JP4801315B2 - Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7288152B2 (en) 2003-08-29 2007-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing GaN crystals and GaN crystal substrate, GaN crystals and GaN crystal substrate obtained by the method, and semiconductor device including the same
JP4768975B2 (ja) * 2003-08-29 2011-09-07 パナソニック株式会社 ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法
JP4562398B2 (ja) * 2004-01-26 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
US7674334B2 (en) * 2004-02-18 2010-03-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Artificial corundum crystal
JP4560307B2 (ja) * 2004-03-01 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4560310B2 (ja) * 2004-03-03 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶の基板の製造方法
WO2005095682A1 (ja) 2004-03-31 2005-10-13 Ngk Insulators, Ltd. 窒化ガリウム単結晶の育成方法および窒化ガリウム単結晶
PL1769105T3 (pl) * 2004-06-11 2014-11-28 Ammono S A Objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz sposób jego wytwarzania
JP5111728B2 (ja) * 2004-12-15 2013-01-09 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶製造方法および窒化ガリウム結晶成長装置
JP4603498B2 (ja) 2005-03-14 2010-12-22 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び製造装置
KR101235449B1 (ko) 2005-05-12 2013-02-20 가부시키가이샤 리코 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법, ⅲ족 질화물 결정의 제조장치 및 ⅲ족 질화물 결정
JP4856934B2 (ja) 2005-11-21 2012-01-18 株式会社リコー ＧａＮ結晶
JP5024898B2 (ja) 2006-02-13 2012-09-12 日本碍子株式会社 フラックスからナトリウム金属を回収する方法
US20070215034A1 (en) 2006-03-14 2007-09-20 Hirokazu Iwata Crystal preparing device, crystal preparing method, and crystal
JP2007257894A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Yamaha Corp 電子放出素子用の針状電子放出体の製造方法及び電子放出素子の製造方法
CN101405438B (zh) 2006-03-23 2012-06-27 日本碍子株式会社 氮化物单晶的制造装置
CN101405439B (zh) 2006-03-23 2012-04-04 日本碍子株式会社 氮化物单晶的制造装置
JP5187848B2 (ja) 2006-03-23 2013-04-24 日本碍子株式会社 単結晶の製造方法
WO2007108338A1 (ja) 2006-03-23 2007-09-27 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
JP5228286B2 (ja) * 2006-06-02 2013-07-03 株式会社リコー 結晶成長装置
JP5044311B2 (ja) * 2006-09-13 2012-10-10 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の育成方法
JP5129527B2 (ja) 2006-10-02 2013-01-30 株式会社リコー 結晶製造方法及び基板製造方法
CN101583745B (zh) 2006-11-14 2012-07-25 国立大学法人大阪大学 GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置
JP4433317B2 (ja) 2006-12-15 2010-03-17 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
JP4821007B2 (ja) * 2007-03-14 2011-11-24 国立大学法人大阪大学 Ｉｉｉ族元素窒化物結晶の製造方法およびｉｉｉ族元素窒化物結晶
WO2008117571A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法
WO2008117564A1 (ja) 2007-03-27 2008-10-02 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法
JP5113097B2 (ja) * 2009-01-23 2013-01-09 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP5328682B2 (ja) * 2010-01-13 2013-10-30 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP5887697B2 (ja) * 2010-03-15 2016-03-16 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法
JP2012012259A (ja) 2010-07-01 2012-01-19 Ricoh Co Ltd 窒化物結晶およびその製造方法
JP5842490B2 (ja) * 2011-09-14 2016-01-13 株式会社リコー １３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板
JP5953684B2 (ja) 2011-09-14 2016-07-20 株式会社リコー １３族窒化物結晶の製造方法
JP6098028B2 (ja) 2011-09-14 2017-03-22 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、１３族窒化物結晶基板および製造方法
JP5423832B2 (ja) * 2012-04-23 2014-02-19 株式会社リコー 結晶成長装置
JP2016172692A (ja) * 2016-07-08 2016-09-29 株式会社リコー 窒化物結晶およびその製造方法

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