JP2007115382A - 半導体集回路、記憶装置、及び制御プログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】EDO出力モードを持つ不揮発性メモリの制御に好適なコントローラを備えた記憶装置を提供する。
【解決手段】コントローラ(42)は不揮発性メモリ(1)にリード制御信号(/RE)に応答してデータを出力させる出力動作モードとしてEDO出力モードとノーマル出力モードとを設定可能である。コントローラは、EDO出力モードを設定した不揮発性メモリがリード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータをリード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む。コントローラはノーマル出力モードを指定した不揮発性メモリがリード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む。コントローラはEDO出力モードへの対応と非対応の双方の不揮発性メモリに利用可能になる。
【選択図】図1
【解決手段】コントローラ(42)は不揮発性メモリ(1)にリード制御信号(/RE)に応答してデータを出力させる出力動作モードとしてEDO出力モードとノーマル出力モードとを設定可能である。コントローラは、EDO出力モードを設定した不揮発性メモリがリード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータをリード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む。コントローラはノーマル出力モードを指定した不揮発性メモリがリード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む。コントローラはEDO出力モードへの対応と非対応の双方の不揮発性メモリに利用可能になる。
【選択図】図1
Description
本発明は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリにおけるEDO(Extended Data Out)技術に関し、例えばフラッシュメモリ等の半導体集積回路、フラッシュメモリカード等の記憶装置、更にはフラッシュメモリコントローラ用ドライバソフトウェア等の制御プログラムに適用して有効な技術に関する。
特許文献1には非同期式メモリデバイスのEDO制御において、開始アドレスから終了アドレスまでのアクセスの終了をアドレスコンパレータで検出したとき、出力回路を高インピーダンス状態に制御する技術が記載される。このEDO制御対象とする非同期式メモリデバイスとしてNAND型フラッシュメモリ等が挙げられている。
本発明者はメモリカードにおけるデータ入出力の高速化への対応について検討した。例えばMMC(マルチメディアカード;登録商標)カード仕様におけるデータの最大転送速度は2.5メガバイト(MB)/秒(sec)、CF(コンパクトフラッシュ;登録商標)カード仕様におけるデータの最大転送速度は16.7MB/secdである。これに対し、MMC4.0カード仕様におけるデータの最大転送速度は52メガバイトMB/sec、USB(ユニバーサルシリアルバス)2.0仕様におけるデータの最大転送速度は60メガバイトMB/secとされる。フラッシュメモリカードに使用されるフラッシュメモリにおいてデータ出力動作はリードイネーブル信号のパルス変化に同期して行われる。このときフラッシュメモリは、カードコントローラから出力されるリードイネーブル信号のフォールエッジに同期して出力動作を開始し、ライズエッジに同期して高出力インピーダンスに制御する。この出力動作では、前記フォールエッジからtREAのようなアクセスタイムを経過した後、前記ライズエッジからtOHのようなホールドタイムを過ぎるまで出力データの有効性を保証する。従ってカードコントローラは複数のアドレス出力データをリードイネーブル信号のライズエッジに同期して取り込むことになる。これによればデータ出力動作を高速化するにはリードイネーブル信号のクロック周波数を高くしなければならない。しかしながらアクセスタイムとホールドタイムを確保するという点においてリードイネーブル信号の周波数を高くするには限界がある。
そこで発明者はEDO制御による出力動作を検討した。即ち、前記リードイネーブル信号の周期毎に異なるアドレスのデータ出力動作を開始させ、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持させる方式である。このEDO制御ではリードイネーブル信号の次のサイクルの開始まで前のサイクルのデータ出力を維持するから、リードイネーブル信号のサイクルの開始時点より前記アクセスタイムtREAを規定し、リードイネーブル信号の次のサイクルの開始時点より当該出力サイクルの前記ホールドタイムtOHを規定すればよくなる。これにより、前者の出力方式に比べて出力動作速度を大凡2倍に高速化することができる。
しかしながら、フラッシュメモリに単にEDO出力方式を採用するだけではメモリカードへの適用という点において不十分であることが本発明者によって見出された。旧来のメモリコントローラ若しくはカードコントローラとの互換性を考慮すると、全ての出力動作をEDO方式にするのは不都合である。ホストとの間のデータ転送は高速化することが望ましいが、カードコントローラとフラッシュメモリとの間のステータスリードのような動作については高速化よりも動作の確実性を優先させることが得策と考えられるからである。また、EDO出力モード対応のカードコントローラはEDO出力モード非対応のフラッシュメモリにも対応しなければならない。EDO方式の場合には出力データはリードイネーブル信号の次のサイクルで取り込み可能になることを考慮しなければならない。また出力を高インピーダンスにしないので、複数のフラッシュメモリのデータ出力端子をバスに共通接続し相互に排他的に出力動作させる場合にはデータコンフリクトを生じないようにする考慮が必要になる。それらを考慮してEDOモードを容易に解除できるようにすることも必要である。
本発明の目的は電気的に書換え可能な不揮発性メモリをEDO出力モードに対応させることにある。
本発明の別の目的はEDO出力モードを持つ不揮発性メモリの制御に好適なコントローラを備えた記憶装置を提供することにある。
本発明の更に別の目的はEDO出力モードを持つ不揮発性メモリの制御に好適なコントローラのためのドライバソフトウェア等の制御プログラムを提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
〔1〕《不揮発性メモリのEDO出力モードへの対応》
本発明に係る半導体集積回路(1)は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリ部(2)、前記不揮発性メモリ部との間でデータの入出力を行うことが可能なデータバッファ部(3)、前記データバッファ部と外部との間でデータを入出力することが可能な外部インタフェース部(4)、及び制御部(5)を有する。前記制御部は、外部から入力されるリード制御信号(/RE)に応答して前記データバッファ部が保有するデータを前記外部インタフェース部から外部に出力する出力動作モードとして外部より第1出力動作モード(EDO出力モード)と第2出力動作モード(ノーマル出力モード)とが設定可能にされる。前記第1出力動作モードが設定された前記制御部は、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを外部インタフェース部から外部に出力させる出力動作を開始させ、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持させる。前記第1出力動作モードは所謂EDO出力モードである。前記第2出力動作モードが設定された前記制御部は、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを外部インタフェース部から外部に出力させる出力動作を開始させ、その第2の変化に応答して外部インタフェース部のデータ出力を高出力インピーダンス状態に変化させる。
本発明に係る半導体集積回路(1)は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリ部(2)、前記不揮発性メモリ部との間でデータの入出力を行うことが可能なデータバッファ部(3)、前記データバッファ部と外部との間でデータを入出力することが可能な外部インタフェース部(4)、及び制御部(5)を有する。前記制御部は、外部から入力されるリード制御信号(/RE)に応答して前記データバッファ部が保有するデータを前記外部インタフェース部から外部に出力する出力動作モードとして外部より第1出力動作モード(EDO出力モード)と第2出力動作モード(ノーマル出力モード)とが設定可能にされる。前記第1出力動作モードが設定された前記制御部は、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを外部インタフェース部から外部に出力させる出力動作を開始させ、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持させる。前記第1出力動作モードは所謂EDO出力モードである。前記第2出力動作モードが設定された前記制御部は、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを外部インタフェース部から外部に出力させる出力動作を開始させ、その第2の変化に応答して外部インタフェース部のデータ出力を高出力インピーダンス状態に変化させる。
第1出力動作モードによるEDO出力動作だけでなく第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御可能な出力動作も選択することが可能になる。
本発明の一つの具体的な形態として、前記制御部は、外部から第1リード系コマンドが入力されることによって前記第1出力動作モードが設定され、外部から第2リード系コマンドが入力されることによって前記第2出力動作モードが設定される。コマンド種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を容易に使い分けることが可能になる。
更に具体的な形態として、前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである。アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力されるコマンドの種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を使い分けることができるので、何れの場合にもコマンドシーケンスが殆ど同じになり、双方に対する制御ロジックの簡素化に資することができる。
更に具体的な形態として、前記第2リード系コマンドは、半導体集積回路のID情報の読出しを指示するIDリードコマンドである。ID情報は半導体集積回路に対する制御形態を決定するために必須の情報であることが多く、情報の取りこぼしを回避する上において得策となる。半導体集積回路のID情報はパワーオンに応答して読み出されることが多い。これを考慮すると、前記制御部はパワーオンに応答して前記出力動作モードを第2出力動作モードに初期設定してもよい。
本発明の別の一つの具体的な形態として、前記制御部は、前記第1出力動作モードが設定されているとき、前記第1リード系コマンド以外のコマンドが入力されることによって第1出力動作モードを解除して第2出力動作モードを設定する。また、本発明の別の一つの具体的な形態として、前記制御部は、前記第1出力動作モードが設定されているとき、外部から入力されるチップイネーブル信号がディスエーブルにされることによって第1出力動作モードを解除して第2出力動作モードを設定する。出力が高インピーダンス状態にされないEDO出力モードの解除を容易に行うことができる。ホストとの間のデータ転送は高速化することが望ましいが、カードコントローラとフラッシュメモリとの間のステータスリードのような動作については高速化よりも動作の確実性を優先させることが得策と考えられるからである。
〔2〕《EDO対応不揮発性メモリを持つメモリカード》
本発明に係る記憶装置は、不揮発性メモリとコントローラとを有する。前記コントローラは外部からの指示に従って前記不揮発性メモリのアクセス制御と外部インタフェース制御を行う。前記不揮発性メモリは、前記コントローラから入力されるリード制御信号に応答してデータを前記コントローラに出力する出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを有する。前記第1出力動作モードが指定された不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持する。前記第2出力動作モードが指定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始し、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする。
本発明に係る記憶装置は、不揮発性メモリとコントローラとを有する。前記コントローラは外部からの指示に従って前記不揮発性メモリのアクセス制御と外部インタフェース制御を行う。前記不揮発性メモリは、前記コントローラから入力されるリード制御信号に応答してデータを前記コントローラに出力する出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを有する。前記第1出力動作モードが指定された不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持する。前記第2出力動作モードが指定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始し、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする。
コントローラはホスト等の外部よりの指示に従って第1出力動作モードによるEDO出力動作だけでなく第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御可能な出力動作も選択することが可能になる。
本発明の一つの具体的な形態として、前記不揮発性メモリは、前記コントローラから第1リード系コマンドが入力されることによって前記第1出力動作モードが指定され、前記コントローラから第2リード系コマンドが入力されることによって前記第2出力動作モードが指定される。コントローラは外部よりの指示に対しコマンド種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を容易に使い分けることが可能になる。
更に具体的な形態として、前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである。アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力するコマンドの種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を使い分けることができるので、何れの場合にもコマンドシーケンが殆ど同じになり、双方に対する制御ロジックの簡素化に資することができる。
更に具体的な形態として、前記第2リード系コマンドは、半導体集積回路のID情報の読出しを指示するIDリードコマンドである。ID情報は半導体集積回路に対する制御形態を決定するために必須の情報であることが多く、情報の取りこぼしを回避する上において得策となる。半導体集積回路のID情報はパワーオンに応答して読み出されることが多い。これを考慮すると、前記制御部はパワーオンに応答して前記出力動作モードを第2出力動作モードに初期設定してもよい。
本発明の別の一つの具体的な形態として、前記不揮発性メモリは、前記第1出力動作モードが指定されているとき、前記第1リード系コマンド以外のコマンドが入力されることによって第1出力動作モードを解除する。また、本発明の別の一つの具体的な形態として、前記不揮発性メモリは、前記第1出力動作モードが指定されているとき、前記コントローラから入力されるチップイネーブル信号がディスエーブルにされることによって第1出力モードを解除する。出力が高インピーダンス状態にされないEDO出力モードの解除を容易に行うことができる。ホストとの間のデータ転送は高速化することが望ましいが、カードコントローラとフラッシュメモリとの間のステータスリードのような動作については高速化よりも動作の確実性を優先させることが得策と考えられるからである。
〔3〕《EDO対応コントローラを持つメモリカード》
本発明に係る記憶装置(40)は、不揮発性メモリとコントローラ(42)とを有する。前記コントローラは外部インタフェース制御と外部からの指示に応答する前記不揮発性メモリのアクセス制御とを行う。前記コントローラは、前記不揮発性メモリにリード制御信号(/RE)に応答してデータを出力させる出力動作モードとして第1出力動作モード(EDO出力モード)と第2出力動作モード(ノーマル出力モード)とを設定可能である。前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む。前記コントローラは、前記第2出力動作モードを指定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む。
本発明に係る記憶装置(40)は、不揮発性メモリとコントローラ(42)とを有する。前記コントローラは外部インタフェース制御と外部からの指示に応答する前記不揮発性メモリのアクセス制御とを行う。前記コントローラは、前記不揮発性メモリにリード制御信号(/RE)に応答してデータを出力させる出力動作モードとして第1出力動作モード(EDO出力モード)と第2出力動作モード(ノーマル出力モード)とを設定可能である。前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む。前記コントローラは、前記第2出力動作モードを指定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む。
これにより、コントローラは第1出力動作モードによるEDO出力動作と第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作との双方が可能な不揮発性メモリと、第1出力動作モードによるEDO出力動作に非対応で第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作が可能な不揮発性メモリとの双方に対して対応可能になる。
本発明の一つの具体的な形態として、前記第1出力動作モードが設定された不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持する。前記第2出力動作モードが指定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始し、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする。
本発明の別の一つの具体的な形態として、前記コントローラは、前記不揮発性メモリに第1リード系コマンドを出力することによって前記第1出力動作モードを設定し、前記不揮発性メモリに第2リード系コマンドを出力することによって前記第2出力動作モードを設定する。コントローラは外部よりの指示に対しコマンド種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を容易に使い分けることが可能になる。
更に具体的な形態として、前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである。アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力するコマンドの種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を使い分けることができるので、何れの場合にもコマンドシーケンが殆ど同じになり、双方に対する制御ロジックの簡素化に資することができる。
更に具体的な形態として、前記第2リード系コマンドは、半導体集積回路のID情報の読出しを指示するIDリードコマンドである。ID情報は半導体集積回路に対する制御形態を決定するために必須の情報であることが多く、情報の取りこぼしを回避する上において得策となる。半導体集積回路のID情報はパワーオンに応答して読み出されることが多い。これを考慮すると、前記制御部はパワーオンに応答して前記出力動作モードを第2出力動作モードに初期設定してもよい。
また半導体集積回路のID情報にEDO出力動作が可能であるか否かの情報を持つようにしても良い。前記制御部はパワーオンに応答し前記出力動作モードを前記第2出力動作モードに初期設定して前記ID情報の読み出しを行い、前記ID情報にEDO出力動作が可能であることを示す情報が含まれていることを確認した後に、前記第1出力動作モードを設定するようにしても良い。
本発明の別の一つの具体的な形態として、前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した後、前記不揮発性メモリに前記第1リード系コマンド以外のコマンドを出力することによって第1出力動作モードを解除する。また、前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した後、前記不揮発性メモリに出力するチップイネーブル信号をディスエーブルにすることによって第1出力動作モードを解除する。出力が高インピーダンス状態にされないEDO出力モードの解除を容易に行うことができる。ホストとの間のデータ転送は高速化することが望ましいが、書込みや消去動作時におけるカードコントローラとフラッシュメモリとの間のステータスリードのような動作については高速化よりも動作の確実性を優先させることが得策と考えられるからである。
〔4〕《EDO対応コントローラドライバを備えたメモリカード》
本発明に係る記憶装置は不揮発性メモリとコントローラとを有する。前記コントローラは外部インタフェース制御と外部からの要求に従った前記不揮発性メモリのアクセス制御とを行う。前記コントローラは、前記不揮発性メモリにリード制御信号に応答してデータを出力させる出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを設定可能である。前記コントローラは前記不揮発性メモリが第1出力動作モードと第2出力動作モードとに対応するかを判定し(S2)、外部からの読出し要求に応答するのに前記第1出力動作モードを設定するか第2出力動作モードを設定するかを判定する(S5,S6,S7)。前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む。前記コントローラは、前記第2出力動作モードを指定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む。
本発明に係る記憶装置は不揮発性メモリとコントローラとを有する。前記コントローラは外部インタフェース制御と外部からの要求に従った前記不揮発性メモリのアクセス制御とを行う。前記コントローラは、前記不揮発性メモリにリード制御信号に応答してデータを出力させる出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを設定可能である。前記コントローラは前記不揮発性メモリが第1出力動作モードと第2出力動作モードとに対応するかを判定し(S2)、外部からの読出し要求に応答するのに前記第1出力動作モードを設定するか第2出力動作モードを設定するかを判定する(S5,S6,S7)。前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む。前記コントローラは、前記第2出力動作モードを指定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む。
これによりコントローラは、第1出力動作モードによるEDO出力動作と第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作との双方が可能な不揮発性メモリと、第1出力動作モードによるEDO出力動作に非対応で第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作が可能な不揮発性メモリとの双方に対して自立的に対応可能になる。
本発明の一つの具体的な形態として、第1出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリは、前記第1出力動作モードが設定されると、前記リード制御信号の周期毎に、異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持する。第2出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリは、前記第2出力動作モードが指定されると、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始させ、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする。
本発明の別の一つの具体的な形態として、前記不揮発性メモリはパワーオンにより前記第2出力動作モードに初期化される。前記コントローラは、前記不揮発性メモリが第1出力動作モードと第2出力動作モードとに対応するかを、第2出力動作モードに初期化された前記不揮発性メモリから読み取ったID情報を参照して判定する。ID情報は半導体集積回路に対する制御形態を決定するために必須の情報であることが多く、初期化状態で第2出力動作モードとすることは、情報の取りこぼしを回避する上において好適である。
更に具体的な形態として、前記コントローラは、外部からの読出し要求に対して前記第1出力動作モードを設定するか第2出力動作モードを設定するかを、外部から直接又は間接に第1出力動作モードの設定が要求されているか(S5)、不揮発性メモリが第1出力動作モードに対応しているか(S6)、並びに前記リード制御信号の周波数が第1出力動作モードによる読出し動作に適合する動作速度であるか(S7)、に基づいて判定する。例えば、前記コントローラは外部からのアクセス要求速度が所定速度以上であることを以って前記第1出力動作モードの指定を間接に要求していると判定する。上記自立的な対応が容易になる。
〔5〕《EDO対応コントローラドライバ》
本発明に係る制御プログラム(53)は、不揮発性メモリのアクセス制御とホストとのインタフェース制御を行うメモリカードコントローラ(42)の動作を制御するものであり、中央処理装置(52)が実行することによって、第1乃至第5処理を制御する。第1処理は、パワーオンにより、不揮発性メモリが保有するID情報を参照する処理である。第2処理は、参照したID情報に基づいて、リード制御信号に応答させて前記不揮発性メモリからデータを出力させる出力動作モードとして前記不揮発性メモリが第1出力動作モードと第2出力動作モードとに対応するかを判定する処理である。第3処理は、ホストからの読出し要求に対して前記不揮発性メモリに前記第1出力動作モードを設定するか第2出力動作モードを設定するかを判定する処理である。第4処理は、第1出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリに対して当該第1出力動作モードを設定することにより、当該不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む処理である。第5処理は、第2出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリに対して前記第2出力動作モードを設定することにより、当該不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む処理である。
本発明に係る制御プログラム(53)は、不揮発性メモリのアクセス制御とホストとのインタフェース制御を行うメモリカードコントローラ(42)の動作を制御するものであり、中央処理装置(52)が実行することによって、第1乃至第5処理を制御する。第1処理は、パワーオンにより、不揮発性メモリが保有するID情報を参照する処理である。第2処理は、参照したID情報に基づいて、リード制御信号に応答させて前記不揮発性メモリからデータを出力させる出力動作モードとして前記不揮発性メモリが第1出力動作モードと第2出力動作モードとに対応するかを判定する処理である。第3処理は、ホストからの読出し要求に対して前記不揮発性メモリに前記第1出力動作モードを設定するか第2出力動作モードを設定するかを判定する処理である。第4処理は、第1出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリに対して当該第1出力動作モードを設定することにより、当該不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む処理である。第5処理は、第2出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリに対して前記第2出力動作モードを設定することにより、当該不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む処理である。
上記より、第1出力動作モードによるEDO出力動作と第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作との双方が可能な不揮発性メモリと、第1出力動作モードによるEDO出力動作に非対応で第2出力動作モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作が可能な不揮発性メモリとの双方に対してメモリカードコントローラの自立的な対応を可能にする。
本発明の一つの具体的な形態として、前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第3処理は、外部から直接又は間接に第1出力動作モードの指定が要求されているか、不揮発性メモリが第1出力動作モードに対応しているか、並びにリード制御信号の周波数が第1出力動作モードによる読出し動作に適合する動作速度であるか、に基づいて判定する処理である。例えば、前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第3処理において、外部からのアクセス要求速度が所定速度以上であることを以って前記第1出力動作モードの指定を間接に要求していると判定する。上記自立的な対応が容易になる。
本発明の別の一つの具体的な形態として、前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第4処理において、前記不揮発性メモリに第1リード系コマンドを出力することによって前記第1出力動作モードを設定する。前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第5処理において、前記不揮発性メモリに第2リード系コマンドを出力することによって前記第2出力動作モードを設定する。コマンド種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を容易に使い分けることが可能になる。
更に具体的な形態として、前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドである。前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである。アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力するコマンドの種別によってEDO出力動作と高出力インピーダンス制御可能な出力動作を使い分けることができるので、何れの場合にもコマンドシーケンが殆ど同じになり、制御シーケンスの簡素化に資することができる。
本発明の更に別の一つの具体的な形態として、前記中央処理装置が実行することによって制御する第6処理を更に含む。前記第6処理は、前記第1出力動作モードを指定した後、前記第1リード系コマンド以外のコマンドを不揮発性メモリに出力することによって第1出力動作モードを解除する処理である。また、前記中央処理装置が実行することによって制御する第7処理を更に含む。前記第7処理は、前記第1出力動作モードを指定した後、前記不揮発性メモリに出力するチップイネーブル信号をディスエーブルにすることによって第1出力動作モードを解除する処理である。出力が高インピーダンス状態にされないEDO出力モードの解除を容易に行うことが可能になる。ホストとの間のデータ転送は高速化することが望ましいが、カードコントローラとフラッシュメモリとの間のステータスリードのような動作については高速化よりも動作の確実性を優先させることが得策と考えられるからである。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
一つの発明によれば電気的に書換え可能な不揮発性メモリをEDO出力モードに対応させることができる。
別の発明によれば、EDO出力モードを持つ不揮発性メモリの制御に好適なコントローラを備えた記憶装置を得ることができる。
更に別の発明よれば、EDO出力モードを持つ不揮発性メモリの制御に好適なコントローラのためのドライバソフトウェア等の制御プログラムを提供することができる。
《フラッシュメモリ》
図1にはEDO出力モードによるデータ出力可能なフラッシュメモリが示される。同図に示されるフラッシュメモリ1は適宜の集積回路製造技術により単結晶シリコンのような1個の半導体基板に形成される。
図1にはEDO出力モードによるデータ出力可能なフラッシュメモリが示される。同図に示されるフラッシュメモリ1は適宜の集積回路製造技術により単結晶シリコンのような1個の半導体基板に形成される。
フラッシュメモリ1は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリ部2、前記不揮発性メモリ部2との間でデータの入出力を行うことが可能なデータバッファ部3、前記データバッファ部3と外部との間でデータを入出力することが可能な外部インタフェース部4、制御部5、及び電源回路(POWS)6を有する。
不揮発性メモリ部2は不揮発性メモリアレイ(MARY)10とアドレスデコーダ(ADRDEC)11を有する。不揮発性メモリアレイ10は例えばマトリクス配置された複数の不揮発性メモリトランジスタを有する。不揮発性メモリトランジスタは、フローティングゲートやシリコンナイトライド等の電荷蓄積領域を有するスタックドゲート構造又はスプリットゲート構造を備える。不揮発性メモリトランジスタは例えば前記電荷蓄積領域に蓄積される負の電荷量を多くする動作(例えば書込み動作)によって閾値電圧が高くされ、負の電荷量を少なくする動作(例えば消去動作)によって閾値電圧が低くされる。閾値電圧の相違によって情報を2値或いは多値で記憶する。アドレスデコーダ12は消去、書き込み、又は読出しを行うワード線やビット線に選択を行う。前記電源回路6は書込み、消去、及び読出しの各動作に必要な動作電圧を生成して各部に供給する。
データバッファ部3は、バッファメモリ(BRAM)13、入力レジスタ回路(IREG)14及び出力レジスタ回路(OREG)15を備える。入力レジスタ14は外部インタフェース部4から入力するデータ、アドレス及びコマンドを入力する。入力したアドレスADRSはアドレスデコーダ11に、コマンドCMDは制御部5に、データDATはバッファメモリ13に供給する。バッファメモリ13は供給されたデータを格納し、書込み動作においてメモリアレイ10に書込みデータを供給する。読出し動作においてメモリアレイ10から読み出された読出しデータはバッファメモリ13に供給される。読出しデータを外部に出力する出力動作においてバッファメモリ13が保有する読出しデータは出力レジスタ回路15に供給される。出力レジスタ回路15はデータ出力ビット数単位でデータを選択し、選択されたデータD1〜Dnは外部インタフェース回路4に与えられる。データD1〜Dnの選択タイミングは後述するリードイネーブル信号/REのクロックサイクルに同期される。要するに、出力動作ではリードイネーブル信号/REのサイクル毎にデータD1〜Dnが外部インタフェース回路4に与えられる。
制御部5は制御ロジック(CONT)17、コマンドデコーダ18、ナンドゲート19、及びインバータ20を有する。制御ロジック17は外部から供給されるアクセス制御信号として、外部への出力動作を指示するリードイネーブル信号(読出し制御信号)/RE、チップ選択を指示するチップイネーブル信号(チップ選択信号)/CE、コマンド入力を指示するコマンドラッチイネーブル信号CLE、外部からのデータ入力動作を指示するライトイネーブル信号/WE、アドレス入力を支持するアドレスラッチイネーブル信号ALE等を入力する。制御ロジック17は入力されたアクセス制御信号にしたがってアドレスADR、データDAT、コマンドCMDの入出力動作を制御する。コマンドデコーダ18は入力されたコマンドCMDをデコードし、其れによって指示される、読出し、消去、又は書込み等の内部動作を制御するためのシーケンス制御回路を有する。
コマンドデコーダ18は代表的に示された出力モード信号OUT_MODEを出力する。出力モード信号OUT_MODEは外部インタフェース部4による出力モードが第1出力動作モードとしてのEDO出力モードか、第2出力動作モードであるノーマル出力モードかを示す信号である。コマンドデコーダ18にEDO出力モードが設定されているとき出力モード信号OUT_MODEはローレベルにされる。コマンドデコーダ18にノーマル出力モードが設定されているとき出力モード信号OUT_MODEはハイレベルにされる。
ナンドゲート19はリードイネーブル信号/REと出力モード信号OUT_MODEを入力し、その出力を受けるインバータ20は出力制御信号OUT_FUNCを生成する。
外部インタフェース部4は外部入出力端子I/O1〜I/Onのビット対応で外部入出力バッファ(IOBUF))21を有する。各々の入出力バッファ21は入力バッファ22と出力バッファ(OBUF)23とを有する。出力バッファ23には対応する出力データビットD1〜Dnのうちの対応1ビット、アウトプットイネーブル信号OE、及び出力制御信号OUT_FUNCが入力され、それら入力信号に応じた外部出力動作を行う。コマンドデコーダ18はコマンドの解読によって外部への出力動作が指示されたときハイレベルにされ、出力バッファ23の固定的な高出力インピーダンス状態を解除可能にする。出力動作を終了すると、コマンドデコーダ18によるシーケンス制御に従って信号OEはローレベルに反転され、出力バッファ23は高出力インピーダンス状態に維持される。
《出力バッファ》
図2には1個の外部入出力端子I/Oiに対応される1個の出力バッファ23の詳細が例示される。出力段はpチャンネルMOSトランジスタMpとnチャンネルMOSトランジスタMnとを直列接続したCMOS出力回路によって構成される。MOSトランジスタMpは3入力ノアゲート30の出力に直列されたインバータ31の出力によってスイッチ制御される。MOSトランジスタMnは3入力ナンドゲート32の出力に直列されたインバータ33の出力によってスイッチ制御される。インバータ33の出力はノアゲート30の入力に帰還され、インバータ331の出力はナンドゲート32の入力に帰還される。ナンドゲート34はデータDiと信号OEを入力し、その出力と出力制御信号OUT_FUNCがノアゲート30に供給される。ノアゲート35はデータDiと信号OEの反転信号を入力し、その出力と出力制御信号OUT_FUNCの反転信号がナンドゲート32に供給される。36,37はインバータである。出力バッファ23の論理構成より明らかなように、信号OEがローレベルにされた状態ではMOSトランジスタMn、Mpともにオフ状態にされ、出力バッファ23は高インピーダンス状態に固定される。信号OEがハイレベルのとき、出力制御信号OUT_FUNCの変化に従ってデータDiを外部端子I/Oiに出力する。
図2には1個の外部入出力端子I/Oiに対応される1個の出力バッファ23の詳細が例示される。出力段はpチャンネルMOSトランジスタMpとnチャンネルMOSトランジスタMnとを直列接続したCMOS出力回路によって構成される。MOSトランジスタMpは3入力ノアゲート30の出力に直列されたインバータ31の出力によってスイッチ制御される。MOSトランジスタMnは3入力ナンドゲート32の出力に直列されたインバータ33の出力によってスイッチ制御される。インバータ33の出力はノアゲート30の入力に帰還され、インバータ331の出力はナンドゲート32の入力に帰還される。ナンドゲート34はデータDiと信号OEを入力し、その出力と出力制御信号OUT_FUNCがノアゲート30に供給される。ノアゲート35はデータDiと信号OEの反転信号を入力し、その出力と出力制御信号OUT_FUNCの反転信号がナンドゲート32に供給される。36,37はインバータである。出力バッファ23の論理構成より明らかなように、信号OEがローレベルにされた状態ではMOSトランジスタMn、Mpともにオフ状態にされ、出力バッファ23は高インピーダンス状態に固定される。信号OEがハイレベルのとき、出力制御信号OUT_FUNCの変化に従ってデータDiを外部端子I/Oiに出力する。
《EDO出力動作とノーマル出力動作》
図3には出力バッファ23によるEDO出力動作タイミングが例示される。出力バッファ23による出力動作期間において信号OEはハイレベルに固定される。EDO出力動作モードが設定されているとき出力制御信号OUT_FUNCはローレベル固定にされる。これにより、MOSトランジスタMp,Mnによる出力論理値はデータDiの論理値に従うことになる。要するに、リードイネーブル信号/REのサイクル毎にデータDiが変化されると、その変化に従ってMOSトランジスタMp,Mnがスイッチ制御され、ハイレベル又はローレベルを出力する。即ち、リードイネーブル信号/REのサイクルに同期して開始されたデータの出力動作は、リードイネーブル信号/REの次のサイクルに同期する次のデータの出力動作開始まで維持される。前後のデータ出力の間には高出力インピーダンス状態は介在されない。
図3には出力バッファ23によるEDO出力動作タイミングが例示される。出力バッファ23による出力動作期間において信号OEはハイレベルに固定される。EDO出力動作モードが設定されているとき出力制御信号OUT_FUNCはローレベル固定にされる。これにより、MOSトランジスタMp,Mnによる出力論理値はデータDiの論理値に従うことになる。要するに、リードイネーブル信号/REのサイクル毎にデータDiが変化されると、その変化に従ってMOSトランジスタMp,Mnがスイッチ制御され、ハイレベル又はローレベルを出力する。即ち、リードイネーブル信号/REのサイクルに同期して開始されたデータの出力動作は、リードイネーブル信号/REの次のサイクルに同期する次のデータの出力動作開始まで維持される。前後のデータ出力の間には高出力インピーダンス状態は介在されない。
このEDO出力動作においては、リードイネーブル信号/REの次のサイクルの開始まで前のサイクルのデータ出力を維持するから、リードイネーブル信号/REのサイクルの開始時点よりアクセスタイムtREAが規定され、リードイネーブル信号の次のサイクルの開始時点より当該出力サイクルのホールドタイムtOHが規定される。出力データはリードイネーブル信号/REのフォールエッジからアクセスタイムtREAを経過した後、リードイネーブル信号/REの次のフォールエッジからホールドタイムtOHを経過するまで確定される。外部ではこの間に出力データを取り込めばよい。
図4には出力バッファ23によるノーマル出力動作タイミングが例示される。出力バッファ23による出力動作期間において信号OEはハイレベルに固定される。ノーマル出力動作モードが設定されているとき出力制御信号OUT_FUNCはリードイネーブル信号/REに同期してクロック変化される。これにより、MOSトランジスタMp,Mnは出力制御信号OUT_FUNCのハイレベル期間に同期して共にオフ状態にされ、出力バッファ23を高出力インピーダンス状態にする。MOSトランジスタMp,Mnは出力制御信号OUT_FUNCのローレベル期間に同期してデータDiの論理値に従った相補スイッチ状態に制御される。要するに、リードイネーブル信号/REのサイクル毎にデータDiが変化されると、その変化に追従して変化する出力制御信号OUT_FUNCのローレベル期間にMOSトランジスタMp,Mnが相補スイッチ制御され、ハイレベル又はローレベルを出力する。即ち、リードイネーブル信号/REのフォールエッジに同期してデータ出力動作が開始され、リードイネーブル信号/REの当該サイクルにおけるライズエッジに同期して高出力インピーダンス状態に変化される。
このノーマル出力動作においては、リードイネーブル信号/REのローレベル期間に同期してデータ出力を維持するから、リードイネーブル信号/REのフォールエッジよりアクセスタイムtREAが規定され、リードイネーブル信号の当該サイクルのライズエッジよりホールドタイムtOHが規定される。
図3と図4を比べれば明らかのように、リードイネーブル信号/REの周波数を等しくした場合、EDO出力動作による出力データの確定期間は、ノーマル出力動作による出力データの大凡2倍になる。従って、ノーマル出力動作において動作保証されるリードイネーブル信号/REの最高周波数に対し、EDO出力動作では大凡その2倍の周波数のリードイネーブル信号/REを用いた高速出力動作を実現することができる。
《出力動作モードの設定》
フラッシュメモリ1における出力動作モードはEDO出力モードとノーマル出力モードである。EDO出力モードが設定されると、出力制御信号OUT_FUNCはローレベル固定にされ、/REに同期する出力動作は前記EDO出力動作とされる。ノーマル出力モードが設定されると、出力制御信号OUT_FUNCは/REに追従変化され、/REに同期する出力動作は前記ノーマル出力動作とされる。
フラッシュメモリ1における出力動作モードはEDO出力モードとノーマル出力モードである。EDO出力モードが設定されると、出力制御信号OUT_FUNCはローレベル固定にされ、/REに同期する出力動作は前記EDO出力動作とされる。ノーマル出力モードが設定されると、出力制御信号OUT_FUNCは/REに追従変化され、/REに同期する出力動作は前記ノーマル出力動作とされる。
フラッシュメモリ1に設定された出力動作モードがEDO出力モードかノーマル出力モードかに応じて、例えばコマンドデコーダ18内部の出力動作モードフラグがセット又はリセット状態に制御される。出力動作モードフラグがセット状態であれば出力制御信号OUT_FUNCはローレベル固定にされ、リセット状態であれば/REに同期して出力制御信号OUT_FUNCが変化可能にされる。
出力動作モードフラグはフラッシュメモリ1のパワーオン時にリセット状態に初期化され、ノーマル出力モードが初期設定される。パワーオンの時にホストがIDリードコマンドを発行してフラッシュメモリ1のID情報を読出す場合を考慮すると、ID情報は半導体集積回路に対する制御形態を決定するために必須の情報であることが多いから、低速でID情報の読み取りを確実に行った方が情報の取りこぼしを回避する上において得策となる場合もあるからである。
またフラッシュメモリ1がEDO出力可能か否かの情報をID情報に含めておくことで、制御部5はフラッシュメモリ1のID情報を読み出した後においてEDO出力モードを設定することが可能となる。則ち、パワーオンリセット直後の初期状態としてノーマル出力モードが設定され、ID情報の読み出しを行う時点においてはノーマル出力モードのままであり、ID情報の読み出し完了後にEDO出力モードの設定が可能とすることができる。
パワーオンの後の出力動作モードの設定は例えばリード系コマンドによって可能にされる。ID情報にEDO出力可能であることを示す情報が含まれている場合に、例えば、外部から第1リード系コマンドが入力されることによって前記第1出力動作モードが設定され、外部から第2リード系コマンドが入力されることによって前記第2出力動作モードが設定される。コマンド種別によってEDO出力モードと高出力インピーダンス制御可能なノーマル出力モードとを容易に使い分けることが可能になる。前記第1リード系コマンドは、例えばアドレスイネーブルコマンド00h及びカラム及びローウアドレスのようなアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドE1hである。アドレスイネーブルコマンド00hは、これに後続するアドレス情報で指定されるメモリデータをメモリアレイからデータバッファに読み出す動作を指示するコマンドとされる。第1コマンドE1hはデータバッファに読出されたデータを/REに同期して外部に出力動作を指示するコマンドとされる。特に第1コマンドE1hは出力動作モードをEDO出力モードに設定するコマンドとされる。従って、第1コマンドE1hによる/RE同期の外部出力動作はEDO出力動作とされる。
前記第2リード系コマンドは、例えばアドレスイネーブルコマンド00h及びカラム及びローウアドレスのようなアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンド30hである。第2コマンド30hはデータバッファに読出されたデータを/REに同期して外部に出力動作を指示するコマンドとされる。特に第2コマンド30hは出力動作モードをノーマル出力モードに設定するコマンドとされる。従って、第2コマンド30hによる/RE同期の外部出力動作はノーマル出動動作とされる。
アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力されるコマンドの種別によってEDO出力モードと高出力インピーダンス制御可能なノーマル出力モードを使い分けることができるので、何れの場合にもコマンドシーケンが殆ど同じになり、双方に対する制御部5の制御ロジックを簡素化することができる。
また、前記第2リード系コマンドとして、フラッシュメモリ1のID情報の読出しを指示するIDリードコマンドを割り当ててもよい。ID情報はフラッシュメモリ1に対する制御形態を決定するために必須の情報であることが多く、情報の取りこぼしを回避することが優先されるからである。フラッシュメモリ1のID情報はパワーオンに応答して読み出されることが多いから、前記第2リード系コマンドとしてIDリードコマンドを割り当てる場合には、前述のパワーオンに応答して前記出力動作モードをノーマルモードに初期設定しなくてもよい。
また、EDO出力モードからノーマル出力モードへの切換えは、前述のように第1コマンドE1hやIDリードコマンドが投入されたとき、コマンドデコーダ18がこれを解読して行えばよいが、更に、所定の事象の発生に応答して自動的にEDO出力モードを解除してノーマル出力モードへ遷移可能とする。即ち、コマンドデコーダ18は、EDO出力モードが設定されているとき、前記第1リード系コマンド以外のコマンドが入力されることによってEDO出力モードを解除してノーマル出力モードに変更する。更に、コマンドデコーダ18は、EDO出力モードが設定されているとき、外部から入力されるチップイネーブル信号/CEがディスエーブルにされることによってEDO出力モードを解除してノーマル出力モードに設定変更する。これにより、出力が高インピーダンス状態にされないEDO出力モードの解除を容易に行うことができる。ホストとの間のデータ転送は高速化することが望ましいが、フラッシュメモリに対する書込み消去動作時にカードコントローラとフラッシュメモリとの間のステータスリードのような動作については高速化よりも動作の確実性を優先させることが得策と考えられるからである。
またEDO出力モードとノーマル出力モードとの切換については、フラッシュメモリ1に対するアクセスアドレスで決定するようにしても良い。例えば、通常のデータ格納領域とID情報格納領域とが夫々異なるアドレス領域に分けて格納される場合、通常のデータ格納領域へのアクセスを示すアドレス又はコマンドである場合はEDO出力モードに設定変更し、ID情報格納領域へのアクセスを示すアドレス又はコマンドである場合はノーマル出力モードに設定変更する。ここでいうID情報格納領域とは、フラッシュメモリのID情報のみならず、メモリカードとして必要な管理情報等を格納している領域であって良い。
更には、フラッシュメモリ1においてデータの書込や消去を行っている期間、書込/消去動作が完了したかを判定するため及び書き込み/消去動作でエラーが発生した場合、エラーの内容を示すステータスリード動作が行われる。このステータスリード動作ではフラッシュメモリ1の持つステイタスレジスタの内容を出力するものであり、EDO出力モードではなくノーマル出力モードで出力したとしても特段問題を生じない。ステイタスリードコマンドの入力に応答して、EDO出力モードは解除しない状態で該ステイタスリードコマンドに応答するステイタス出力のみノーマル出力モードで出力し、又はEDO出力モードを解除してノーマル出力モードに設定変更してステイタス出力するようにしても良い。
《メモリカード》
図5にはフラッシュメモリ1を用いることができるメモリカードが例示される。メモリカード40は前記フラッシュメモリ(FLASH)1とカードコントローラ(CRDCNT)42とを有する。カードコントローラ41はホスト43との間のホストインタフェース制御と、ホスト43からの指示に応答する前記フラッシュメモリ1のアクセス制御とを行う。カードコントローラ41によるホストインタフェース制御はメモリカードが準拠するカード仕様に応じて決定される。MMCカードであればMMCカード仕様に準拠したホストインタフェース制御機能を持たなければならない。具体的なインタフェース仕様の詳細についての個々の規格に譲る。図ではカードコントローラ42にはクロック入力バッファ44、コアロジック(CORLGC)45、出力バッファ46,47,48及び入力バッファ49が代表的に図示されている。図においてコアロジック45はクロック信号CLKを入力し、リードイネーブル信号/RE_Aを出力し、フラッシュメモリ1から出力されるデータDQ_INを入力する。リードイネーブル信号/RE_Aはバッファ47を通って前記リードイネーブル信号/REとしてフラッシュメモリ1に供給される。フラッシュメモリ1の外部入出力端子I/O1〜I/Onから出力されたデータDQはバッファ49を介し、入力データDQ_INとしてコアロジック45に取り込まれる。コアロジック45はホストインタフェース制御とフラッシュメモリ制御を行うための中央処理装置(CPU)52、プログラムメモリ(PGM)53、ワークメモリ(RAM)54、並びにホストインタフェース及びフラッシュメモリインタフェース回路(IF)55等によって構成される。信号線群50はフラッシュメモリ1とコアロジック45との間のアドレス、コマンド、及びその他ストローブ信号の転送に利用される。
前記カードコントローラ42は、リードイネーブル信号/REに応答してデータを出力させる出力動作モードとして前記EDO出力モードと前記ノーマル出力モードとをフラッシュメモリ1に設定可能である。フラッシュメモリ1に対する出力動作モードの設定は前記「出力動作モードの設定」の欄で説明したコマンドによる設定や解除、チップイネーブル信号/CEによるEDO出力モードの解除を行えばよい。
図5にはフラッシュメモリ1を用いることができるメモリカードが例示される。メモリカード40は前記フラッシュメモリ(FLASH)1とカードコントローラ(CRDCNT)42とを有する。カードコントローラ41はホスト43との間のホストインタフェース制御と、ホスト43からの指示に応答する前記フラッシュメモリ1のアクセス制御とを行う。カードコントローラ41によるホストインタフェース制御はメモリカードが準拠するカード仕様に応じて決定される。MMCカードであればMMCカード仕様に準拠したホストインタフェース制御機能を持たなければならない。具体的なインタフェース仕様の詳細についての個々の規格に譲る。図ではカードコントローラ42にはクロック入力バッファ44、コアロジック(CORLGC)45、出力バッファ46,47,48及び入力バッファ49が代表的に図示されている。図においてコアロジック45はクロック信号CLKを入力し、リードイネーブル信号/RE_Aを出力し、フラッシュメモリ1から出力されるデータDQ_INを入力する。リードイネーブル信号/RE_Aはバッファ47を通って前記リードイネーブル信号/REとしてフラッシュメモリ1に供給される。フラッシュメモリ1の外部入出力端子I/O1〜I/Onから出力されたデータDQはバッファ49を介し、入力データDQ_INとしてコアロジック45に取り込まれる。コアロジック45はホストインタフェース制御とフラッシュメモリ制御を行うための中央処理装置(CPU)52、プログラムメモリ(PGM)53、ワークメモリ(RAM)54、並びにホストインタフェース及びフラッシュメモリインタフェース回路(IF)55等によって構成される。信号線群50はフラッシュメモリ1とコアロジック45との間のアドレス、コマンド、及びその他ストローブ信号の転送に利用される。
前記カードコントローラ42は、リードイネーブル信号/REに応答してデータを出力させる出力動作モードとして前記EDO出力モードと前記ノーマル出力モードとをフラッシュメモリ1に設定可能である。フラッシュメモリ1に対する出力動作モードの設定は前記「出力動作モードの設定」の欄で説明したコマンドによる設定や解除、チップイネーブル信号/CEによるEDO出力モードの解除を行えばよい。
図6にはEDO出力動作のタイミングチャートが例示される。フラッシュメモリ1からのデータ出力タイミングは図3と同様であり、/REに対してアクセスタイムtREAとホールドタイムtOHによって規定されるデータ確定期間に、データDQが確定される。カードコントローラ42はstrbのタイミングで例示されるように信号/RE_Aのフォールエッジに同期してデータDQ_INを取り込む。このとき、データDQ_INの確定期間に対し、信号/RE_Aのフォールエッジを中心にその前後にセットアップ時間STPUとホールド時間HLDが確保される。セットアップ時間は例えば、STUP=tRC−(tREA+/RE_Delay+Din_Delay)=33.3ns−(18ns+3ns+3ns)=9.3nsとなる。ホールド時間は例えば、HLD=tOH+/RE_Delay+Din_Delay=3ns+3ns+3ns=9nsとなる。従ってコアロジック45は信号/RE_Aのフォールエッジに同期して、一つ前のサイクルでフラッシュメモリ1から出力された確定データDQ_INを、その確定期間のほぼ中央で取り込むことができる。
図7には前記カードコントローラ42がEDO出力モードを設定するときの動作タイミングチャートが例示される。カードコントローラ42が例えばアドレスイネーブルコマンド00h、カラムアドレスCA1,CA2、ローウアドレスRA1,RA2,RA3、及び第1コマンドE1hを発行する。このコマンド発行後、時間tWHRを経過した後、/REをクロック変化させると、フラッシュメモリ1からEDO出力動作でデータDoutが出力される。
図8にはカードコントローラ42がEDO出力モードを解除するときの動作タイミングが例示される。フラッシュメモリ1にEDO出力モードが設定されているとき、カードコントローラが前記第1コマンドE1h以外のコマンドCMDiを発行することによってフラッシュメモリ1のEDO出力モードを解除してノーマル出力モードに変更することができる。図8の例はフラッシュメモリ1にはチップイネーブル信号/CEがディスエーブルにされることによってEDO出力モードを解除してノーマル出力モードに遷移する機能は採用されていない。
《EDO対応カードコントローラドライバ》
図9にはコアロジック45による出力動作モードの設定に関する制御フローが示される。メモリカードに電源が投入されると、コアロジック45はメモリカード上のフラッシュメモリからそのID情報を読み取る(S1)。コアロジック45は読み取ったID情報の基づいてそのフラッシュメモリがEDO出力モードに対応するフラッシュメモリであるかを判定する(S2)。前記フラッシュメモリの場合にはID情報にEDO出力動作モード対応を示すコード情報が含まれている。EDO出力モードとノーマル出力モードの双方に対応するフラッシュメモリであればEDO対応製品であることコアロジック45内部のメモリ等に保持する(S3)。EDO出力モードに対応せずノーマル出力モードに対応するフラッシュメモリであればEDO非対応製品であることコアロジック45内部のメモリ等に保持する(S4)。ホスト43からメモリカード40に読出し要求があったとき、コアロジック45はフラッシュメモリにEDO出力モードを設定すべきか否かを判定する。その判定は、ホストからの指示は間接又は直接にEDO出力動作か(S5)、対象フラッシュメモリはEDO対応製品であるか(S6)、/REの周波数がEDO出力モードに対応しているか(S7)、についての順次判定とされる。S5〜S7の全ての判定がYESであるときはEDOモード処理を実行する。S5〜S7の判定が一つでもNOであるときはノーマルモード処理を実行する。前記S5の処理においては、ホスト43からのアクセス要求速度が所定速度以上であることを以ってEDO出力動作の指定を間接に要求していると判定する。
図9にはコアロジック45による出力動作モードの設定に関する制御フローが示される。メモリカードに電源が投入されると、コアロジック45はメモリカード上のフラッシュメモリからそのID情報を読み取る(S1)。コアロジック45は読み取ったID情報の基づいてそのフラッシュメモリがEDO出力モードに対応するフラッシュメモリであるかを判定する(S2)。前記フラッシュメモリの場合にはID情報にEDO出力動作モード対応を示すコード情報が含まれている。EDO出力モードとノーマル出力モードの双方に対応するフラッシュメモリであればEDO対応製品であることコアロジック45内部のメモリ等に保持する(S3)。EDO出力モードに対応せずノーマル出力モードに対応するフラッシュメモリであればEDO非対応製品であることコアロジック45内部のメモリ等に保持する(S4)。ホスト43からメモリカード40に読出し要求があったとき、コアロジック45はフラッシュメモリにEDO出力モードを設定すべきか否かを判定する。その判定は、ホストからの指示は間接又は直接にEDO出力動作か(S5)、対象フラッシュメモリはEDO対応製品であるか(S6)、/REの周波数がEDO出力モードに対応しているか(S7)、についての順次判定とされる。S5〜S7の全ての判定がYESであるときはEDOモード処理を実行する。S5〜S7の判定が一つでもNOであるときはノーマルモード処理を実行する。前記S5の処理においては、ホスト43からのアクセス要求速度が所定速度以上であることを以ってEDO出力動作の指定を間接に要求していると判定する。
図10にはEDOモード処理の実行手順が示される。コアロジック45は、例えばアドレスイネーブルコマンド00h、カラムアドレスCA1,CA2、ローウアドレスRA1,RA2,RA3、及び第1コマンドE1hを発行する(S10〜S16)。特に第2コマンドE1hは出力動作モードをEDO出力モードに設定するコマンドとされる。第2コマンドE1hによる/RE同期の外部出力動作はEDO出動動作とされる。コアロジック45は、/RE_Aのフォールエッジに同期してリードデータを取り込むリード処理を行なう(S17)。
図11にはノーマルモード処理の実行手順が示される。コアロジック45は、例えばアドレスイネーブルコマンド00h、カラムアドレスCA1,CA2、ローウアドレスRA1,RA2,RA3、及び第2コマンド30hを発行する(S20〜S26)。特に第2コマンド30hは出力動作モードをノーマル出力モードに設定するコマンドとされる。第2コマンド30hによる/RE同期の外部出力動作はノーマル出動動作とされる。コアロジック45は、/RE_Aのライズエッジに同期してリードデータを取り込むリード処理を行なう(S27)。
コアロジック45を構成するCPU52はプログラムメモリ53が保有する動作プログラムであるカードコントローラドライバを実行することによって、上記図9乃至図11に示される処理を行なう。特に図示はしないが、前記CPU52はカードコントローラドライバを実行することにより更に、EDOモード処理の後に前記第1リード系コマンド以外のコマンドをフラッシュメモリ1に発行してEDO出力モードを解除する処理を行なう。また、フラッシュメモリ1に出力するチップイネーブル信号/CEをディスエーブルにすることによってEDO出力モードを解除する処理を行なう。
上記カードコントローラドライバにより、EDO出力モードによるEDO出力動作とノーマル出力モードによる高出力インピーダンス制御による出力動作が可能なEDO対応フラッシュメモリ1と、EDO出力モードに対応せずノーマル出力モードに対応するEDO非対応フラッシュメモリとの何れに対してもメモリカードコントローラの自立的な対応が可能になる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、不揮発性メモリはフラッシュメモリに限定されず、その他記憶形式の半導体メモリであってよい。また、第1出力動作モードと第2出力動作モードの設定はコマンドによる設定に限定されず、複数の外部端子の状態の組み合わせ等によって行ってもよい。リード制御信号の具体的な呼び名はリードイネーブル信号/REに限定されない。メモリカードの外部インタフェースは接触インタフェースであっても非接触インタフェースであってもよい。記憶装置はメモリカードに限定されず、不揮発性メモリチップとコントローラチップのマルチチップを一つのパッケージに納めたマルチチップモジュールであってもよい。メモリカードは不揮発性メモリとカードコントローラ以外に、ICカード用マイクロコンピュータチップ若しくはセキュリティー用チップ等を併せて搭載してもよい。
1 フラッシュメモリ
2 不揮発性メモリ部
3 データバッファ部
4 外部インタフェース部
5 制御部
6 電源回路(POWS)
10 不揮発性メモリアレイ(MARY)
11 アドレスデコーダ(ADRDEC)
12 アドレスデコーダ
13 バッファメモリ(BRAM)
14 入力レジスタ回路(IREG)
15 出力レジスタ回路(OREG)
/RE リードイネーブル信号
17 制御ロジック(CONT)
18 コマンドデコーダ
21 外部入出力バッファ(IOBUF))
22入力バッファ
23 出力バッファ(OBUF)
D1〜Dn 出力データビット
OE アウトプットイネーブル信号
OUT_FUNC 出力制御信号
40 メモリカード
42 カードコントローラ(CRDCNT)
43 ホスト
44 クロック入力バッファ
45 コアロジック(CORLGC)
CLK クロック信号
/RE_A リードイネーブル信号
DQ_IN リードデータ
I/O1〜I/On 外部入出力端子
2 不揮発性メモリ部
3 データバッファ部
4 外部インタフェース部
5 制御部
6 電源回路(POWS)
10 不揮発性メモリアレイ(MARY)
11 アドレスデコーダ(ADRDEC)
12 アドレスデコーダ
13 バッファメモリ(BRAM)
14 入力レジスタ回路(IREG)
15 出力レジスタ回路(OREG)
/RE リードイネーブル信号
17 制御ロジック(CONT)
18 コマンドデコーダ
21 外部入出力バッファ(IOBUF))
22入力バッファ
23 出力バッファ(OBUF)
D1〜Dn 出力データビット
OE アウトプットイネーブル信号
OUT_FUNC 出力制御信号
40 メモリカード
42 カードコントローラ(CRDCNT)
43 ホスト
44 クロック入力バッファ
45 コアロジック(CORLGC)
CLK クロック信号
/RE_A リードイネーブル信号
DQ_IN リードデータ
I/O1〜I/On 外部入出力端子
Claims (33)
- 電気的に書換え可能な不揮発性メモリ部、前記不揮発性メモリ部との間でデータの入出力を行うことが可能なデータバッファ部、前記データバッファ部と外部との間でデータを入出力することが可能な外部インタフェース部、及び制御部を有し、
前記制御部は、外部から入力されるリード制御信号に応答して前記データバッファ部が保有するデータを前記外部インタフェース部から外部に出力する出力動作モードとして外部より第1出力動作モードと第2出力動作モードとが設定可能にされ、
前記第1出力動作モードが設定された前記制御部は、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを前記外部インタフェース部から外部に出力させる出力動作を開始させ、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持させ、
前記第2出力動作モードが設定された前記制御部は、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記外部インタフェース部から外部に出力させる出力動作を開始させ、その第2の変化に応答して前記外部インタフェース部のデータ出力を高出力インピーダンス状態に変化させる半導体集積回路。 - 前記制御部は、外部から第1リード系コマンドが入力されることによって前記第1出力動作モードが設定され、外部から第2リード系コマンドが入力されることによって前記第2出力動作モードが設定される請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、
前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである請求項2記載の半導体集積回路。 - 前記第2リード系コマンドは、半導体集積回路のID情報の読出しを指示するIDリードコマンドである請求項3記載の半導体集積回路。
- 前記制御部は、前記第1出力動作モードが設定されているとき、前記第1リード系コマンド以外のコマンドが入力されることによって第1出力動作モードを解除して第2出力動作モードを設定する請求項2記載の半導体集積回路。
- 前記制御部は、前記第1出力動作モードが設定されているとき、外部から入力されるチップイネーブル信号がディスエーブルにされることによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定する請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記制御部はパワーオンに応答して前記出力動作モードを前記第2出力動作モードに初期設定する請求項1記載の半導体集積回路。
- 不揮発性メモリとコントローラとを有する記憶装置であって、
前記コントローラは外部からの指示に従って前記不揮発性メモリのアクセス制御と外部インタフェース制御を行い、
前記不揮発性メモリは、前記コントローラから入力されるリード制御信号に応答してデータを前記コントローラに出力する出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを有し、
前記第1出力動作モードが指定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持し、
前記第2出力動作モードが指定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始し、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする記憶装置。 - 不揮発性メモリとコントローラとを有する記憶装置であって、
前記コントローラは外部インタフェース制御と外部からの指示に応答する前記不揮発性メモリのアクセス制御とを行い、
前記コントローラは、前記不揮発性メモリにリード制御信号に応答してデータを出力させる出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを設定可能であり、
前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込み、
前記コントローラは、前記第2出力動作モードを指定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む記憶装置。 - 前記第1出力動作モードが設定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持し、
前記第2出力動作モードが指定された前記不揮発性メモリは、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始し、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする請求項9記載の記憶装置。 - 前記コントローラは、前記不揮発性メモリに第1リード系コマンドを出力することによって前記第1出力動作モードを設定し、前記不揮発性メモリに第2リード系コマンドを出力することによって前記第2出力動作モードを設定する請求項9記載の記憶装置。
- 前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、
前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである請求項11記載の記憶装置。 - 前記第2リード系コマンドは、前記不揮発性メモリのID情報の読出しを指示するIDリードコマンドである請求項12記載の記憶装置。
- 前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した後、前記不揮発性メモリに前記第1リード系コマンド以外のコマンドを出力することによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定する請求項9記載の記憶装置。
- 前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した後、前記不揮発性メモリに出力するチップイネーブル信号をディスエーブルにすることによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定する請求項9記載の記憶装置。
- 前記不揮発性メモリはパワーオンに応答して前記第2出力動作モードに初期化される請求項9記載の記憶装置。
- 不揮発性メモリとコントローラとを有する記憶装置であって、
前記コントローラは外部インタフェース制御と外部からの要求に従った前記不揮発性メモリのアクセス制御とを行い、
前記コントローラは、前記不揮発性メモリにリード制御信号に応答してデータを出力させる出力動作モードとして第1出力動作モードと第2出力動作モードとを設定可能であり、
前記コントローラは前記不揮発性メモリが前記第1出力動作モードと前記第2出力動作モードとに対応するかを判定し、外部からの読出し要求に応答するのに前記第1出力動作モードを設定するか前記第2出力動作モードを設定するかを判定し、
前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込み、
前記コントローラは、前記第2出力動作モードを指定した前記不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む記憶装置。 - 第1出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリは、前記第1出力動作モードが設定されると、前記リード制御信号の周期毎に、異なるアドレスのデータを前記メモリコントローラに出力させる出力動作を開始し、一つのアドレスのデータ出力動作を当該周期の開始から次の周期の開始まで維持し、
第2出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリは、前記第2出力動作モードが指定されると、前記リード制御信号の周期毎に、その第1の変化に応答して所定のアドレスのデータを前記コントローラに出力させる出力動作を開始させ、その第2の変化に応答してデータ出力を高出力インピーダンス状態にする請求項17記載の記憶装置。 - 前記不揮発性メモリはパワーオンにより前記第2出力動作モードに初期化され、
前記コントローラは、前記不揮発性メモリが前記第1出力動作モードと前記第2出力動作モードとに対応するかを、前記第2出力動作モードに初期化された前記不揮発性メモリから読み取ったID情報を参照して判定する請求項17記載の記憶装置。 - 前記コントローラは、外部からの読出し要求に対して前記第1出力動作モードを設定するか前記第2出力動作モードを設定するかを、外部から直接又は間接に前記第1出力動作モードの設定が要求されているか、前記不揮発性メモリが前記第1出力動作モードに対応しているか、並びに前記リード制御信号の周波数が前記第1出力動作モードによる読出し動作に適合する動作速度であるか、に基づいて判定する請求項19記載の記憶装置。
- 前記コントローラは外部からのアクセス要求速度が所定速度以上であることを以って前記第1出力動作モードの指定を間接に要求していると判定する請求項20記載の記憶装置。
- 前記コントローラは、前記不揮発性メモリに第1リード系コマンドを出力することによって前記第1出力動作モードを設定し、前記不揮発性メモリに第2リード系コマンドを出力することによって前記第2出力動作モードを設定する請求項17記載の記憶装置。
- 前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、
前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである請求項22記載の記憶装置。 - 前記第2リード系コマンドは、前記不揮発性メモリのID情報の読出しを指示するIDリードコマンドである請求項22記載の記憶装置。
- 前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した後、前記第1リード系コマンド以外のコマンドを不揮発性メモリに出力することによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定する請求項17記載の記憶装置。
- 前記コントローラは、前記第1出力動作モードを設定した後、前記不揮発性メモリに出力するチップイネーブル信号をディスエーブルにすることによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定する請求項17記載の記憶装置。
- 不揮発性メモリのアクセス制御とホストとのインタフェース制御を行うメモリカードコントローラの動作を制御するための制御プログラムであって、中央処理装置が実行することによって、
パワーオンにより、不揮発性メモリが保有するID情報を参照する第1処理と、
参照したID情報に基づいて、リード制御信号に応答させて前記不揮発性メモリからデータを出力させる出力動作モードとして前記不揮発性メモリが第1出力動作モードと第2出力動作モードとに対応するかを判定する第2処理と、
ホストからの読出し要求に対して前記不揮発性メモリに前記第1出力動作モードを設定するか第2出力動作モードを設定するかを判定する第3処理と、
第1出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリに対して当該第1出力動作モードを設定することにより、当該不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎に出力する異なるアドレスのデータを前記リード制御信号の一周期遅れの出力タイミングに同期して取り込む第4処理と、
第2出力動作モードに対応する前記不揮発性メモリに対して前記第2出力動作モードを設定することにより、当該不揮発性メモリが前記リード制御信号の周期毎にその第1の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第2の変化に同期して取り込む第5処理と、を制御する制御プログラム。 - 前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第3処理は、外部から直接又は間接に第1出力動作モードの指定が要求されているか、前記不揮発性メモリが前記第1出力動作モードに対応しているか、並びに前記リード制御信号の周波数が前記第1出力動作モードによる読出し動作に適合する動作速度であるか、に基づいて判定する処理である請求項27記載の制御プログラム。
- 前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第3処理において、外部からのアクセス要求速度が所定速度以上であることを以って前記第1出力動作モードの指定を間接に要求していると判定する請求項28記載の制御プログラム。
- 前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第4処理において、前記不揮発性メモリに第1リード系コマンドを出力することによって前記第1出力動作モードを設定し、
前記中央処理装置が実行することによって制御する前記第5処理において、前記不揮発性メモリに第2リード系コマンドを出力することによって前記第2出力動作モードを設定する請求項27記載の制御プログラム。 - 前記第1リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第1コマンドであり、
前記第2リード系コマンドは、アドレスイネーブルコマンド及びアクセスアドレス情報に続けて入力される第2コマンドである請求項30記載の制御プログラム。 - 前記中央処理装置が実行することによって制御する第6処理を更に含み、前記第6処理は、前記第1出力動作モードを指定した後、前記第1リード系コマンド以外のコマンドを不揮発性メモリに出力することによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定請求項27記載の制御プログラム。
- 前記中央処理装置が実行することによって制御する第7処理を更に含み、前記第7処理は、前記第1出力動作モードを指定した後、前記不揮発性メモリに出力するチップイネーブル信号をディスエーブルにすることによって前記第1出力動作モードを解除して前記第2出力動作モードを設定する請求項27記載の制御プログラム。
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