JP4741840B2 - 薄膜バッテリー - Google Patents
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Description
exturing)を高度に示し、酸素、コバルトおよびリチウムの層は基板に対して概ね垂直に、つまり図2に示す(101)平面のように配位している。リチウム平面が電流の方向に平行に配向しているため、この配位は、リチウムイオンの正極を通過する高度な拡散を与えるので、好ましい。アニーリングの際の極端な加熱は、下にある強固な基板表面に対して概ね平行に配位された大容積の歪みエネルギーを生じるので、好ましい配位が生まれると考えられる。結晶が生成する際、それはエネルギー歪みが最小である方向に自然に成長し、アニーリング過程そのものおよびその結果たる容積歪みエネルギーは、下にある基板表面に対して概ね垂直な方向への結晶成長を促進し、この方向は、結晶を通過するイオン拡散に対する好ましい配位でもある。
板の厚さおよび重量である。基板の寸法のため、これらのバッテリーはエネルギー密度および比エネルギーに関して他の処方物との競争力がなかった。高エネルギー密度セルは首尾よく製作されてこなかった。支持基板はアルミナ、サファイア、シリカガラス、および他の種類の様々なセラミック材料の比較的厚いシートからつくられてきた。これらのバッテリーの基板は典型的に、全重量の95%を越え、そしてより大きくさえある容積百分率を占め、従って、少量のバッテリー重量およびバッテリー容積が活性物質に帰着される。バッテリーの総体的な重量および容積に対する活性物質のこの比率はこれらのバッテリーの用途を限定する。さらにまた、セラミック物質などは一般に柔軟性に欠ける。このため、セラミック物質は、『スマートカード』への応用におけるように、曲げられる位置に置かれるバッテリーをつくるのに利用されることはできない。
atteries With Lithium Cobalt oxide Catho
des, in the Journal of The Electrochemical Society, Vol. 143, No 10中に教示されているような)に基づき
、600℃未満の温度でアニーリングされたLiCoO2は、微細構造に著しい変化はな
く、従って、リチウムの配位は不定形のままである。この無定形の状態は、酸素およびコバルトの層を通じてのリチウムイオンの拡散を制限し、従って、大きな内部セル抵抗を生じる結果、大きな容量損失が起きる。
れた負極電流収集体を包含する。
25〜75ミクロンの厚さを有するFPC−KN型のKapton層であるのが好ましい。パッシベーション層は、LiPON(リチウムリンオキシナイトライド、典型的にはLi2.9PO3.3N0-46)またはパリレンの層であろう。正極電流収集体はニッケルからつくられるのが好ましいが、金、白金、コバルト、バナジウムまたはマンガンのような他の金属からもつくられてよい。正極12はリチウム挿入化合物、好ましくはLiCoO2、L
iNiO2、V2O5、V6O13、LixMn2O4、TiS2または他の類似の物質からつくられる。電解質はLiPONのような固体状態の電解質15であるのが好ましい。負極14は窒化錫(Sn3N4)またはリチウム金属の層からつくられるのが好ましい。最後に、負極電流収集体16は銅、ニッケル、金または他の好適な金属からつくられるのが好ましい。
グされる。次いでLiCoO2層は正極電流収集体とポリイミド支持基板11との組み合
わせ上に約1〜4ミクロンの厚さまで付着される。LiCoO2は30ミリトルのアルゴ
ンと酸素との混合物(Ar:O2=20:1)の雰囲気を用いて3W/cm2のRF動力で付着される。付着過程に際して到達する最大の定常状態温度は150℃である。
理されることができる。1,000〜5,000オングストロームごとのLiCoO2 正極
が付着された後に、加えられる動力は効果的なスパッタリングが起きないところまで減少される。しかしながら、基板の表面上には十分に低エネルギーのプラズマがまだ存在する。イオンの衝撃を増大しそしてプラズマ処理によってLiCoO2膜を結晶化するために基板のバイアス(付着過程に際して加えられる動力の1〜20%)が調整される。各々の処理は、新規に付着される膜の厚さに応じて1〜30分継続する。基板のバイアスは、スパッタリング過程に際してLiCoO2層の応力を効果的に制御するためにも用いることができる。LiCoO2の応力を制御するのに用いることができる他のパラメータは、加えられる動力と基板バイアスとの間の位相の差異(0〜90°)である。ポリイミド基板上に付着されるLiCoO2膜は、その結晶性構造を強化するために300〜350℃の温度で後−アニーリングされることもできる。
使用して正極層が再度クリーニングされる。チャンバーは約10-7トルの基礎圧力を有する。スパッタリングの標的は5ミリトルの窒素ガスを用いて1.6w/cm2のRFパワーで5〜30分予備スパッタリングされる。予備スパッタリング工程の後、バッテリーセルの組み合わせが装荷物固定チャンバーから付着チャンバーの移される。次いでLiPON電解質15の膜が、5ミリトルの窒素ガス雰囲気を用いて基板/正極電流収集体/正極の組み合わせ上に1.6W/cm2のRF動力で付着される。
ことを理解すべきである。
有する。図4に示すように、『付着したままの』膜について通常すでに存在する、不定形の正極101および104の反射と関連するx線回折における小さな幅広のピークP1およびP2は、本発明の正極のピークP3およびP4によって示されるように、右へと、または完全に形成された構造に対するピークの位置に向かって移動する。このx線回折データは、本方法に際してのLiCoO2の300℃でのアニーリングが、ピークP5および
P6によって示される700℃でアニーリングされたLiCoO2 正極と同じピーク位置
P3およびP4を示すことを指し示す。この差異は、P3およびP4の相対的なピーク高さが、より高い温度でアニーリングされたもの(P5およびP6)のそれより小さいことである。このことは、本方法の下で付着されたLiCoO2膜が好ましい配位へと概ね結
晶化されていることを意味する。
群)および図5Bに示される本発明の300℃の低温方法の膜(B群)は類似する容量をやはり示す。B群(300℃)のバッテリーの平均容量はA群(700℃)のバッテリーのそれより約20%少ないことが分かる。この対比は、容量の差異が著しく大きかった、先行技術での従来の低温方法と対比する場合、極めて近似している。さらにまた、これらの2つの群の長期間の容量低落、つまりバッテリーがサイクルされるであろう回数は、図5Aおよび5Bの比較によって示されるようにやはり極めて似ている。再言すると、このことは、先行技術の低温で製作された正極に対して有利性を生む。
Claims (4)
- ポリイミド支持基板;
このポリイミド支持基板上に付着されたパリレン物質またはリチウムリンオキシニトライド物質であるパッシベーション層;
このパッシベーション層上に取り付けられた正極電流収集体;
この正極電流収集体に結合された結晶化されたリチウム挿入化合物の正極;
このリチウム挿入化合物の正極上に付着された電解質;
この電解質上に付着された負極;および
この負極に結合された負極電流収集体
を包含する薄膜リチウムバッテリー。 - ポリイミド支持基板が、加熱過程により脱水されたポリイミド物質である請求項1に記載の薄膜リチウムバッテリー。
- ポリイミド支持基板が、ポリ(ピロメリトイミド−1,4−ジフェニルエーテル)物質である請求項1に記載の薄膜リチウムバッテリー。
- ポリイミド支持基板が、加熱過程により脱水されたポリイミド物質である請求項3に記載の薄膜リチウムバッテリー。
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