JP4759483B2 - フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の塗布方法およびレジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、前記フォトレジスト組成物の塗布方法および前記フォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法を提供することをも目的とする。
(A)アルカリ可溶性樹脂、
(B)感光剤、および
(C)一般式(1):
CH2=CR1COOCH2CH2C8F17・・・・・・(1)
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。)
で表されるフッ素化アルキル基含有単量体(m1)と、
一般式(2):
CH2=CR2COO(C3H6O)nH・・・・・・・・(2)
(式中、R2は水素原子又はメチル基であり、nは分布の平均値として4〜7である。)
で表されるポリオキシプロピレン鎖含有単量体(m2)からなる単量体混合物(m)を重合して得られる共重合体(P)であって、前記単量体混合物(m)中の前記単量体(m1)および(m2)の混合比(m1)/(m2)が25/75〜40/60(重量比)であり、且つ前記共重合体(P)の重量平均分子量が3,000〜10,000であるフッ素系界面活性剤
を含有することを特徴とする、LCD−TFT基板製造用吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物に関する。
〔フッ素系界面活性剤〕
本発明のLCD−TFT基板製造用吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物における特徴をなす、前記(C)成分のフッ素系界面活性剤から説明する。前記(C)成分のフッ素系界面活性剤は、当該フォトレジスト組成物の吐出ノズル式コーターを用いた塗布工程において、塗布性を向上させるために必要不可欠な成分であり、下記一般式(1)で表される単量体(m1)と下記一般式(2)で表される単量体(m2)を共重合して得られる重合型界面活性剤である。
CH2=CR1COOCH2CH2C8F17・・・・・・(1)
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。)
CH2=CR2COO(C3H6O)nH・・・・・・・・(2)
(式中、R2は水素原子又はメチル基であり、nは分布の平均値として4〜7である。)
重合開始剤としては、日本油脂株式会社製パーヘキサHC、パーヘキサTMH、パーヘキサC、パーヘキサV、パーヘキサ22、パーヘキサMC等のパーオキシケタール類、パーロイル355、パーロイルO、パーロイルL、パーロイルS、ナイパーBW、ナイパーBMT等のジアシルパーオキサイド、パーロイルTCP等のパーオキシジカーボネート、パーシクロND、パーヘキシルND、パーブチルND、パーヘキシルPV、パーブチルPV、パーヘキサ250、パーオクタO、パーヘキシルO、パーブチルO、パーブチルIB、パーブチルL、パーブチル535、パーヘキシルI、パーブチルI、パーブチルE、パーヘキサ25Z、パーブチルA、パーヘキシルZ、パーブチルZT、パーブチルZ等のパーオキシエステル類、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(例えば、大塚化学株式会社製AIBN)、2,2’−アゾビス−2−メチルブチロニトリル(例えば、大塚化学株式会社製AMBN)、2,2’−アゾビス−2−ジメチルバレロニトリル(例えば、大塚化学株式会社製ADVN)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)(例えば、和光純薬工業株式会社製V−601)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)(例えば、和光純薬工業株式会社製V−40)、2,2’−アゾビス−[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド](例えば、和光純薬工業株式会社製VF−096)、1−[(シアノー1−メチルエチル)アゾ]ホルムアミド(例えば、和光純薬工業株式会社製V−30)、2,2’−アゾビス−(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)(例えば、和光純薬工業株式会社製VAm−110)、2,2’−アゾビス−(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)(例えば、和光純薬工業株式会社製VAm−111)等が挙げられる。尚、本発明が上記具体例によって何等限定されるものでないことは勿論である。
一方、本発明のLCD−TFT基板製造用吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物のアルカリ可溶性樹脂(A)としては、例えばノボラック樹脂、フェノール性水酸基を有するビニル重合体、カルボキシル基を有するビニル重合体などが挙げられ、ノボラック樹脂が好ましいものである。アルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェノール類の少なくとも1種とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを重縮合することによって得られるノボラック型のフェノール樹脂である。使用されるフェノール類としては、例えば、フェノール;p−クレゾール、m−クレゾールおよびo−クレゾールなどのクレゾール類;3,5−キシレノール、2,5−キシレノール、2,3−キシレノール、3,4−キシレノールなどのキシレノール類;2,3−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、2,6−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノール、3,5−ジメチルフェノールなどのジメチルフェノール類;2,3,4−トリメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、2,4,5−トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール類;2−t−ブチルフェノール、3−t−ブチルフェノール、4−t−ブチルフェノールなどのt−ブチルフェノール類;o−クロロフェノール、m−クロロフェノール、p−クロロフェノール、2,3−ジクロロフェノールなどのクロロフェノール類;m−メトキシフェノール、p−メトキシフェノール、o−メトキシフェノール、2,3−ジメトキシフェノール、2,5−ジメトキシフェノール、3,5−ジメトキシフェノールなどのメトキシフェノール類;p−ブトキシフェノール、;o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、2,3−ジエチルフェノール、2,5−ジエチルフェノール、3,5−ジエチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、3,4,5−トリエチルフェノールなどのエチルフェノール類;レゾルシノール、2−メチルレゾルシノール、4−メチルレゾルシノール、5−メチルレゾルシノールなどのレゾルシノール類;p−イソプロピルフェノール;α−ナフトール、β−ナフトールなどのナフトール類;メチレンビスフェノール、メチレンビスp−クレゾール、カテコール、などが挙げられる。これらフェノール化合物は、単独でまたは2種以上の混合物として用いることができる。
また、感光剤(B)としては、キノンジアジド基を含む感光剤が代表的なものとして挙げられる。キノンジアジド基を含む感光剤としては、従来キノンジアジド−ノボラック系レジストで用いられている公知の感光剤のいずれのものをも用いることができる。好ましいものとしては、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと、これら酸クロリドと縮合反応可能な官能基を有する低分子化合物または高分子化合物とを反応させることによって製造したものが挙げられる。ここで酸クロリドと縮合可能な官能基としては水酸基、アミノ基等が挙げられるが、特に水酸基が好適である。水酸基を含む低分子化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン等のビス((ポリ)ヒドロキシフェニル)アルカン類、4,4’,3”,4”−テトラヒドロキシ−3,5,3’,5’−テトラメチルトリフェニルメタン、4,4’,2”,3”,4”−ペンタヒドロキシ−3,5,3’,5’−テトラメチルトリフェニルメタン等のポリヒドロキシトリフェニルメタン類等が挙げられ、水酸基を含む高分子化合物としては、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、カリックスアレン類等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。キノンジアジド基を含む感光剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100重量部当たり、通常5〜50重量部、好ましくは10〜40重量部である。
本発明のLCD−TFT基板製造用吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂および感光剤を溶解させる溶剤が含有される。溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用される。
撹拌装置、コンデンサー、温度計、滴下ロートを備えたガラスフラスコに重合溶媒としてメチルイソブチルケトン(MIBK)を133重量部仕込んだ。
一方、フッ素化アルキル基含有単量体(m1)として、
CH2=CHCOOCH2CH2C8F17(m1−1)
を33重量部、ポリオキシプロピレン鎖含有単量体(m2)として、
CH2=CCH3COO(C3H6O)nH (nの平均5)(m2−1)
を67重量部、重合開始剤としてt−ブチルパーオキシ−2―エチルヘキサノエート(日本油脂株式会社製パーブチルO、以下「p−O」と略す。)を7重量部、MIBKを100重量部予め混合し均一な溶液とし、滴下ロートに仕込み滴下液とした。
合成例1における滴下液中の単量体組成および重合条件を表1に示す条件に変更した以外は、合成例1と同様の条件にて共重合体P−2〜P−9を合成した。
表1には、共重合体Pの組成、重合条件と共に、得られた重合体の重量平均分子量を併記する。
尚、表1中に記載のm2’−1は、以下の単量体である。
CH2=CCH3COO(C2H5O)nH (nの平均は8)(m2’−1)
m−クレゾール/p−クレゾールを6/4の比率で混ぜた混合クレゾール100重量部に対し、37重量%ホルムアルデヒド56重量部、蓚酸2重量部の割合で仕込み、反応温度100℃で5時間反応させた。このノボラック樹脂のGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量はMw=15,200であった。
2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルフォニルクロライドを1.0/2.5の仕込み比(モル比)でジオキサン酸中に溶解し、トリエチルアミンを触媒として常法によりエステル化した。生成したエステル(B−1)をHPLCにより測定したところ、モノエステルが5%、ジエステルが42%、トリエステルが13%、テトラエステルが39%であった。
2,3,4,−トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルフォニルクロライドを1.0/2.0の仕込み比(モル比)でジオキサン酸中に溶解し、トリエチルアミンを触媒として常法によりエステル化した。生成したエステル(B−2)をHPLCにより測定したところ、ジエステルが29%、トリエステルが63%であった。
合成例10で得られたノボラック樹脂100重量部および合成例11で得られた感光剤(B−1)25重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、更に合成例1で得られた共重合体P−1を全固形分に対し8,000ppm添加して攪拌した後、0.2μmのフィルターでろ過して、本発明のフォトレジスト組成物を調製した。この組成物を塗布装置(伊藤忠産機社製、製品名;卓上型ダイコーター)を用いて、Cr膜が形成されたガラス基板(120mm×230mm)上に塗付ギャップ:50μm、ノズルスキャンスピード:100mm/sec条件でスリット塗布し、100℃、90秒間ホットプレートにてベーク後、1.5μm厚のレジスト膜を得た。このレジスト膜の表面をナトリウムランプ下で目視により観察し、下記評価基準に基づいて縦筋斑、横段斑およびモヤ斑の評価を行った。結果を表3に示す。尚、表2には、実施例、比較例のフォトレジスト組成物の組成をまとめて示す。
○:ムラは観察されなかった。
△:ムラが一部観察されるが、許容できる。
×:ムラが多く観察され、許容できない。
共重合体P−1の添加量を8,000ppmに代えて6,000ppmとすることを除き実施例1と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体P−1の添加量を8,000ppmに代えて4,000ppmとすることを除き実施例1と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体P−1の添加量を8,000ppmに代えて2,000ppmとすることを除き実施例1と同様にして、表3の結果を得た。
感光剤の種類を合成例11で得られた感光剤(B−1)に代えて合成例12で得られた感光剤(B−2)とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例2で得られた共重合体P−2とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例3で得られた共重合体P−3とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例4で得られた共重合体P−4とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体P−1を添加しないこと以外は実施例2と同様に行い、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例5で得られた共重合体P−5とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例6で得られた共重合体P−6とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例7で得られた共重合体P−7とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例8で得られた共重合体P−8とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
共重合体Pの種類を合成例1で得られた共重合体P−1に代えて合成例9で得られた共重合体P−9とすることを除き実施例2と同様にして、表3の結果を得た。
以上詳述したように、本発明は、フッ素化アルキル基含有単量体(m1)とポリオキシプロピレン鎖含有単量体(m2)からなる単量体混合物を重合して得られる共重合体をフォトレジスト組成物塗布性向上剤として用い、これをフォトレジスト組成物に添加することにより、吐出ノズル式塗布法特有の縦筋斑、横段斑およびモヤ斑の改善がなされる等、塗布性に優れたフォトレジスト組成物を得ることができる。この結果、特に本発明のフォトレジスト組成物を用いて、大型基板によりフラットパネルディスプレイ(FPD)を効率よく、また高品質で製造することができ、得られたFPDは表示ムラのない高品質の製品となるという極めて優れた効果を得ることができる。
Claims (4)
- (A)アルカリ可溶性樹脂、
(B)感光剤、および
(C)一般式(1):
CH2=CR1COOCH2CH2C8F17・・・・・・(1)
(式中、R1は水素原子又はメチル基である。)
で表されるフッ素化アルキル基含有単量体(m1)と、
一般式(2):
CH2=CR2COO(C3H6O)nH・・・・・・・・(2)
(式中、R2は水素原子又はメチル基であり、nは分布の平均値として4〜7である。)
で表されるポリオキシプロピレン鎖含有単量体(m2)からなる単量体混合物(m)を重合して得られる共重合体(P)であって、前記単量体混合物(m)中の前記単量体(m1)および(m2)の混合比(m1)/(m2)が25/75〜40/60(重量比)であり、且つ前記共重合体(P)の重量平均分子量が3,000〜10,000であるフッ素系界面活性剤
を含有することを特徴とする、LCD−TFT基板製造用吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物。 - 前記アルカリ可溶性樹脂(A)がノボラック樹脂であり、且つ前記感光剤(B)がキノンジアジド基を含む化合物であることを特徴とする請求項1記載のLCD−TFT基板製造用吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物。
- 請求項1または2に記載の吐出ノズル式塗布法フォトレジスト組成物を吐出ノズル式塗布法により基板に塗布することを特徴とするフォトレジスト組成物の塗布方法。
- 請求項3に記載の方法により基板上にフォトレジスト膜を形成し、露光後現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
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