JP2009302973A - D/a変換器及びこれを備える基準電圧回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上位nビット、下位mビットのディジタル信号をアナログ電圧に変換するD/A変換器であって、同一の抵抗値であり、かつ直列に接続された(2^n)−1個の抵抗を有し、両端に第1基準電圧及び第2基準電圧が印加される分圧手段と、上記分圧手段により分圧された電圧を、上記上位nビットのディジタル信号により選択して上記アナログ電圧として出力する選択手段とを備えるD/A変換器において、上記直列に接続された(2^n)−1個の抵抗の両端に、上記下位mビットのディジタル信号により抵抗値を決定される2つの可変抵抗を接続する。
【選択図】図1
Description
Vout=VL+(VH−VL)*k/2^n (1)
D/A変換器100に入力されるディジタル信号は、上位nビットHoB<n−1:0>、下位mビットLoB<m−1:0>から構成される。
VH_1=VL+(VH−VL)*(l+1)/2^n (2)
VL_1=VL+(VH−VL)*l/2^n (3)
Vout=VL_1+(VH_1−VL_1)*k/2^n
=VL+(VH−VL)*l/2^n+{(VH−VL)*(l+1)/2^n−(VH−VL)*l/2^n}*k/2^n
=VL+(VH−VL)*l/2^n+(VH−VL)*1/2^n*k/2^m
=VL+(VH−VL)*{l*2^m+k}/2^(n+m) (4)
(2)式と(3)式とにおいては、l+1とlとが異なっている。これは、D/A変換器104は、上位nビットHoB<n−1:0>のディジタル信号が入力され、上位nビットHoB<n−1:0>に1を加えたディジタル信号に対応する基準電圧VH_1を出力するためである。これに対して、D/A変換器105は、上位nビットHoB<n−1:0>のディジタル信号が入力され、上位nビットHoB<n−1:0>のディジタル信号に相当する基準電圧VL_1を出力する。
図1は、本実施例1に係るD/A変換器1の回路図である。D/A変換器1は、両端基準電圧VH−VLを分圧する抵抗ストリング回路2と、分圧出力vref<0>〜分圧出力vref<(2^n)−1>を選択する複数のスイッチを有するスイッチ回路3とを備えている。
RH=(2^m−k)/(2^m)*R (5)
RL=k/(2^m)*R(6)
分圧出力vref<0>〜vref<2^n−1>について、分圧出力vref<0>は、可変抵抗5と抵抗Rとの接続点の出力である。また、vref<2^n−1>は、可変抵抗4と抵抗Rとの接続点の出力である。x=1〜2^n−2とした場合、vref<x>は、可変抵抗5側から数えてx個目の抵抗Rと、可変抵抗5側から数えて(x+1)個目の抵抗Rとの接続点の出力である。例えばvref<1>は、可変抵抗5側から数えて1個目の抵抗Rと、可変抵抗5側から数えて2個目の抵抗Rとの接続点の出力である。
Vout=VL+(VH−VL)*(RL+R*l)/{RH+RL+R*(2^n−1)} (7)
(7)式のVoutに(5)式のRH及び(6)のRLを代入することにより、(8)式が得られる。
Vout=VL+(VH−VL)*(k/2^m*R+R*l)/{(2^m−k)/(2^m)*R+k/(2^m)*R+R*(2^n−1)} (8)
(8)式の右辺第2項の分母分子をRで割ると、(9)式が得られる。
Vout=VL+(VH−VL)*{k/(2^m)+l}/{(2^m−k)/(2^m)+k/(2^m)+(2^n−1)} (9)
(8)式の右辺に対して(10)式を代入すると、(11)式が得られる。
(2^m−k)/(2^m)+k/(2^m)=1 (10)
Vout=VL+(VH−VL)*{k/(2^m)+l}/{1+(2^n−1)} (11)
(11)式を整理すると(12)式が得られる。
Vout=VL+(VH−VL)*{k/(2^m)+l}/2^n (12)
(12)式の右辺第2項の分母分子に2^mを掛けることにより、(13)式に示す出力電圧Voutが求められる。
Vout=VL+(VH−VL)*(k+l*2^m)/2^(m+n) (13)
9ビット以上のディジタル信号を変換するD/A変換器をD/A変換器1を用いて実現する場合を考える。例えば、D/A変換器1においてn=2、m=7とし、9ビットのディジタル信号の変換を行う場合、抵抗ストリング回路2とスイッチ回路3とを接続する配線の数は2^7=128、抵抗Rの数は2^7−1=127、スイッチ回路3が有するスイッチの数は2^7=128となる。
RH=R/8+R/8=2R/8 (14)
また、可変抵抗5の抵抗値RLは、以下の(15)式に示すように6R/8となる。
RL=R/4+R/2=6R/8 (15)
以上のように、可変抵抗4及び可変抵抗5に、2^mの重み付けを行うことにより、(5)式に示すRH及び(6)式に示すRLを容易に得ることが出来る。
図3は、本実施例2に係るD/A変換器22の回路図である。D/A変換器22は、実施例1のD/A変換器1にスイッチング制御回路23を設けたものであり、最下位ビットLoB<0>(最下位ビットL0)により、可変抵抗4の抵抗値RHと可変抵抗5の抵抗値RLとをスイッチング制御することにより、より高精度な出力電圧を得ることを特徴とする。
Vout=VL+(VH−VL)*(k+l*2^m)/2^(m+n) (13)
ここで、例えば最下位ビットLoB<0>=「1」と最下位ビットLoB<0>=「0」とを繰り返してスイッチング制御を行う。この場合、最下位ビットLoB<0>=「1」における出力電圧Vout_Hと、最下位ビットLoB<0>=「0」における出力電圧Vout_Lとを交互に出力したものが、出力電圧Voutとして出力されることになる。
Vout_L=VL+{VH−VL}*(k+l*2^m)/2^(n+m) (16)
Vout_H=VL+(VH−VL)*{(k+1)+l*2^m}/2^(n+m) (17)
また、0≦a<1として、LSB<0>=1の期間をa、LSB<0>=0の期間を(1−a)とすると、スイッチング制御された出力電圧Vout_SWは、平均化されるため、(18)式で求められる。
Vout_sw=VL+{a*Vout_H+(1−a)*Vout_L}(18)
(18)式の右辺第3項を展開し、aを含む項を括ると、(19)式が得られる。
Vout_sw=VL+Vout_L+a*(Vout_H−Vout_L)(19)
(16)式及び(17)式を(19)式に代入し、(VH−VL)を含む項を括ると、(20)式が得られる。
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*{(k+l*2^m)/2^(n+m)+a/2^(n+m)} (20)
(20)式の右辺第2項を2^(n+m)でくくり、さらに分子を整理すると、(21)式が得られる。
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*{l*2^m+(k+a)}/2^(n+m) (21)
下位mビットに関する変数kの項にaが付加されるため、aの値(0≦a<1)によりn+mビット以上の分解能が得られる。
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*{l*2^m+(k+0.75)}/2^(n+m) (22)
また、a=0.50、即ちLSB<0>=「1」の期間が50%である場合、スイッチング制御された出力電圧Vout_SWは、(22)式と同様に(23)式で表すことができる。
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*{l*2^m+(k+0.50)}/2^(n+m) (23)
さらに、a=0.25、即ちLSB<0>=「1」の期間が25%である場合、スイッチング制御された出力電圧Vout_SWは、(24)式で表すことができる。
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*{l*2^m+(k+0.25)}/2^(n+m) (24)
そして、a=0、即ちLSB<0>=「1」の期間が0%である場合、スイッチング制御された出力電圧Vout_SWは、(25)式で表すことができる。
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*(l*2^m+k)/2^(n+m) (25)
以上のように、D/A変換器22は、最下位ビットLoB<0>(最下位ビットL0)によりスイッチング制御を行うことにより、最下位ビットLoB<0>に応じて可変抵抗4と可変抵抗5との抵抗値が変化するので、出力電圧Vout_swも最下位ビットLoB<0>に応じて変化する。従って、より高精度な上記出力電圧を得ることが可能である。
a=q/2^p (26)
Vout_sw=2VL+(VH−VL)*{l*2^(m+p)+(k+q)}/2^(n+m+p) (27)
図4は、D/A変換器22においてm=3の時の可変抵抗4、5の回路図である。図4の回路は、図2の回路にスイッチング制御回路23を設けたものであり、最下位ビットL0によりスイッチング制御することで、(16)式のVout_L、及び(17)式のVout_Hが得られる。
図5は、本実施例3に係るD/A変換器24の回路図である。D/A変換器24は、実施例2のD/A変換器22にLPF(Low Pass Filter:ローパスフィルタ)25を設けたものである。LPF25の入力は、スイッチ回路3の出力に接続され、LPF25の出力から、出力電圧Voutが出力される。D/A変換器24では、スイッチ回路3がスイッチング動作を行う際に出力電圧Voutに生じるノイズを、LPF25により除去することが可能である。
本発明の実施形態に係るD/A変換器1、22は、上記課題を解決するために、上位nビットHoB<n−1:0>、下位mビットLoB<m−1:0>のディジタル信号を出力電圧Voutに変換するD/A変換器であって、同一の抵抗値であり、かつ直列に接続された(2^n)−1個の抵抗Rを有し、両端に基準電圧VH及び基準電圧VLが印加される抵抗ストリング回路2と、抵抗ストリング回路2により分圧された電圧を、上位nビットHoB<n−1:0>のディジタル信号により選択して出力電圧Voutとして出力するスイッチ回路3とを備えるD/A変換器において、直列に接続された(2^n)−1個の抵抗Rの両端に、下位mビットLoB<m−1:0>のディジタル信号により抵抗値RH、RLを決定される可変抵抗4、5を接続する。
2 抵抗ストリング回路(分圧手段)
3 スイッチ回路(選択手段)
4、5 可変抵抗(2つの可変抵抗)
6〜12 並列抵抗
13〜15 インバータ
16〜18 PチャネルMOSFET
19〜21 NチャネルMOSFET
23 スイッチング制御回路(スイッチング制御手段)
25 LPF(ローパスフィルタ)
H0 ビット
Hn−1 ビット
HoB<n−1:0> 上位nビット
L0 最下位ビット
L1 下位ビット
L2 下位ビット
Lm−1 ビット
LoB<m−1:0> 下位mビット
R 抵抗
RH 抵抗値
RL 抵抗値
VH 基準電圧(第1基準電圧)
VH−VL 両端基準電圧
VL 基準電圧(第2基準電圧)
Vout、Vout_sw 出力電圧(アナログ電圧)
k 変数
vref<0>〜vref<(2^n)−1> 分圧出力
Claims (6)
- 上位nビット、下位mビットのディジタル信号をアナログ電圧に変換するD/A変換器であって、
同一の抵抗値であり、かつ直列に接続された(2^n)−1個の抵抗を有し、両端に第1基準電圧及び第2基準電圧が印加される分圧手段と、
上記分圧手段により分圧された電圧を、上記上位nビットのディジタル信号により選択して上記アナログ電圧として出力する選択手段とを備えるD/A変換器において、
上記直列に接続された(2^n)−1個の抵抗の両端に、上記下位mビットのディジタル信号により抵抗値を決定される2つの可変抵抗を接続することを特徴とするD/A変換器。 - 上記2つの可変抵抗の抵抗値は、2の累乗の重み付けがされていることを特徴とする請求項1に記載のD/A変換器。
- 上記下位mビットのディジタル信号の最下位ビットにより、上記2つの可変抵抗の抵抗値をスイッチング制御するスイッチング制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のD/A変換器。
- 上記最下位ビットがハイである期間は、2の累乗の重み付けがされていることを特徴とする請求項3に記載のD/A変換器。
- 上記選択手段の出力に接続されたローパスフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項3または4に記載のD/A変換器。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のD/A変換器を備えることを特徴とする基準電圧回路。
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