請求項22の発明では、請求項16乃至請求項21に記載のEL装置において、前記素子形成領域はシール材によって取り囲まれており、前記凸部は前記シール材によって被覆されている。
また、請求項23の発明では、基板と、前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、前記素子形成領域と前記基板の端部との間に設けられた凹部と、前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、凹部の内面を被覆するように形成された保護膜と、前記素子形成領域を取り囲むように形成されたシール材と、を備え、前記凹部は、前記シール材によって被覆されている。
また、請求項24の発明では、ネガ型のレジスト膜が被着した基板と、光が通過する穴部と該穴部の周辺領域に光の通過する光量が前記穴部よりも少ないハーフトーン部とを有するマスクと、を準備する工程と、前記基板上に被着した前記レジスト膜に対して前記マスクを対向配置する工程と、前記マスクを介して前記レジスト膜に光を照射する工程と、前記レジスト膜を現像し、前記ハーフトーン部の直下に対応する領域に上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状となる隔壁を形成する工程と、を備えたことを特徴とするEL装置の製造方法。
本発明によれば、基板の端部で生じた保護膜のクラックを凸部にて良好に低減することができ、EL装置が破壊されるのを効果的に抑制することが可能となる。
<保護膜に生じるクラックについて>
実施形態についての具体的な説明を行う前に、マザー基板の分割時等に生じる保護膜のクラックについて説明する。
EL装置1の製造工程では、図1及び図2に示すようにガラス等により形成されたマザー基板2を用いて複数のEL装置1に対応する構成(有機発光素子や配線、隔壁等)が一度に作成される。その後、マザー基板2を分断して複数の各EL装置1が得られるようになっている。より詳細には、
(I)マザー基板2上における各単位区画に有機発光素子や配線等を形成する。有機発光層や配線の形成には、従来周知の薄膜形成技術(蒸着法、CVD法)及びフォトリソグラフィー技術が採用される。
(II)次に、有機材料を用いた有機発光素子等を外界から保護するための保護膜6を形成する。この保護膜6は、SiN系やSiO系、SiON系の材料から成り、有機発光素子の形成後に、有機発光素子の上から、一部領域を除いてマザー基板2の全体に形成される。保護膜6が形成されない領域としては、例えば、後述する有機発光素子を駆動するためのチップ状の駆動素子(例えば、駆動IC(Integrated Circuits)等)22(図3参照)が配設される領域が挙げられる。
(III) 続いて、マザー基板2の各単位区画の内周に素子形成領域3を取り囲むように、例えばエポキシ樹脂等からなるシール材4を形成し、マザー基板2に対して一枚板のカバーガラス5を貼り合わせる。なお、シール材4を構成するエポキシ樹脂は、ディスペンサー等を用いてマザー基板2上に塗布される。
(IV) そして、マザー基板2の分割が行われる。すなわち、マザー基板2及びカバーガラス5の分割ライン11,12に沿って傷11a,12aを付け、その部分に衝撃や外力等を付与し、分割ライン11,12に沿ってマザー基板2及びカバーガラス5を割るようになっている。他の分割方法としては、マザー基板2及びカバーガラス5の分割ライン11,12に沿ってレーザ照射を行って、マザー基板2及びカバーガラス5を局所的に加熱して、意図的に分割ライン11,12に沿ってクラック等を発生させることにより分割する方法もある。
このようにしてマザー基板2を分割する際に、その際の衝撃や外力により、図2に模式的に示すように保護膜6にクラック13が生じる場合がある。そして、そのクラック13が、EL装置1の基板14の外縁からシール材4によって封止された素子形成領域3内に及ぶ場合がある。
ここで、本願でいう「保護膜6のクラック」とは、保護膜6自体の亀裂と、保護膜6とその下側の膜15との間に生じる亀裂などを含む概念である。また、上記のようなクラック13の発生原因としては、マザー基板2の分割時だけでなく、分割後のEL装置1に対して与えられる衝撃や外力等により発生する場合もある。
そこで、本願発明者らは、この保護膜6のクラック13の伝播を止めることにより、EL装置1の信頼性及び歩留まりの向上等を図ることを見出した。
<実施形態について>
図3は、本発明の一実施形態に係るEL装置の分割される前の状態を示す平面図であり、図4は図3のA2−A2断面図であり、図5は図4の凸部の周りを拡大して示す図である。なお、図3及び図4に示す構成において、上述の図1及び図2に示す構成や製造方法については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係るEL装置1では、図3ないし図5に示すように、基板14の上面側における素子形成領域3の外方に、基板14の上面側に向けて突出する凸部21が設けられている。この凸部21は、基板14の端部にて発生した保護膜6のクラック13が素子形成領域3内に及ぶのを低減するものであり、矩形の基板14の辺に沿って略筋状に形成されている。このため、保護膜6は、凸部21が設けられている部分では凸部21の表面に密着している。なお、実質的に基板14の辺はマザー基板2の分割ライン11に相当しており、マザー基板2を分割ライン11で分割すると、基板14の辺が形成されるようになっている。なお、略筋状とは、基板14端部の少なくとも一部に沿って形成された線であって、蛇行した折れ線であってもよい。また、凸部21は、少なくとも2辺に沿って配置されることが好ましいが、1辺でも良い。
また、凸部21を基板14のいずれの辺に設けるかについては、有機発光素子を駆動するための駆動素子22の配設形態に応じて決定される。すなわち、基板14の駆動素子22の搭載領域には、保護膜6が被着されていないことに加え、駆動素子22の配設スペース確保のため、基板14の辺から素子形成領域3までの間隔が大きくなっている。このため、この部分では基板14の外縁で生じた保護膜6のクラック13が素子形成領域3にまで及ぶ可能性が比較的小さく、必ずしも凸部21を形成する必要がない。
そこで、本実施形態では、基板14の4辺のうち駆動素子22が配設されていない辺に沿って凸部21を設け、EL装置1の大型化を抑制している。図3に示す例では、基板14の1辺に沿って駆動素子22が配設されているため、凸部21は残りの3辺に沿って形成されている。図3に示す以外の構成としては、駆動素子22が基板14の2辺、3辺に沿って配設される場合もある。本実施形態に係る変形例として、駆動素子22の有無に関わらず、凸部21を基板14の4辺、すなわち全周に沿って形成するようにしてもよい。
このような凸部21の断面形状は、図4及び図5に示すように、下部より上部が幅広となる略逆テーパー形状となっている。凸部21の材料としては、衝撃や応力緩和の観点から、軟らかい材質のもの、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の樹脂材料が用いられる。
そして、この凸部21の働きにより、衝撃や外力等により基板14の端部で生じた保護膜6のクラック13が基板14の内方の素子形成領域3に及ぶのが抑制されるようになっている。
次に、この凸部21によるクラック止めの原理について説明する。下記の3つの効果のうちのいずれか1つ、又は2つないし3つの組合せでクラック止めの効果が発揮されているものと考えられる。
(1)基板14の上面に突出する凸部21の上から保護膜6が形成されるため、基板14の外縁に衝撃や外力が与えられた際に、図5に示すように、保護膜6に作用する衝撃や力の伝達方向B1が、凸部21が設けられる部分で大きく変化されることとなる。この点は、基板14の端部で生じた保護膜6のクラック13の拡大を凸部21にて止めるのに役立っているものと思われる。特に、本実施形態では凸部21が略逆テーパー状の断面形状を有しているため、保護膜6に作用する衝撃や力の伝搬方向B1が凸部21の下部でより大きく変化するようになっており、これによってより大きなクラック13の拡大の抑止効果が期待できる。
(2)凸部21の表面の起伏により、蒸着法、CVD法等による保護膜6の形成時に凸部21の表面の角部21aや、凸部21の側壁面と基板14側の上面とにより形成される隅部21b等に保護膜6の膜厚の薄い部分が必然的に生じる。その結果、その薄くなった部分で衝撃や力の伝搬が抑制又は断絶されるため、その膜厚の薄くなっている部分を超えて保護膜6のクラックが拡大するのを止める効果が期待できる。特に、本実施形態では、凸部21が逆テーパー状の断面形状を有しているため、蒸着法やCVD法法により保護膜6を形成する際に、凸部21の下部(凸部21の表面と基板14側の上面とにより形成される隅部21b)の表面に形成される保護膜6の膜厚を効果的に薄くすることができる。その結果、その保護膜6の膜厚の薄くなっている部分で、クラックの拡大の抑止効果を増大させることが期待できる。
(3)凸部21が樹脂により形成されている場合、EL装置1の基板14の端部に衝撃や外力が与えられた際に、凸部21が容易に弾性変形することにより、保護膜6に作用する衝撃や力が緩和されることとなる。よって、基板14の端部で生じた保護膜6のクラック13を凸部21にて止める効果を期待できる。衝撃や外力による凸部21の弾性変形のバリエーションとしては、図5に示すように、基板14に平行な方向B2に沿った凸部21の厚みが増減するような変形パターンや、基板14に垂直な方向B3に沿った凸部21の厚みが増減するような変形パターンや、それらの変形パターンの組み合わせなどが考えられる。
上記(1)を考慮すると、凸部21は、その高さが保護膜6の厚みよりも大きいことが好ましい。ここで、凸部21上における保護膜6の厚みについて、図12(a)を用いて説明する。図12(a)は、図3のA2−A2断面図であって、凸部21を拡大した図である。かかる保護膜6の厚みは、凸部21の上面21fに被着した保護膜6の厚みt5とする。保護膜6の厚みt5よりも凸部21の高さが小さいと、保護膜6に作用する衝撃や力の伝達方向B1が、凸部21の部分で変化する度合いが小さくなるおそれがあるからである。
なお、凸部21は、例えば樹脂材料から成る場合、基板14上に各種配線や絶縁膜を形成した後、基板14上に樹脂層を形成するとともに、該樹脂層を従来周知のフォトリソグラフィー技術等により加工することにより形成される。そして、凸部21の形成後、素子形成領域3及び凸部21を覆うように保護膜6が蒸着により形成される。
なお、凸部21は保護膜6によって完全に覆われる必要はなく、凸部21の壁面で保護膜6が分断されていても良い。この場合、分断箇所で保護膜6のクラックの進行は止まるため、より好ましい。
また、基板14上に、各有機発光素子間に配置される隔壁を形成する場合には、凸部21を隔壁と同一材料により形成するとともに、凸部21と隔壁とを同一工程により一括的に形成すれば、凸部21を形成しても、EL装置の製造工程の複雑化を良好に防止し、EL装置の生産性を高く維持することができる。
<変形例>
以下では、図6(a)ないし図6(c)及び図7を参照して、上記実施形態に係る構成の変形例について説明する。
凸部21の断面形状については、図6(a)及び図6(b)に示すように略矩形状や略順テーパー状にしてもよく、種々の形状が採用可能である。このような種々の凸状の断面形状によっても、基板14の外縁に衝撃や外力が与えられた際の保護膜6に作用する衝撃や力の伝達方向が、凸部21が設けられる部分で大きく変化され、クラック13の拡大抑制効果が期待できる。また、保護膜6の成膜の際に凸部21を構成する凸部の外縁の角部21a等に保護膜6の薄い部分が生じるため、この薄くなった部分によりクラック13の拡大を止める効果が期待できる。
また、凸部21の代わりに、図6(c)に示すように凹部23を設けるようにしてもよい。このような構成によっても、基板14の外縁に衝撃や外力が与えられた際の保護膜6に作用する衝撃や力の伝達方向が、凹部23が設けられる部分で大きく変化され、クラック13の拡大抑制効果が期待できる。また、凹部23を設けた場合であっても、保護膜6の成膜の際に凹部23の外縁の角部23a等に保護膜6の薄い部分が生じるため、この薄くなった部分によりクラック13の拡大を止める効果が期待できる。なお、凹部23の深さGは、保護膜6の厚みよりも大きいことが好ましい。また、凹部23の角部23a同士の間隔Sは、基板14上に被着する保護膜6の厚みよりも2倍以上大きくなるように形成することによって、凹部23内に保護膜6を被着させることができる。
ここで、凹部23上に被着した保護膜6の厚みについて、図12(b)を用いて説明する。図12(b)は、図3のA2−A2断面図であって、凹部23を拡大した図である。かかる保護膜6の厚みは、凹部23の底面23fに被着した保護膜6のうち、上述した角部23a間の中心P1における厚みt6とする。保護膜の厚みt6よりも凹部23の深さが小さいと、保護膜6に作用する衝撃や力の伝達方向B1が、凹部23の部分で変化する度合いが小さくなるおそれがあるからである。
また、図7に示すように、凸部21を2重に設けるようにしてもよい。これによって、基板14の端部で生じた保護膜6のクラック13が素子形成領域3に及ぶのをより確実に抑制することができる。さらに他の変形例として、凸部21を3重以上の構成で設けるようにしてもよい。
さらに、図8に示すように、基板14上に、隣り合う有機発光素子間に配置される隔壁24を形成するとともに、凸部21と隔壁24とを共に逆テーパー形状とする場合において、隔壁24よりも凸部21の方が張り出し幅[(張り出し幅)=(隔壁24または凸部21の上面の幅)−(隔壁24または凸部21の下面の幅)]を大きく設定する。そして、凸部21及び隔壁24上に保護膜6を、基板14に垂直な方向から蒸着法やCVD法等によって形成する場合、凸部21及び隔壁24の上面の一部又は全部がマスクとして機能し、凸部21及び隔壁24の上面の直下領域に保護膜6を構成する材料は回り込みにくい。特に、凸部21の張り出し幅を、隔壁24の張り出し幅よりも大きくしたことによって、凸部21の直下領域は、隔壁24の直下領域よりも保護膜6を構成する材料が回り込みにくい。その結果、基板14上に形成される保護膜6の厚みを凸部21の側面で薄くしたり、または、凸部21によって保護膜6を分離することができる。さらに、保護膜6に伝わるクラックが素子形成領域3に及ぶ可能性をさらに低減することが可能となる。なお、隔壁24の張り出し幅を大きくすると、素子形成領域3内において保護膜6が隔壁24によって分離されるおそれがあり、この場合、保護膜6による封止性が低下することから、隔壁24の張り出し幅は小さい方が好ましい。したがって、隣り合う有機発光素子間に配置される隔壁24を形成するとともに、凸部21と隔壁24とを共に逆テーパー形状とする場合において、隔壁24よりも凸部21の方が張り出し幅を大きく設定することが好ましい。また、保護膜6は、素子形成領域3内においては連続的に繋がった連続膜として形成され、素子形成領域外においては複数領域に分離された形に形成されることが好ましい。
なお、隔壁24および凸部21の張り出し幅を上述のように設定するためには、従来周知の薄膜形成技術を採用することにより容易に行うことができる。ネガレジスト膜等を加工することにより隔壁24及び凸部21を形成する場合には、例えば、第1および第2の方法が考えられる。
まず、第1の方法として、図9−1及び図9−2に示すように、ネガレジスト膜Rを加工する際に用いる露光マスクM1の穴部O1周辺の領域を、穴部O1を通過する光量よりも少ない光量だけ通過できるハーフトーン領域hとし、かかるハーフトーン領域hを隔壁24よりも凸部21で広くする方法がある。この方法によれば、ハーフトーン領域を通過する光量が少ないため、かかる光L1はネガレジスト膜Rの下部まで届きにくくなる。その結果、ハーフトーン領域hにおけるネガレジスト膜Rは下部が除去され、上部が残存することとなり、張り出し幅は隔壁24よりも凸部21が広くなる。
また、ハーフトーン領域hを透過する光量を穴部から離れるにしたがって漸次小さくするようにすれば、良好な逆テーパー形状が得られる。なお、ハーフトーン領域hを実現する方法としては、ハーフトーン領域hに露光機の解像度未満の直径を有する微細な穴O2が多数形成する方法、ハーフトーン領域hを構成する露光マスクM1の材料を、遮光領域sを構成する材料よりも遮光性の低い材料とする方法、ハーフトーン領域hと遮光領域sとで材料の光学濃度を調整することによりハーフトーン領域hを遮光領域sよりも遮光性を低下させる方法等が考えられる。
なお、図13に示すように、ハーフトーン領域hを有する露光マスクM1は、穴部O1の周辺領域であるハーフトーン領域hに多数の微細な穴O2が形成されている。
第2の方法としては、図10−1〜図10−3に示すように、隔壁24及び凸部21を形成する際にネガレジスト膜Rの露光を複数回に分けて行う方法がある。例えば2回の露光を行う場合、1回目の露光では、露光マスクM2を用いて隔壁24及び凸部21の下面に対応する領域に所定の強度(第1の強度)で光L2を照射する(図10−1参照)。2回目の露光では、露光マスクM3を用いて隔壁24及び凸部21の側壁面に対応する領域に前記第1の強度よりも低い強度で光L3を照射する(図10−2参照)。2回目の露光では照射される光の強度が弱いため、レジスト膜の下部まで光が届きにくく、レジスト膜Rの下部は最終的に除去されるため、隔壁24及び凸部21は逆テーパー形状となる。この2回目の露光によって照射されるレジスト膜Rの幅を、隔壁24に対応する領域よりも凸部21に対応する領域の方で広く設定すれば、張り出し幅が凸部21の方が隔壁24よりも広くなる(図10−3参照)。
なお、第1及び第2の方法を説明するための図9−1〜図9−2、図10−1〜図10−3は、隔壁24及び凸部21の形成に焦点を当てるため、いずれの図面もマザー基板2、隔壁24および凸部21以外のEL装置1の構成を省略して表示している。
なお、露光マスクM1を用いて、隔壁24を形成した場合、例えば上面の幅は7μmから12μmであって、下面の幅は5μmから10μであって、高さは3μmから4μmとなるように設定されている。なお、隔壁24を厚み方向に断面視した場合、隔壁24の側壁の下面に対する傾斜角度は、例えば55度から70度に設定されている。露光マスクM1のハーフトーン領域を透過する光量を調整することによって、所定形状の隔壁を形成することができる。
さらに、図11に示すように、凸部21の形成箇所については、素子形成領域3の外周であって、シール材4の下部に形成することができる。シール材4から基板14の外縁までの間に形成されていた凸部21を、シール材4が形成される領域に配置する。そして、分割ライン11,12の形成箇所を、より素子形成領域3側に近づけて形成することができるため、分割ライン11,12とシール材4との間を狭くすることができる。その結果、EL装置1の非発光領域の面積を小さくすることができ、有機ELディスプレイを使用した各種機器の小型化に寄与することができる。
シール材4は、上述したようにエポキシ樹脂等の弾性材料から構成されており、基板14の外縁に衝撃や外力が与えられた際の保護膜6に作用する衝撃や外力等の伝搬が、シール材4まで伝わると、そのシール材4が弾性変形することによって、衝撃や外力等の伝搬を緩和することができる。なお、保護膜6に作用する衝撃や外力等の伝搬を吸収するために、凸部21についても、上述したようにノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の弾性変形可能な樹脂材料によって構成することが好ましい。
また、シール材4の下部に複数の凸部21l、21m、21nを形成することによって、シール材4における凸部21の表面積を大きくし、凸部21と保護膜6との接触面積を大きくすることができ、基板14の外縁から基板14の素子形成領域3までの保護膜6の長さを大きく設定することができる。シール材4と保護膜6との接触面積を大きくすることで、シール材4が保護膜6に作用する衝撃や外力等の伝搬をより効果的に吸収することができる。また、仮に保護膜6にクラックが発生したとしても、保護膜6の長さを大きくしたことによって、保護膜6とシール材4との界面からの酸素又は水分が浸入するのを遅延させることができる。
また、凸部21の形状は、基板14の外縁から基板14の素子形成領域3までの保護膜6の長さを大きくするために、その上部が下部よりも幅狭となるテーパー形状とすることよりも、その上部よりも下部が幅狭となる逆テーパー形状とすることが好ましい。
さらに、シール材4における保護膜6の長さを大きくするために、凸部21の厚みt1をシール材4の厚みt2に近づけるように大きくすることが好ましい。その結果、凸部21上を被覆する保護膜6の上面から、カバーガラス5までのシール材4の厚みt3を小さくすることで、シール材4の形成されている領域を少なくし、シール材4に衝撃や外力等が印加される機会を低減することができる。確率的にもシール材4を通過する水分や酸素の浸入を抑制することができる。
なお、凸部21の厚みt1は、凸部21上における保護膜6の厚みt4よりも大きく形成されており、上述したように保護膜6がシール材4内で分断するように設定することができる。その結果、保護膜6が連続的に形成されないようにすることで、保護膜6に作用する衝撃や外力等の伝搬を阻害することができる。
保護膜6に作用する衝撃や外力等は、外力等が印加された一点を中心に広がりながら伝搬する。しかしながら、図11(b)に示すように、基板14の端部に沿って形成される凸部21l、21m、21nを平面視において連続的に蛇行するように設定することで、保護膜6に作用する衝撃や外力等の向きを部分的に変化させて、伝搬する衝撃や外力等を打ち消しあうようにして減少させることができる。なお、凸部21l、21m、21nの形状は、平面視において略同一とするよりも、平面視において凸部21が折れ曲がる角度αを隣接する凸部21同士で別角度とすることで、保護膜6に作用する衝撃や力の向きをより効果的に変化させることができる。なお、凸部21の形状は、従来周知の薄膜形成技術を採用することにより容易に行うことができる。
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の変更・改良が可能であることはいうまでもない。
保護膜に生じるクラックについて説明するための図である。 図1のA1−A1断面図である。 本発明の一実施形態に係るEL装置の分割される前の状態を示す平面図である。 図3のA2−A2断面図である。 図4の凸部の周りを拡大して示す図である。 図6(a)ないし図6(c)は図5に示す構成の変形例を示す断面図である。 凸部が2重に形成された構成を示す図である。 本発明の変形例を示す断面図である。 図8の凸部及び隔壁を形成する第1の方法を説明するための図である。 図8の凸部及び隔壁を形成する第1の方法を説明するための図である。 図8の凸部及び隔壁を形成する第2の方法を説明するための図である。 図8の凸部及び隔壁を形成する第2の方法を説明するための図である。 図8の凸部及び隔壁を形成する第2の方法を説明するための図である。 本発明の変形例を示し、図11(a)は凸部の断面図、図11(b)は凸部の平面図である。 保護膜の厚みを示し、図12(a)は凸部の断面図、図12(b)は凹部の断面図である。 ハーフトーン領域を有する露光マスクの平面図である。
符号の説明
1 EL装置、2 マザー基板、3 素子形成領域、4 シール部、5 カバーガラス、6 保護膜、11,12 分割ライン、13 クラック、14 基板、21 凸部、22 駆動素子、23 凹部、24 隔壁、 M1,M2,M3 露光マスク、 L1,L2,L3 光、 h ハーフトーン領域、s 遮光領域

Claims (23)

  1. 四角形状を成す基板と、
    前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間の領域に設けられた凸部と、
    前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜と、
    を備え、
    前記凸部は、前記基板の4辺のうちの少なくとも2辺に沿って略筋状に形成されていることを特徴とするEL装置。
  2. 請求項1に記載のEL装置において、
    前記凸部は、樹脂により形成されていることを特徴とするEL装置。
  3. 請求項1又は請求項2に記載のEL装置において、
    前記凸部は、その上部よりも下部が幅狭となるように側壁面を傾倒させていることを特徴とするEL装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のEL装置において、
    前記凸部は、前記基板の4辺に沿って連続的に形成されていることを特徴とするEL装置。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のEL装置において、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間の領域のうち、前記基板の4辺のうちの少なくとも1辺に沿って配設され、前記有機発光素子を駆動する駆動素子をさらに備え、
    前記凸部は、前記駆動素子が配設されていない前記基板の2辺以上に沿って形成されていることを特徴とするEL装置。
  6. 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のEL装置において、
    前記凸部は、前記基板の4辺のうちの少なくとも2辺に沿って複数列に形成されていることを特徴とするEL装置。
  7. 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のEL装置において、
    前記凸部の高さは、保護膜の厚みよりも大きく設定されることを特徴とするEL装置。
  8. 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のEL装置において、
    前記基板はマザー基板から分割されたものであり、
    前記基板の辺は、前記基板が前記マザー基板から分割される際の分割ラインに対応していることを特徴とするEL装置。
  9. 基板と、
    前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間に配置され、樹脂により形成された凸部と、
    前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜と、
    を備え、
    前記凸部は、前記基板の端部に沿って略筋状に形成されていることを特徴とするEL装置。
  10. 基板と、
    前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間に設けられた凸部と、
    前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜と、
    を備え、
    前記凸部は、その上部よりも下部が幅狭となるように側壁面を傾倒させていることを特徴とするEL装置。
  11. 基板と、
    前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間に設けられた凹部と、
    前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、凹部の内面を被覆するように形成された保護膜と、
    を備え、
    前記凹部は、前記基板の端部に沿って略筋状に形成されていることを特徴とするEL装置。
  12. 請求項11に記載のEL装置において、
    前記凹部の深さは、前記保護膜の厚みよりも大きいことを特徴とするEL装置。
  13. 請求項1ないし請求項10のいずれかに記載のEL装置において、
    前記素子形成領域はシール材によって取り囲まれており、前記凸部は前記シール材よりも前記基板の端部側に位置していることを特徴とするEL装置。
  14. 請求項11又は請求項12に記載のEL装置において、
    前記素子形成領域はシール材によって取り囲まれており、前記凹部は前記シール材よりも前記基板の端部側に位置していることを特徴とするEL装置。
  15. 請求項1、9及び10のいずれかに記載のEL装置において、
    前記素子形成領域は、隣り合う前記有機発光素子間の領域に配置される隔壁を更に有し、
    前記隔壁及び前記凸部は、上面よりも下面が幅狭となる断面逆テーパー状に形成され、
    上面の幅と下面の幅との差が前記隔壁よりも前記凸部の方が大きいことを特徴とするEL装置。
  16. 基板と、
    前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間の領域に設けられた凸部と、
    前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、前記凸部上を被覆するように形成された保護膜と、
    を備え、
    前記凸部は、前記基板の端部に沿って形成されていることを特徴とするEL装置。
  17. 請求項16に記載のEL装置において、
    前記凸部は、樹脂により形成されていることを特徴とするEL装置。
  18. 請求項16又は請求項17に記載のEL装置において、
    前記凸部は、前記凸部の上部よりも下部が幅狭となるように側壁面を傾倒させていることを特徴とするEL装置。
  19. 請求項16乃至請求項18のいずれかに記載のEL装置において、
    前記凸部は、前記基板の端部に沿って連続的に形成されていることを特徴とするEL装置。
  20. 請求項16乃至請求項19のいずれかに記載のEL装置において、
    前記凸部は、前記基板に沿って複数列に形成されていることを特徴とするEL装置。
  21. 請求項16乃至請求項20のいずれかに記載のEL装置において、
    前記凸部の厚みは、前記凸部上における前記保護膜の厚みよりも大きいことを特徴とするEL装置。
  22. 請求項16乃至請求項21に記載のEL装置において、
    前記素子形成領域はシール材によって取り囲まれており、前記凸部は前記シール材によって被覆されていることを特徴とするEL装置。
  23. 基板と、
    前記基板の上面側に設けられ、有機発光素子を有する素子形成領域と、
    前記素子形成領域と前記基板の端部との間に設けられた凹部と、
    前記素子形成領域から前記基板の端部までの領域内に被着され、凹部の内面を被覆するように形成された保護膜と、
    前記素子形成領域を取り囲むように形成されたシール材と、
    を備え、
    前記凹部は、前記シール材によって被覆されていることを特徴とするEL装置。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010181534A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置用基板およびその製造方法
WO2012060243A1 (ja) * 2010-11-02 2012-05-10 シャープ株式会社 カラーフィルタ基板、及び、その製造方法
KR101920374B1 (ko) * 2011-04-27 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
TWI451610B (zh) * 2011-05-17 2014-09-01 Au Optronics Corp 發光裝置之母板結構以及發光裝置及其製造方法
WO2014041614A1 (ja) * 2012-09-11 2014-03-20 パイオニア株式会社 有機el装置
KR101965260B1 (ko) * 2012-10-09 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판
KR101978783B1 (ko) * 2012-11-09 2019-05-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102034253B1 (ko) 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015069806A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
WO2015119086A1 (ja) * 2014-02-10 2015-08-13 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置
KR101685020B1 (ko) 2014-07-10 2016-12-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20160032791A (ko) * 2014-09-16 2016-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102282165B1 (ko) * 2014-11-21 2021-07-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102283342B1 (ko) * 2014-12-09 2021-07-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치
KR102420461B1 (ko) 2015-02-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102372210B1 (ko) 2015-03-23 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9614183B2 (en) 2015-04-01 2017-04-04 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with crack detection and crack propagation prevention circuitry
DE102015112681A1 (de) * 2015-08-03 2017-02-09 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements
KR20170133812A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP2018018740A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2018158953A1 (ja) * 2017-03-03 2018-09-07 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
WO2018179047A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
CN109216576A (zh) 2017-06-30 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN107180923B (zh) * 2017-07-20 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法和显示装置
CN107634071B (zh) * 2017-10-17 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制作方法、显示基板、显示装置
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN108091675B (zh) * 2017-12-13 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法
WO2019130417A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
CN110085133A (zh) 2018-01-26 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
WO2019163009A1 (ja) * 2018-02-21 2019-08-29 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
US20190267570A1 (en) * 2018-02-27 2019-08-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled display device
US10840267B2 (en) * 2018-05-14 2020-11-17 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Array substrates and manufacturing methods thereof, and display panels
JP6759287B2 (ja) * 2018-07-19 2020-09-23 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
CN109103346B (zh) * 2018-08-17 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种封装结构及显示面板
WO2020065858A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN111370439A (zh) 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20200108145A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN109801956A (zh) * 2019-03-13 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
US12096650B2 (en) * 2019-03-29 2024-09-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US11387437B2 (en) * 2019-05-31 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of fabricating display substrate, display substrate, and display apparatus
CN110335891A (zh) * 2019-07-15 2019-10-15 云谷(固安)科技有限公司 显示屏以及显示屏的制作方法
JP2020098792A (ja) * 2020-01-29 2020-06-25 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
WO2024009728A1 (ja) * 2022-07-05 2024-01-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1184334A (ja) * 1997-09-10 1999-03-26 Advanced Display:Kk 液晶パネルの製法
JP2003257624A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Hitachi Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2005267983A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1322574C (zh) * 1999-07-30 2007-06-20 日本板硝子株式会社 在切割区中设置的槽的结构及其应用
KR100777724B1 (ko) * 2002-02-07 2007-11-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전자 발광소자와, 이의 기판 및 그 절단방법
US8711296B2 (en) * 2007-10-02 2014-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for manufacturing same, and liquid crystal display apparatus
US7952862B2 (en) * 2008-02-22 2011-05-31 Epson Imaging Devices Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
KR101520783B1 (ko) * 2008-09-08 2015-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 구동 방법, 이를 수행하기 위한 표시 장치 및 타이밍 컨트롤러

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1184334A (ja) * 1997-09-10 1999-03-26 Advanced Display:Kk 液晶パネルの製法
JP2003257624A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Hitachi Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2005267983A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置

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US8111220B2 (en) 2012-02-07
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