JP4922130B2 - 塗布装置および塗布方法 - Google Patents

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Description

この発明は、塗布面とノズルとを相対的に移動させながらノズルから塗布液を塗布面に向けて吐出して塗布面に塗布軌跡を形成する塗布技術に関するものである。
従来より、有機EL(Electro Luminescence)材料を利用した有機EL表示装置の開発が行われており、例えば、高分子有機EL材料を用いたアクティブマトリックス駆動方式の有機EL表示装置の製造では、ガラス基板(以下、単に「基板」という。)に対して、TFT(Thin Film Transistor)回路の形成、陽極となるITO(Indium Tin Oxide)電極の形成、隔壁の形成、正孔輸送材料を含む流動性材料(以下「正孔輸送液」という。)の塗布、加熱処理による正孔輸送層の形成、有機EL材料を含む流動性材料(以下「有機EL液」という。)の塗布、加熱処理による有機EL層の形成、陰極の形成、および、絶縁膜の形成による封止が順次行われる。
有機EL表示装置の製造において、正孔輸送液または有機EL液(以下、両者を「塗布液」と総称する。)を基板に塗布する装置の1つとして、塗布液を吐出するノズルを基板に対して相対移動するようにした装置が知られている。特許文献1記載の装置では、複数のノズルを主走査方向に移動するとともに、主走査方向へのノズルの移動が行われる毎に基板を副走査方向に移動することにより、基板上の塗布領域に形成された複数の溝に塗布液がストライプ状に塗布される。
このような塗布装置では、塗布領域から塗布液がはみ出してしまうと、製品不良を引き起こしてしまうため、ノズルから塗布領域に向けて塗布液を精度良く吐出することが求められる。そこで、特許文献1記載の装置では、複数ノズル相互のノズル間距離を調整可能に構成しておき、試験塗布用の基板に向けて複数ノズルから試験塗布を行って複数の塗布軌跡を形成し、それら塗布軌跡のピッチに基づきノズル間距離を調整した後で、基板への塗布液の塗布を実行している。なお、特許文献2記載の装置でも、1つのノズルから基板の非塗布領域などに向けて試し塗りにより塗布軌跡を形成し、その塗布軌跡が塗布領域に一致するように基板とノズルとの相対的な位置関係を調整した後で、基板への塗布液の塗布を実行している。ただし、近年は、装置のスループット向上の観点から、特許文献1記載の装置のように複数ノズルを備えておき、ノズル間距離を精度良く調整することが求められている。
特開2007−152164号公報(0063〜0068) 特開2004−074050号公報(0020)
ところで、特許文献1記載の装置において複数ノズルのノズル間距離を精度良く調整するためには、その前提として、試験塗布で形成した複数の塗布軌跡の間隔を正確に算出する必要がある。そこで、特許文献1記載の装置では、塗布軌跡をCCDカメラなどの撮像手段によって撮像し、その撮像結果に基づき塗布軌跡の間隔を算出している。ところが、発明者が撮像手段を用いて実験したところ、一本の塗布軌跡を二本以上と誤判定したことにより、塗布軌跡の間隔を正確に算出できないことがあった。
この誤判定の原因に関する検討内容は後に詳述するが、上記従来の特許文献1記載の装置では、このような誤判定については全く考慮されていない。したがって、複数の塗布軌跡の間隔を正確に算出することは困難であった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、一本の塗布軌跡を二本以上と誤判定するのを未然に防止して、複数の塗布軌跡の間隔を正確に算出し得る塗布装置および塗布方法を提供することを目的とする。
この発明にかかる塗布装置は、上記目的を達成するため、ノズルを所定の塗布面に対してX方向に相対移動させながらノズルから塗布液を塗布面に向けて柱状に連続吐出して塗布面上に塗布軌跡を形成する塗布軌跡形成手段と、塗布軌跡形成手段によりX方向に直交するY方向に並んで形成された複数の塗布軌跡を撮像する撮像手段と、撮像手段により撮像された画像に基づき各塗布軌跡のY方向のエッジを検出する検出手段と、検出手段により検出された各塗布軌跡のY方向のエッジに基づき複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出する算出手段とを備え、検出手段は、画像における所定エリアごとの光強度に基づき(−Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かを判定する第1判定手段と、第1判定手段により絶対値が所定レベルを超えていないと判定されたときは、(−Y)方向に隣接する次の所定エリアに進んで第1判定手段による判定動作を行わせる一方、第1判定手段により絶対値が所定レベルを超えたと判定されたときは、(−Y)方向に予め設定された不感帯距離だけ進んだ所定エリアから第1判定手段による判定動作を行わせる第1制御手段とを有し、検出手段は、第1判定手段により絶対値が所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(+Y)側のエッジとすることを特徴としている。
また、この発明にかかる塗布方法は、上記目的を達成するため、ノズルを所定の塗布面に対してX方向に相対移動させながらノズルから塗布液を塗布面に向けて吐出して塗布面上に塗布軌跡を、X方向に直交するY方向に複数並べて形成する塗布軌跡形成工程と、複数の塗布軌跡を撮像する撮像工程と、撮像工程において撮像された画像に基づき各塗布軌跡のY方向のエッジを検出する検出工程と、検出工程において検出された各塗布軌跡のY方向のエッジに基づき複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出する算出工程とを備え、検出工程は、画像における所定エリアごとの光強度に基づき(−Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かを判定する第1判定工程と、第1判定工程において絶対値が所定レベルを超えていないと判定されたときは、(−Y)方向に隣接する次の所定エリアに進んで第1判定工程を実行させる一方、第1判定工程において絶対値が所定レベルを超えたと判定されたときは、(−Y)方向に予め設定された不感帯距離だけ進んだ所定エリアから第1判定工程を実行させる第1制御工程とを有し、検出工程は、第1判定工程において絶対値が所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(+Y)側のエッジとすることを特徴としている。
このように構成された発明(塗布装置および塗布方法)によれば、ノズルを所定の塗布面に対してX方向に相対移動させながらノズルから塗布液が塗布面に向けて柱状に連続吐出されて塗布面上に塗布軌跡が形成される。このとき、例えば複数ノズルから塗布液が吐出されて、X方向に直交するY方向に並んで複数の塗布軌跡が形成され、その複数の塗布軌跡が撮像される。そして、撮像された画像に基づき各塗布軌跡のY方向のエッジが検出され、その検出された各塗布軌跡のY方向のエッジに基づき、複数の塗布軌跡のY方向の間隔が算出される。ここで、撮像された画像における所定エリアごとの光強度に基づき(−Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量が求められ、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かが判定される。所定エリアとして、例えば1画素や縦横各2画素の4画素やX方向に1列の4画素など、適宜の画素数からなるエリアを採用することができる。また、光強度変化量として、例えば光強度の微分値や差分値などを採用することができる。そして、絶対値が所定レベルを超えていないと判定されたときは、(−Y)方向に隣接する次の所定エリアに進んで、隣接する所定エリア間の光強度変化量が求められ、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かの判定が行われ、同様の動作が継続される。
一方、絶対値が所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置が塗布軌跡のY方向における(+Y)側のエッジとされる。また、絶対値が所定レベルを超えたと判定されたときは、(−Y)方向に予め設定された不感帯距離だけ進んだ所定エリアから、(−Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かの判定が行われる。このように、不感帯距離の間は絶対値が所定レベルを超えたか否かの判定が行われないため、その間に絶対値が所定レベルを超えたとしても、エッジと判定されることがない。したがって、一本の塗布軌跡を二本以上と誤判定するのを未然に防止することができる。これによって、各塗布軌跡の(+Y)側のエッジを正確に検出できるため、各塗布軌跡のY方向の間隔を正確に算出することができる。
なお、「塗布面」は、所定の塗布領域に塗布液を塗布する基板の塗布領域以外の非塗布領域であってもよく、また、基板と別に設けられた試験塗布専用の部材であってもよい。また、不感帯距離を塗布軌跡のY方向の幅より大きくするのが好ましい。これによって一本の塗布軌跡を二本以上と誤判定するのを確実に防止できる。また、不感帯距離を塗布軌跡のY方向の間隔より小さくするのが好ましい。これによって、(−Y)方向の次の塗布軌跡の(+Y)側のエッジを確実に検出できる。
また、検出手段は、画像における所定エリアごとの光強度に基づき(+Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かを判定する第2判定手段と、第2判定手段により絶対値が所定レベルを超えていないと判定されたときは、(+Y)方向に隣接する次の所定エリアに進んで第2判定手段による判定動作を行わせる一方、第2判定手段により絶対値が所定レベルを超えたと判定されたときは、(+Y)方向に不感帯距離だけ進んだ所定エリアから第2判定手段による判定動作を行わせる第2制御手段とをさらに有し、検出手段は、第2判定手段により絶対値が所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(−Y)側のエッジとし、算出手段は、検出手段により検出された(+Y)側のエッジと(−Y)側のエッジとに基づき各塗布軌跡のY方向の中心位置を求め、該中心位置に基づき複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出するとしてもよい。
また、検出工程は、画像における所定エリアごとの光強度に基づき(+Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かを判定する第2判定工程と、第2判定工程において絶対値が所定レベルを超えていないと判定されたときは、(+Y)方向に隣接する次の所定エリアに進んで第2判定工程を実行させる一方、第2判定工程において絶対値が所定レベルを超えたと判定されたときは、(+Y)方向に不感帯距離だけ進んだ所定エリアから第2判定工程を実行させる第2制御工程とをさらに有し、検出工程は、第2判定工程において絶対値が所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(−Y)側のエッジとし、算出工程は、検出工程において検出された(+Y)側のエッジと(−Y)側のエッジとに基づき各塗布軌跡のY方向の中心位置を求め、該中心位置に基づき複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出するとしてもよい。
このように構成された発明(塗布装置および塗布方法)によれば、撮像された画像における所定エリアごとの光強度に基づき(+Y)方向に隣接する所定エリア間の光強度変化量が求められ、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かが判定される。そして、絶対値が所定レベルを超えていないと判定されたときは、(+Y)方向に隣接する次の所定エリアに進んで、隣接する所定エリア間の光強度変化量が求められ、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かの判定が行われ、同様の動作が継続される。
一方、絶対値が所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置が塗布軌跡のY方向における(−Y)側のエッジとされる。また、絶対値が所定レベルを超えたと判定されたときは、(+Y)方向に不感帯距離だけ進んだ所定エリアから、絶対値が所定レベルを超えたか否かの判定が行われる。これによって、不感帯距離の間は絶対値が所定レベルを超えたか否かの判定が行われないため、その間に絶対値が所定レベルを超えたとしても、エッジと判定されることがない。したがって、一本の塗布軌跡を二本以上と誤判定するのを未然に防止することができる。これによって、各塗布軌跡の(−Y)側のエッジを正確に検出できる。そして、塗布軌跡の(+Y)側のエッジと(−Y)側のエッジとに基づき、塗布軌跡のY方向の中心位置が算出され、該中心位置に基づき複数の塗布軌跡のY方向の間隔が算出される。このように、塗布軌跡の(+Y)側のエッジと(−Y)側のエッジとを正確に検出できるため、各塗布軌跡のY方向の間隔を正確に算出することができる。
また、算出手段は、検出手段により検出された(+Y)側のエッジと(−Y)側のエッジとに基づき、各塗布軌跡のY方向の幅をさらに算出するとしてもよい。このように構成された発明によれば、塗布軌跡の(+Y)側のエッジと(−Y)側のエッジとが正確に検出されているため、各塗布軌跡のY方向の幅を正確に算出することができる。
また、不感帯距離を変更設定する不感帯距離設定手段をさらに備えたとしてもよい。不感帯距離は、塗布軌跡のY方向の幅より大きくするとともに、塗布軌跡のY方向の間隔より小さくすることが好ましいが、このように構成された発明によれば、塗布軌跡のY方向の幅や間隔が異なる場合でも、それらに応じて不感帯距離を変更設定することにより、塗布液の粘性の相違による幅の変化や、基板設計の相違による塗布軌跡の間隔の変化に対応することができる。また、撮像手段により撮像された画像を表示する画像表示手段をさらに備えるようにすると、塗布軌跡を目視することができるという利点がある。
この発明にかかる塗布装置および塗布方法によれば、各塗布軌跡の(+Y)側のエッジを正確に検出することができるため、各塗布軌跡のY方向の間隔を正確に算出することができる。
図1は本発明の一実施形態である塗布装置1を示す平面図であり、図2は塗布装置1の正面図である。また、図3は塗布装置1の電気的構成を示すブロック図である。塗布装置1は、平面表示装置用のガラス基板9(以下、単に「基板9」という。)に、平面表示装置用の画素形成材料を含む流動性材料を塗布する装置である。本実施の形態では、塗布装置1において、アクティブマトリックス駆動方式の有機EL(Electro Luminescence)表示装置用の基板9に、有機EL液が塗布される。
図1および図2に示すように、塗布装置1は、基板9を保持する基板保持部11、基板保持部11を基板9の主面に平行な所定の方向(すなわち、図1中のY方向であり、以下「副走査方向」という。)に水平移動する基板移動機構12、および、基板保持部11を基板9の主面に垂直な回転軸を中心に回転する基板回転機構12aを備える。基板保持部11は、内部にヒータによる加熱機構(図示省略)を備える。
塗布装置1は、また、基板9上に配置された2つのCCDカメラ(撮像手段)13、2つのCCDカメラ13を副走査方向にそれぞれ個別に移動する2つの撮像部移動機構13a、基板保持部11上の基板9の(+Z)側の主面(以下「上面」という。)91に向けて複数(この実施形態では例えば16本)のノズル17から有機EL液を連続的に吐出する吐出機構である塗布ヘッド14、塗布ヘッド14を基板9の主面に平行かつ副走査方向に垂直な方向(すなわち、図1中のX方向であり、以下「主走査方向」という。)に水平移動するヘッド移動機構15、塗布ヘッド14の移動方向(すなわち、X方向)に関して基板保持部11の両側に設けられるとともに塗布ヘッド14からの有機EL液を受ける2つの受液部16、および、複数のノズル17の副走査方向におけるピッチを調整するピッチ調整機構3を備え、図1に示すように、塗布ヘッド14からの有機EL液が試験塗布される試験塗布ユニット2を備える。
また、塗布装置1は、装置各部の動作を制御する制御部10を備える。制御部10は、各種演算処理を行うCPUを備えており、制御部10には、通常のコンピュータと同様に、実行されるプログラムを記憶したり演算処理の作業領域となるRAM、基本プログラムを記憶するROM、および各種情報を記憶する固定ディスクからなる記憶部101、作業者に各種情報を表示する表示部102、キーボードやマウス等の入力部103等が接続されている。また、画像処理部104は、CCDカメラ13,13が撮像して得られた画像信号に対して所定の画像処理を施すもので、画像処理後の画像データを制御部10に送出する。また、液供給部105は各ノズル17と配管接続されており、制御部10からの動作指令に応じて液供給部105が駆動されると、液供給部105から圧送されてくる塗布液が基板9に向けて柱状に連続吐出される。また、表示部(本発明の「画像表示手段」に相当)102は、例えばLCDからなり、CCDカメラ13により撮像された画像を表示するように構成されており、ユーザは基板9や各ノズル17から吐出された有機EL液の塗布軌跡を目視することができる。
図1に示す塗布ヘッド14では、16本のノズル17が、図1中のX方向(すなわち、主走査方向)に関して略直線状に離れて配列されるとともに図1中のY方向(すなわち、副走査方向)に僅かにずれて配置される。本実施の形態では、隣接する2本のノズル17の間の副走査方向における距離は、基板9の塗布領域上に予め形成されている主走査方向に延びる隔壁間のピッチ(以下「隔壁ピッチ」という。)の3倍に等しくされる。塗布装置1では、基板9への有機EL液の非塗布時に試験塗布ユニット2に対して有機EL液の試験塗布が行われ、試験塗布の結果に基づいてピッチ調整機構3が制御されることにより、複数のノズル17間の副走査方向における距離が調整される。
図1に示す塗布装置1においてノズルのピッチが調整される際には、(−X)側から8番目のノズル17が基準ノズルとされ、ピッチ調整機構3により、基準ノズルを除く他の15本のノズルのロックが必要に応じて解除される。そして、当該15本のノズル17が副走査方向に移動され、各ノズル17の副走査方向における基準ノズルからの距離が所定の距離となるように各ノズル17の位置が調整される。ピッチ調整機構3によるノズル17の位置調整(すなわち、各ノズル間距離の調整)は、試験塗布ユニット2に試験塗布された有機EL液をCCDカメラ13で撮像した画像から、図3に示す制御部10により算出された各ノズル間距離に基づいて、ピッチ調整機構3が制御部10により制御されることにより行われる。各ノズル間距離の算出手順については後に詳述する。
図1に示すように、試験塗布ユニット2は、基板保持部11の(+Y)側に設けられ、X方向に離間するとともにY方向に関してほぼ同じ位置に配置された2つの試験塗布ステージ部21、および、2つの試験塗布ステージ部21の間においてX方向に延びるとともに両端部が試験塗布ステージ部21に固定される中央受液部22を備える。各試験塗布ステージ部21は、スライダ211(図4および図5参照)を介して基板移動機構12のレール121上にY方向に移動可能に取り付けられており、また、接続部111を介して基板保持部11に固定されている。塗布装置1では、基板移動機構12により基板保持部11がY方向に移動することにより、試験塗布ユニット2も基板保持部11とともにY方向に移動する。
図4および図5は、(+X)側の試験塗布ステージ部21をそれぞれ示す左側面図および背面図である。図4および図5では、基板移動機構12の一部も併せて描いており、図5では、中央受液部22の一部も併せて描いている。また、図4および図5では、図示の便宜上、試験塗布ステージ部21のハウジング212を断面にて描いており、図5では、樹脂テープ213も断面にて描いている。塗布装置1では、図1に示す(−X)側の試験塗布ステージ部21も、図4および図5に示す(+X)側の試験塗布ステージ部21と同様の構造を有する。
図4および図5に示すように、試験塗布ステージ部21は、基板移動機構12のレール121に移動可能に取り付けられるスライダ211、スライダ211上に固定されるハウジング212、有機EL液の試験塗布が行われる試験塗布部材である樹脂テープ213、ハウジング212の上部において樹脂テープ213の試験塗布が行われる部位を保持するテープ保持部214、未使用の(すなわち、有機EL液の試験塗布が行われていない)ロール状の樹脂テープ213を保持するとともに当該樹脂テープ213を繰り出してテープ保持部214へと供給するテープ供給部215、および、有機EL液の試験塗布が行われた樹脂テープ213の使用済みの部分を巻き取って回収するテープ回収部216を備える。本実施の形態では、樹脂テープ213として、PPS(ポリフェニレンサルファイト)系の樹脂テープが利用される。
試験塗布ステージ部21は、また、図5に示すように、テープ供給部215およびテープ回収部216を回転するモータ2171およびウォームギア2172、並びに、テープ保持部214の(+X)側に配置される外側受液部218を備える。この外側受液部218は、テープ保持部214の(−X)側に配置される中央受液部22と共に、テープ保持部214に保持された樹脂テープ213よりも僅かに下方、すなわち(−Z)側に配置される。
試験塗布ステージ部21では、モータ2171が駆動されることにより、テープ供給部215およびテープ回収部216がそれぞれ、図4中における反時計回りに所定の角度だけ回転する。これにより、テープ保持部214において、樹脂テープ213が(+Y)方向へと所定の長さだけ送られ、樹脂テープ213の未使用部分がテープ保持部214に位置する。試験塗布ステージ部21は、図4に示すように、テープ供給部215とテープ保持部214との間に、テープ供給部215から繰り出される樹脂テープ213の終端を検出するセンサ2151を備え、また、テープ回収部216の近傍に、テープ回収部216に所定量の樹脂テープ213が巻き取られたことを検出するセンサ2161を備える。
図4および図5に示す試験塗布ステージ部21では、樹脂テープ213のテープ保持部214に保持されている一部の(+Z)側の主面が、複数のノズル17(図1参照)からの有機EL液が試験塗布される試験塗布面(本発明の「塗布面」に相当)2131となっており、樹脂テープ213の当該一部を保持するテープ保持部214が、試験塗布面2131を有する試験塗布部となっている。また、樹脂テープ213を供給および回収するテープ供給部215およびテープ回収部216が、試験塗布部の試験塗布面2131を新たな試験塗布面と交換する試験塗布面交換機構となっている。換言すれば、試験塗布ユニット2は、主走査方向において離間して設けられる2つの試験塗布面2131、および、2つの試験塗布面2131を個別に新たな試験塗布面と交換する2つの試験塗布面交換機構を備える。
図6は、図4および図5に示すテープ保持部214近傍を示す平面図である。図4ないし図6に示すように、テープ保持部214は、樹脂テープ213の(−Z)側(すなわち、試験塗布面2131とは反対側)に配置されて樹脂テープ213を吸着するテープ吸着部2141、樹脂テープ213の(+Z)側に配置されて、すなわち試験塗布面2131に対向するように配置されて、樹脂テープ213の試験塗布面2131近傍の部位をテープ吸着部2141に向けて押圧するテープ押圧部2142、テープ押圧部2142をZ方向に昇降する押圧部昇降機構2143、並びに、テープ押圧部2142および押圧部昇降機構2143をY方向に移動する押圧部移動機構2144を備える。
テープ吸着部2141は、樹脂テープ213を保持するとともに基板保持部11上の基板9の上面91(図1参照)に平行な保持平面2145を備え、テープ押圧部2142は、図6に示すように、樹脂テープ213の試験塗布面2131の(+Y)側および(−Y)側においてX方向に延びる2本の爪部2146を備える。図4ないし図6に示すテープ保持部214では、押圧部昇降機構2143によりテープ押圧部2142が下降することにより、テープ吸着部2141上において(+Z)側に凸となるように僅かに撓んでいる樹脂テープ213が、2本の爪部2146によりテープ吸着部2141の保持平面2145に向けて押圧される。
そして、テープ吸着部2141により樹脂テープ213が真空吸着されることにより、樹脂テープ213の試験塗布面2131が、テープ吸着部2141の保持平面2145上に平滑な状態で固定されて基板9の上面91(図1参照)と同じ高さとされる。試験塗布ステージ部21では、テープ吸着部2141およびテープ押圧部2142が、樹脂テープ213の試験塗布面2131を固定するテープ固定部となっている。テープ押圧部2142は、テープ吸着部2141による樹脂テープ213の吸着後、押圧部昇降機構2143により上昇して樹脂テープ213から離間するとともに、押圧部移動機構2144により(+Y)方向に移動して、試験塗布面2131上から退避する。
次に、基板9に対する有機EL液の塗布が行われる前の塗布装置1における準備作業について説明する。塗布装置1では、準備作業として、図1に示す塗布ヘッド14の複数のノズル17の副走査方向におけるピッチ(以下「ノズルピッチ」という。)が調整され、基板9のノズル17に対する相対位置の調整が行われた後、基板9に対して有機EL液が塗布される。図7は、塗布装置1における準備作業(すなわち、ノズルピッチの調整および基板9の位置調整)の手順を示すフローチャートである。
塗布装置1では、まず、基板保持部11が図1に示す位置から(−Y)方向に移動することにより、試験塗布ユニット2の2つの試験塗布ステージ部21が、塗布ヘッド14の複数のノズル17の主走査方向における移動経路(すなわち、基板9に対する相対移動の経路)の下方の試験塗布位置に位置する。このとき、2つの試験塗布ステージ部21がそれぞれ、2つのCCDカメラ13の下方に位置する(ステップS11)。
塗布装置1では、基板移動機構12が、試験塗布ユニット2の2つの試験塗布部であるテープ保持部214(図4〜図6参照)を、複数のノズル17の主走査方向における移動経路に対して進退させる試験塗布部進退機構となっている。なお、試験塗布ユニット2は必ずしも基板保持部11とともに移動される必要はなく、基板移動機構12とは独立して駆動される他の試験塗布部進退機構(例えば、ロッドレスシリンダ、リニアモータや基板移動機構12のレール121上に設けられた他の移動子など)により、試験塗布ユニット2が、複数のノズル17の主走査方向における移動経路に対して進退してもよい。
試験塗布ユニット2が試験塗布位置に位置すると、液供給部105が作動して、塗布ヘッド14の複数のノズル17から(+X)側の受液部16に向けて有機EL液の吐出が開始され、ヘッド移動機構15が駆動されて塗布ヘッド14の移動が開始される。そして、複数のノズル17から同一種類の有機EL液を基板9に向けて連続的に吐出しつつ、塗布ヘッド14が(+X)側の受液部16上から、(−X)側の受液部16上へと主走査方向に移動することにより、試験塗布ユニット2の各試験塗布ステージ部21において、テープ保持部214に保持された樹脂テープ213の試験塗布面2131(図4〜図6参照)に有機EL液がストライプ状に塗布される(ステップS12)。
このとき、樹脂テープ213の試験塗布面2131は、上述のように、基板保持部11上の基板9の上面91と同じ高さとされるため、Z方向における複数のノズル17と樹脂テープ213の試験塗布面2131との間の距離は、基板9に対する有機EL液の塗布時の複数のノズル17と基板9の上面91との間の距離と等しくなっている。また、2つの試験塗布ステージ部21の間では、ノズル17から吐出される有機EL液が中央受液部22により受けられ、各試験塗布ステージ部21の試験塗布面2131と受液部16との間では、有機EL液は外側受液部218(図5参照)により受けられる。
続いて、各試験塗布ステージ部21の試験塗布面2131がCCDカメラ13により撮像され、試験塗布面2131に塗布された有機EL液のライン画像が取得されて、制御部10(図3参照)へと送られ(ステップS13)、この画像に基づき、第1エッジ検出が実行され(ステップS14)、引き続いて第2エッジ検出(ステップS15)が実行される。
ここで、図8を参照して、一本の塗布軌跡を二本以上と誤判定する原因について説明する。図8は、塗布軌跡をCCDカメラで撮像した画像の濃度が均一な場合と不均一な場合とを対比した図である。塗布軌跡の濃度が均一であれば、CCDカメラで塗布軌跡を撮像して得られる画像の濃度も、通常、図8の上欄に示すように均一になる筈である。そして、この撮像画像について、(+Y)側から(−Y)方向に、例えば1画素ごとに光強度の微分値を求めていくと、塗布軌跡の(+Y)側エッジEG+に達すると微分値が急上昇し、塗布軌跡中で一定の高濃度に達すると微分値が0に戻る。そして、さらに(−Y)方向に、1画素ごとに光強度の微分値を求めていくと、塗布軌跡の(−Y)側エッジEG−に達すると微分値が急降下し、塗布軌跡から完全に外れると微分値が0に戻る。そこで、微分値の絶対値が所定レベルを超えるとエッジと判定することによって、塗布軌跡のY方向の両端のエッジが検出される。なお、この明細書では低濃度から高濃度に変化するときに光強度の微分値が上昇するものとしているが、逆に下降するものとしても、微分値の絶対値と所定レベルとを比較しているため、同様に判定することができる。
しかしながら、発明者の実験によると、有機EL液の種類の違い(乾燥速度、色、粘性など)によって、塗布軌跡の濃度が不均一になったり、塗布軌跡の濃度が均一であっても、CCDカメラなどの光学系の特性によって、撮像して得られた画像の濃度が不均一になることがあった。例えば光の反射によって塗布軌跡のY方向における中央部が白く光ると、図8の下欄に示すように、塗布軌跡を撮像した画像において、その白く光った部分が低濃度になる。この撮像画像について、(+Y)側から(−Y)方向に、1画素ごとに光強度の微分値を求めていくと、塗布軌跡の(+Y)側エッジEG+に達すると微分値が急上昇し、塗布軌跡中で一定の高濃度に達すると微分値が0に戻る。そして、さらに(−Y)方向に、1画素ごとに光強度の微分値を求めていくと、塗布軌跡のY方向中央の白い部分に達すると、微分値が急降下した後、0に戻る。さらに(−Y)方向に、1画素ごとに光強度の微分値を求めていくと、塗布軌跡のY方向中央の白い部分から外れると、再度、微分値が急上昇し、塗布軌跡中で一定の高濃度に達すると微分値が0に戻る。さらに(−Y)方向に、1画素ごとに光強度の微分値を求めていくと、塗布軌跡の(−Y)側エッジEG−に達すると微分値が急降下し、塗布軌跡から完全に外れると微分値が0に戻る。したがって、単に、微分値の絶対値が所定レベルを超えるとエッジと判定する方法を用いると、図8の下欄の例では、1本の塗布軌跡を2本と誤判定してしまうことになる。そこで、この実施形態では、以下のようにして誤判定を防止している。
図9は図7のステップS14の第1エッジ検出サブルーチンの手順を示すフローチャート、図10は図9の動作を説明する図である。図9において、まず、撮像した画像における光強度を検出する画素のY方向位置を撮像エリアの(+Y)側の先頭位置に設定する(ステップS141)。なお、先頭位置に限られず、最も(+Y)側の塗布軌跡より(+Y)側であればよい。また、X方向位置は塗布軌跡が確実に描かれている画素の位置であればよく、この実施形態では例えば、撮像エリアの中央に設定されている。
次いで、ライン番号LNを1に設定し(ステップS142)、現在のY方向位置での光強度の微分値を取得して(ステップS143)、この微分値の絶対値が予め設定されたしきい値以上か否かが判定される(ステップS144)。そして、微分値の絶対値がしきい値未満であれば(ステップS144でNO)、Y方向位置を(−Y)方向に所定値(この実施形態では例えば1画素)だけ進め(ステップS145)、ステップS143に戻って以上の手順を繰り返す。すなわち、1画素ごとに光強度を求め、隣接する画素間の光強度の微分値が算出されて、その絶対値がしきい値未満であれば、これらのステップが継続される。
一方、微分値の絶対値がしきい値以上であれば(ステップS144でYES)、現在のY方向位置をライン番号LNの第1エッジEG+に決定する(ステップS146)。図10に示すように、ライン番号LN=1であればライン1のエッジEG1+が得られる。次いで、ライン番号LN=16か否かが判定され(ステップS147)、LN=16でなければ(ステップS147でNO)、ライン番号LNを1だけインクリメントし(ステップS148)、Y方向位置を第1サーチ用不感帯領域の距離(第1不感帯距離)D1だけ(−Y)方向に進めて(ステップS149)、ステップS143に戻って、以上の手順が繰り返される。
Y方向位置が第1不感帯距離D1だけ(−Y)方向に移動している間は、微分値のレベルが判定されないため、図10に示すように、その間に不均一濃度に起因する微分値の上昇・下降があったとしても、エッジと誤判定するのが防止される。これによって、図10に示すように、順に、ライン1のエッジEG1+、ライン2のエッジEG2+、ライン3のエッジEG3+が得られることとなる。そして、ステップS147において、ライン番号LN=16であれば(ステップS147でYES)、16本の塗布軌跡の第1エッジEG+を検出したことになるため、このサブルーチンを終了する。
図11は図7のステップS15の第2エッジ検出サブルーチンの手順を示すフローチャート、図12は図11の動作を説明する図である。図11において、まず、撮像した画像における光強度を検出する画素のY方向位置を撮像エリアの(−Y)側の最終位置に設定する(ステップS151)。なお、最終位置に限られず、第1エッジ検出サブルーチンで最後に検出したエッジEG16+から第1不感帯距離D1だけ(−Y)方向に進んだ位置であってもよい。また、X方向位置は、移動の手間がなく、幅を正確に検出できるため、第1エッジ検出サブルーチンと同一位置とするのが好ましい。
次いで、ライン番号LNを16に設定し(ステップS152)、現在のY方向位置での光強度の微分値を取得して(ステップS153)、この微分値の絶対値が予め設定されたしきい値以上か否かが判定される(ステップS154)。そして、微分値の絶対値がしきい値未満であれば(ステップS154でNO)、Y方向位置を(+Y)方向に所定値(この実施形態では例えば1画素)だけ進め(ステップS155)、ステップS153に戻って以上の手順を繰り返す。
一方、微分値の絶対値がしきい値以上であれば(ステップS154でYES)、現在のY方向位置をライン番号LNの第2エッジEG−に決定する(ステップS156)。図12に示すように、ライン番号LN=16であれば、ライン16のエッジEG16−が得られる。次いで、ライン番号LN=1か否かが判定され(ステップS157)、LN=1でなければ(ステップS157でNO)、ライン番号LNを1だけデクリメントし(ステップS158)、Y方向位置を第2サーチ用不感帯領域の距離(第2不感帯距離)D2だけ(+Y)方向に進めた後(ステップS159)、ステップS153に戻って、以上の手順が繰り返される。
Y方向位置が第2不感帯距離D2だけ(+Y)方向に移動している間は、微分値のレベルが判定されないため、図12に示すように、その間に不均一濃度による微分値の上昇・下降があったとしても、エッジと誤判定するのが防止される。これによって、図12に示すように、順に、ライン16のエッジEG16−、ライン15のエッジEG15−、ライン14のエッジEG14−が得られることとなる。そして、ステップS157において、ライン番号LN=1であれば(ステップS157でYES)、16本の塗布軌跡の第2エッジEG−を検出したことになるため、このサブルーチンを終了する。
図7に戻って、ステップS15の第2エッジ検出サブルーチンが終了すると、ステップS14,S15の検出結果に基づきノズルピッチが算出される(ステップS16)。図13はノズルピッチの算出を説明する図である。この実施形態では、塗布軌跡の各ラインのY方向における中心線が求められ、隣接する中心線間のY方向における各距離が、Y方向に互いに隣接する2つのノズル17間の距離(ノズルピッチ)として算出される。すなわち、図13に示すように、第1エッジEG1+と第2エッジEG1−とに基づき、ライン1の中心線が算出され、第1エッジEG2+と第2エッジEG2−とに基づき、ライン2の中心線が算出され、第1エッジEG3+と第2エッジEG3−とに基づき、ライン3の中心線が算出され、以下同様にして各ラインの中心線が算出され、第1エッジEG16+と第2エッジEG16−とに基づき、ライン16の中心線が算出される。そして、各ラインの中心線間のY方向距離P1,P2,…,P15が、各ラインに対応する2つのノズル17間の距離(ノズルピッチ)として算出される。
また、同時に、ライン1の第1エッジEG1+と第2エッジEG1−とに基づき、ライン1の幅W1が算出され、ライン2の第1エッジEG2+と第2エッジEG2−とに基づき、ライン2の幅W2が算出され、ライン3の第1エッジEG3+と第2エッジEG3−とに基づき、ライン3の幅W3が算出され、以下同様にして各ラインの幅が算出され、第1エッジEG16+と第2エッジEG16−とに基づき、ライン16の幅W16が算出される。
ここで、第1、第2不感帯距離D1,D2の大きさについて説明する。なお、ノズルピッチの設計値をP0、各塗布軌跡のY方向における幅の設計値をW0とする。まず、第1不感帯距離D1について考えると、例えばD1=W0とすると、塗布軌跡の幅Wが、ばらつきによってW0より多少大きい場合にエッジを誤判定する可能性がある。一方、D1=P0とすると、ピッチPが、ばらつきによってP0より小さい場合に、次のラインのエッジを検出できなくなる可能性がある。したがって、
W0<D1<P0
とすることが好ましい。また、ばらつきを考慮すると、例えば、
D1≒2×W0
または
D1≒P0/2
としてもよい。なお、第2不感帯距離D2についても同様に考えることができる。また、D1=D2としてもよく、この場合には制御構成を簡素化できるため好ましい。
なお、ステップS14,S15のエッジ検出は、この実施形態では例えば、(+X)側のCCDカメラ13により取得された画像に基づいて行っているが、(−X)側のCCDカメラ13により取得された画像に基づいて行ってもよい。また、2つのCCDカメラ13によりそれぞれ取得された画像の双方に基づいて行ってもよい。すなわち、例えば両画像から求めた各エッジの平均値を検出エッジとしてもよい。このように、この実施形態では、制御部10が本発明の「検出手段」、「算出手段」、「第1判定手段」、「第1制御手段」、「第2判定手段」、「第2制御手段」に相当する。
図7に戻って、ステップS16に続いて、基準ノズルである(−X)側から8番目のノズル17と他の15本のノズル17とのそれぞれの間の距離が求められ、予め定められているノズルピッチ(上述のように、本実施の形態では隔壁ピッチの3倍に等しい距離である。)に基づいて、各ノズル17の基準ノズルに対する相対位置が所定の位置となっているか否かが判定される(ステップS17)。
各ノズル17の基準ノズルに対する相対位置が所定の位置となっていなければ(ステップS17でNO)、上述のように求められた各ノズル間距離に基づき、基準ノズル以外の15本のノズル17(以下「移動ノズル」という。)の副走査方向における移動すべき量(以下、単に「移動量」という。)が制御部10により求められる。以下では、15本の移動ノズルの全てについて、ノズル位置の調整が必要であると判断されたものとして説明する。
各ノズル17の移動量が求められると、塗布ヘッド14からの有機EL液の吐出が停止された後、ヘッド移動機構15により塗布ヘッド14が(+X)側へと移動され、図14中に二点鎖線にて示すように、ピッチ調整機構3と対向する調整位置に位置して塗布ヘッド14が固定される。続いて、ピッチ調整機構3により、各移動ノズルのロックが解除され、各移動ノズルが副走査方向に移動可能とされる。そして、制御部10(図3参照)により、ピッチ調整機構3が制御され、ノズル17が制御部10により求められた移動量に従って副走査方向に移動される(ステップS18)。各移動ノズルの副走査方向への移動が終了すると、ピッチ調整機構3により各移動ノズルの位置が再びロックされる。なお、15本の移動ノズルにおいて位置調整が不要と判断されたものがある場合には、当該移動ノズルのロックは解除されず、また、副走査方向への移動も行われない。その後、塗布ヘッド14の固定が解除される。図14に示す塗布ヘッド14は、(+X)側の受液部16上へと移動し、複数のノズル17から有機EL液の吐出が開始される。
このように、塗布装置1では、制御部10により求められた移動量に従って、1本の基準ノズルを除く全てのノズル17(すなわち、全移動ノズル)が副走査方向に個別に移動されることによりノズルピッチの調整が行われる。本実施の形態では、ノズルピッチが120μm〜700μmの範囲で調整される。なお、塗布装置1では、16本のノズル17の全てが副走査方向に個別に移動されてノズルピッチの調整が行われてもよい。
移動ノズルの副走査方向における移動が終了すると、試験塗布ユニット2の各試験塗布ステージ部21において、図4〜図6に示すテープ吸着部2141による樹脂テープ213の吸着が解除されるとともに、押圧部移動機構2144によりテープ押圧部2142が(−Y)方向に移動され、図6に示すように、テープ吸着部2141の上方に位置する。続いて、図5に示すモータ2171が駆動されることにより、図4〜図6に示すテープ保持部214において樹脂テープ213が(+Y)方向へと所定の長さだけ送られ、新しい試験塗布面2131がテープ吸着部2141上に位置する。
次に、押圧部昇降機構2143によりテープ押圧部2142が下降して樹脂テープ213をテープ吸着部2141に向けて押圧するとともに、テープ吸着部2141により樹脂テープ213が吸着されることにより、試験塗布面が新しい試験塗布面2131に交換されて保持平面2145上に固定される(ステップS19)。樹脂テープ213が吸着されると、テープ押圧部2142は試験塗布面2131上から退避する。
試験塗布面2131が交換されると、ステップS12に戻って、塗布ヘッド14が、複数のノズル17から有機EL液を吐出しつつ(−X)方向へと移動され、試験塗布ユニット2の2つの試験塗布面2131に有機EL液が塗布される(ステップS12)。続いて、CCDカメラ13により試験塗布面2131上の有機EL液のライン画像が取得され、制御部10により第1エッジおよび第2エッジが検出され、ノズルピッチが算出されて、ノズル位置が所定位置となっているか否かが判定される(ステップS13〜S17)。そして、ノズル位置が所定位置となっていると判定される(ステップS17でYES)まで、ピッチ調整機構3によるノズル17の副走査方向への移動、および、試験塗布面2131の交換(ステップS18,S19)、並びに、試験塗布面2131への有機EL液の塗布、第1エッジ検出、第2エッジ検出、ノズルピッチの算出、および、ノズル位置の判定(ステップS12〜S17)が繰り返される。
ステップS17において、各ノズル17の基準ノズルに対する相対位置が所定の位置となっていれば(ステップS17でYES)、2つのCCDカメラ13の相対位置が調整される(ステップS20)。すなわち、2つのCCDカメラ13により最後に取得された試験塗布面2131上の有機EL液の2つのストライプ状のライン画像(すなわち、ノズル位置が所定位置となっていると判定された際の画像であり、以下「最終画像」という。)のそれぞれにおいて、制御部10(図3参照)により、有機EL液のライン画像中における副走査方向の位置が求められる。続いて、(+X)側のCCDカメラ13により撮像された最終画像を基準として、(−X)側のCCDカメラ13により撮像された最終画像中のライン画像の位置の副走査方向におけるずれ量(以下「位置ずれ量」という。)が求められる。次に、(−X)側の撮像部移動機構13aが制御部10により制御されることにより、(−X)側のCCDカメラ13が、位置ずれ量に等しい距離だけ副走査方向に移動されて2つのCCDカメラ13の相対位置が調整される。
これにより、2つのCCDカメラ13の撮像領域の中心を結ぶ直線が、塗布ヘッド14により塗布される有機EL液のラインに平行とされる。具体的には、(−X)側のCCDカメラ13による最終画像中の有機EL液のライン画像が、(+X)側の最終画像に比べて(−Y)側にずれている場合には、(−X)側のCCDカメラ13が(−Y)方向に移動され、(+Y)側にずれている場合には(+Y)方向に移動される。なお、塗布装置1におけるCCDカメラ13の位置調整は、(−X)側のCCDカメラ13が固定された状態で(+X)側のCCDカメラ13が移動されることにより行われてもよく、両方のCCDカメラ13が移動されることにより行われてもよい。
CCDカメラ13の位置調整が終了すると、基板9の位置調整が行われる(ステップS21)。すなわち、基板移動機構12により基板9が基板保持部11および試験塗布ユニット2とともに(+Y)方向に移動され、図1に実線にて示すように、基板9が2つのCCDカメラ13の下方に位置する。このとき、基板9の上面91上において、(+Y)側の2つの角部近傍、かつ、塗布領域の外側の非塗布領域に設けられた2つの位置決め用目印93(図14参照)はそれぞれ、2つのCCDカメラ13の撮像領域内に位置する。基板9上では、2つの位置決め用目印93の中心を結ぶ直線が、塗布領域の複数の溝に平行とされている。
続いて、基板位置調整部103により2つのCCDカメラ13が制御され、基板9上の2つの位置決め用目印93が撮像される。次に、2つの位置決め用目印93の画像に基づいて位置決め用目印93の中心間の副走査方向における距離が求められ、予め記憶されている位置決め用目印93の中心間の主走査方向における距離に基づいて基板9の回転方向のずれ量(すなわち、傾き)が求められる。そして、基板位置調整部103により基板回転機構12aが基板9の回転方向のずれ量に基づいて制御されて基板9が回転することにより、2つの位置決め用目印93のCCDカメラ13に対する副走査方向における相対位置が等しくされる。
既述のように、塗布装置1では、2つのCCDカメラ13の複数のノズル17(から吐出されて基板9上に塗布される有機EL液のライン)に対する副走査方向における相対位置が互いに等しくされている。したがって、2つの位置決め用目印93のCCDカメラ13に対する副走査方向の相対位置を互いに等しくすることにより、2つの位置決め用目印93の複数のノズル17(から吐出されて基板9上に塗布される有機EL液のライン)に対する副走査方向における相対位置が互いに等しくされる。すなわち、基板9上の塗布領域の隔壁間の溝が、主走査方向に移動する複数のノズル17の軌跡に対して平行となる。
このように、塗布装置1では、2つのCCDカメラ13により取得された有機EL液のライン画像、および、2つのCCDカメラ13により取得された基板9の上面91上の位置決め用目印93の画像に基づいて、基板移動機構12および基板回転機構12aが、制御部10(図3参照)により制御されることにより、基板9の複数のノズル17に対する相対位置が調整される。
そして、基板9の位置調整が終了すると、ヘッド移動機構15により、塗布ヘッド14が複数のノズル17から有機EL液を連続的に吐出しつつ主走査方向に移動し、塗布ヘッド14の主走査方向への移動が1回行われる毎に、基板移動機構12により基板9が副走査方向、すなわち(+Y)方向にステップ移動する。そして、基板9が図1中に二点鎖線にて示す塗布終了位置に位置するまで、複数のノズル17の基板9に対する主走査方向および副走査方向への相対的な移動が繰り返されることにより、基板9に有機EL液がストライプ状に塗布される。
以上説明したように、この実施形態によれば、試験塗布ユニット2の試験塗布面2131に有機EL液が塗布され、CCDカメラ13により撮像された試験塗布面2131上の有機EL液のライン画像(塗布軌跡)に基づき、第1エッジ検出および第2エッジ検出が実行される。第1エッジ検出では、光強度の微分値がしきい値以上であれば、そのY方向位置を(+Y)側のエッジとするとともに、第1不感帯距離D1だけ(−Y)方向に進めて、微分値の判定を行う。また、第2エッジ検出では、光強度の微分値がしきい値以上であれば、そのY方向位置を(−Y)側のエッジとするとともに、第2不感帯距離D2だけ(+Y)方向に進めて、微分値の判定を行う。このように、不感帯距離D1,D2だけ移動している間は微分値のレベルが判定されないため、その間に、撮像して得られた画像の濃度が不均一であることに起因する微分値の上昇・下降があったとしても、エッジと誤判定するのを防止することができる。その結果、各塗布軌跡のY方向における間隔、すなわちノズルピッチを正確に算出することができる。これによって、ノズルピッチの算出結果に基づいて複数のノズル17の副走査方向におけるピッチをピッチ調整機構3により調整することにより、塗布装置1の複数のノズル17の副走査方向におけるピッチを、基板9に対する有機EL液の塗布を行うことなく高精度に調整することができる。
また、この実施形態によれば、各塗布軌跡の(+Y)側の第1エッジEG+と(−Y)側の第2エッジEG−とを正確に検出できるため、各塗布軌跡の幅Wを正確に算出することができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板9とは別に試験塗布専用に設けられた試験塗布面2131に試験塗布を行っているが、本発明はこれに限られず、基板9上の塗布領域以外の非塗布領域に試験塗布を行うようにしてもよい。この形態では、基板9上の非塗布領域が本発明の「塗布面」に相当する。
また、上記実施形態では、第1エッジ検出(図7のステップS14)および第2エッジ検出(図7のステップS15)の両方を行っているが、これに限られず、いずれか一方のみを行うようにしてもよい。この変形形態では、各塗布軌跡のY方向の中心線や幅を算出することはできない。しかし、例えば第1エッジ検出のみを行う場合には、図10に示すように、例えばエッジEG1+とエッジEG2+との距離をライン1,2の間隔とし、エッジEG2+とエッジEG3+との距離をライン2,3の間隔とすればよい。また、例えば第2エッジ検出のみを行う場合には、図12に示すように、例えばエッジEG15−とエッジEG16−との距離をライン15,16の間隔とし、エッジEG14−とエッジEG15−との距離をライン14,15の間隔とすればよい。これによって、この変形形態でも、ノズルピッチを正確に算出することができる。
また、上記実施形態において、制御部10は、入力部103の操作により第1、第2不感帯距離D1,D2の値を変更設定できるように構成してもよい。この変形形態では、制御部10および入力部103が、本発明の「不感帯距離設定手段」を構成する。また、複数種類の第1、第2不感帯距離D1,D2を予め記憶部101に記憶させておき、制御部10は、記憶部101に記憶されている値から、入力部103の操作により所望の値を選択できるように構成してもよい。この変形形態では、記憶部101、制御部10および入力部103が、本発明の「不感帯距離設定手段」を構成する。これらの変形形態によれば、ノズルピッチの設計値P0や塗布軌跡のY方向における幅の設計値W0が異なる場合でも、それらに応じて不感帯距離を変更設定することができる。これによって、例えば粘性の異なる種々の塗布液や、設計が異なる種々の基板9に対応することができる。
また、上記実施形態では、第1、第2エッジ検出において、1画素ごとに光強度の微分値を求めているが、光強度の微分値を求めるエリア(本発明の「所定エリア」に相当)は1画素に限られない。例えば、X×Y方向に2×2の4画素やX×Y方向に4×1の4画素でもよい。2×2の4画素であればY方向に2画素ずつ進めればよく、4×1の4画素であればY方向に1画素ずつ進めればよい。
また、上記実施形態では、第1、第2エッジ検出において、光強度の微分値を求めているが、微分値に限られない。例えば光強度の差分値など、光強度の変化量を表わすものであればよい。また、上記実施形態では、2つのCCDカメラ13,13により塗布軌跡を撮像しているが、カメラの個数や配設位置などは上記実施形態に限定されるものではなく、任意であり、例えば単一のCCDカメラにより塗布軌跡を撮像するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、基板9を保持する基板保持部11をY方向に移動可能に構成しているが、これに限られず、例えば基板保持部11を固定しておき、塗布ヘッド14をY方向に移動可能に構成するようにしてもよい。すなわち、ノズル17に対して基板9がY方向に相対的に移動できればよい。また、上記実施形態では、16本のノズル17を備えているが、これに限られない。
また、上記実施形態では、隣接するノズル17は、Y方向に基板9の隔壁ピッチの3倍だけずれるように構成されているが、これに限られず、例えばY方向に基板9の隔壁ピッチに等しい距離だけずれるように構成してもよい。
また、上記実施形態では、各ノズル17は同一種類の有機EL液を基板9に向けて吐出するように構成されているが、これに限られず、各ノズル17は異なる種類の有機EL液を吐出するように構成してもよい。この場合、隣接するノズル17は、吐出する種類に応じた距離だけずれるように構成すればよい。例えば、各ノズル17がY方向に順にR用、G用、B用の有機EL液をそれぞれ基板9に向けて吐出する場合には、隣接するノズル17は、Y方向に基板9の隔壁ピッチに等しい距離だけずれるように構成すればよい。
また、上記実施形態では、基板9に隔壁が形成されており、この隔壁の間に塗布液を塗布するように構成されているが、これに限られず、例えば隔壁が形成されていない平板状の基板に塗布液をライン状に塗布する構成でもよい。この形態では、隣接するノズル17は、例えばR用、G用、B用の有機EL液をそれぞれ吐出する場合には、基板上に最終的に形成される塗布液列のピッチに等しい距離だけずれるように構成すればよく、例えば同一種類の有機EL液を吐出する場合には、基板上に最終的に形成される塗布液列のピッチの3倍だけずれるように構成すればよい。
さらに、本発明は、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板に、液体状の有機EL材料や蛍光体、フォトレジスト液、現像液、エッチング液などの塗布液を塗布する塗布装置および塗布方法に対して適用することができる。
本発明は、塗布液を所定の塗布面に吐出して塗布軌跡を形成する塗布装置および塗布方法全般に適用される。
本発明の一実施形態である塗布装置を示す平面図である。 塗布装置の正面図である。 塗布装置の電気的構成を示すブロック図である。 (+X)側の試験塗布ステージ部を示す左側面図である。 (+X)側の試験塗布ステージ部を示す背面図である。 テープ保持部近傍を示す平面図である。 塗布装置における準備作業の手順を示すフローチャートである。 塗布軌跡をCCDカメラで撮像した画像の濃度が均一な場合と不均一な場合とを対比した図である。 図7のステップS14の第1エッジ検出サブルーチンの手順を示すフローチャートである。 図9の動作を説明する図である。 図7のステップS15の第2エッジ検出サブルーチンの手順を示すフローチャートである。 図11の動作を説明する図である。 ノズルピッチの算出を説明する図である。 塗布装置の平面図である。
符号の説明
10…制御部(検出手段、算出手段、第1判定手段、第1制御手段、第2判定手段、第2制御手段、不感帯距離設定手段)、13…CCDカメラ(撮像手段)、17…ノズル(塗布軌跡形成手段)、101…記憶部(不感帯距離設定手段)、102…表示部(画像表示手段)、103…入力部(不感帯距離設定手段)、105…液供給部(塗布軌跡形成手段)、2131…試験塗布面(塗布面)

Claims (7)

  1. ノズルを所定の塗布面に対してX方向に相対移動させながら前記ノズルから塗布液を前記塗布面に向けて柱状に連続吐出して前記塗布面上に塗布軌跡を形成する塗布軌跡形成手段と、
    前記塗布軌跡形成手段によりX方向に直交するY方向に並んで形成された複数の前記塗布軌跡を撮像する撮像手段と、
    前記撮像手段により撮像された画像に基づき前記各塗布軌跡のY方向のエッジを検出する検出手段と、
    前記検出手段により検出された前記各塗布軌跡のY方向のエッジに基づき前記複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出する算出手段と
    を備え、
    前記検出手段は、
    前記画像における所定エリアごとの光強度に基づき(−Y)方向に隣接する前記所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かを判定する第1判定手段と、
    前記第1判定手段により前記絶対値が前記所定レベルを超えていないと判定されたときは、(−Y)方向に隣接する次の前記所定エリアに進んで前記第1判定手段による判定動作を行わせる一方、前記第1判定手段により前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたときは、(−Y)方向に予め設定された不感帯距離だけ進んだ前記所定エリアから前記第1判定手段による判定動作を行わせる第1制御手段と
    を有し、
    前記検出手段は、前記第1判定手段により前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(+Y)側の前記エッジとすることを特徴とする塗布装置。
  2. 前記検出手段は、
    前記画像における所定エリアごとの光強度に基づき(+Y)方向に隣接する前記所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が前記所定レベルを超えたか否かを判定する第2判定手段と、
    前記第2判定手段により前記絶対値が前記所定レベルを超えていないと判定されたときは、(+Y)方向に隣接する次の前記所定エリアに進んで前記第2判定手段による判定動作を行わせる一方、前記第2判定手段により前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたときは、(+Y)方向に前記不感帯距離だけ進んだ前記所定エリアから前記第2判定手段による判定動作を行わせる第2制御手段と
    をさらに有し、
    前記検出手段は、前記第2判定手段により前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(−Y)側の前記エッジとし、
    前記算出手段は、前記検出手段により検出された(+Y)側の前記エッジと(−Y)側の前記エッジとに基づき前記各塗布軌跡のY方向の中心位置を求め、該中心位置に基づき前記複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出する請求項1記載の塗布装置。
  3. 前記算出手段は、前記検出手段により検出された(+Y)側の前記エッジと(−Y)側の前記エッジとに基づき、前記各塗布軌跡のY方向の幅をさらに算出する請求項2記載の塗布装置。
  4. 前記不感帯距離を変更設定する不感帯距離設定手段をさらに備えた請求項1ないし3のいずれかに記載の塗布装置。
  5. 前記撮像手段により撮像された画像を表示する画像表示手段をさらに備えた請求項1ないし4のいずれかに記載の塗布装置。
  6. ノズルを所定の塗布面に対してX方向に相対移動させながら前記ノズルから塗布液を前記塗布面に向けて吐出して前記塗布面上に塗布軌跡を、X方向に直交するY方向に複数並べて形成する塗布軌跡形成工程と、
    前記複数の塗布軌跡を撮像する撮像工程と、
    前記撮像工程において撮像された画像に基づき前記各塗布軌跡のY方向のエッジを検出する検出工程と、
    前記検出工程において検出された前記各塗布軌跡のY方向のエッジに基づき前記複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出する算出工程と
    を備え、
    前記検出工程は、
    前記画像における所定エリアごとの光強度に基づき(−Y)方向に隣接する前記所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が所定レベルを超えたか否かを判定する第1判定工程と、
    前記第1判定工程において前記絶対値が前記所定レベルを超えていないと判定されたときは、(−Y)方向に隣接する次の前記所定エリアに進んで前記第1判定工程を実行させる一方、前記第1判定工程において前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたときは、(−Y)方向に予め設定された不感帯距離だけ進んだ前記所定エリアから前記第1判定工程を実行させる第1制御工程と
    を有し、
    前記検出工程は、前記第1判定工程において前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(+Y)側の前記エッジとすることを特徴とする塗布方法。
  7. 前記検出工程は、
    前記画像における所定エリアごとの光強度に基づき(+Y)方向に隣接する前記所定エリア間の光強度変化量を求め、その光強度変化量の絶対値が前記所定レベルを超えたか否かを判定する第2判定工程と、
    前記第2判定工程において前記絶対値が前記所定レベルを超えていないと判定されたときは、(+Y)方向に隣接する次の前記所定エリアに進んで前記第2判定工程を実行させる一方、前記第2判定工程において前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたときは、(+Y)方向に前記不感帯距離だけ進んだ前記所定エリアから前記第2判定工程を実行させる第2制御工程と
    をさらに有し、
    前記検出工程は、前記第2判定工程において前記絶対値が前記所定レベルを超えたと判定されたとき、当該所定エリアのY方向位置を(−Y)側の前記エッジとし、
    前記算出工程は、前記検出工程において検出された(+Y)側の前記エッジと(−Y)側の前記エッジとに基づき前記各塗布軌跡のY方向の中心位置を求め、該中心位置に基づき前記複数の塗布軌跡のY方向の間隔を算出する請求項6記載の塗布方法。
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