JP4869713B2 - マルチチップパッケージデバイス - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 112
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 33
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 12
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/44—Arrangements for executing specific programs
- G06F9/4401—Bootstrapping
- G06F9/4403—Processor initialisation
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/44—Arrangements for executing specific programs
- G06F9/4401—Bootstrapping
- G06F9/4406—Loading of operating system
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- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/44—Arrangements for executing specific programs
- G06F9/445—Program loading or initiating
- G06F9/44568—Immediately runnable code
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
- Dram (AREA)
Description
23 アドレス線
25 制御線
100 マルチチップパッケージデバイス
101 データピン
103 アドレスピン
105 制御ピン
120 第1メモリチップ
121、141 ホストインターフェース
123、143 メインメモリ
125、145 バッファメモリ
125a ブートラム
129、149 アクセス信号発生ブロック
129a、149a レジスタ
129b、149b 比較器
129c、149c 遷移器
127、147 オプション端子
131、151 制御器
140 第2メモリチップ
501 アドレス感知手段
503 PMOSトランジスタ
505 NMOSトランジスタ
507 反転ラッチ
509 論理和手段
601 アドレス感知手段
603 PMOSトランジスタ
605 NMOSトランジスタ
607 ラッチ
609 論理和手段
820 第1メモリチップ
823 メインメモリ
823a、843a ブートコード
825a、845a ブートラム
840 第2メモリチップ
843 メインメモリ
Claims (9)
- 制御信号およびアドレスを共有するように構成される第1および第2メモリチップを含むマルチチップパッケージデバイスにおいて、
前記第1および第2メモリチップのそれぞれは、
所定のデータを記憶するメインメモリと、
前記メインメモリへ書き込まれるか、または前記メインメモリから読み出されるデータを一時的に記憶することができるバッファメモリと、
それぞれのオプション電圧が提供されるオプション端子と、
前記アドレスおよび前記制御信号に応答して、前記メインメモリのアクセスを駆動するメインアクセス信号および前記バッファメモリのアクセスを駆動するバッファアクセス信号を発生するとともに、前記オプション電圧のレベルによって前記メインアクセス信号および前記バッファアクセス信号の論理状態を決定し、所定のブート組合せの前記アドレスに応答してバッファアクセス信号の一方向遷移を発生させるアクセス信号発生ブロックと、
前記メインアクセス信号および前記バッファアクセス信号に応答して、前記メインメモリおよび前記バッファメモリを選択するように駆動される制御器と、
を備え、
前記第1メモリチップのオプション電圧と前記第2メモリチップのオプション電圧は相異なる電圧レベルであり、
前記第1メモリチップのメインメモリは、所定の優先処理命令による動作を行うためのプログラムを含むブートコードを記憶し、
前記第1メモリチップのバッファメモリは、前記ブートコードを一時的に記憶するとともに前記ブート組合せのアドレスに応答して特定されるブートラムを含み、
前記第1メモリチップの前記バッファアクセス信号の一方向遷移は活性化される遷移であり、前記第2メモリチップの前記バッファアクセス信号の一方向遷移は非活性化される遷移であることを特徴とする、マルチチップパッケージデバイス。 - 前記アクセス信号発生ブロックは、
前記制御信号に応じて論理状態が制御されて、対応するメインメモリの選択を示す第1フラグ信号および前記バッファメモリ選択を示す第2フラグ信号を発生するレジスタと、
前記第1フラグ信号および前記第2フラグ信号を前記オプション電圧とそれぞれ比較して、前記メインアクセス信号および予備アクセス信号を発生する比較器と、
前記ブート組合せのアドレスに応答して前記予備アクセス信号を一方向遷移し、前記バッファアクセス信号を発生する一方向遷移器と、
を備えることを特徴とする、請求項1に記載のマルチチップパッケージデバイス。 - 前記第1メモリチップのオプション電圧は接地電圧であり、前記第2メモリチップのオプション電圧は電源電圧であることを特徴とする、請求項1に記載のマルチチップパッケージデバイス。
- 前記メインメモリはNANDフラッシュメモリであり、前記バッファメモリはSRAMであることを特徴とする、請求項1に記載のマルチチップパッケージデバイス。
- 前記第1メモリチップの前記メインアクセス信号の活性化と前記第2メモリチップの前記メインアクセス信号の活性化は重複しないことを特徴とする、請求項1に記載のマルチチップパッケージデバイス。
- 前記第1メモリチップの前記バッファアクセス信号の活性化と前記第2メモリチップの前記バッファアクセス信号の活性化は重複しないことを特徴とする、請求項1に記載のマルチチップパッケージデバイス。
- 制御信号およびアドレスを共有するように構成される第1および第2メモリチップを含むマルチチップパッケージデバイスにおいて、
前記第1および第2メモリチップのそれぞれは、
所定のデータを記憶し、所定の優先処理命令による動作を行うためのプログラムを含むブートコードを記憶するメインメモリと、
前記メインメモリへ書き込まれるか、または前記メインメモリから読み出されるデータを一時的に記憶することができ、前記ブートコードを一時的に記憶し、前記ブート組合せの外部アドレスに応答して特定される前記ブートラムを含むバッファメモリと、
それぞれのオプション電圧が提供されるオプション端子と、
前記アドレスおよび制御信号に応答して、前記メインメモリのアクセスを駆動するメインアクセス信号および前記バッファメモリのアクセスを駆動するバッファアクセス信号を発生するとともに、前記オプション電圧のレベルによって前記メインアクセス信号および前記バッファアクセス信号の論理状態を決定するアクセス信号発生ブロックと、
前記メインアクセス信号および前記バッファアクセス信号に応答して、前記メインメモリおよび前記バッファメモリを選択するように駆動される制御器と、
を備え、
前記第1メモリチップのオプション電圧と前記第2メモリチップのオプション電圧は相違なる電圧レベルであることを特徴とする、マルチチップパッケージデバイス。 - 前記アクセス信号発生ブロックは、
前記制御信号に応答して、対応するメモリチップの選択を示す第1フラグ信号および前記バッファメモリの選択を示す2フラグ信号を発生するレジスタと、
前記第1フラグ信号および前記第2フラグ信号を前記オプション電圧とそれぞれ比較して、前記メインアクセス信号および前記バッファアクセス信号を発生する比較器と、
を備えることを特徴とする、請求項7に記載のマルチチップパッケージデバイス。 - アドレスおよび制御信号を共有するように構成される第1および第2メモリチップを含むマルチチップパッケージデバイスの駆動方法において、
所定の第1バッファアクセス信号の活性化に応答してアクセスされる前記ブートコードを記憶する前記第1メモリチップのバッファメモリに、所定の優先処理命令による動作を行うためのプログラムを含むブートコードを記憶する段階と、
前記第2メモリチップのバッファメモリに対するアクセスを行うように制御する第2バッファアクセス信号が活性化状態の場合に、前記優先処理命令を受信する段階と、
前記優先処理命令に応答して、前記第2バッファアクセス信号を非活性化させ、前記第1バッファアクセス信号を活性化させる段階と、
前記第1バッファアクセス信号の活性化に応答して、前記ブートコードを実行する段階と、
を備えることを特徴とする、マルチチップパッケージデバイスの駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0023012 | 2005-03-21 | ||
KR1020050023012A KR100597787B1 (ko) | 2005-03-21 | 2005-03-21 | 멀티 칩 패키지 디바이스 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006268827A JP2006268827A (ja) | 2006-10-05 |
JP4869713B2 true JP4869713B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=36999064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006000815A Active JP4869713B2 (ja) | 2005-03-21 | 2006-01-05 | マルチチップパッケージデバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7581070B2 (ja) |
JP (1) | JP4869713B2 (ja) |
KR (1) | KR100597787B1 (ja) |
DE (1) | DE102005052273A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819660B1 (ko) | 2007-02-06 | 2008-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 |
JP4996277B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶システム |
US8478937B2 (en) * | 2009-09-30 | 2013-07-02 | Cleversafe, Inc. | Method and apparatus for dispersed storage memory device utilization |
US9021182B2 (en) * | 2010-10-03 | 2015-04-28 | Winbond Electronics Corporation | Flash memory for code and data storage |
JP5624578B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US9245590B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-01-26 | Winbond Electronics Corporation | Stacked die flash memory device with serial peripheral interface |
US9214211B2 (en) | 2014-05-15 | 2015-12-15 | Winbond Electronics Corporation | Methods of and apparatus for determining unique die identifiers for multiple memory die within a common package |
US9671855B2 (en) * | 2014-06-30 | 2017-06-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods of entering unselected memories into a different power mode during multi-memory operation |
CN106293620B (zh) * | 2016-08-09 | 2019-05-14 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | intel平台检测Flash Rom中参数的方法 |
KR102665270B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2024-05-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
CN112567352A (zh) | 2018-08-14 | 2021-03-26 | 拉姆伯斯公司 | 经封装的集成设备 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06242964A (ja) | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Hitachi Micom Syst:Kk | 割込み処理方式、割込み処理システム、及びマイクロコンピュータ |
JP3173407B2 (ja) | 1997-02-05 | 2001-06-04 | 日本電気株式会社 | フラッシュeeprom内蔵マイクロコンピュータ |
US6192408B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-02-20 | Emc Corporation | Network file server sharing local caches of file access information in data processors assigned to respective file systems |
KR20000033437A (ko) * | 1998-11-23 | 2000-06-15 | 홍종만 | 부트스트랩로더 기능 구현 장치 |
JP2000181898A (ja) | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Nec Corp | フラッシュメモリ搭載型シングルチップマイクロコンピュータ |
KR100308214B1 (ko) | 1998-12-30 | 2001-12-17 | 윤종용 | 듀얼칩반도체집적회로장치 |
KR100305033B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2001-11-14 | 윤종용 | 블럭 아키텍츄어 옵션 회로를 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
JP3838840B2 (ja) | 2000-01-06 | 2006-10-25 | Necエレクトロニクス株式会社 | コンピュータ |
JP2002024044A (ja) | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 制御装置 |
JP4731020B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2011-07-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置、セクタアドレス変換回路、アドレス変換方法及び半導体記憶装置の使用方法 |
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US7386653B2 (en) * | 2001-08-06 | 2008-06-10 | Sandisk Il Ltd | Flash memory arrangement |
US7234052B2 (en) * | 2002-03-08 | 2007-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd | System boot using NAND flash memory and method thereof |
JP2003323313A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Fujitsu Ltd | コンピュータ及びその処理方法 |
JP4192662B2 (ja) | 2003-04-15 | 2008-12-10 | 株式会社デンソー | 電子制御装置 |
JP2005071234A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Hitachi Ltd | 電子機器、及び、かかる電子機器におけるシステムの起動方法 |
-
2005
- 2005-03-21 KR KR1020050023012A patent/KR100597787B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-19 US US11/228,192 patent/US7581070B2/en active Active
- 2005-10-27 DE DE102005052273A patent/DE102005052273A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-01-05 JP JP2006000815A patent/JP4869713B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005052273A1 (de) | 2006-10-05 |
US20060212693A1 (en) | 2006-09-21 |
US7581070B2 (en) | 2009-08-25 |
JP2006268827A (ja) | 2006-10-05 |
KR100597787B1 (ko) | 2006-07-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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