JP4778693B2 - 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びプラズマディスプレイパネル用保護膜 - Google Patents
単結晶酸化マグネシウム焼結体及びプラズマディスプレイパネル用保護膜 Download PDFInfo
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Description
第一に、大面積のガラス誘電体層に対してMgO膜を均一に生成させることが困難であり、膜厚分布が均一とならない。このように均一性が十分でないMgO膜を成膜したガラス誘電体層をPDPに組み込んだ場合は、電気的特性、例えば放電開始電圧や駆動電圧が上昇したり、変動するなどの問題が生じる。一方、膜厚分布を均一にするためには、成膜速度を小さく制御する必要があり、生産性が著しく低下するという問題もある。
単結晶MgOは、従来含有される不純物量が多いと考えられていたが、本発明者らは、検討を重ねた結果、不純物成分の全てが最終的に得られるMgO膜の特性を低下させるのではなく、その中にはMgO膜の特性を改善する成分も含まれていることを見出した。
1.焼結体製造用単結晶MgO粉末の調製
出発原料粉末として、純度99.0質量%以上の単結晶MgO粉末(商品名SSP、タテホ化学工業株式会社製、B含有量1ppm以下)を使用した。この原料粉末を粉砕して平均粒径10μm以下にしたMgО粉末Aと、平均粒径600μmのMgО粉末B(16−42mesh)の、平均粒径分布の異なる2種類のMgО粉末A,Bを、重量比で6:4で混合し、平均粒径250μmの混合MgО粉末を得た。
上記により得られた混合MgО粉末にバインダー(商品名メトローズ90SH−400、信越化学株式会社製)を6質量%になるように混合した。この混合工程は、パワーニーダー(DALTON社製 PK型)を使用し、回転数250rpmで5分間運転することにより実施した。
Rigaku RINT-1400 X-Ray diffractometerを使用し、設定管電圧50kV、設定管電流40mAで、CuKα特性X線を使用し、フィルタNi、サンプリング角度0.020°、資料回転速度30rpm、スキャンスピード4,000°/min、積算回数1回、スリット設定:発散スリット1°、散乱スリット1°、受光スリット0.30mm、モノクロ受光スリット0.80mmの条件で、上記の単結晶MgO焼結体をそのままセットし、(111)面及び(200)面の強度(cps)、これらの2つの面の強度比[(200)/(111)]、並びに、(200)面の半価幅をそれぞれ測定し、得られた結果を表1に示した。なお、表1には、焼結体中の粒径200μm以上の粒子の含有量も併せて示した。
上記により得た単結晶MgO焼結体をターゲット材として用い、ステンレス基板に電子ビーム蒸着装置を使用して100nmの厚さに成膜することにより測定試料を作製した。
出発原料粉末として、純度99.0質量%以上の単結晶MgO粉末(商品名SSP、タテホ化学工業株式会社製、B含有量1ppm以下)を使用した。この原料粉末を粉砕して平均粒径10μm以下にしたMgО粉末Aと、平均粒径600μmのMgO粉末B(16−42mesh)の、平均粒径分布の異なる2種類のMgО粉末A,Bを、重量比で5:5で混合し、平均粒径310μmの混合MgО粉末を得た。この混合MgO粉末を使用し、上記実施例1と同様にしてMgO焼結体を製造し、その焼結体をターゲット材としてMgO膜を成膜し、同様にX線プロファイル及び放電特性を測定して、得られた結果を表1及び図1に示した。
出発原料粉末として、純度99.0質量%以上の単結晶MgO粉末(商品名SSP、タテホ化学工業株式会社製、B含有量1ppm以下)を使用した。この原料粉末を粉砕して平均粒径10μm以下にしたMgО粉末Aと、平均粒径600μmのMgO粉末B(16−42mesh)の、平均粒径分布の異なる2種類のMgО粉末A,Bを、重量比で4:6で混合し、平均粒径360μmの混合MgО粉末を得た。この混合MgO粉末を使用し、上記実施例1と同様にしてMgO焼結体を製造し、その焼結体をターゲット材としてMgO膜を成膜し、同様にX線プロファイル及び放電特性を測定して、得られた結果を表1及び図1に示した。
出発原料として純度99.0質量%以上の高純度多結晶MgO粉末(平均粒径2〜8μm)を用意した。このMgO粉末に対し、バインダーとしてPVAを2質量%添加し、さらにエタノールを分散媒としてスラリー濃度50%となるように調整し、24時間ボールミルにて混合撹拌してスラリーを得た。次に、このスラリーをスプレードライヤーにて噴霧乾燥し、平均粒径200μmの造粒粉末を得た。以下、上記実施例1と同様にして、MgO焼結体を製造し、その焼結体をターゲット材として用いてMgO膜を成膜し、同様にX線プロファイル及び放電特性を測定し、得られた結果を表1及び図1に示した。
出発原料粉末として、純度99.0質量%以上の単結晶MgO粉末(商品名SSP、タテホ化学工業株式会社製、B含有量1ppm以下)を使用した。この原料粉末を粉砕して平均粒径10μm以下にしたMgO粉末Aに対し、バインダーとしてPVAを2質量%添加し、さらにエタノールを分散媒として添加してスラリー濃度が50%となるように調整し、24時間ボールミルにて混合撹拌してスラリーを得た。次いで、このスラリーをスプレードライヤーにて噴霧乾燥することにより造粒し、平均粒径200μmの顆粒粉末を得た。この顆粒粉末を使用し、上記実施例1と同様にしてMgO焼結体を製造し、その焼結体をターゲット材としてMgO膜を成膜し、同様にX線プロファイル及び放電特性を測定し、得られた結果を表1及び図1に示した。
Claims (3)
- 粒径200μm以上の粒子の含有量が全体の40〜60質量%であり、残余が粒径10μm以下の粒子である単結晶MgO混合粉末を圧縮成型し、焼結して得られた真空蒸着法のターゲット材用の酸化マグネシウム焼結体であって、X線回折法により測定したプレス面の(200)面のX線強度及び(111)面のX線強度を、それぞれaカウント毎秒及びbカウント毎秒としたとき、20<a/b<300であることを特徴とする、酸化マグネシウム焼結体。
- X線回折法により測定したプレス面の(200)面のX線ピークの半価幅が0.140以下である、請求項1記載の酸化マグネシウム焼結体。
- 請求項1又は2記載の酸化マグネシウム焼結体を使用したプラズマディスプレイパネル用保護膜を成膜するためのターゲット材。
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