TW201913192A - 陣列基板 - Google Patents

陣列基板 Download PDF

Info

Publication number
TW201913192A
TW201913192A TW106131079A TW106131079A TW201913192A TW 201913192 A TW201913192 A TW 201913192A TW 106131079 A TW106131079 A TW 106131079A TW 106131079 A TW106131079 A TW 106131079A TW 201913192 A TW201913192 A TW 201913192A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
insulating layer
array substrate
layer
support structure
supporting structure
Prior art date
Application number
TW106131079A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI648573B (zh
Inventor
葉家宏
王品凡
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW106131079A priority Critical patent/TWI648573B/zh
Priority to CN201711139591.0A priority patent/CN107887339B/zh
Priority to US15/839,870 priority patent/US10312206B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI648573B publication Critical patent/TWI648573B/zh
Publication of TW201913192A publication Critical patent/TW201913192A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02233—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body not in direct contact with the bonding area
    • H01L2224/02235—Reinforcing structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02233—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body not in direct contact with the bonding area
    • H01L2224/02255—Shape of the auxiliary member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/03011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/03013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the bonding area, e.g. solder flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/036—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/0361—Physical or chemical etching
    • H01L2224/03614—Physical or chemical etching by chemical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/036—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/03622—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05026—Disposition the internal layer being disposed in a recess of the surface
    • H01L2224/05027—Disposition the internal layer being disposed in a recess of the surface the internal layer extending out of an opening
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05073—Single internal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種陣列基板，包括元件陣列、接合墊以及至少一支撐結構。接合墊位於接合區中，且與元件陣列電性連接。支撐結構與接合墊之間的水平距離介於5微米與1000微米之間。

Description

陣列基板
本發明是有關於一種陣列基板，且特別是有關於一種具有支撐結構的陣列基板。
隨著科技的進展，可撓式電子產品在市面上的出現率逐漸增加，且各種有關的技術也層出不窮。舉例來說，可撓式電子產品的相關技術可以使用在顯示器、傳感器、穿戴式裝置等等各種電子設備。由此可知，可撓式電子產品具有龐大的市場商機。
目前，通常先在剛性的載板上形成軟性基板以及電子元件之後，再將軟性基板以及電子元件從剛性的載板上面移下來以形成可撓式電子產品。然而，電子元件中不同的構件時常需要在不同的環境（例如溫度）下形成。由於不同的構件具有不一樣的熱膨脹係數，因此，在同樣的溫度下，不同的構件之間往往會有應力殘留。當軟性基板以及電子元件從剛性的載板上面移下來以後，這些應力容易造成可撓式電子產品變形，使得電子元件無法對準預期的位置。尤其是在可撓式電子產品與其他元件接合的接合區，變形以後容易使其他元件無法正確的與可撓式電子產品接合，導致產品不能正常運作。因此，目前亟需一種可以解決前述問題的方法。
本發明的至少一實施例提供一種陣列基板，可以降低陣列基板之接合區變形的問題。
本發明的至少一實施例提供一種陣列基板，包括元件陣列、接合墊以及至少一支撐結構。接合墊位於接合區中，且與元件陣列電性連接。支撐結構與接合墊之間的水平距離介於5微米與1000微米之間。
本發明之目的之一為減輕陣列基板的接合區在製造過程中產生的變形，使接合墊不會偏離預期的位置。
本發明之目的之一為大幅提升產品的良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。
請參考圖1，陣列基板1包括基底100、元件陣列DA、接合墊226以及支撐結構300。
在一些實施例中，基底100可為軟性基板，基底100的材料例如為聚乙烯對苯二甲酸酯（polyethylene terephthalate, PET）、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚酯(polyester, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate, PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）、聚醯亞胺(polyimide, PI）或金屬軟板(Metal Foil)或其他可撓性材質，但本發明不以此為限。在一些實施例中，基底100的材料可為具可撓性之玻璃、石英、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。
基底100具有接合區CR以及陣列區DR。在一實施例中，基底100包括接合墊226，接合墊226位於接合區CR中，元件陣列DA位於陣列區DR中。在一些實施例中，元件陣列DA可以為畫素陣列或觸控感測陣列或其他電子元件陣列。導電層224與接合墊226電性連接，且從接合區CR朝元件陣列DA延伸，並與元件陣列DA電性連接。在一些實施例中，導電層224可以包括多層結構或單層結構。支撐結構300位於接合區CR中，且靠近接合墊226而設置，支撐結構300與接合墊226之間的水平距離例如是介於5微米與1000微米之間，5微米與500微米之間，5微米與250微米之間，5微米與150微米之間，或5微米與50微米之間。在本實施例中，接合區CR中包括多個支撐結構300，每個支撐結構300對應於一個接合墊226設置。在本實施例中，每個接合墊226位於對應的支撐結構300的開口OP中。
在本實施例中，接合墊226為矩形，且每個支撐結構300對應於每個接合墊226的至少三個側邊而設置。在本實施例中，每個支撐結構300例如包括多個朝向元件陣列DA的開口OP，且接合墊226位於開口OP中。在本實施例中，支撐結構300的上表面大致上呈現U字形，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構300的上表面包括三角形、矩形、五邊形、圓形、橢圓形或其他多邊幾何形狀。在本實施例中，接合墊226的上表面為矩形，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，接合墊226的上表面包括三角形、圓形、橢圓形、五邊形、或其他多邊幾何形狀或上述形狀之組合。在本實施例中，接合墊226排成一列，且彼此對齊，但本發明不以此為限。在其他實施例中，多個接合墊226可為交錯排列，且多個支撐結構300也可為交錯排列。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板1在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板1的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。圖2B是沿著圖2A之線AA’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2A、圖2B的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
請同時參考圖2A與圖2B，陣列基板1A的支撐結構300設置於基底100上，且支撐結構300與基底100之間夾有絕緣層110。絕緣層120形成於絕緣層110上，在本實施例中，至少部分支撐結構300嵌入絕緣層120。在本實施例中，支撐結構300的形狀包括環狀，且具有開口OP。
接合墊226與導電層224形成於絕緣層120上，接合墊226與導電層224例如包括相同的導電材料，且接合墊226與導電層224可以同時形成。在一些實施例中，支撐結構300也包括導電材料，導電層224和支撐結構300之間夾有絕緣層120。在本實施例中，接合墊226對應於支撐結構300的開口OP而設置。
絕緣層130形成於絕緣層120上。絕緣層130至少覆蓋部分導電層224，且絕緣層130具有暴露出接合墊226的開口O1。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板1A在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板1A的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。圖3B是沿著圖3A之線AA’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A、圖3B的實施例沿用圖2A、圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
請同時參考圖3A與圖3B，絕緣層110形成於基底100上。導電層224形成於絕緣層110上。絕緣層120形成於絕緣層110上且至少覆蓋部分的導電層224。絕緣層120具有暴露出部分導電層224的開口O1’。接合墊226形成於導電層224上，且接合墊226位於絕緣層120的開口O1’中。在本實施例中，接合墊226與導電層224例如是在不同的製程下形成。
陣列基板1B的支撐結構300形成於絕緣層120上。在本實施例中，支撐結構300的形狀包括環狀，且具有開口OP。接合墊226對應於支撐結構300的開口OP而設置。在一些實施例中，接合墊226可與支撐結構300同時形成且具有相同的材料。在本實施例中，接合墊226的上表面與支撐結構300的上表面齊平，但本發明不以此為限。在其他實施例中，接合墊226的上表面與支撐結構300的上表面不齊平。
絕緣層130形成於絕緣層120上。至少部分的支撐結構300嵌入絕緣層130中。絕緣層130具有暴露出接合墊226的開口O1。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板1B在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板1B的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖4A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。圖4B是沿著圖4A之線AA’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4A、圖4B的實施例沿用圖3A、圖3B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
請同時參考圖4A與圖4B，絕緣層110形成於基底100上。導電層224形成於絕緣層110上。絕緣層120形成於絕緣層110上且至少覆蓋部分的導電層224。絕緣層120具有暴露出部分導電層224的開口O1’。接合墊226形成於導電層224上，且接合墊226位於絕緣層120的開口O1’中。在本實施例中，接合墊226與導電層224例如是在不同的製程下形成。
陣列基板1C的支撐結構300形成於絕緣層120上。在本實施例中，支撐結構300與接合墊226例如是在不同的製程下形成。在本實施例中，支撐結構300的形狀包括環狀，且具有開口OP。接合墊226對應於支撐結構300的開口OP而設置。
絕緣層130形成於絕緣層120上。至少部分的支撐結構300嵌入絕緣層130中。在本實施例中，絕緣層130暴露出支撐結構300的上表面，但本發明不以此為限。在其他實施例中，絕緣層130包覆支撐結構300的上表面。絕緣層130具有暴露出接合墊226的開口O1。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板1C在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板1C的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖5是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板2的接合區CR中包括支撐結構300。在本實施例中，支撐結構300對應於多個接合墊226設置。在本實施例中，支撐結構300具有多個開口OP，且每個接合墊226各自位於對應的開口OP中。在本實施例中，支撐結構300的上表面大致上呈現上下相連的E字形，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構300的上表面包括其他具有開口的幾何形狀。在本實施例中，相鄰的兩個接合墊226之間只對應到同一個支撐結構300之一部分，因此，可減少接合墊226之間的空間，進一步縮小陣列基板2的尺寸。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板2在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板2的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖6是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板3的接合區CR中包括多個支撐結構300A以及多個輔助支撐結構300B。每個支撐結構300A以及每個輔助支撐結構300B對應於一個接合墊226設置。在本實施例中，支撐結構300A以及輔助支撐結構300B分別靠近對應之接合墊226的兩側。在本實施例中，輔助支撐結構300B位於接合墊226與元件陣列DA之間，而接合墊226位於支撐結構300A以及輔助支撐結構300B之間。在本實施例中，支撐結構300A的上表面與輔助支撐結構300B的上表面包括相同的形狀，例如為圓形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構300A的上表面與輔助支撐結構300B的上表面包括三角形、矩形、多邊形、橢圓形或其他多邊幾何形狀。在一些實施例中，支撐結構300A的上表面與輔助支撐結構300B的上表面包括不同的形狀。在本實施例中，陣列基板3包括輔助支撐結構300B，但本發明不以此為限。在其他實施例中，陣列基板3不具有輔助支撐結構300B。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板3在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300A與輔助支撐結構300B。支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以減輕陣列基板3的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖7是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板4的支撐結構300A靠近接合墊226遠離元件陣列DA的一側，而多個輔助支撐結構300B則是位於相鄰的接合墊226之間以及接合墊226與元件陣列DA之間。
在本實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B共同分布於接合墊226的周圍，且接合墊226的每個側邊都面對支撐結構300A或輔助支撐結構300B。在一些實施例中，相鄰的支撐結構300A、相鄰的輔助支撐結構300B或相鄰的支撐結構300A與輔助支撐結構300B之間的間距例如是介於5微米與1000微米之間，5微米與500微米之間，5微米與250微米之間，5微米與150微米之間，或5微米與50微米之間。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板4在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300A與輔助支撐結構300B。支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以減輕陣列基板4的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
圖8是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖8的實施例沿用圖7的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板5包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，絕緣層110位於基底100上。在一實施例中，絕緣層110包括閘絕緣層，絕緣層110的厚度例如介於0.05微米與2微米之間，絕緣層120的材料包括氧化物或氮化物。絕緣層120位於絕緣層110上。在一實施例中，絕緣層120例如為層間介電層（interlayer dielectric，ILD），絕緣層120的厚度例如介於0.05微米與0.6微米之間，絕緣層120的材料包括氧化物與氮化物。絕緣層130位於絕緣層120上。絕緣層140位於絕緣層130上。
在一些實施例中，陣列基板5的元件陣列DA位於陣列區DR中，元件陣列DA例如包括多個開關元件（未繪示），開關元件例如是薄膜電晶體，其包括閘極、半導體通道、源極以及汲極。在一些實施例中，源極與訊號線230電性連接，且閘極與訊號線210電性連接，訊號線230例如為資料線，訊號線210例如為掃描線。在一些實施例中，源極與訊號線210電性連接，且閘極與訊號線230或電性連接，訊號線210例如為資料線，訊號線230例如為掃描線。
在一實施例中，元件陣列DA例如包括多個發光元件LD。發光元件LD位於絕緣層130上。在一實施例中，發光元件LD例如為有機電致發光元件，且包括電極242、顯示介質L以及電極250，顯示介質L位於電極242以及電極250之間，電極250位於絕緣層140上。在一實施例中，電極242以及電極250可採用金屬或金屬氧化物等導電材質。倘若電極242以及電極250兩者皆採用透明導電材質，那麼所形成的發光元件LD為雙面發光元件。倘若電極242以及電極250其中之一採用透明導電材質，那麼所形成的發光元件LD為底部發光型或是頂部發光型發光元件。顯示介質L例如包括小分子有機發光材料或是高分子有機發光材料。另外，發光元件LD根據其驅動方式可以分成主動式有機發光元件以及被動式有機發光元件。倘若發光元件LD為主動式有機發光元件，那麼電極242與主動元件陣列電性連接。倘若發光元件LD為被動式有機發光元件，那麼電極242與電極250分別由條狀電極圖案所構成。根據較佳實施例，發光元件LD更可包括電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層以及電洞注入層(未繪示)。
在一實施例中，發光元件LD的電極250藉由訊號線244電性連接至傳導結構220。在一實施例中，訊號線244與電極242屬於同一膜層。
傳導結構220包括導電層224以及接合墊226。導電層224係從接合區CR朝元件陣列DA（元件陣列DA例如包括發光元件LD）延伸，導電層224包括第一層224B以及第二層224A，第一層224B位於第二層224A與絕緣層110之間。在本實施例中，導電層224係從接合區CR朝元件陣列DA延伸。舉例來說，導電層224的第二層224A從接合區CR延伸進陣列區DR，並與訊號線244電性連接。在一些實施例中，第二層224A可不從接合區CR延伸進陣列區DR。不位於接合區CR內（例如位於陣列區DR內）的部分第二層224A與絕緣層110之上表面具有垂直距離P2，垂直距離P2例如介於0微米與0.5微米之間。在一實施例中，導電層224的第二層224A例如形成於絕緣層120的溝渠內。因此，第二層224A的下表面會低於訊號線230的下表面。在一實施例中，導電層224的第二層224A與訊號線230可屬於同一膜層。例如，第二層224A與訊號線230均形成於絕緣層120的上表面，此時第二層224A與絕緣層110之上表面之垂直距離即為絕緣層120的厚度。
在本實施例中，訊號線244與傳導結構220電性連接，但本發明不以此為限。在其他實施例中，訊號線210或訊號線230與傳導結構220電性連接。
在接合區CR中，導電層224的第二層224A電性連接至第一層224B以及接合墊226，其中第二層224A位於第一層224B以及接合墊226之間。第一層224B位於絕緣層110上。在一實施例中，第一層224B與訊號線210屬於同一膜層。在一實施例中，第一層224B的厚度大於訊號線210的厚度。接合墊226位於接合區CR中，且至少部分位於絕緣層130的開口O1中。在一些實施例中，接合墊226的寬度可以大於、小於或等於開口O1的寬度，當接合墊226大於開口O1時，部分的接合墊226可以與絕緣層130的頂表面或絕緣層140的頂表面接觸，亦即接合墊226的一部份不位於開口O1內。接合墊226藉由第二層224A而與元件陣列DA電性連接。陣列基板5例如是藉由接合墊226與其他電子元件電性連接。在一實施例中，其他電子元件的引腳例如是藉由導電膠而電性連接至陣列基板5的接合墊226。
在本實施例中，陣列基板5包括支撐墊ST，支撐墊ST例如可以在製造陣列基板5的期間用來支撐光罩，支撐墊ST例如可位於接合區CR中。在本實施例中，支撐墊ST為多層結構，且包括絕緣層130的一部分以及絕緣層140的一部分。
在本實施例中，支撐結構300位於接合區CR中。在一實施例中，支撐結構300的寬度W1介於3微米與100微米之間。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。在本實施例中，支撐結構300至少部分嵌入絕緣層120以及絕緣層130。在本實施例中，支撐結構300包括不同材料的第一部分310A與第二部分310B。第一部分310A形成於絕緣層120以及絕緣層130中的開口O2中。在本實施例中，支撐結構300的第一部分310A共形於開口O2。支撐結構300的第二部分310B位於第一部分310A內，且第二部分310B不與絕緣層110接觸。在一實施例中，支撐結構300的第一部分310A的材料包括金屬氧化物。在一實施例中，第一部分310A的厚度約為50至300奈米。在一實施例中，第二部分310B包括空隙。在一實施例中，第一部分310A例如是與訊號線244以及電極242屬於同一膜層。因此，不需要額外的製程來製造支撐結構300。
在本實施例中，支撐結構300與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0.05微米與1微米之間。由於支撐結構300部分嵌入絕緣層120，且支撐結構300與絕緣層110之間留有部分的絕緣層120。因此，支撐結構300可以有效的斷開絕緣層120中的應力，使陣列基板5比較不容易變形。支撐結構300與絕緣層110之間留有部分的絕緣層120，因此，在後續的乾或濕製程中，基底100可被部分的絕緣層120保護。
在本實施例中，支撐結構300的上表面會被絕緣層140所覆蓋，因此，其他電子元件在與陣列基板5接合時，其他電子元件的引腳不會與支撐結構300電性連接，使電子元件能正常的運作，但本發明不以此為限。在一些實施例中，支撐結構300不會被絕緣層140所覆蓋，因此陣列基板5能具有較薄的厚度。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板5在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板5的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板5的接合區CR在製造過程中產生的變形，可不需要調整陣列基板5中的元件陣列的材質，也可不需要調整元件陣列DA中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板5電性的前提下解決陣列基板5變形的問題。
圖9是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖9的實施例沿用圖8的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板6包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構300包括不同材料的第一部分310A與第二部分310B。在一實施例中，支撐結構300的第一部分310A的材料包括金屬氧化物。在一實施例中，支撐結構300的第二部分310B位於第一部分310A內，且第二部分310B不與絕緣層110接觸。在一實施例中，第二部分310B的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠或熱固化型框膠。在一實施例中，第二部分310B的材料例如同於絕緣層140的材料。在一實施例中，第一部分310A與第二部分310B包括剛性材料。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板6在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板6的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板6的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板6中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板6電性的前提下解決陣列基板6變形的問題。
圖10是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖10的實施例沿用圖9的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板7包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300A以及輔助支撐結構300B。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300A位於接合區CR中。支撐結構300A與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。在本實施例中，支撐結構300A為單層結構。在一實施例中，支撐結構300A的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠、熱固化型框膠。在一實施例中，支撐結構300A包括剛性材料。
輔助支撐結構300B位於接合區CR的開口O3中，開口O3例如是位於支撐墊ST中。輔助支撐結構300B至少部分嵌入絕緣層130內。開口O3的下方留有部分的絕緣層130，避免降低絕緣層130保護傳導結構220的能力。輔助支撐結構300B與接合墊226之間的水平距離H2介於5微米與1000微米之間。在本實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B可共同至少部分圍繞接合墊226而形成U形、圓形、多邊形或其他適合之圖形，但本發明不限於此。在一些實施例中，可使用多個支撐結構300A與多個輔助支撐結構300B彼此間隔排列以共同形成U形、圓形、多邊形或其他適合之圖形。在一實施例中，輔助支撐結構300B的材料例如與支撐結構300A的材料相同。在一實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B例如是同時形成。在一實施例中，輔助支撐結構300B與支撐結構300A皆包括材料不同的第一部分以及第二部分。
在本實施例中，形成顯示介質L之後才形成支撐結構300A與輔助支撐結構300B。因此，形成支撐結構300A與輔助支撐結構300B時所產生的顆粒並不會形成在顯示介質L預定設置的位置，故能避免形成支撐結構300A /輔助支撐結構300B時所產生的顆粒等雜質汙染顯示介質L。在一實施例中，陣列基板7是可撓性基板，且形成於剛性載板上，在將陣列基板7從剛性載板取下前形成支撐結構300A與輔助支撐結構300B，避免陣列基板7在從剛性載板取下後變形。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板7在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300A與輔助支撐結構300B。支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以減輕陣列基板7的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。本發明之至少一實施例藉由設置支撐結構300A與輔助支撐結構300B來減輕陣列基板7的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板7中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板7電性的前提下解決陣列基板7變形的問題。
圖11是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11的實施例沿用圖10的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板8包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、保護層150、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300A以及輔助支撐結構300B。
在本實施例中，形成發光元件LD之後，於發光元件LD上形成保護層150。保護層150例如暴露出陣列基板8的接合區CR。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300A位於接合區CR中。支撐結構300A與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。在一實施例中，支撐結構300A的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠或熱固化型框膠。在一實施例中，支撐結構300A包括剛性材料。
輔助支撐結構300B位於接合區CR的開口O3中，開口O3例如是位於支撐墊ST中。在本實施例中，支撐墊ST為單層結構，且包含絕緣層130的一部分。在本實施例中，輔助支撐結構300B至少部分嵌入絕緣層130內。開口O3的下方留有部分的絕緣層130，避免降低絕緣層130保護傳導結構220的能力。輔助支撐結構300B與接合墊226之間的水平距離H2介於5微米與1000微米之間。在本實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B可共同至少部分圍繞接合墊226而形成U形、圓形、多邊形或其他適合之圖形，但本發明不限於此，可使用多個支撐結構300A與多個輔助支撐結構300B彼此間隔排列以共同形成U形、圓形、多邊形或其他適合之圖形。在一實施例中，輔助支撐結構300B的材料例如與支撐結構300A的材料相同。在一實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B例如是同時形成。在一實施例中，輔助支撐結構300B與支撐結構300A皆包括材料不同的第一部分以及第二部分。
在本實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B並未被絕緣層140所覆蓋，支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以與保護層150同時形成並可與保護層150使用相同的材料。
在陣列區DR中，保護層150可覆蓋絕緣層140之側表面的至少一部份並嵌入絕緣層130，但本發明不侷限於此。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板8在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300A與輔助支撐結構300B。支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以減輕陣列基板8的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300A與輔助支撐結構300B來減輕陣列基板8的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板8中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板8電性的前提下解決陣列基板8變形的問題。
圖12是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖12的實施例沿用圖9的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板9包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構300包括不同材料的第一部分310A與第二部分310B。在本實施例中，支撐結構300的第一部分310A嵌入於絕緣層120以及絕緣層130中，且並未嵌入絕緣層140。在本實施例中，支撐結構300的第二部分310B嵌入絕緣層120、絕緣層130以及絕緣層140中。
在一實施例中，形成絕緣層130之後，於絕緣層120以及絕緣層130中形成開口O2，接著形成第一部分310A於開口O2內並可與開口O2之內表面共形。形成支撐結構300的第一部分310A以後，於第一部分310A上形成絕緣層140，接著於絕緣層140上形成對應於開口O2的開口O4，再於開口O4中填入支撐結構300的第二部分310B。支撐結構300的第二部分310B的上表面例如與絕緣層140的上表面齊平。在其他實施例中，形成絕緣層130於絕緣層120上後，於絕緣層120以及絕緣層130中形成開口O2，之後，形成第一部分材料層填滿開口O2，接下來形成絕緣層140於其上並形成開口O4至少貫穿絕緣層140以及不貫穿位於開口O2內之第一部分材料層之一部分以形成第一部分310A，然後再於開口O4中填入支撐結構300的第二部分310B。
在本實施例中，形成顯示介質L之後才形成支撐結構300的第二部分310B，因此能避免形成二部分310B時所產生的顆粒等雜質汙染顯示介質L。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板9在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板9的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板9的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板9中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板9電性的前提下解決陣列基板9變形的問題。
圖13是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖13的實施例沿用圖9的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板10包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中支撐結構300位於絕緣層110與絕緣層130之間。在一實施例中，支撐結構300、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且支撐結構300的材料包括金屬。在本實施例中，支撐結構300嵌入絕緣層120。
在一實施例中，訊號線230位於絕緣層120的上表面，且訊號線230與絕緣層110之間的垂直距離P0約等於絕緣層120的厚度。在一實施例中，導電層224的第二層224A與支撐結構300都形成於絕緣層120的溝渠內，因此，第二層224A與支撐結構300的下表面會低於訊號線230的下表面。在一實施例中，第二層224A與絕緣層110之上表面具有垂直距離P2，垂直距離P2例如介於0微米與0.6微米之間。在一實施例中，支撐結構300與絕緣層110之上表面具有垂直距離P1，垂直距離P1例如介於0微米與0.6微米之間。在一些實施例中，垂直距離間的關係可以為P0＞P2＞P1。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板10在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板10的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板10的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板10中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板10電性的前提下解決陣列基板10變形的問題。
圖14是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖14的實施例沿用圖13的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板11包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構300嵌入絕緣層120與絕緣層130。在本實施例中，支撐結構300的厚度A1介於0.05微米與0.6微米之間。訊號線230的厚度A2介於0.05微米與0.6微米之間。在本實施例中，支撐結構300的厚度A1大於訊號線230的厚度A2。在一實施例中，支撐結構300的底表面低於訊號線230的底表面，且支撐結構300的頂表面高於訊號線230的頂表面。在一實施例中，支撐結構300的底表面低於導電層224的第二層224A的底表面，且支撐結構300的頂表面高於第二層224A的頂表面。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板11在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板11的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板11的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板11中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板11電性的前提下解決陣列基板11變形的問題。
圖15是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖15的實施例沿用圖14的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板12包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中支撐結構300位於基底100與絕緣層130之間。在本實施例中，支撐結構300嵌入絕緣層110以及絕緣層120。在一實施例中，訊號線210、導電層224的第一層224B以及支撐結構300屬於同一膜層，且支撐結構300的材料包括金屬。支撐結構300的厚度T1介於0.05微米與0.6微米之間。訊號線210的厚度T2介於0.05微米與0.6微米之間。在本實施例中，支撐結構300的厚度T1大於訊號線210的厚度T2。
在一實施例中，訊號線210位於絕緣層110的上表面，且訊號線210與基底100之間的垂直距離P約等於絕緣層110的厚度。在一實施例中，傳導結構220的第一層224B與支撐結構300都形成於絕緣層110的溝渠內或是嵌入絕緣層110內，因此，第一層224B與支撐結構300的下表面會低於訊號線210的下表面。在一實施例中，導電層224位於接合區CR內的第一層224B係嵌入絕緣層110以及絕緣層120，且與基底100之上表面具有垂直距離P3，垂直距離P3例如介於0微米與1微米之間。在一實施例中，支撐結構300與基底100之上表面具有垂直距離P4，垂直距離P4例如介於0微米與1微米之間。由於支撐結構300有部分嵌入絕緣層110，且支撐結構300與基底100之間留有部分的絕緣層110，因此，支撐結構300可以有效的斷開絕緣層110中的應力，使陣列基板12比較不容易變形。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板12在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板12的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板12的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板12中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板12電性的前提下解決陣列基板12變形的問題。
圖16是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖16的實施例沿用圖15的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板13包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構300與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構300位於基底100與絕緣層130之間。在本實施例中，支撐結構300嵌入絕緣層110以及絕緣層120。在一實施例中，訊號線210、導電層224的第一層224B以及支撐結構300屬於同一膜層，且支撐結構300的材料包括金屬。
在本實施例中，支撐結構300包括嵌入絕緣層120的主體部312A以及從主體部312A朝絕緣層110延伸的多個指叉部312B。指叉部312B嵌入絕緣層110。在一實施例中，指叉部312B例如與部分的絕緣層110交替排列。在本實施例中，藉由指叉部312B的設置來提高支撐結構300與絕緣層110之間的接觸面積，藉此固定支撐結構300與絕緣層110的相對位置，進一步避免陣列基板13變形。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板13在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板13的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板13的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板13中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板13電性的前提下解決陣列基板13變形的問題。
圖17A~圖17C是依照本發明的一實施例的一種支撐結構與訊號線的製造流程的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖17A~圖17C的實施例沿用圖15的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
請參考圖17A，在本實施例中，於絕緣層110形成溝渠H之後，在絕緣層110上形成導電材料層M1，導電材料層M1覆蓋絕緣層110且部分導電材料層M1填入溝渠H中。雖然在本實施例中，導電材料層M1的上表面為平整的表面，但本發明不以此為限。在一些實施例中，導電材料層M1的部分上表面於溝渠H處會內凹，使溝渠H內之導電材料層M1的上表面低於溝渠H外之導電材料層M1的上表面。
在一些實施例中，導電材料層M1可以包括單層結構或多層結構，例如包括鈦、鋁、鉬、銅、金、銀或其他導電材料或上述導電材料所組合成的單層結構或多層結構。
於導電材料層M1上提供光阻OM1，光阻OM1具有多個開口，在陣列區DR中的開口例如對應於欲形成訊號線210以外的位置，在接合區CR中的開口例如對應於欲形成支撐結構300以外的位置。接著蝕刻導電材料層M1，以將光阻OM1的圖案轉移至導電材料層M1上。
請參考圖17B，光阻OM1的圖案轉移至導電材料層M1上，以形成導電材料層M1’。在陣列區DR中的導電材料層M1’例如對應欲形成訊號線210的位置，在接合區CR中的導電材料層M1’例如對應欲形成支撐結構300的位置。接著於導電材料層M1’上提供光阻OM2以及光阻OM3，光阻OM2對應欲形成支撐結構300的位置之厚度K1大於光阻OM3對應欲形成訊號線210的位置之厚度K2。接著蝕刻導電材料層M1’，以轉移光阻OM2以及光阻OM3的圖案。
請參考圖17C，在本實施例中，由於厚度K1大於厚度K2，因此，對應於光阻OM2的支撐結構300的上表面會高於對應於光阻OM3的訊號線210的上表面。此外，由於支撐結構300是形成於絕緣層110的溝渠H中，因此，對應於溝渠H的支撐結構300的下表面會低於訊號線210的下表面。
雖然圖17A~圖17C中的支撐結構300是形成於絕緣層110上，且與訊號線210屬於同一膜層，但本發明不以此為限。在一些實施例中（例如圖13和圖14的實施例），支撐結構300是形成於絕緣層120上，且與訊號線230屬於同一膜層。
基於上述，本發明至少一實施例中，支撐結構300與訊號線210是同時形成的，不需要額外的製程來形成支撐結構300。另外，由於支撐結構300可以有較厚的厚度，因此，支撐結構300可以較佳的斷開絕緣層中的應力，使陣列基板比較不容易變形。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板電性的前提下解決陣列基板變形的問題。
圖18A~圖18C是依照本發明的一實施例的一種支撐結構、輔助支撐結構與訊號線的製造流程的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖18A~圖18C的實施例沿用圖17A~圖17C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，可以在形成支撐結構300A的同時，形成其他兩種厚度不同於支撐結構300A的訊號線210及/或輔助支撐結構300B。
請參考圖18A，在本實施例中，於絕緣層110中形成溝渠H之後，在絕緣層110上形成導電材料層M1，導電材料層M1覆蓋絕緣層110且部分導電材料層M1填入溝渠H中。在本實施例中，導電材料層M1的部分上表面於溝渠H處會內凹，使位於溝渠H內之部分導電材料層M1的上表面低於位於溝渠H外之導電材料層M1的上表面，但本發明不以此為限。在一些實施例中，導電材料層M1的上表面為平整的表面。
在本實施例中，導電材料層M1包括多層結構，例如包括第一導電層M1a與第二導電層M1b。在一些實施例中，第一導電層M1a的材料不同於第二導電層M1b的材料。在一些實施例中，第一導電層M1a的材料例如包括鈦、鉬或其他導電材料，第二導電層M1b的材料例如包括鋁或其他導電材料。
於導電材料層M1上提供光阻OM1以及光阻OM4。光阻OM1以及光阻OM4例如是藉由半調式光罩(Half-tone mask)或其他類似的製程所一起定義出來的。在一些實施例中，光阻OM4的厚度小於光阻OM1的厚度。在本實施例中，光阻OM4形成於陣列區DR，而光阻OM1形成於接合區CR，但本發明不以此為限，光阻OM4形成於接合區CR，而光阻OM1形成於陣列區DR，也可以是接合區CR與陣列區DR都同時具有光阻OM1以及光阻OM4。
OM1以及光阻OM4具有多個開口，在陣列區DR中的開口例如對應於欲形成訊號線210以外的位置，在接合區CR中的開口例如對應於欲形成支撐結構300A及輔助支撐結構300B以外的位置。接著蝕刻導電材料層M1，以將光阻OM1以及光阻OM4的圖案轉移至導電材料層M1上。
請參考圖18B，光阻OM1以及光阻OM4的圖案轉移至導電材料層M1上，以形成導電材料層M1’，導電材料層M1’例如包括第一導電層M1a’與第二導電層M1b’。在陣列區DR中的導電材料層M1’例如對應欲形成訊號線210的位置，在接合區CR中的導電材料層M1’例如對應欲形成支撐結構300A與輔助支撐結構300B的位置。
利用灰化製程或蝕刻製程移除光阻OM4以及部分的光阻OM1，灰化製程例如是利用氧電漿移除光阻OM4以及部分的光阻OM1。由於光阻OM4的厚度小於光阻OM1的厚度，在光阻OM4都被移除了以後，光阻OM1仍會有部分殘留。接著以殘留下來的光阻OM1’(圖18B)為罩幕，繼續蝕刻導電材料層M1’。
請參考圖18B及圖18C，導電材料層M1’未被光阻OM1’所遮罩的部分形成訊號線210的第一層210a與第二層210b。導電材料層M1’被光阻OM1’所遮罩的部分則形成支撐結構300A的第一層300Aa與第二層300Ab以及輔助支撐結構300B的第一層300Ba與第二層300Bb。由於訊號線210的第二層210b未被光阻OM1’所遮罩，因此訊號線210的第二層210b之厚度會小於支撐結構300A的第二層300Ab之厚度及/或輔助支撐結構300B的第二層300Bb之厚度。
利用灰化製程或蝕刻製程移除殘留下來的光阻OM1’之後，如圖18C，於訊號線210的第二層210b、支撐結構300A的第二層300Ab以及輔助支撐結構300B的第二層300Bb上形成訊號線210的第三層210c、支撐結構300A的第三層300Ac以及輔助支撐結構300B的第三層300Bc，以完成本實施例中的訊號線210、支撐結構300A以及輔助支撐結構300B。訊號線210的第三層210c、支撐結構300A的第三層300Ac以及輔助支撐結構300B的第三層300Bc屬於同一膜層。形成第三層210c/300Ac/300Bc的方法例如包括先沉積一層導電材料(未繪示)，接著在圖案化該層導電材料。在一些實施例中，第三層210c/300Ac/300Bc的材料與第一層210a/300Aa/300Ba的材料相同。
雖然在本實施例中，移除殘留下來的光阻OM1’之後還會形成第三層210c/300Ac/300Bc，但本發明不以此為限。在一些實施例中，移除殘留下來的光阻OM1’之後不會形成第三層210c/300Ac/300Bc。
在本實施例中，由於輔助支撐結構300B是形成於絕緣層110的溝渠H中，因此，對應於溝渠H的輔助支撐結構300B的下表面會低於支撐結構300A與訊號線210的下表面，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構300A形成於溝渠H中，且支撐結構300A的厚度大於輔助支撐結構300B的厚度。
雖然圖18A~圖18C中的支撐結構300A與輔助支撐結構300B是形成於絕緣層110上，且與訊號線210屬於同一膜層，但本發明不以此為限。在一些實施例中，支撐結構300A與輔助支撐結構300B是形成於絕緣層120上，且與訊號線230屬於同一膜層。
基於上述，本發明至少一實施例中，支撐結構300A、輔助支撐結構300B與訊號線210是同時形成的，不需要額外的製程來形成支撐結構300A與輔助支撐結構300B。另外，由於支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以有較厚的厚度，因此，支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以較佳的斷開絕緣層中的應力，使陣列基板比較不容易變形。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300A與輔助支撐結構300B來減輕陣列基板的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板電性的前提下解決陣列基板變形的問題。
圖19是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖19的實施例沿用圖8的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板15包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構400。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構400與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構400包括第一部分410、第二部分420以及第三部分430。在本實施例中，支撐結構400的第一部分410包括外層410A以及內層410B。第一部分410的外層410A的材料包括金屬氧化物。在本實施例中，第一部分410的內層410B位於外層410A內，且內層410B不與絕緣層110接觸。在本實施例中，第一部分410的內層410B包括空隙。
第二部分420位於絕緣層110與第一部分410之間。在一實施例中，支撐結構400的第二部分420、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且第二部分420的材料包括金屬。支撐結構400的第二部分420與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0微米與1微米之間。
第三部分430位於第二部分420與第一部分410之間並與外層410A和第二部分420連接。在一實施例中，第三部分430的材料與絕緣層130的材料相同。在本實施例中，支撐結構400的第三部分430與絕緣層130連成一體，也可以說絕緣層130將支撐結構400的第一部分410與第二部分420分開。在一實施例中，支撐結構400的第一部分410與第二部分420皆為剛性材料，且第一部分410與第二部分420之間的第三部分430能作為應力緩衝層。雖然在本實施例中，支撐結構400包括位於第一部分410與第二部分420之間的第三部分430，但本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構400不包括第三部分430，且第一部分410與第二部分420直接接觸。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板15在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構400。支撐結構400可以減輕陣列基板15的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構400來減輕陣列基板15的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板15中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板15電性的前提下解決陣列基板15變形的問題。
圖20是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖20的實施例沿用圖19的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板16包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構400。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構400與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構400包括第一部分410、第二部分420以及第三部分430。在本實施例中，支撐結構400的第一部分410包括外層410A以及內層410B。第一部分410的外層410A的材料包括金屬氧化物。在本實施例中，內層410B的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠或熱固化型框膠。在一實施例中，內層410B例如包括絕緣層140的材料。在一實施例中，第一部分410的外層410A與內層410B包括剛性材料。
第三部分430位於第二部分420與第一部分410之間。在一實施例中，第三部分430的材料與絕緣層130的材料相同。在本實施例中，支撐結構400的第三部分430與絕緣層130連成一體，也可以說絕緣層130將支撐結構400的第一部分410與第二部分420分開。在一實施例中，支撐結構400的第一部分410與第二部分420皆為剛性材料，且第一部分410與第二部分420之間的第三部分430能作為應力緩衝層。雖然在本實施例中，支撐結構400包括位於第一部分410與第二部分420之間的第三部分430，但本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構400不包括第三部分430，且第一部分410與第二部分420直接接觸。
第二部分420位於絕緣層110與第一部分410之間。在一實施例中，支撐結構400的第二部分420、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且第二部分420的材料包括金屬。支撐結構400的第二部分420與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0微米與1微米之間。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板16在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構400。支撐結構400可以減輕陣列基板16的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構400來減輕陣列基板16的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板16中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板16電性的前提下解決陣列基板16變形的問題。
圖21是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖21的實施例沿用圖11及圖20的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板17包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、保護層150、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD、支撐結構400A以及輔助支撐結構400B。
在本實施例中，形成發光元件LD之後，於發光元件上形成保護層150。保護層150例如暴露出陣列基板17的接合區CR。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構400A位於接合區CR中。支撐結構400A與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在一實施例中，支撐結構400A包括第一部分410、第二部分420以及第三部分430。在本實施例中，支撐結構400A的第一部分410的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠或熱固化型框膠。在一實施例中，第一部分410包括剛性材料。
在本實施例中，第二部分420位於絕緣層110與第一部分410之間。在一實施例中，支撐結構400A的第二部分420、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且第二部分420的材料包括金屬。支撐結構400A的第二部分420與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0微米與1微米之間。
第三部分430位於第二部分420與第一部分410之間。在一實施例中，第三部分430的材料與絕緣層130的材料相同。在本實施例中，支撐結構400A的第三部分430與絕緣層130連成一體，也可以說絕緣層130將支撐結構400A的第一部分410與第二部分420分開。在一實施例中，支撐結構400A的第一部分410與第二部分420皆為剛性材料，且第一部分410與第二部分420之間的第三部分430能作為應力緩衝層。雖然在本實施例中，支撐結構400A包括位於第一部分410與第二部分420之間的第三部分430，但本發明不以此為限。在其他實施例中，支撐結構400A不包括第三部分430，且第一部分410與第二部分420直接接觸。在本實施例中，第一部分410可與保護層150同時形成且具有相同的材料，但本發明不以此為限。
輔助支撐結構400B位於接合區CR的開口O3中，開口O3例如是位於支撐墊ST中。在本實施例中，支撐墊ST為單層結構，且為絕緣層130的一部分。輔助支撐結構400B至少部分嵌入絕緣層130內。開口O3的下方留有部分的絕緣層130，避免降低絕緣層130保護傳導結構220的能力。輔助支撐結構400B與接合墊226之間的水平距離H2介於5微米與1000微米之間。在一實施例中，輔助支撐結構400B的材料例如與支撐結構400A的第一部分410的材料相同。在一實施例中，支撐結構400A的第一部分410與輔助支撐結構400B例如是同時形成。在一實施例中，支撐結構400A的第一部分410、輔助支撐結構400B與保護層150例如是同時形成。
在本實施例中，支撐結構400A的第一部分410與輔助支撐結構400B並未被絕緣層140所覆蓋。因此，支撐結構400A的第一部分410與輔助支撐結構400B例如可以與保護層150同時形成。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板17在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構400A與輔助支撐結構400B。支撐結構400A與輔助支撐結構400B可以減輕陣列基板12的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構400A與輔助支撐結構400B來減輕陣列基板17的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板17中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板17電性的前提下解決陣列基板17變形的問題。
圖22是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖22的實施例沿用圖19的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板18包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構400。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構400與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構400包括第一部分410以及第二部分420。在本實施例中，支撐結構400的第一部分410包括外層410A以及內層410B。在一實施例中，第一部分410的外層410A的材料包括金屬氧化物。在本實施例中，第一部分410的內層410B位於外層410A內，且內層410B不與絕緣層110接觸。在本實施例中，第一部分410的內層410B包括空隙。
第二部分420位於絕緣層110與第一部分410之間。在一實施例中，支撐結構400的第二部分420、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且第二部分420的材料包括金屬。支撐結構400的第二部分420與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0微米至1微米之間。在本實施例中，支撐結構400的第一部分410與第二部分420直接接觸。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板18在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構400。支撐結構400可以減輕陣列基板18的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構400來減輕陣列基板18的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板18中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板18電性的前提下解決陣列基板18變形的問題。
圖23是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖23的實施例沿用圖20的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板19包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構400。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構400與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構400包括第一部分410以及第二部分420。在本實施例中，支撐結構400的第一部分410包括外層410A以及內層410B。在一實施例中，第一部分410的外層410A的材料包括金屬氧化物。在本實施例中，內層410B的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠或熱固化型框膠。在一實施例中，內層410B例如包括絕緣層140的材料。在一實施例中，第一部分410的外層410A與內層410B包括剛性材料。
第二部分420位於絕緣層110與第一部分410之間。在一實施例中，支撐結構400的第二部分420、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且第二部分420的材料包括金屬。支撐結構400的第二部分420與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0微米與1微米之間。在本實施例中，支撐結構400的第一部分410與第二部分420直接接觸。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板19在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構400。支撐結構400可以減輕陣列基板19的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構400來減輕陣列基板19的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板19中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板19電性的前提下解決陣列基板19變形的問題。
圖24是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖24的實施例沿用圖21的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板20包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、保護層150、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD、支撐結構400A以及輔助支撐結構400B。
在本實施例中，形成發光元件LD之後，於發光元件LD上形成保護層150。保護層150例如暴露出陣列基板20的接合區CR。
在本實施例中，傳導結構220的接合墊226位於接合區CR中，且接合墊226與元件陣列DA電性連接。支撐結構400A位於接合區CR中。支撐結構400A與接合墊226之間的水平距離H1介於5微米與1000微米之間。
在本實施例中，支撐結構400A包括第一部分410以及第二部分420。在本實施例中，支撐結構400A的第一部分410的材料例如為金屬、氧化矽、氧化氮、光阻、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、六甲基二矽氧烷(HDMSO)、紫外光固化型框膠或熱固化型框膠。在一實施例中，第一部分410包括剛性材料。
在本實施例中，第二部分420位於絕緣層110與第一部分410之間。在一實施例中，支撐結構400A的第二部分420、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層，且第二部分420的材料包括金屬。支撐結構400A的第二部分420與絕緣層110之上表面之間具有垂直距離P1。垂直距離P1例如介於0微米與1微米之間。在本實施例中，支撐結構400A的第一部分410與第二部分420直接接觸。
在本實施例中，支撐結構400A的第一部分410與輔助支撐結構400B並未被絕緣層140所覆蓋。因此，支撐結構400A的第一部分410與輔助支撐結構400B例如可以與保護層150同時形成且具有相同的材料。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板20在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構400A與輔助支撐結構400B。支撐結構400A與輔助支撐結構400B可以減輕陣列基板20的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構400A與輔助支撐結構400B來減輕陣列基板20的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板20中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板20電性的前提下解決陣列基板20變形的問題。
圖25是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖25的實施例沿用圖15的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板21包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD以及支撐結構300。
在本實施例中，支撐結構300包括於垂直基底100的方向上互相堆疊的第一部分310與第二部分320。第一部分310嵌入絕緣層120以及絕緣層130。第二部分320嵌入絕緣層110以及絕緣層120。
在本實施例中，第一部分310與第二部分320的材料包括金屬。在一實施例中，第一部分310、訊號線230以及導電層224的第二層224A屬於同一膜層。在一實施例中，第二部分320、訊號線210以及導電層224的第一層224B屬於同一膜層。在一實施例中，第一部分310的厚度大於訊號線230的厚度。在一實施例中，第二部分320的厚度大於訊號線210的厚度。
在本實施例中，支撐結構300還包括夾在第一部分310與第二部分320之間的第三部分330且第三部分330能作為應力緩衝層。在一實施例中，第三部分330與絕緣層120連成一體，也可以說絕緣層120將第一部分310與第二部分320分開。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板21在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300。支撐結構300可以減輕陣列基板21的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300來減輕陣列基板21的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板21中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板21電性的前提下解決陣列基板21變形的問題。
在以上實施例中，接合墊226可低於其周圍之結構之高度，然本發明不侷限於此，於其他變化例中，接合墊226可高於其周圍之結構之高度。
圖26是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖26的實施例沿用圖25的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
在本實施例中，陣列基板22包括基底100、絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、訊號線210、傳導結構220、訊號線230、訊號線244、發光元件LD、支撐結構300A、輔助支撐結構300B以及主動元件TFT。
主動元件TFT包括閘極510、半導體通道層520、源極530以及汲極540。
半導體通道層520位於基底100上。在本實施例中，基底100可以包括絕緣層105，半導體通道層520位於絕緣層105上。絕緣層110覆蓋半導體通道層520，閘極510位於絕緣層110上，閘極510與半導體通道層520之間夾有絕緣層110。閘極510與絕緣層105之間距有垂直距離P1。閘極510電性連接至訊號線210。絕緣層120覆蓋閘極510與訊號線210。
源極530以及汲極540位於絕緣層120上。源極530以及汲極540填入絕緣層110的開口以及絕緣層120的開口，並分別電性連接至半導體通道層520。源極530電性連接至導電層224的第二層224A。第二層224A與絕緣層105之間具有垂直距離P2。汲極540電性連接至發光元件LD的電極242。在本實施例中，顯示介質L填入絕緣層140的開口，電極242電性連接至汲極540。在一些實施例中發光元件LD的電極250（例如為陰極）可以電性連接到其他的導電層。
雖然在本實施例中，主動元件TFT的源極530電性連接至導電層224，而汲極540電性連接至發光元件LD，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件TFT的汲極540電性連接至導電層224。
在本實施例中，支撐結構300A、輔助支撐結構300B、訊號線210、閘極510與第二層224A屬於同一膜層，且例如是藉由類似圖17A~圖17C或圖18A~圖18C的製程所形成。在本實施例中，輔助支撐結構300B與第二層224A的下表面可以低於支撐結構300A與訊號線210的下表面，輔助支撐結構300B與第二層224A的下表面例如齊平，且與絕緣層105之間具有垂直距離P3。在本實施例中，垂直距離P2大於垂直距離P1，垂直距離P1大於垂直距離P3。
訊號線210的上表面可以低於支撐結構300A、輔助支撐結構300B與第二層224A的上表面。在一實施例中，訊號線210的厚度小於支撐結構300A的厚度，支撐結構300A的厚度小於輔助支撐結構300B的厚度，輔助支撐結構300B的厚度約等於第二層224A的厚度。
基於上述，本發明至少一實施例提供的陣列基板22在靠近接合墊226的位置設置有支撐結構300A與輔助支撐結構300B。支撐結構300A與輔助支撐結構300B可以減輕陣列基板22的接合區CR在製造過程中產生的變形，使接合墊226不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。此外，本發明至少一實施例藉由設置支撐結構300A與輔助支撐結構300B來減輕陣列基板22的接合區CR在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板22中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板22電性的前提下解決陣列基板22變形的問題。
在以上實施例中，接合墊226可低於其周圍之結構之高度，然本發明不侷限於此，於其他變化例中，接合墊226可高於其周圍之結構之高度。
本發明至少一實施例提供的陣列基板在靠近接合墊的位置設置有支撐結構及/或輔助支撐結構。支撐結構及/或輔助支撐結構可以減輕陣列基板的接合區在製造過程中產生的變形，使接合墊不會偏離預期的位置。因此，能大幅的提升產品的良率。
在本發明至少一實施例中，支撐結構及/或輔助支撐結構可以有效的斷開絕緣層中的應力，使陣列基板比較不容易變形。在本發明至少一實施例中，形成顯示介質之後才形成支撐結構及/或輔助支撐結構，因此能避免顆粒汙染顯示介質。
在本發明至少一實施例中，陣列基板是可撓性基板，且形成於剛性載板上，在將陣列基板從剛性載板取下前形成支撐結構及/或輔助支撐結構，避免陣列基板在從剛性載板取下後變形。
本發明至少一實施例藉由設置支撐結構及/或輔助支撐結構來減輕陣列基板的接合區在製造過程中產生的變形，不需要調整陣列基板中的元件陣列的材質，也不需要調整元件陣列中各個膜層的厚度，因此，可以在不影響陣列基板電性的前提下解決陣列基板變形的問題。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1、1A、1B、1C、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22‧‧‧陣列基板
100‧‧‧基底
105、110、120、130、140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧保護層
210、230、244‧‧‧訊號線
210a、224B、300Aa、300Ba‧‧‧第一層
210b、224A、300Ab、300Bb‧‧‧第二層
210c、300Ac、300Bc‧‧‧第三層
220‧‧‧傳導結構
224‧‧‧導電層
226‧‧‧接合墊
242、250‧‧‧電極
300、300A、400‧‧‧支撐結構
300B‧‧‧輔助支撐結構
310、410、310A‧‧‧第一部分
320、420、310B‧‧‧第二部分
330、430‧‧‧第三部分
312A‧‧‧主體部
312B‧‧‧指叉部
410A‧‧‧外層
410B‧‧‧內層
510‧‧‧閘極
520‧‧‧通道層
530‧‧‧源極
540‧‧‧汲極
A1、A2、T1、T2‧‧‧厚度
CR‧‧‧接合區
DA‧‧‧元件陣列
DR‧‧‧陣列區
H‧‧‧溝渠
H1、H2‧‧‧水平距離
K1、K2‧‧‧厚度
L‧‧‧顯示介質
LD‧‧‧發光元件
M1、M1’‧‧‧導電材料層
M1a、M1a’‧‧‧第一導電層
M1b、M1b’‧‧‧第二導電層
O1、O1’、O2、O3、O4‧‧‧開口
OM1、OM1’、OM2、OM3、OM4‧‧‧光阻
P、P0、P1、P2、P3、P4‧‧‧垂直距離
ST‧‧‧支撐墊
TFT‧‧‧主動元件
W1‧‧‧寬度
圖1是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖2A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖2B是沿著圖2A之線AA’的剖面示意圖。 圖3A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖3B是沿著圖3A之線AA’的剖面示意圖。 圖4A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖4B是沿著圖4A之線AA’的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的上視示意圖。 圖8是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖9是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖10是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖11是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖12是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖13是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖14是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖15是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖16是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖17A~圖17C是依照本發明的一實施例的一種支撐結構與訊號線的製造流程的剖面示意圖。 圖18A~圖18C是依照本發明的一實施例的一種支撐結構、輔助支撐結構與訊號線的製造流程的剖面示意圖。 圖19是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖20是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖21是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖22是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖23是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖24是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖25是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。 圖26是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的剖面示意圖。

Claims (18)

  1. 一種陣列基板，包括： 一元件陣列； 一接合墊，位於一接合區中，且與該元件陣列電性連接；以及 至少一支撐結構，與該接合墊之間的一第一水平距離介於5微米與1000微米之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括： 一第一基底； 一第一絕緣層，位於該第一基底上；以及 一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上，其中該支撐結構至少部分嵌入該第二絕緣層，且該支撐結構與該第一絕緣層之上表面之間具有一第一垂直距離，該支撐結構包括不同材料的一第一部分與一第二部分。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中該支撐結構的該第一部分的材料包括金屬氧化物。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中該支撐結構的該第二部分位於該第一部分內，且該第二部分不與該第一絕緣層接觸，該第二部分包括空隙。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的陣列基板，更包括： 一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上，該支撐結構更嵌入該第三絕緣層內，該接合墊包括： 一第一導電層，係從該接合區朝該元件陣列延伸，其中不位於該接合區內的部分該第一導電層與該第一絕緣層之上表面具有一第二垂直距離，該第二垂直距離介於0微米與1微米之間。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中該第二部分位於該第一絕緣層與該第一部分之間，且該支撐結構的該第二部分的材料包括金屬。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的陣列基板，其中該支撐結構更包括一第三部分，位於該第二部分與該第一部分之間，該第三部分的材料包括絕緣材料。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的陣列基板，更包括： 一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上，該支撐結構更嵌入該第三絕緣層內，該接合墊包括： 一第一導電層，係從該接合區朝該元件陣列延伸，不位於該接合區內的部分該第一導電層與該第一絕緣層之上表面具有一第二垂直距離，該第二垂直距離介於0微米與1微米之間。
  9. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中該第二部分位於該第一部分內，且該第二部分不與該第一絕緣層接觸，該第二部分的材料包括絕緣材料，其中該絕緣材料包括氮化矽、氧化矽或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的陣列基板，更包括： 一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上，該支撐結構更嵌入該第三絕緣層內；以及 一第四絕緣層，位於該第三絕緣層上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的陣列基板，其中該支撐結構更嵌入該第四絕緣層內。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的陣列基板，更包括： 一輔助支撐結構，與該接合墊之間的一第二水平距離介於5微米與1000微米之間。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的陣列基板，更包括： 一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上，該輔助支撐結構至少部分嵌入該第三絕緣層內，且該輔助支撐結構的材料包括金屬氧化物、絕緣材料或上述材料的組合。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括： 一第一基底； 一第一絕緣層，位於該第一基底上；以及 一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上，其中該支撐結構至少部分嵌入該第二絕緣層，且該支撐結構與該第一絕緣層之下表面之間具有一第三垂直距離，該第三垂直距離介於0微米與1微米之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的陣列基板，該支撐結構包括嵌入該第二絕緣層的一主體部以及從該主體部朝該第一絕緣層延伸的多個指叉部，其中該些指叉部嵌入該第一絕緣層。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括： 一第一導電層，係從該接合區朝該元件陣列延伸，位於該接合區內的部分該第一導電層嵌入該第一絕緣層內，且與該第一絕緣層之下表面具有一第四垂直距離，該第四垂直距離介於0微米與1微米之間。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括： 一第一導電層，係從該接合區朝該元件陣列延伸，不位於該接合區內的部分該第一導電層與該第一絕緣層之上表面具有一第二垂直距離，該支撐結構與該第一絕緣層之上表面具有一第五垂直距離，該第五垂直距離小於或等於該第二垂直距離，且該支撐結構與該第一導電層不位於該接合區內的部分屬於同一膜層。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中該支撐結構包括於垂直該第一基底的方向上互相堆疊的一第一部分與一第二部分，該第一部分以及該第二部分嵌入該第二絕緣層中，該第一部分與該第二部分之間夾有部分該第二絕緣層，且該第一部分與該第二部分的材料包括金屬。
TW106131079A 2017-09-11 2017-09-11 陣列基板 TWI648573B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106131079A TWI648573B (zh) 2017-09-11 2017-09-11 陣列基板
CN201711139591.0A CN107887339B (zh) 2017-09-11 2017-11-16 阵列基板
US15/839,870 US10312206B2 (en) 2017-09-11 2017-12-13 Array substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106131079A TWI648573B (zh) 2017-09-11 2017-09-11 陣列基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI648573B TWI648573B (zh) 2019-01-21
TW201913192A true TW201913192A (zh) 2019-04-01

Family

ID=61777512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106131079A TWI648573B (zh) 2017-09-11 2017-09-11 陣列基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10312206B2 (zh)
CN (1) CN107887339B (zh)
TW (1) TWI648573B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717911B (zh) * 2019-11-25 2021-02-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
TWI775506B (zh) * 2020-08-14 2022-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200047832A (ko) * 2018-10-24 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI712844B (zh) * 2019-07-03 2020-12-11 友達光電股份有限公司 元件基板及其製造方法
WO2021035548A1 (zh) * 2019-08-27 2021-03-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
EP4024465A4 (en) 2019-08-27 2022-09-21 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
WO2021077334A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6551916B2 (en) * 1999-06-08 2003-04-22 Winbond Electronics Corp. Bond-pad with pad edge strengthening structure
DE10025639A1 (de) * 2000-05-24 2001-11-29 Sms Demag Ag Düsenbalken für die Kühlung oder Entzunderung von metallischem Stranggut, insbesondere von Walzgut
TW486721B (en) 2000-08-30 2002-05-11 Acer Display Tech Inc Plasma display having auxiliary bonding pad
KR101024651B1 (ko) 2004-06-05 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법
WO2006128028A2 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 The Regents Of The University Of Michigan Office Of Technology Transfer Wafer-level, polymer-based encapsulation for microstructure devices
US7575810B2 (en) * 2005-09-23 2009-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Reflector with non-uniform metal oxide layer surface
KR101095780B1 (ko) 2009-06-30 2011-12-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조방법
US8804081B2 (en) * 2009-12-18 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device with electrode having opening over thin film transistor
CN103700618B (zh) 2013-12-13 2016-09-07 中国电子科技集团公司第五十八研究所 基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法
CN104091891A (zh) 2014-06-03 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板及其制造方法、显示装置
TWI570899B (zh) 2014-09-10 2017-02-11 群創光電股份有限公司 薄膜電晶體基板
CN105789242A (zh) * 2014-12-23 2016-07-20 深圳Tcl工业研究院有限公司 高温tft复合柔性基板和制备方法及柔性显示器件制备方法
CN106155395A (zh) * 2015-04-12 2016-11-23 宝宸（厦门）光学科技有限公司 触控面板及其接合结构
CN104851904B (zh) 2015-05-13 2018-01-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR102385233B1 (ko) 2015-08-06 2022-04-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN105093729B (zh) * 2015-09-17 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
TWI559511B (zh) * 2016-03-03 2016-11-21 友達光電股份有限公司 導電元件基板、導電元件基板的製造方法以及顯示面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717911B (zh) * 2019-11-25 2021-02-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
TWI775506B (zh) * 2020-08-14 2022-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190081124A1 (en) 2019-03-14
CN107887339B (zh) 2020-02-07
US10312206B2 (en) 2019-06-04
CN107887339A (zh) 2018-04-06
TWI648573B (zh) 2019-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI648573B (zh) 陣列基板
TWI753513B (zh) 顯示基板及顯示裝置
US10707429B2 (en) Flexible display panel and flexible display apparatus
US9287342B2 (en) Flexible organic light emitting display and method of manufacturing the same
CN109192878B (zh) 柔性oled显示面板
CN108091675B (zh) 显示基板及其制作方法
CN107978625B (zh) 柔性显示装置
WO2021017986A1 (zh) 显示基板及显示装置
WO2022193699A1 (zh) 显示基板及显示装置
US11537253B2 (en) Touch substrate and manufacturing method therefor, touch display substrate, and touch display device
TWI671572B (zh) 顯示面板及其製造方法
KR20010106471A (ko) 소자의 캡슐화
TWI512582B (zh) 觸控面板與觸控顯示面板
WO2020199122A1 (zh) 触控基板、触控屏和电子装置
US11119595B2 (en) Touch display panel and manufacturing method for reducing interference with touch signal
WO2021248453A1 (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
WO2022067520A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2022067522A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2024016704A1 (zh) 显示面板及移动终端
TWI684266B (zh) 可撓式面板及其製作方法
TWI797768B (zh) 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置
US11527555B2 (en) Driving substrate and electronic device with a thin film transistor that is divided into multiple active blocks
TWI856711B (zh) 顯示裝置
TW202403974A (zh) 電子裝置
US20240188393A1 (en) Display device and method of manufacturing the same