JP4835406B2 - 実装構造体とその製造方法および半導体装置とその製造方法 - Google Patents

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本発明は、2枚の基板の実装構造体とその製造方法に係わり、特にボールグリッドアレイ(BGA)構成の半導体装置において、アンダーフィル用樹脂を充てんしてフリップチップ(FC)接合するFC−BGA(フリップチップ−ボールグリッドアレイ)実装した実装構造体とその製造方法に関する。
近年、電子機器の小形化、高密度化にともなって、電子機器に搭載する電子部品の実装技術の進展が著しい。なかでも、半導体装置は、配線密度が高くなり高集積化するに伴って、半導体チップの寸法が大きくなる一方で、はんだバンプからなる接続端子の寸法が微細化する傾向にある。
また、環境問題への対応から、Sn系の鉛フリーはんだの実用化が進んでいるが、このSn系はんだは、従来のPb系はんだに比べてクリープ(応力緩和)が少なく、接合温度が高い。そのため、微細化した接合部への応力集中が大きくなっている。
ところで、半導体チップと回路基板とのはんだバンプによる接合は、機械的接合と電気的接続とが同時にできる利便性からフリップチップ接合においても多用されている。
図9は従来のFC−BGA接合の模式的な製造工程図と構造断面図である。図9(A)において、半導体チップ13の端子電極14にははんだバンプ15が設けられている。
このはんだバンプ15の形状がボール状(球状)で、半導体チップ13の上にグリッド状(格子状)に配設された構成になっている。
一方、半導体チップ13が実装される回路基板23には、はんだバンプ15に対応した位置に接続端子24が設けられている。
図9(B)において、半導体チップ13の表面側にはんだバンプ15が設けられている構成の場合には、半導体チップ13を引っ繰り返して表面側を下にし、いわゆるフェースダウンしてはんだバンプ15を回路基板23の接続端子24の上に位置合わせし、フリップチップ接合を行う。因みに、例えば、ワイヤボンディングで接続する構成では、フェースアップのままで接合する場合が多い。
フリップチップ接合の場合には、通常は、フリップチップボンダを用いて半導体素子13を回路基板23に押圧し、はんだバンプ15が溶融する温度、例えば、Sn系はんだの場合には240℃に加熱してはんだバンプ15を溶かして回路基板23の接続端子24に電気的に接続する。
次いで、図9(C)において、アンダーフィル用樹脂7、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂などを半導体チップ13と回路基板23の狭い隙間にディスペンサなどを用いて充てんし、樹脂を加熱硬化させて封着する。
こうして、半導体チップ13が回路基板23に実装され、FC−BGA接合の実装構造体101が完成する。
ところが、はんだバンプを用いてフリップチップ接合を行うためには、半導体チップを載せた回路基板を加熱炉の中を通してはんだ溶融温度以上に加熱しなければならない。そして、はんだが溶融したあと凝固し、半導体チップと回路基板とが接合された後の冷却過程において、半導体チップと回路基板との熱膨張係数の差に起因して発生する応力によって、はんだ接合部の破断が起こる不具合が間々生じる。
こうした不具合の対策がいろいろ提案されており、半導体チップ内に低誘電率絶縁膜を使用してもフリップチップ接続時にバンプ電極下の界面で破壊や剥離が生じないように、半導体チップと配線基板との空隙を充てんするように、バンプ電極が溶融状態である時に液状から固体に変化した状態の樹脂を用いる(例えば、特許文献1参照)。
また、高信頼性のはんだ接続部を得る配線基板に対して、配線基板の接続ランドとICチップの電極パッドとの間を接合するはんだ接続部を樹脂でなる応力緩和層を内部に有する突起電極で構成する(例えば、引用文献2参照)。
特開2004−281491号公報 特開2005−203021号公報
ところが、こうした提案にもかかわらず、従来は、溶融温度が低い鉛系はんだを用いれば簡単な電極構成と工程によって容易に実現できたフリップチップ接合が、溶融温度の高い鉛フリーのはんだを使わざるを得なくなったことに起因して、接合不良となる不具合を解消することが困難になっている。
そこで本発明は、接合する基板の一方の基板電極の上を窪み部を有する筒状電極にし、他方の基板電極の上を該窪み部に遊嵌する突起部を有する凸状電極にし、両電極を嵌合させてアンダーフィル樹脂で付着してから該突起部を溶融させて、安定した確実なフリップチップ接合を実現する実装構造体と半導体装置、およびそれらの製造方法を提供する。
上記課題は、請求項1記載の並設された電極を有する二つの基板が対向して該電極同士が接合される実装構造体であって、一方の基板電極と底面で接合し、片側に窪み部を有する筒状電極、他方の基板電極上に形成され、該筒状電極の窪み部に嵌合する、はんだからなる突起部を有する凸状電極と、を備え、該筒状電極の先端部が該他方の基板電極における該突起部以外の部分と密着し、該突起部が嵌合している該窪み部の内壁面にろう接しているとともに、二つの基板の隙間がアンダーフィル用樹脂によって封着されているように構成された実装構造体によって解決される。
また、請求項2において、筒状電極は、窪み部が該突起部のはんだよりも高融点の金属からなるように構成された請求項1記載の実装構造体によって解決される。
また、請求項3において、該窪み部を有する筒状電極の上周縁部に接着剤層が設けられているように構成された請求項1記載の実装構造体によって解決される。
また、請求項4において、並設された電極を有する二つの基板が対向して該電極同士が接合される実装構造体の製造方法であって、該二つの基板を対向させて筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させ、二つの基板の隙間にアンダーフィル用樹脂を充填温度以上の温度で充填して硬化させた後に、はんだからなる該突起部溶融温度以上の温度で加熱して該突起部を該窪み部の中で溶融させてろう接するように構成された実装構造体の製造方法によって解決される。
また、請求項5記載の並設された電極を有する半導体素子と回路基板とが対向して該電極同士が接合された半導体装置であって、該半導体素子の電極と底面で接合し、片側に窪み部を有する筒状電極、該回路基板の電極上に形成され、該筒状電極の窪み部に嵌合する、はんだからなる突起部を有する凸状電極と、を備え、該筒状電極の窪み部の中で該突起部のはんだが溶融し、該突起部が嵌合している該窪み部の内壁面にろう接しているとともに、該半導体素子と回路基板との隙間がアンダーフィル用樹脂によって封着されているように構成された半導体装置によって解決される。
また、請求項6において、並設された電極を有する半導体素子と回路基板とが対向して該電極同士が接合された半導体装置の製造方法であって、該半導体素子と該回路基板とを対向させて筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させ、該半導体素子と回路基板との間にアンダーフィル用樹脂を該アンダーフィル用樹脂の溶融温度以上の温度で充填して硬化させた後に、該はんだからなる突起部溶融温度以上の温度で加熱して該突起部を該窪み部の中で溶融させてろう接するように構成された半導体装置の製造方法によって解決される。
つまり、二つの基板の一方が半導体チップが形成された半導体素子になっており、他方が半導体素子が実装される回路基板であるようにしている。
そうすると、半導体チップを回路基板上にフリップチップ接合するとともに、半導体チップと回路基板との接合と封着が安定した確実なものとなっている半導体装置を構成することができる。
本発明によれば、例えば、半導体チップが形成された半導体素子を回路基板上にフリップチップ接合するに際して、電極同士が嵌合しているので充てんするアンダーフィル用樹脂が流れ込む不具合は起こらず、電極同士のはんだ接合に際しては、アンダーフィル用樹脂が一旦軟化しても嵌合した電極同士の周囲を封じているので、溶融したはんだが流失することはない。
その結果、高密度、高集積化が進んで、ますますバンプ電極の数が増大し、ピッチが微細化していく半導体素子のフリップチップ接合による半導体装置の製造工程において、本発明は組立工程時の接合部の応力低減に対して多いに貢献できる。
図1は本発明の実装構造体の一例の模式的な断面図、図2は本発明の要部の一部切欠断面斜視図、図3と図4は筒状電極の製造方法の一例の模式的工程図、図5は筒状電極の製造方法の他の例の模式的工程図、図6は凸状電極の製造方法の一例の模式的工程図、図7は本発明の接合方法の一例の模式的工程図、図8は本発明の接合方法の他の例の模式的工程図である。
図1は本発明の実装構造体の一例を模式的な断面図で示したもので、一方の基板1の筒状電極11の窪み部12には、他方の基板2の凸状電極21の突起部22が嵌合した構成になっている。また、基板1、2の間隙は、アンダーフィル用樹脂7が充てんされて封着している。
つまり、本発明の実装構造体100では、電気的な接続は、対向して嵌合している筒状電極11と凸状電極21とで形成される空隙の中で溶融した半導体ペースト6によって強固にろう接されている。また、2枚の基板1、2の機械的な接続は、基板間隙に充てんされたアンダーフィル用樹脂6によって強固に封着されている。
図2は本発明の要部の一部を切り欠いて斜視したもので、筒状電極と凸状電極を2種類ずつ例示した。
図2(A)は一方の基板1の、例えば、100μmφ、厚さ5μmのCuからなる一方の基板電極10の上に、高融点金属に属する、例えば、Cuからなる高さ100μmの円筒状の筒状電極11を設けたもので、窪み部12の深さは、例えば、70μmである。
図2(B)は、一方の基板1の、例えば、100μm□、厚さ5μmのCuからなる一方の基板電極10の上に、Cuからなる角筒状、ここでは四角筒状の筒状電極11を設けたもので、窪み部12の深さは、例えば、70μmである。
図2(C)は、他方の基板2の上に、例えば、120μmφ、厚さ10μmのAu/Ni/Cuからなる他方の基板電極20の上に凸状電極21を設けたもので、突起部22はいわゆるはんだバンプに相当する。基板電極20が円形であっても、図1(D)に示したように、例えば、120μm□の方形であっても、突起部22は、例えば、60μmφの半球状で、例えば、Sn−3Ag−0.5Cuの低温はんだからなる。
筒状電極11は、円筒状にするか角筒状にするかは、ホトリソグラフィによって形成すれば、工程上の難易に相違はない。それに対して、凸状電極21は、突起部22のはんだバンプを溶融して形成すれば、基板電極20の形状に関係なく自発的に半球状になる。
〔実施例1〕
図3と図4は、筒状電極の一製造方法の模式的工程を示したもので、図2(A)において、一方の基板1は、例えば、半導体素子の15mm□のチップで、一方の基板電極10は、図示してないが250μmピッチで周縁部に並設された60μm□のバンプの上に設けられた100μmφで厚さ5μmのCu電極である。
図3(B)において、一方の基板電極10が設けられた一方の基板1の上に厚さ100μmの第1のホトレジスト膜31を被着する。
図3(C)において、第1のホトレジスト膜31をホトリソグラフィ工程で露光し現像して、一方の基板電極10が100μmφの円形のまま露出するように開口する。
図3(D)において、露出している一方の基板電極10の上に、電気めっきによってCu層4を円柱状に積み上げる。厚さは第1のホトレジスト膜31の膜厚に相当する100μmである。
図3(E)において、第1のホトレジスト膜31とCu膜4を覆うように全面に第2のホトレジスト膜32を被着する。
図4(F)において、第2のホトレジスト膜32をホトリソグラフィ工程で露光し現像して、Cu層4の周縁部が20μm覆われて中央部位が露出するように開口する。
図4(G)において、第2のレジスト膜32をマスクにしてCu層4を、例えば、塩化第2鉄などのエッチング液で深さ70μmまで堀り窪み部12を形成する。そして、第2のホトレジスト膜32と第1のホトレジスト膜31とを剥離すると、図3(H)に示したように、一方の基板1の上には、肉厚が20μmで内径が60μm、深さが70μmの窪み部12を持ったCu層4からなる円筒状の筒状電極11が一方の基板電極11の上に形成される。
〔実施例2〕
図5は、筒状電極の他の製造方法の模式的工程を示したもので、図5(A)において、一方の基板1は、例えば、半導体素子の15mm□のチップで、一方の基板電極10は、図示してないが250μmピッチで周縁部に並設された60μm□のバンプの上に設けられた100μm□で厚さ5μmのCu電極である。
図5(B)において、一方の基板電極10が設けられた一方の基板1の上に厚さ100μmの第3のホトレジスト膜33を被着する。
図5(C)において、第3のホトレジスト膜33をホトリソグラフィ工程で露光し現像して、一方の基板電極10の周縁部が環状に20μm幅で露出して中央部位が覆われているように開口する。
図5(D)において、環状に露出している一方の基板電極10の上に、電気めっきによってCu層4を筒状に積み上げる。厚さは第3のホトレジスト膜33の膜厚に相当する100μmである。そして、第3のホトレジスト膜33を剥離すると、図5(E)に示したように、一方の基板1の上に肉厚が20μmで内径が60μm、深さが70μmの窪み部12を持ったCu層4からなる円筒状の筒状電極11が形成される。
〔実施例3〕
図6は凸状電極の製造方法の一例を模式的な工程図で示したもので、図6(A)において、他方の基板2は、例えば、半導体素子が実装される回路基板などで、他方の基板電極20は、例えば、120μmφのAu/Ni/Cuからなる金属バンプからなる。
図6(B)において、他方の基板電極20が露出する開口径50μmφのメタルマスク5を用いてはんだペースト6をスクリーン印刷する。はんだペースト6には、例えば、Sn系のSn−3Ag−0.5Cuはんだ粉末とロジン樹脂からなるものを用いる。
図6(C)において、スキージを移動させてメタルマスク5の開口からはんだペースト6を他方の基板電極20の上に印刷する。
図6(D)において、メタルマスク5を外すと、他方の基板2の上には、図5(E)に示したように、他方の基板電極20の上に、高さが50μm、直径が50μmφのはんだペースト6の円柱が形成される。
図6(F)において、230℃に加熱すると、円柱状のはんだペースト6は一旦溶融して、ほぼ50μmφで高さも50μm程度の半球状の突起部22を有する凸状電極21が形成できる。
〔実施例4〕
図7は本発明の接合方法の一例を模式的な工程図で示したもので、2枚の基板上の電極同士の電気的な接続であるフリップチップ接合と2枚の基板同士の機械的な接続である樹脂封着とを行って、本発明になる2枚の基板同士の実装構造体100が得られる。
図7(A)において、一方の基板1は、例えば、半導体素子で、一方の基板電極10の上に図2〜3あるいは図4に例示した製造工程によって形成した筒状電極11が設けられている。この筒状電極11は、中央部位が窪んだ窪み部12になっている。
他方の基板2は、例えば、半導体素子が実装される回路基板で、他方の基板電極20の上は凸状電極21になっており、図4に例示した製造工程によって形成した半球状の突起部22が形成されている。
図7(B)において、一方の基板1をフェースダウンして他方の基板2に被せ、突起部22を窪み部12に嵌合させ、一方の基板1を押下して支持する。このとき、熱圧着および超音波による仮着を行う。
図7(C)において、一方の基板1と他方の基板2との隙間、つまり、二つの基板電極10、20と筒状電極11の高さの和となるほぼ100μmの隙間に、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂系のアンダーフィル用樹脂7を注入し、165℃の恒温槽中で1.5時間加熱して、両基板1、2を仮封着する。
図7(D)において、一方の基板1の筒状電極11に嵌合している他方の基板2の凸状電極21をフリップチップ接合するために、加熱炉(リフロー炉)によってはんだの融点以上に加熱する。
突起部22のはんだバンプが溶融する240℃に加熱すると、窪み部12の中で突起部22のはんだが溶融し、突起部22は窪み部12の内壁面にろう接し、冷えて凝固すれば強固なフリップチップ接合が実現する。
こうして、本発明になる2枚の基板の電極同士がフリップチップ接合された実装構造体100が完成するが、本発明によれば、筒状の空隙ではんだを溶融する前に、アンダーフィル用樹脂7を充てんして固めるので、溶融したはんだが流出することが全くない。従って、隣接する電極間で起こる短絡が完全に防止できる効果がある。
〔実施例5〕
図8は本発明の接合方法の他の例を模式的な工程図で示したもので、2枚の基板上の電極同士のフリップチップ接合と2枚の基板同士の樹脂封着とを同時に行って、本発明になる2枚の基板同士の実装構造体100が得られる。
図8(A)において、先ず、フッ素樹脂加工したような剥離性のよい平板状の基材8の上に10μm程度の厚さで、例えば、感圧性の接着剤層81を設けておき、筒状電極11を設けた半導体素子などからなる一方の基板1をフェースダウンし、フェースダウンボンダで押圧して筒状電極11の上周縁部に接着剤層81を転写する。
引き続いて、図8(B)において、一方の基板1をフェースダウンし、筒状電極11の接着剤層81を転写塗布した上周縁部が他方の基板2の他方の基板電極20の周縁部に被さるようにする。
図8(C)において、突起部22を窪み部12に嵌合させるとともに、筒状電極11の上周縁部の接着剤層81が他方の基板2の他方の基板電極20の周縁部に冠着し、窪み部12が他方の基板電極20によって蓋がなされたように封着される。
図8(D)において、一方の基板1と他方の基板2との隙間に、例えば、ディスペンサによって熱硬化性のエポキシ樹脂系のアンダーフィル用樹脂7を注入し、165℃の恒温槽中で1.5時間加熱して、両基板1、2を仮封着する。加熱中に、アンダーフィル用樹脂7が加熱されて一旦軟化して低粘度になっても、封着されている窪み部12の中に侵入することはない。
図8(E)において、一方の基板1の筒状電極11に嵌合している他方の基板2の凸状電極21をフリップチップ接合するために、加熱炉(リフロー炉)によってはんだの融点以上に加熱する。
突起部22のはんだバンプの溶融温度以上(240℃)に加熱すると、窪み部12の中で突起部22のはんだが溶融し、突起部22は窪み部12の内壁面にろう接し、冷えて凝固すれば強固なフリップチップ接合が実現する。
こうして、本発明になる2枚の基板の電極同士がフリップチップ接合された実装構造体100が完成する。
筒状電極や凸状電極の形状や寸法、素材などは、例示したものには限定されるものではなく、製造工程における諸条件なども種々の変形が可能である。
また、一方の基板と他方の基板とをフェースダウン接合する際に、筒状電極を設けた一方の基板を上にしてフェースダウンし、凸状電極を設けた他方の基板を下にする方が、窪み部の中で溶融した突起部のはんだの振舞いを考慮すれば好ましい構成である。しかし、一方の基板と他方の基板の電極構成が逆であっても、本発明のフェースダウン接合の実装構造体は実現できる。
また、窪み部の中にはんだペーストを印刷充てんした筒状電極を、突起部を設けない平坦な凸状電極上に仮固着した後アンダーフィル用樹脂を注入し、そのあとに窪み部の中のはんだペーストを溶融させる方法によっても、本発明の接合は達成できる。
また、凸状電極の突起部は、低融点金属からなるはんだバンプを例示したが、例えば、金属粉やカーボン末を含む熱硬化性樹脂を粘結剤とした、いわゆる導電性樹脂を用いて筒状電極と接合することもでき、種々の変形が可能である。
また、アンダーフィル用樹脂には、電極同士の接合加熱温度に耐えれば、熱可塑性樹脂も含むいろいろな樹脂が適用できる。ただし、未固化または未硬化の状態ではディスペイサによって注入でき、狭い基板間には毛細管現象で侵入するように低粘度であることが好ましい。
また、筒状電極の上周縁部に設ける接着剤層は、主剤が常温硬化や加熱硬化の熱硬化性樹脂でもよく、熱可塑性樹脂からなる感圧粘着剤なども適用でき、導電性をもった導電性接着剤や導電ペーストでもよい。さらに接着剤層の形成方法は、例示した転写法以外に塗布やシートの貼着などでもよく、種々の変形が可能である。
〔付 記〕
(付記1) 並設された電極を有する二つの基板が対向して該電極同士が接合される実装構造体であって、
一方の基板電極の上は、窪み部を有する筒状電極になっており、
他方の基板電極の上は、該筒状電極の窪み部に嵌合する突起部を有する凸状電極になっており、
該突起部が嵌合している該窪み部にろう接しているとともに、二つの該基板の隙間がアンダーフィル用樹脂によって封着されている
ことを特徴とする実装構造体。
(付記2) 該凸状電極は、突起部がはんだからなり、
該筒状電極は、窪み部が該突起部よりも高融点の金属からなる
ことを特徴とする付記1記載の実装構造体。
(付記3) 該突起電極は、上周縁部に接着剤層が設けられている
ことを特徴とする付記1記載の実装構造体。
(付記4) 該接着剤層が、導電ペーストからなる
ことを特徴とする付記3記載の実装構造体。
(付記5) 付記1記載の二つの基板を対向させて筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させ、
二つの基板の隙間にアンダーフィル用樹脂を充てんし、
次いで、二つの該基板を該突起部の溶融温度以上の温度で加熱して該突起部を該窪み部の中で溶融させてろう接するとともに該アンダーフィル用樹脂を硬化させて封着する
ことを特徴とする実装構造体の製造方法。
(付記6) 該突起電極の上周縁部に接着剤層を設け、
該筒状電極の窪み部に該凸状電極の突起部を嵌合させたあと、該接着剤層によって該筒状電極を該凸状電極に仮固着する
ことを特徴とする付記5記載の実装構造体の製造方法。
(付記7) 並設された電極を有する半導体素子と回路基板とが対向して該電極同士が接合された半導体装置であって、
該半導体素子の電極は、窪み部を有する筒状電極になっており、
該回路基板の電極は、該筒状電極の窪み部に嵌合する突起部を有する凸状電極になっており、
該突起部が嵌合している該窪み部にろう接しているとともに、該半導体素子と回路基板との隙間がアンダーフィル用樹脂によって封着されている
ことを特徴とする半導体装置。
(付記8) 付記7記載の半導体素子と回路基板とを対向させて筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させ、
該半導体素子と回路基板との間にアンダーフィル用樹脂を充てんし、
次いで、該突起部の溶融温度以上の温度で加熱して該突起部を該窪み部の中で溶融させてろう接するとともに該アンダーフィル用樹脂を硬化させて封着する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9) 該筒状電極の上周縁部に接着剤層を塗布し、
該筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させたあと、該接着剤層によって該筒状電極を該凸状電極に仮固着する
ことを特徴とする付記8記載の半導体装置の製造方法。
(付記10) 該接着剤層が導電ペーストからなる
ことを特徴とする付記9記載の半導体装置の製造の方法。
本発明の実装構造体の一例の模式的な断面図である。 本発明のの要部の一部切欠断面斜視図である。 筒状電極の製造方法の一例の模式的工程図(その1)である。 筒状電極の製造方法の一例の模式的工程図(その2)である。 筒状電極の製造方法の他の例の模式的工程図である。 凸状電極の製造方法の一例の模式的工程図である。 本発明の接合方法の一例の模式的工程図である。 本発明の接合方法の他の例の模式的工程図である。 従来のFC−BGA接合の模式的な製造工程図と構造断面図である。
符号の説明
1 一方の基板
10 一方の基板電極 11 筒状電極
12 窪み部
2 他方の基板
20 他方の基板電極 21 凸状電極
22 突起部
31 第1のホトレジスト膜 32 第2のホトレジスト膜
33 第3のホトレジスト膜 34 第4のホトレジスト膜
4 Cu層
5 メタルマスク
6 はんだペースト
7 アンダーフィル用樹脂
8 基材
81 接着剤層
100 実装構造体

Claims (6)

  1. 並設された電極を有する二つの基板が対向して該電極同士が接合される実装構造体であって、
    一方の基板電極と底面で接合し、片側に窪み部を有する筒状電極
    他方の基板電極上に形成され、該筒状電極の窪み部に嵌合する、はんだからなる突起部を有する凸状電極と、を備え、
    該筒状電極の先端部が該他方の基板電極における該突起部以外の部分と密着し、該突起部が嵌合している該窪み部の内壁面にろう接しているとともに、二つの基板の隙間がアンダーフィル用樹脂によって封着されている
    ことを特徴とする実装構造体。
  2. 筒状電極は、窪み部が該突起部のはんだよりも高融点の金属からなる
    ことを特徴とする請求項1記載の実装構造体。
  3. 窪み部を有する筒状電極の上周縁部に接着剤層が設けられている
    ことを特徴とする請求項1記載の実装構造体。
  4. 並設された電極を有する二つの基板が対向して該電極同士が接合される実装構造体の製造方法であって、
    二つの基板を対向させて筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させ、
    二つの基板の隙間にアンダーフィル用樹脂を所定温度以上の温度で充填して硬化させた後に、はんだからなる該突起部溶融温度以上の温度で加熱して該突起部を該窪み部の中で溶融させてろう接することを特徴とする実装構造体の製造方法。
  5. 並設された電極を有する半導体素子と回路基板とが対向して該電極同士が接合された半導体装置であって、
    該半導体素子の電極と底面で接合し、片側に窪み部を有する筒状電極
    該回路基板の電極上に形成され、該筒状電極の窪み部に嵌合する、はんだからなる突起部を有する凸状電極と、を備え、
    該筒状電極の先端部が該他方の基板電極における該突起部以外の部分と密着し、該突起部が嵌合している該窪み部の内壁面にろう接しているとともに、該半導体素子と回路基板との隙間がアンダーフィル用樹脂によって封着されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  6. 並設された電極を有する半導体素子と回路基板とが対向して該電極同士が接合された半導体装置の製造方法であって、
    半導体素子と回路基板とを対向させて筒状電極の窪み部に凸状電極の突起部を嵌合させ、
    該半導体素子と回路基板との間にアンダーフィル用樹脂を該アンダーフィル用樹脂の溶融温度以上の温度で充填して硬化させた後に、該はんだからなる突起部溶融温度以上の温度で加熱して該突起部を該窪み部の中で溶融させてろう接することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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