JP4944673B2 - 電圧発生回路、アナログ・デジタル変換回路、イメージセンサシステム - Google Patents

電圧発生回路、アナログ・デジタル変換回路、イメージセンサシステム Download PDF

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Description

本発明は、電圧を発生させる回路に関し、さらに詳しくは、ラダー抵抗を用いて複数の基準電圧を生成しこれらの基準電圧を合成することによって多段階の出力電圧を発生させる電圧発生回路に関する。
多段階の出力電圧を発生させる電圧発生回路は、様々な装置に用いられる。例えば、液晶表示装置では、このような電圧発生回路を用いて、輝度値を示すデジタル値に応じた階調電圧を生成し、その階調電圧を用いて液晶パネルを駆動させている。また、イメージセンサシステムでは、イメージセンサ回路によって得られたアナログ信号を輝度値を示すデジタル値に変換するために、電圧発生回路が使用されている。他にも、このような電圧発生回路は、デジタル値をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換回路や、電圧値が段階的に増加するランプ波を発生させるランプ波発生回路、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換回路にも使用されている。
従来の電圧発生回路は、複数の基準電圧を生成するラダー抵抗と、ラダー抵抗の複数のタップに対応する複数のスイッチとを備えており、複数のスイッチのうちいずれか1つをオン状態にすることにより、複数の基準電圧のうちいずれか1つが出力電圧として出力される。このようにして、多段階の出力電圧を発生させている。
しかし、このような電圧発生回路では、出力電圧の階調数を多くするために、基準電圧の数を増加させる必要がある。そのため、ラダー抵抗を構成する抵抗素子の個数、スイッチの個数を多くする必要があり、回路規模が増大してしまう。例えば、11ビットの出力電圧を実現するためには、抵抗素子およびスイッチは、それぞれ、2048個(211個)ずつ必要であり、12ビットの出力電圧を実現するためには、4096個(212個)ずつ必要となる。このように、出力電圧の階調数を大きくする程、電圧発生回路の回路規模が大きくなる。
そこで、特許第3611672号(特許文献1)には、抵抗素子およびスイッチの個数を増加させることなく、出力電圧の階調数を増加させる技術が開示されている。特許文献1に記載の電圧発生回路では、2つのスイッチを同時にオン状態にして中間電圧を生成することにより、出力電圧の階調数を増加させている。また、同時にオン状態にするスイッチの個数を多くすれば、出力電圧の階調数をさらに多くすることができる。
特許第3611672号公報
しかしながら、同時にオン状態になるスイッチの個数が多くなる程、出力電圧の誤差が大きくなる。例えば、このような電圧発生回路を用いて電圧値が段階的に上昇するランプ波を発生させる場合、同時にオン状態になるスイッチの個数が多くなる程、ランプ波の微分非直線性誤差が大きくなる。
そこで、本発明は、出力電圧の誤差の増大を抑制しつつ回路規模を低減することを目的とする。
この発明の1つの局面に従うと、電圧発生回路は、所定電圧を受け、互いに異なる複数の基準電圧を発生させるラダー抵抗回路と、上記ラダー抵抗回路の複数のタップに対応し、各々の一方端が自己に対応するタップに接続され、各々の他方端が出力ノードに接続され、各々のオン抵抗値が可変である複数のスイッチ回路と、上記複数のスイッチ回路のうち連続するn個(nは2以上の整数)のスイッチ回路を選択し、そのn個のスイッチ回路の各々をオン状態にするとともにそのn個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定する制御回路とを備える。
上記電圧発生回路では、n個のスイッチ回路がオン状態になることによって、n個のスイッチ回路に対応するn個の基準電圧が合成され、その合成電圧が出力電圧として出力ノードに発生する。また、スイッチ回路のオン抵抗値が可変であるので、n個の基準電圧の合成比を調整することができる。このように、多段階の出力電圧を発生させることができる。また、従来よりも、出力電圧を合成するために使用するn個の基準電圧のうち最小の基準電圧と最大の基準電圧との電位差を小さくすることができ、基準電圧のばらつきによる影響を軽減することができるので、同時にオン状態になるスイッチ回路の個数を増やしても、出力電圧の誤差が増大することを抑えることができる。このように、出力電圧の誤差の増大を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。
また、上記制御回路は、デジタル信号を受け、そのデジタル信号のデジタル値に応じた電圧値を有する出力電圧が上記出力ノードに発生するように、そのデジタル値に応じて上記n個のスイッチ回路を選択するとともにそのn個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定しても良い。
上記電圧発生回路では、デジタル信号をアナログ信号に変換することができる。また、アナログ信号の精度劣化を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。このように、上記電圧発生回路をデジタル・アナログ変換回路として使用することができる。
また、上記制御回路は、第1のクロック信号を受け、その第1のクロック信号に同期して上記出力電圧の電圧値が徐々に増加または減少するように、その第1のクロック信号に応じて上記n個のスイッチ回路を選択するとともにそのn個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定しても良い。
上記電圧発生回路では、電圧値が段階的に増加または減少するランプ波を発生させることができる。また、ランプ波の微分非直線性誤差の増大を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。このように、上記電圧発生回路をランプ波発生回路として使用することができる。
この発明の別の局面に従うと、アナログ・デジタル変換回路は、アナログ信号をデジタル信号に変換する回路であって、上記電圧発生回路と、上記アナログ信号の電圧値と上記電圧発生回路からの出力電圧の電圧値とを比較する比較回路と、第2のクロック信号に同期してカウントアップまたはカウントダウンを行うとともに上記比較回路による比較結果を受け、上記アナログ信号と上記出力電圧との大小関係が逆転するときのカウント値を上記デジタル信号として出力するカウント回路とを備える。
上記アナログ・デジタル変換回路では、上記電圧発生回路を適用することにより、デジタル信号の精度劣化を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。
この発明の別の局面に従うと、イメージセンサ回路は、上記電圧発生回路と、被写体の映像を電気信号に光電変換する複数の撮像素子がマトリクス状に配置された撮像面と、上記撮像面のカラム毎に設けられ各々が自己に対応するカラムに属する撮像素子の各々によって得られた電気信号をアナログ信号に変換して出力する複数の処理部とを含むイメージセンサ回路と、上記イメージセンサ回路の複数の処理部に対応し、各々が自己に対応する処理部からのアナログ信号の電圧値と上記電圧発生回路からの出力電圧の電圧値とを比較する複数の比較回路と、上記複数の比較回路に対応し、各々が第2のクロック信号に同期してカウントアップまたはカウントダウンを行うとともに自己に対応する比較回路による比較結果を受け、その比較回路に対応するアナログ信号と上記出力電圧との大小関係が逆転するときのカウント値をデジタル信号として出力する複数のカウント回路とを備える。
以上のように、出力電圧の誤差の増大を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態による電圧発生回路の構成を示す。この電圧発生回路1は、直列に接続された複数の抵抗素子からなるラダー抵抗回路10と、複数のスイッチ回路SW11〜SW15と、制御回路16と、容量素子17とを備える。
ラダー抵抗回路10は、電圧源18からの電圧を受ける。これにより、ラダー抵抗回路10の5個のタップには、それぞれ、基準電圧Vr1〜Vr5が発生する。
スイッチ回路SW11〜SW15は、ラダー抵抗回路10の5個のタップに対応しており、スイッチ回路SW11〜SW15の各々の一方端は、そのスイッチ回路に対応するラダー抵抗回路10のタップに接続され、各々の他方端は、出力ノードNoutに接続される。ここでは、スイッチ回路SW11〜SW15の各々は、並列に接続された2つのスイッチ素子を含む。これらの2つのスイッチ素子のオン/オフを制御することにより、スイッチ回路のオン抵抗値を段階的に変化させることができる。例えば、スイッチ回路SW11において、スイッチ素子100a,100bのうち一方のみをオン状態にするか両方をオン状態にするかで、スイッチ回路SW11のオン抵抗値を2段階に切り替えることができる。
制御回路16は、スイッチ回路SW11〜SW15のうち連続するn個(nは2以上の整数)のスイッチ回路を選択し、選択したn個のスイッチ回路をオン状態にするとともに、n個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定する。また、制御回路16は、選択しなかったスイッチ回路をオフ状態にする。ここでは、制御回路16は、選択したスイッチ回路の各々に含まれるスイッチ素子のオン/オフを制御することによって、スイッチ回路のオン抵抗値を設定している。例えば、制御回路16は、スイッチ素子100a,100b,200a,200bをオン状態にし、スイッチ素子300a〜500a,300b〜500bをオフ状態にする。これにより、スイッチ回路SW11,SW12が選択されたことになる。また、スイッチ素子1つ当たりのオン抵抗値を「R」とすると、スイッチ回路SW11,SW12の各々のオン抵抗値が「R/2」に設定されたことになる。
容量素子17は、出力ノードNoutにおける電圧変動を緩和するために設けられる。これにより、スイッチ回路SW11〜SW15の各々によるスイッチングノイズを除去することができる。
なお、図1では、ラダー抵抗回路10は、5個の基準電圧を生成しているが、6個以上の基準電圧を生成しても良い。また、5個のスイッチ回路SW11〜SW15が図示されているが、電圧発生回路1が6個以上のスイッチ回路を備えていても良い。
次に、図2を参照しつつ、図1に示した電圧発生回路1による動作について説明する。なお、ここでは、電圧発生回路1において、ラダー抵抗回路10は、m個(mは2以上の整数)の基準電圧を生成し、m個のスイッチ回路が備えられているものとする。また、m個のスイッチ回路のうち連続するn個(n≦m)のスイッチ回路が選択され、そのn個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値が、それぞれ、「R/X1」,「R/X2」,・・・,「R/Xn」に設定されたものとする。
選択されたn個のスイッチ回路は、連続するn個の基準電圧V1〜Vnに対応する。n個のスイッチ回路がオン状態になると、n個の基準電圧V1〜Vnが発生するn個のノード(ラダー抵抗回路のタップ)と出力ノードNoutとの間に、電流i1,i2,・・・inが発生する。電流i1,i2,・・・inの各々は、
i1=(X1/R)・(V1−Vout)………[式1]
i2=(X2/R)・(V2−Vout)………[式2]
in=(Xn/R)・(Vn−Vout)………[式3]
i1+i2+・・・+in=0………[式4]
として表すことができる。[式1]〜[式4]より、出力電圧Voutは、
Vout=(X1・V1+X2・V2+・・・+Xn・Vn)/(X1+X2+・・・+Xn)
となる。上式のように、スイッチ回路の各々のオン抵抗値を可変にすることにより、基準電圧V1,V2,・・・,Vnの合成比を調整することができ、多段階の出力電圧Voutを生成することができる。
次に、図3A〜図3Dを参照しつつ、図1に示した電圧発生回路1において、スイッチ素子100a〜500a,100b〜500bのうち4つのスイッチ素子をオン状態にする制御例について説明する。ここでは、基準電圧Vr1,Vr2,Vr3,Vr4,Vr5が、それぞれ、1[v],2[v],3[v],4[v],5[v]であり、スイッチ素子の抵抗値が「R」であるものとする。
(A)スイッチ素子100a,100b,200a,200bをオンにする場合
図3Aのように、スイッチ回路SW11,SW12が選択され、スイッチ回路SW11,SW12の各々の抵抗値が「R/2」に設定されたことになる。出力電圧Voutは、
Vout=(Vr1+Vr2)/2=3/2=1.5[v]
になる。
(B)スイッチ素子100a,100b,200a,300aをオンにする場合
図3Bのように、スイッチ回路SW11,SW12,SW13が選択され、スイッチ回路SW11の抵抗値が「R/2」、スイッチ回路SW12,SW13の各々の抵抗値が「R」に設定されたことになる。出力電圧Voutは、
Vout=(2・Vr1+Vr2+Vr3)/4=7/4=1.75[v]
になる。
(C)スイッチ素子100a,200a,200b,300aをオンにする場合
図3Cのように、スイッチ回路SW11,SW12,SW13が選択され、スイッチ回路SW11,SW13の各々の抵抗値が「R」、スイッチ回路SW12の抵抗値が「R/2」に設定されたことになる。出力電圧Voutは、
Vout=(Vr1+2・Vr2+Vr3)/4=8/4=2[v]
になる。
(D)スイッチ素子100a,200a,300a,300bをオンにする場合
図3Dのように、スイッチ回路SW11,SW12,SW13が選択され、スイッチ回路SW11,SW12の各々の抵抗値が「R」、スイッチ回路SW13の抵抗値が「R/2」に設定されたことになる。出力電圧Voutは、
Vout=(Vr1+Vr2+2・Vr3)/4=9/4=2.25[v]
になる。
このように、出力電圧Voutの電圧値を0.25[v]ずつ変化させることができる。さらに、図4のように、スイッチ素子100a〜500a,100b〜500bのオン/オフを制御することによって、1.5[v]〜4.5[v]の間で13階調の出力電圧Voutを生成することができる。
次に、図1に示した電圧発生回路1において、スイッチ回路のオン抵抗値が可変である場合と、可変でない場合とを比較する。なお、以下では、約11ビット(約2048階調)の出力電圧Voutを発生させる場合を例に挙げて説明する。
電圧発生回路1においてスイッチ回路のオン抵抗値が可変でない場合、1個のスイッチ回路には、スイッチ素子が1個だけ含まれていることになる。この場合、約11ビットの出力電圧を生成する構成として、次の2つの例が考えられる。なお、以下に記載の「基準電圧の数」とは、ラダー抵抗回路10に発生する基準電圧の数を意味し、「スイッチ回路の個数」とは、電圧発生回路に含まれるスイッチ回路の総数を意味し、「スイッチ素子の個数」とは、スイッチ回路の各々に含まれるスイッチ素子の総数を意味する。
(1)スイッチ回路のオン抵抗値が可変でない場合[2ビット補間]
基準電圧の数:512個
スイッチ回路の個数:512個
スイッチ素子の個数:512個
同時にオン状態になるスイッチ回路の個数:4個
ここで、512個の基準電圧が、それぞれ、1[v],2[v],・・・,512[v]であるとすると、出力電圧の最小値Vmin1,2番目に小さい電圧値Vmin2,最大値Vmaxは、それぞれ、
Vmin1=(1+2+3+4)/4=2.5[v]
Vmin2=(1+2+3+5)/4=2.75[v]
Vmax=(509+510+511+512)/4=510.5[v]
になる。また、出力電圧の1階調当たりの電圧増加量Vdは、
Vd=0.25[v]
になる。このように、512個の基準電圧のうち4個の基準電圧が合成され、約2048個(正確には、2033個)の電圧が生成される。
(2)スイッチ回路のオン抵抗値が可変でない場合[3ビット補間]
基準電圧の数:256個
スイッチ回路の個数:256個
スイッチ素子の個数:256個
同時にオン状態にするスイッチ素子の個数:8個
ここで、256個の基準電圧が、それぞれ、1[v],2[v],・・・,256[v]であるとすると、出力電圧の最小値Vmin1,2番目に小さい電圧値Vmin2,最大値Vmaxは、それぞれ、
Vmin1=(1+2+3+4+5+6+7+8)/8=4.5[v]
Vmin2=(1+2+3+4+5+6+7+9)/8=4.625[v]
Vmax=(249+250+・・・+255+256)/8=252.5[v]
になる。また、出力電圧の1階調当たりの電圧増加量Vdは、
Vd=0.125[v]
になる。このように、256個の基準電圧のうち8個の基準電圧が合成され、約2048個(正確には、1985個)の電圧が生成される。
一方、電圧発生回路1においてスイッチ回路のオン抵抗値が可変である場合、約11ビットの出力電圧を生成する構成として、次の例が考えられる。
(3)スイッチ回路のオン抵抗値が可変である場合[3ビット補間]
基準電圧の数:256個
スイッチ回路の個数:256個
スイッチ素子の個数:512個
同時にオン状態になるスイッチ素子の個数:8個
ここで、256個の基準電圧が、それぞれ、1[v],2[v],・・・,256[v]であるとすると、出力電圧の最小値Vmin1,2番目に小さい電圧値Vmin2,最大値Vmaxは、それぞれ、
Vmin1=(1+2+3+4)/4=2.5[v]
Vmin2=(2+4+6+8+10+6+7)/8=2.625[v]
Vmax=(253+254+255+256)/4=254.5[v]
となる。また、出力電圧の1階調当たりの電圧増加量Vdは、
Vd=0.125[v]
となる。このように、512個のスイッチ回路のうち4個または7個の基準電圧が合成され、約2048個(正確には、2017個)の電圧が生成される。
ここで、上記(1)と上記(3)とを比較すると、スイッチ回路のオン抵抗値を2段階に切替可能にすることによって、ラダー抵抗回路10に発生させる基準電圧の数を半分にすることができることがわかる。すなわち、ラダー抵抗回路10に含まれる抵抗素子の個数を半分にすることができる。
また、上記(1),(2),(3)のように構成した電圧発生回路の各々について、次のようなシミュレーションを行った。まず、相対ばらつきがσ=3%の正規分布になるようにスイッチ素子の各々のオン抵抗値を設定した。すなわち、オン抵抗の基準値に対して±3%の範囲内でスイッチ素子の各々のオン抵抗値がばらつくように設定した。なお、ラダー抵抗回路に含まれる抵抗素子の各々の抵抗値は、スイッチ素子のオン抵抗の基準値の「1/100」になるように設定した。このように設定した後、複数のスイッチ素子のオン/オフを制御して出力電圧Voutの電圧値を徐々に増加させ、電圧値が段階的に増加するランプ波を発生させた。そして、そのランプ波の電圧値が1段上昇する毎に微分非直線性誤差を求め、求めた誤差のうち絶対値が最大である誤差をサンプルとして取得した。すなわち、1段当たりの理想の電圧増加量を「1LSB」とし、実際の電圧増加量と理想の電圧増加量とを差をLSB単位で求めた。このような試行を「1000回」行った。
図5,図6,図7は、それぞれ、上記(1),(2),(3)に対応するシミュレーション結果を示す。図中、横軸は、試行回数を示し、縦軸は、サンプルした微分非直線性誤差を示す。
図5と図6とを比較すると、スイッチ回路のオン抵抗値が可変でない場合、同時にオン状態になるスイッチ素子の個数を増加させると、微分非直線性誤差が増大することがわかる。例えば、微分非直線性誤差を0.8LSB以下に抑えなければならない場合、電圧発生回路を上記(2)のように構成することができなくなる。
一方、図6と図7とを比較すると、上記(3)の場合は、上記(2)の場合よりも、微分非直線性誤差が少ないことがわかる。例えば、微分非直線性誤差を0.8LSB以下に抑えなければならない場合でも、電圧発生回路を上記(3)のように構成することができる。このように誤差が少なくなる要因は、出力電圧を合成するために使用するn個の基準電圧のうち最小の基準電圧と最大の基準電圧との電位差を小さくすることができ、基準電圧のばらつきによる影響を軽減することができるためであると考えられる。また、別の要因としては、スイッチ回路の各々において2つのスイッチ素子を並列に接続することにより、スイッチ素子のオン抵抗値のばらつきが平均化されることが考えられる。
以上のように、出力電圧の誤差の増大を抑制しつつ回路規模を低減することができる。
なお、スイッチ回路SW11〜SW15の各々が、3個以上のスイッチ素子を含んでいても良い。スイッチ回路に含まれるスイッチ素子の個数が多い程、スイッチ回路のオン抵抗値を多段階に変化させることができ、出力電圧の階調数をさらに増加させることができる。また、スイッチ素子のオン抵抗のばらつきを平均化することができ、出力電圧の誤差をさらに抑制することができる。
(第1の実施形態の変形例)
なお、図8のように、スイッチ回路SW11〜SW15の各々が、トランジスタT100〜T500によって構成されていても良い。この場合、制御回路16は、トランジスタT100〜T500のゲート電圧Vg1〜Vg5を制御することによって、スイッチ回路SW11〜SW15の各々のオン/オフおよびスイッチ回路SW11〜SW15の各々のオン抵抗値を設定する。例えば、トランジスタのオン抵抗値が「R」になるときのゲート電圧の電圧値を「Lv1」,「R/2」になるときのゲート電圧の電圧値を「Lv2」とすると、図9のようにトランジスタT100〜T500のゲート電圧Vg1〜Vg5を制御することによって、多段階の出力電圧を生成することができる。以上のように構成することにより、スイッチ回路SW11〜SW15の各々の回路規模をさらに低減することができる。
〔デジタル・アナログ変換回路〕
また、図10のように、図1に示した電圧発生回路をデジタル・アナログ変換回路として使用することも可能である。図10に示したデジタル・アナログ変換回路1aにおいて、制御回路16aは、デジタル信号DIGIを受け、デジタル信号DIGIのデジタル値に応じた電圧値を有する出力電圧Voutが出力されるように、デジタル値に応じてスイッチ回路SW11〜SW15のオン/オフおよびスイッチ回路SW11〜SW15のオン抵抗値を制御する。例えば、デジタル値が大きいほど出力電圧Voutの電圧値が高くなるように複数のデジタル値の各々に対してスイッチ回路SW11〜SW15のオン/オフ状態およびオン抵抗値を予め対応付けておき、制御回路16aがその対応関係に基づいてスイッチ回路SW11〜SW15を制御することにより、デジタル信号DIGIのデジタル値に応じた出力電圧を発生させることができる。このように、図1に示した電圧発生回路1をデジタル・アナログ変換回路として使用することにより、アナログ信号の精度劣化を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。
〔ランプ波発生回路〕
さらに、図11のように、図1に示した電圧発生回路をランプ波発生回路として使用することも可能である。図11に示したランプ波発生回路1bにおいて、制御回路16bは、クロック信号CLKを受け、クロック信号CLKに同期して出力電圧Voutの電圧値が徐々に増加するように、クロック信号CLKに同期してスイッチ回路SW11〜SW15のオン/オフおよびスイッチ回路SW11〜SW15のオン抵抗値を制御する。例えば、クロック数が大きいほど出力電圧Voutの電圧値が高くなるように複数のクロック数の各々に対してスイッチ回路SW11〜SW15のオン/オフ状態およびオン抵抗値を予め対応付けておき、制御回路16bがその対応関係に基づいてスイッチ回路SW11〜SW15を制御することにより、クロック信号CLKに同期したランプ波を発生させることができる。また、ランプ波発生回路1bが、クロック信号CLKに同期して出力電圧Voutの電圧値が徐々に減少するように制御しても良い。このようにランプ波発生回路を構成することにより、ランプ波の微分非直線性誤差の増大を抑制しつつ、回路規模を低減することができる。
〔その他の構成〕
また、図12のように、電圧発生回路1が、図1に示した容量素子17に代えて、バッファ19とローパスフィルタ17aとを備えている場合も、スイッチ回路SW11〜SW15の各々によるスイッチングノイズを低減することができる。
また、電圧源18を電流源に置き換えても良いし、ラダー抵抗回路10の両端のそれぞれに電圧源または電流源を設けても良い。さらに、このような電圧源または電流源が可変であっても良い。このように構成することにより、出力電圧Voutの極性や、出力電圧Voutのダイナミックレンジ、出力ノードNoutの出力インピーダンスを任意に設定することができる。
(第2の実施形態)
図13は、本発明の第2の実施形態によるアナログ・デジタル変換回路の構成を示す。このアナログ・デジタル変換回路2は、図11に示したランプ波発生回路1bと、ローパスフィルタ21と、コンパレータ22と、カウンタ23とを備える。
ランプ波発生回路1bは、クロック信号CLKaに同期して、出力電圧Voutの電圧値を徐々に大きくする。
ローパスフィルタ21は、ランプ波発生回路1bにおけるスイッチングノイズを除去し、出力電圧の信号波形を平滑化するために設けられる。
コンパレータ22は、ローパスフィルタ21を介して与えられた出力電圧Voutの電圧値とアナログ信号ANAの電圧値とを比較する。出力電圧Voutとアナログ信号ANAとの大小関係が逆転すると、コンパレータ22の出力が反転する。
カウンタ23は、クロック信号CLKbに同期してカウントアップするとともに、コンパレータ22の出力を受ける。また、カウンタ23は、コンパレータ22の出力が反転するとき(すなわち、出力電圧Voutとアナログ信号ANAとの大小関係が逆転する)ときのカウント値をデジタル信号DIGIとして出力する。
次に、図14を参照しつつ、図13に示したアナログ・デジタル変換回路による動作について説明する。ランプ波発生回路1bは、クロック信号CLKaに同期して、出力電圧Voutの電圧値を徐々に増加させる。一方、クロック信号CLKbに同期して、カウンタ23のカウント値も徐々に増加する。出力電圧Voutの電圧値がアナログ信号ANAの電圧値に到達すると、コンパレータ22の出力がローレベルからハイレベルになり、カウンタ23のカウント値がデジタル信号DIGIとして出力される。
また、図11に示したランプ波発生回路1bをアナログ・デジタル変換回路に適用することにより、アナログ信号の精度劣化を抑制しつつ、アナログ・デジタル変換回路の回路規模を低減することができる。
なお、図15のように、カウンタ23に与えられるクロック信号CLKbの周波数を、ランプ波発生回路1bに与えられるクロック信号CLKaの周波数よりも高くすれば、より精細なデジタル信号を得ることができる。
また、ランプ波発生回路1bがクロック信号CLKaに同期して出力電圧Voutの電圧値を徐々に減少させる場合も、アナログ・デジタル変換を実現することは可能である。この場合、カウンタ23がクロック信号CLKbに同期してカウントダウンするように構成すれば良い。
(第3の実施形態)
図16は、本発明の第3の実施形態によるイメージセンサシステムの構成を示す。このイメージセンサシステム3は、図11に示したランプ波発生回路1bと、ローパスフィルタ21と、イメージセンサ回路31と、複数のコンパレータ22と、複数のカウンタ23とを備える。
イメージセンサ回路31は、マトリクス状に配置された複数の撮像素子300からなる撮像面と、撮像面のカラム301毎に設けられた読み出し処理部302とを含む。
複数の撮像素子300の各々は、被写体の映像を電気信号に光電変換する。複数の読み出し処理部302の各々は、その読み出し処理部302に対応する撮像面のカラム301に属する複数の撮像素子300の各々によって得られた電気信号を受け、その電気信号に対して相関二重サンプリング等を実行することにより、その電気信号を輝度レベルを示すアナログ信号ANAに変換する。
複数のコンパレータ22は、イメージセンサ回路31からの複数のアナログ信号ANA(カラム毎に出力されたアナログ信号)に対応する。複数のコンパレータ22の各々は、そのコンパレータ22に対応するアナログ信号ANAの電圧値と出力電圧Voutの電圧値とを比較する。
複数のカウンタ23は、複数のコンパレータ22に対応する。複数のカウンタ23の各々は、クロック信号CLKbに同期してカウントアップするとともにそのカウンタ23に対応するコンパレータ22の出力を受け、そのコンパレータ22の出力が反転するときのカウント値をデジタル信号DIGIとして出力する。このようにして、アナログ信号ANAの各々は、輝度値を示すデジタル信号DIGIに変換される。
また、図11に示したランプ波発生回路1bをイメージセンサシステムに適用することにより、デジタル信号の精度劣化を抑制しつつ、イメージセンサシステムの回路規模を低減することができる。
なお、カウンタ23の各々に与えられるクロック信号CLKbの周波数を、ランプ波発生回路1bに与えられるクロック信号CLKaの周波数よりも高くすれば、より精細なデジタル信号DIGIを得ることができる。
以上説明したように、本発明による電圧発生回路は、出力電圧の誤差の増大を抑制しつつ回路規模を低減することができるので、液晶表示装置やイメージセンサシステム等に有用である。
本発明の第1の実施形態による電圧発生回路の構成を示す図。 図1に示した電圧発生回路による動作について説明するための図。 図1に示した電圧発生回路による動作の具体例を説明するための図。 図1に示したスイッチ回路の制御例について説明するための図。 スイッチ回路の抵抗値が可変でない電圧発生回路において2ビット補間を行う場合の出力電圧の誤差について説明するための図。 スイッチ回路の抵抗値が可変でない電圧発生回路において3ビット補間を行う場合の出力電圧の誤差について説明するための図。 スイッチ回路の抵抗値が可変である電圧発生回路において3ビット補間を行う場合の出力電圧の誤差について説明するための図。 図1に示した電圧発生回路の変形例について説明するための図。 図8に示したスイッチ回路の制御例について説明するための図。 図1に示した電圧発生回路をデジタル・アナログ変換回路として使用する場合の構成図。 図1に示した電圧発生回路をランプ波発生回路として使用する場合の構成図。 図1に示した電圧発生回路の別の変形例について説明するための図。 本発明の第2の実施形態によるアナログ・デジタル変換回路の構成を示す図。 図13に示したアナログ・デジタル変換回路による動作例について説明するための図。 図13に示したアナログ・デジタル変換回路による別の動作例について説明するための図。 本発明の第3の実施形態によるイメージセンサシステムの構成を示す図。
符号の説明
1 電圧発生回路
10 ラダー抵抗回路
SW11〜SW15 スイッチ回路
16,16a,16b 制御回路
17 容量素子
18 電圧源
100a〜500a,100b〜500b スイッチ素子
T100〜T500 トランジスタ
17a ローパスフィルタ
19 バッファ
1a デジタル・アナログ変換回路
1b ランプ波発生回路
2 アナログ・デジタル変換回路
21 ローパスフィルタ
22 比較回路
23 カウンタ
3 イメージセンサシステム
31 イメージセンサ回路
300 撮像素子
301 カラム
302 読み出し処理部

Claims (12)

  1. 所定電圧を受け、互いに異なる複数の基準電圧を発生させるラダー抵抗回路と、
    前記ラダー抵抗回路の複数のタップに対応し、各々の一方端が自己に対応するタップに接続され、各々の他方端が出力ノードに接続され、各々のオン抵抗値が可変である複数のスイッチ回路と、
    前記複数のスイッチ回路のうち連続するn個(nは2以上の整数)のスイッチ回路を選択し、当該n個のスイッチ回路の各々をオン状態にするとともに当該n個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定する制御回路とを備える
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  2. 請求項1において、
    前記複数のスイッチ回路の各々は、当該スイッチ回路に対応する前記ラダー抵抗回路のタップと前記出力ノードとの間に並列に接続されるk個のスイッチ素子を含み、
    前記制御回路は、前記選択したn個のスイッチ回路の各々に対して、当該スイッチ回路に含まれるk個のスイッチ素子の各々のオン/オフを制御することによって、当該スイッチ回路のオン抵抗値を設定する
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  3. 請求項1において、
    前記複数のスイッチ回路の各々は、当該スイッチ回路に対応する前記ラダー抵抗回路のタップと前記出力ノードとの間に接続されるトランジスタを含み、
    前記制御回路は、前記選択したn個のスイッチ回路の各々に対して、当該スイッチ回路に含まれるトランジスタのゲート電圧を制御することによって、当該スイッチ回路のオン抵抗値を設定する
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  4. 請求項1,2,3のいずれか1項において、
    前記制御回路は、デジタル信号を受け、当該デジタル信号のデジタル値に応じた電圧値を有する出力電圧が前記出力ノードに発生するように、当該デジタル値に応じて前記n個のスイッチ回路を選択するとともに当該n個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定する
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  5. 請求項1,2,3のいずれか1項において、
    前記制御回路は、第1のクロック信号を受け、当該第1のクロック信号に同期して前記出力電圧の電圧値が徐々に増加または減少するように、当該第1のクロック信号に応じて前記n個のスイッチ回路を選択するとともに当該n個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定する
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項において、
    前記出力ノードに接続され、当該出力ノードにおける電圧変動を緩和する電圧緩和回路をさらに備える
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  7. 請求項6において、
    前記複数のスイッチ回路の各々と前記出力ノードとの間に介在し、前記複数のスイッチ回路の各々の他方端に入力端子が接続され、前記出力ノードに出力端子が接続される増幅回路をさらに備える
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項において、
    電圧および電流のうち少なくとも一方が可変である電源をさらに備え、
    前記ラダー抵抗回路は、前記電源からの出力を受け、前記複数の基準電圧を発生させる
    ことを特徴とする電圧発生回路。
  9. アナログ信号をデジタル信号に変換する回路であって、
    請求項5に記載の電圧発生回路と、
    前記アナログ信号の電圧値と前記電圧発生回路からの出力電圧の電圧値とを比較する比較回路と、
    第2のクロック信号に同期してカウントアップまたはカウントダウンを行うとともに前記比較回路による比較結果を受け、前記アナログ信号と前記出力電圧との大小関係が逆転するときのカウント値を前記デジタル信号として出力するカウント回路とを備える
    ことを特徴とするアナログ・デジタル変換回路。
  10. 請求項9において、
    前記第2のクロック信号の周波数は、前記第1のクロック信号の周波数よりも高い
    ことを特徴とするアナログ・デジタル変換回路。
  11. 請求項5に記載の電圧発生回路と、
    被写体の映像を電気信号に光電変換する複数の撮像素子がマトリクス状に配置された撮像面と、前記撮像面のカラム毎に設けられ各々が自己に対応するカラムに属する撮像素子の各々によって得られた電気信号をアナログ信号に変換して出力する複数の処理部とを含むイメージセンサ回路と、
    前記イメージセンサ回路の複数の処理部に対応し、各々が自己に対応する処理部からのアナログ信号の電圧値と前記電圧発生回路からの出力電圧の電圧値とを比較する複数の比較回路と、
    前記複数の比較回路に対応し、各々が第2のクロック信号に同期してカウントアップまたはカウントダウンを行うとともに自己に対応する比較回路による比較結果を受け、当該比較回路に対応するアナログ信号と前記出力電圧との大小関係が逆転するときのカウント値をデジタル信号として出力する複数のカウント回路とを備える
    ことを特徴とするイメージセンサシステム。
  12. 請求項11において、
    前記第2のクロック信号の周波数は、前記第1のクロック信号の周波数よりも高い
    ことを特徴とするイメージセンサシステム。
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