JP4688983B2 - 誘導結合型ｈｄｐ−ｃｖｄリアクター - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、半導体基板を処理する装置及び方法に関し、さらに詳しくは、基板上に薄膜、好ましくはαＣ，αＦＣ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ドープ処理されたＳｉＯ2 ，ドープ処理されていないＳｉＯ2 及びＢｉＮの薄膜を堆積するための高密度プラズマ（ＨＤＰ）化学気相堆積（ＣＶＤ）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、反応性イオンエッチング等の半導体処理に用いられるプラズマ装置は、誘導結合又は容量結合のいずれかを使用して、プラズマの点火及び維持をすることが典型的である。誘導結合プラズマが容量結合プラズマより有利な点は、誘導結合プラズマが、基板に印加するバイアス電圧がずっと低い状態で発生するので、基板を損傷する可能性が低下することである。さらに、誘導結合プラズマは、容量結合プラズマよりもはるかに低い圧力で作動するけれども、より高いイオン密度を有しており、それにより、より高い堆積速度及びより長い平均自由行程をもたらす。これらの利点により、処理中にその場スパッタリング（in situ sputtering）、及び／又は、イオン指向性（ion directionality）がもたらされる。
【０００３】
最近になって、高密度プラズマ（ＨＤＰ）ＣＶＤプロセスを用いて、化学反応と物理的なスパッタリングとの組み合わせがなされるようになっている。ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスは、基板表面の近傍の反応領域に高周波（ＲＦ）エネルギを印加することによって反応ガスの解離を促進し、高反応性イオン種のプラズマを生成する。また、比較的不活性なイオン成分すなわちＡｒは、被堆積薄膜材料をスパッタ率曲線に基づき薄膜の断面形状に沿って特定の領域から選択的に除去するために使用される高い運動量（電界）を与えられる。放出したイオン種の反応性が高いので、化学反応が起きるために必要なエネルギを減らし、かくして、これらのプロセスに必要な温度を低める。
【０００４】
大抵のＨＤＰ−ＣＶＤプロセスの目標は、基板の表面全体に均一な厚さの薄膜を堆積し、同時に、基板上に形成された電線路とその他の特徴部分との間の適正なギャップの埋込みをも行うことである。堆積の均一性及びギャップ・ビアの埋込みは、電源の構成と、ガス流量の変化と、高周波発生電源の出力と、バイアス高周波発生電源の出力と、ノズルの配置分布の対称性、ノズルの数、基板サポートの上に配設されるノズルの高さ及び基板サポートに対するノズルの横方向の位置を含むガスノズルの設計とに、非常に影響されやすい。かかる装置内部で行われるプロセスや処理ガスが変化すると、これらの変数も変化する。
【０００５】
半導体の製造の際に直面する問題の１つに、基板の上に均一な密度のプラズマの発生及び維持がある。プラズマの均一性は、装置の内外へ流れるガス流量だけでなく、装置内で発生する磁界及び電界にも依存する。基板の大きさが増すにつれ、すなわち３００mmにまで増大すると、より広い領域全体で均一性を達成することはいっそう困難になる。
【０００６】
堆積の均一性に影響を及ぼす他の問題に、基板表面全体における不均等なガス分布がある。一般的に、処理領域の周縁部にはガスプレナムが設けられており、また、基板表面にガスを供給するために、複数のノズルが半径方向に内向きに向かって延びている。用途によっては、基板表面全体においてガスが不均等に分配されて、基板の縁部の方にガスがより多くもたらされ、基板の中央部の方にガスがそれほどもたらされない傾向がある。さらに、反応ガスは、チャンバ内への導入の前に、ガス噴射装置内で混合されることが一般的である。このような場合、材料がガス噴射装置それ自体の内部で堆積する傾向があり、それによって、一部のガス噴射装置が目詰まりを起こし、不均等なガス分布がさらに強められる。
【０００７】
さらに、他の問題としては、基板表面全体の温度を均等に維持することがある。基板を処理するときに、基板表面がプラズマ放射やイオン衝突にさらされるため、かなりの熱負荷が存在する。もし基板表面に温度勾配が存在すると、薄膜の堆積が不均等に進行する可能性がある。したがって、基板の温度を正確に制御することが重要である。
【０００８】
他の問題に、装置自体に対する材料の堆積がある。処理中に、堆積材料が、基板支持部材やガス分配部品等チャンバ全体に堆積する。長い間、上述の材料の堆積物は剥離してチャンバ内に落下し、その結果、被製造デバイスの完全性を損なう基板の粒子汚染物質となる。したがって、装置は定期的にクリーニングしなければならない。好ましいクリーニングの方法は、チャンバにクリーニングガスを導入し、被堆積材料と反応させて、チャンバから排出できる生成物を形成することである。典型的には、フッ化ガス(fluorinated gas)等のクリーニングガスをチャンバに導入すると、チャンバ内でプラズマが点火する。その結果得られる励起生成物は堆積材料と反応し、気相の副生成物が作られて、それから、チャンバから排気される。このような工程における問題の１つに、一般的にクリーニングがプラズマに隣接する領域のみに局在化されるのが典型的であることがある。露出したチャンバの全表面のクリーニングを高めるため、クリーニング工程の実施時間を増しているが、そのために、スループットが低下し、及び／又は、高い温度を用いてクリーニング工程を行っているが、そのために、チャンバ表面には事実上過剰にクリーニングされるところがあり、消耗部品のコスト及び／又は保守間隔が増大する。
【０００９】
したがって、製造価値を高める方法で、クリーニング機能の強化及びスループットの向上を含む、基板にＣＶＤ薄膜を形成するための条件の均等性を高める製造装置が必要とされる。
【００１０】
【発明の概要】
本発明の実施態様ではＨＤＰ−ＣＤＶ装置が提供され、ドープされた二酸化ケイ素やドープされていない二酸化ケイ素の堆積及びスパッタリングを使用し、アスペクト比が１．２：１より高い０．５ミクロン未満の特定の寸法を有するウェハに対して、優れたギャップ埋込みやブランケット膜の堆積を可能にしている。本発明の装置は、２重ＲＦ領域誘電結合プラズマ源、２重領域ガス分配装置、温度制御されるチャンバ部品、対称形のターボ分子ポンプで真空排気されるチャンバ本体、２重の冷却領域静電チャック、全セラミック／アルミニウム合金製チャンバ構造体、及び、プラズマチャンバクリーニング遠隔装置を含んでいる。
【００１１】
【好ましい実施形態の説明】
本発明の上記の特徴、利点及び目的を達成する方法を詳細に理解することができるよう、上記に要約された本発明のより詳細な説明を、添付図面に示されている実施形態を参照して行う。
【００１２】
しかしながら、添付図面は本発明の基本的な実施形態にすぎず、それゆえ、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではなく、同等の作用効果のある他の実施形態に導いてもよいことは留意すべきである。
【００１３】
本発明の装置を、以下の各サブアセンブリ、すなわち、チャンバ本体、チャンバのリッド(lid)アセンブリ、陰極並びにリフトアセンブリ、プロセスキット、ガス分配アセンブリ及び遠隔プラズマ源を参照して、以下詳細に説明する。
【００１４】
チャンバ本体
図１は、本発明の処理装置１０の断面図である。処理装置１０はチャンバ本体１２、リッドアセンブリ１４及び取外し可能な片持ち式の基板支持部材１６を含んでいる。これら部材は組合わされて、基板の処理を行なう真空排気可能な密閉容器及び排気通路２２を、物理的及び電気的に対称に形成する。
【００１５】
好適には、チャンバ本体１２は、機械加工された一体の構造体であり、内側の環状処理領域２０を画成し、また、下端部に向かってテーパをつけて同心の排気通路を画成している側壁部１８を有している。チャンバ本体１２は、スリットバルブ４４により密閉される基板入口ポート２４と、片持ち式の実装基板支持部材１６が配設される側方ポート２６を少なくとも含む複数のポートを画成している。基板入口ポート２４及び支持部材ポート２６は、チャンバ本体１２の対向側面部を貫いて配設されていることが好ましい。基板支持部材１６の上面とほぼ同じ高さにあるチャンバの側壁部１８の対向側面部において、２つの追加側方ポートが配設され、チャンバ側壁部１８に形成されたガスチャネル２８に接続されている。解離性フッ素含有ガス等のクリーニングガスは、遠隔プラズマ源３０からチャネル２８内に向かい、そして、そのために設けられ且つ図１８に示されるガス入口ポートを介してチャンバ内に導入される。チャンバ内へ通じるポートの開口部の位置は、堆積が大量に生じるチャンバ領域の方にガスを向けるように提供されている。以下、遠隔プラズマ源及びクリーニングガスの送出を、詳細に説明する。
【００１６】
チャンバの側壁部１８の上面は、リッドアセンブリ３４のベースプレート３３が支持されているほぼ平坦な着地領域を画成している。その壁部１８の上面には、１以上のオー（Ｏ）リングの溝部が形成され、チャンバ本体１２とベースプレート３３との間の気密シール部を形成している。以下、リッドアセンブリを詳細に説明する。
【００１７】
基板支持部材１６は、チャンバ側壁部１８に形成された側方入口ポート２６を介して部分的に延び、フランジ４６に沿ったチャンバ側壁部１８に取り付けられて、チャンバの中央部にほぼ環状の基板収容面２００を提供している。支持部材１６がチャンバ内に配置されるときは、環状の支持部材１６の外壁部５０とチャンバ内壁部５２とが、支持部材１６の周縁部全体にほぼ均一な環状の流体通路２２を画成する。ほぼ均等な通路２２及び排気ポート５４は、支持部材の基板収容面とほぼ同心であることが好ましい。排気ポート５４は、支持部材１６の基板収容部分の中央下方に置かれ、均等な通路２２を通ってチャンバの外にガスを均等に吐出するようになっている。このことにより、基板周縁部全体を囲む基板表面についての均一なガスの流れが放射状に下方に向かい、そして、チャンバのベースの中央に配置された排気ポート５４を介して、チャンバから外方に向かって可能となる。均等な流体通路２２は、排気ポートに対して異なる近接性を有する基板位置のような、既存のチャンバには欠落している圧力と滞留時間との均等性を維持することにより、薄膜層を均等に堆積することを促進する。
【００１８】
チャンバ本体のテーパを付けた下部部分には、ツインブレードスロットルアセンブリ５６、ゲートバルブ５８及びターボ分子ポンプ６０を備えるポンプスタック(pumping stack)が取り付けられ、チャンバ内部の圧力制御を行うようにしている。ツインブレードスロットルアセンブリ５６及びゲートバルブ５８は、チャンバ本体１２とターボ分子ポンプ６０との間に設けられて、ゲートバルブ５８による分離、及び／又は、ツインブレードスロットルアセンブリ５６の設定により決定される０〜１３．３Ｐａ（０〜１００ｍＴｏｒｒ）の圧力における圧力制御を許容している。１６００Ｌ／秒のターボポンプが好適なポンプではあるが、しかしながら、所望のチャンバの圧力を達成することができる任意のポンプを使用することができる。フォアライン（foreline）５７が、ターボポンプから上流側及び下流側の位置にある排気ポート５４と接続されている。このことは後方排気能力を提供する。フォアラインは、基本的には粗引きポンプであるメインフレーム遠隔ポンプに接続されている。ポンプスタックにはポート５９が形成され、フォアラインのフランジ６１を取り付けている。チャンバのクリーニング中は、クリーニングガスは高速でチャンバ内に流し、それによりチャンバ内の圧力を増す。したがって、本発明の一態様では、ターボポンプをゲートバルブ５８によりチャンバから分離し、クリーニング中はメインフレームのポンプを使用して、チャンバ内部の圧力が維持されるようになる。
【００１９】
チャンバ内で基板の処理中は、真空ポンプはチャンバを真空排気し、０．５３３〜０．８００Ｐａ（４〜６ｍＴｏｒｒ）の範囲の圧力にして、それから、メータで計った処理ガス又はガスの流量を、ガス分配アセンブリを介してチャンバ内に供給する。チャンバの圧力は、チャンバの圧力を直接測定し、そして、排気速度を調整するためにバルブの開閉をする制御装置にこの情報を送ることによって制御する。ガスの流量／濃度は、処理レシピにおいて提供されたソフトウェアの設定値を介して、質量流量制御装置により直接制御する。また、排気ポート５４を通ってチャンバの外へ排気されるガスの流量を測定することにより、入口ガス供給源の質量流量制御装置（図示せず）は、チャンバ内の所望の圧力及びガス濃度を維持するために使用することができる。
【００２０】
チャンバリッドアセンブリ
基本的に、チャンバリッドアセンブリは３４は、エネルギ伝達ドーム３２と、エネルギ送出アセンブリ６２と、ヒンジ取付けベースプレート３３上に支持される温度制御アセンブリ６４とからなっている。ベースプレート３３は、ガス分配リングが配設される内部環状溝を画成している。ガス分配リングの最上部にはＯリング溝が形成されてＯリングを収容し、ドーム３２及びガス分配リングの最上部を密閉している。組み合わせによっては、リッドアセンブリが、プラズマ処理領域の他にエネルギ送出装置をも共に物理的に密閉して、処理を行うようにしている。好適には、様々な構成部品を収容するために、カバーがリッドアセンブリ全体を覆って設けられている。
【００２１】
基本的に、ドーム３２は、平坦な最上部６８により一端部に対して囲まれた円筒形の側壁部６６からなる。円筒形の側壁部は基板支持部材１６の上面に対しほぼ直角であり、平坦な最上部６８は基板支持部材１６の上面とほぼ平行になっている。側壁部と最上部との間の接合部７０は丸みを持ち、湾曲したドーム３２の内壁部を提供している。ドーム３２はＲＦエネルギに対して透過性のある誘電体材料、好ましくは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）又は石英（ＳｉＯ2）等のセラミックで作られている。
【００２２】
独立に電力供給される２つのＲＦコイル、すなわち最上部コイル７２及び側部コイル７４は、誘電体ドームの外側に巻き付けられている。側部コイル７４は、コイル７２とコイル７４間の電気的クロストーク(crosstalk)を減らすために、接地遮蔽で覆われることが好ましい。このようなＲＦコイル７２，７４は、２つの可変周波数ＲＦ電源７６，７８から電力供給される。
【００２３】
各電源には制御回路が含まれており、反射電力を測定し、また、ＲＦ発生装置内のデジタル制御シンセサイザを調整し、基本的に１．８ＭＨｚから周波数を掃引し始めて、反射電力を最小にしている。プラズマが点火すると、プラズマはコイルと並列な抵抗体として働くので、回路の状態は変化する。この段階で、ＲＦ発生装置は、再び最小反射電力点に達するまで周波数を掃引し続ける。電源回路は、最小反射電力点が達成される周波数又はその付近で、各組の巻線が共振するように設計されているので、巻線の電圧は十分に高くなって、プラズマを維持するのに十分な電流を流すことができる。かくして、周波数同調は、処理中に回路の共振点が変化した場合に、装置が共振周波数付近に維持されることを保証する。このように、周波数同調は、インピーダンス整合構成部品（例えばコンデンサやインダクタ）の値を変えることによって、インピーダンスの整合や回路の同調を行なう必要性を取り除いている。
【００２４】
たとえプラズマインピーダンスの変化によりインピーダンスの不整合が連続的に変わっても、各電源は、インピーダンスが不整合にもかかわらず所望の電力が負荷に送出されることを保証している。電力を負荷に対して正確に送出することを確実に行うために、各ＲＦ発生装置は反射電力自体を分散させて出力電力を増加させ、その結果、送出される電力が所望の水準を維持するようになる。
【００２５】
図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、独立した３つの局所ＲＦ整合部の構成を概略的に示したものである。図２（ａ）は、コイルＬの一方の端部を接地した整合部の構成を示したものである。２つのコンデンサＣ１，Ｃ２はＲＦ分圧器を形成している。図２（ｂ）には、両端の２つの分路コンデンサＣ２，Ｃ３を接地した平衡コイルＬを使用して負荷（プラズマ）周波数を整合する。最後に、図２（ｃ）には、コイルＬの両端の２つの可変コンデンサを接地したパイ（Ｂ）形の整合回路網が用いられている。大抵の従来のＲＦ発生装置の出力インピーダンスは５０Ωとなるように設計されているので、整合回路網２（ａ），（ｂ）又は（ｃ）を使用して、下限が５Ωから上限が９００Ωまで（平衡負荷の場合）のインピーダンスの範囲にあるプラズマに最大の電力を伝達することができる。このような２重コイル装置だと、リアクタチャンバ内で半径方向のイオン密度プロファイルの制御が可能となる。
【００２６】
図３は、コイルの形状寸法及び最上部コイル７２及び側部コイル７４のＲＦ給電部を主に示しているチャンバの概略側面図である。図２（ｃ）のところで説明したパイ形回路網の整合装置が図３に示されている。チャンバ１３内にはラングミュア(Langmiur)のプローブが導入されて、チャンバ１３全体の様々な位置におけるプラズマイオン密度を測定して、最上部コイルのみ及び側部コイルのみを使用してプラズマを発生させることができるようになっている。２重コイルの配置構成が、被処理の基板に適切に同調すると、基板の表面全体には均一なイオン密度をもたらすことができる。基板表面全体でイオンが均一になると、ウェハ上への均一な堆積及びギャップ埋込みの実行の一助となり、不均一なプラズマ密度によってデバイスのゲート酸化物がプラズマで荷電することを緩和するのに役立つ。コイルの動作が重ね合わせられたとき、プラズマ密度が均等に生じ、堆積特性を著しく改善することができる。
【００２７】
また、ドーム３２には温度制御アセンブリ６４が含まれ、様々な処理サイクル中、すなわち堆積工程やクリーニング中にドームの温度を調整するようにしている。図４は、温度制御アセンブリ６４及び最上部コイル７２の組立分解図である。基本的には、温度制御アセンブリは、相互に隣接して配設される加熱プレート８０と冷却プレート８２とを備えており、また、好適には、グラフォイル(grafoil)等の熱伝導材料からなる薄層８４をそれらの間に配設させている。好適には、約０．１０２〜０．２０３ｍｍ（約４〜８ｍｉｌ）のグラフォイルの層がそれらの間に配設されている。ＡＩＮプレートのような熱伝導性プレート８６が設けられ、その下面にはコイル７２を収容するために溝が形成されている。熱伝導性プレート８６と加熱プレート８０との間には、好ましくは、厚さが０．０２５〜０．１０２ｍｍ（１〜４ｍｉｌ）のグラフォイルからなる第２の層８８が配設されている。コイル７２とドーム３２との間には、熱伝導性の第３の層９０が配設されている。第３の層は、０．１０２〜０．２０３ｍｍ（４〜８ｍｉｌ）の厚さを有するチョメリックス材(Chomerics)からなる層であることが好ましい。熱伝導性の層はドーム３２との熱伝達を容易にする。クリーニング中はドームを加熱することが好ましい、一方で、処理中はドームを冷却することが好ましい。その結果、熱伝導性の経路が設けられて、これらの利点が達成されるようになる。
【００２８】
冷却プレート８２には、その内部に形成され、水のような冷却流体が流れる１以上の流体通路が含まれている。冷却プレート内の水路は、チャンバ本体に形成された冷却チャネルと直列になっている。急速脱着継手を備えたプッシュロック式ゴムホースにより、水がチャンバ本体及びリッドの冷却水路に供給される。戻りラインには、インターロック式のフロースイッチを備えた目視流量計がある。流量計は、約６０psiの圧力で０．８gpmの流量が得られるように工場で校正されている。ドームには、温度を測定するための温度センサが設けられている。加熱プレート８０は１以上の抵抗加熱エレメントを配設させて、クリーニング段階中にドームに熱を供給することが好ましい。好適には、加熱プレートは鋳造アルミニウムで作られているが、しかしながら、この分野で知られている他の材料を使用してもよい。ドームの温度を調整するために、制御装置は温度制御アセンブリに接続されている。
【００２９】
構成部品８０，８２，８４，８６及び８８はそれぞれ、最上部コイル７２の端部が延在している２つのチャネルを画成している。加熱プレート８０、冷却プレート８２及びグラフォイル層に形成された各チャネルには、２つの絶縁スリーブ９４，９６が配設されて、チャネル内に延びているコイルのリード線を絶縁するようにしている。絶縁スリーブには、その下端部に配設されたシリコン吸引カップが含まれ、絶縁プレート８６において密閉をするようにしている。
【００３０】
直接伝導により、加熱プレート８０及び冷却プレート８２を用いて、ドームの温度を制御するようにしている。ドームの温度を±１０Ｋ以内に制御することにより、ウェハの繰返し精度(wafer to wafer repeatability)や堆積密着性が改善され、また、チャンバ内に落下する破片や粒子が減ることが分かった。基本的に、ドームの温度は、処理要件によって１００〜２００℃の範囲内に維持されている。また、ドーム温度が高くなれば、より高いチャンバのクリーニング速度（エッチング速度）とより高い薄膜密着性とを得ることができることが示されている。
【００３１】
陰極及びリフトアセンブリ
次に、図５〜図１０を参照して、陰極及びリフトアセンブリについて説明する。基板支持部材には、チャンバの内部に配置可能なエレメントと、チャンバの外部に配置可能なエレメントとが含まれている。チャンバ内に配置可能な支持部材１６のエレメントは、チャンバの側壁部１８に設けられた連絡ポート２６を通ってチャンバ内部に延び、チャンバ外部に配置可能なエレメントにより側壁部に支持されている。図５は基板支持部材１６の断面図である。支持部材１６は、チャンバの壁部に取り付けるためのフランジ４６を有するベース９４、半径方向に内向きに延びている片持ち腕部分９６、及び片持ち腕部分９６の端部に配置された基板収容部分９８を備えている。フランジ４６は、基板支持部材連絡ポート２６の周囲のチャンバの壁部１８に、支持部材のベース９４を取り付けるものである。ベース９４はフランジ４６から内方に延び、片持ち内壁部分５１を画成している。片持ち壁部５１は弓形をなすもの、又は、チャンバの全体にわたる内径（Ｒ）とほぼ等しい半径（ｒ）を有する円弧であることが好ましい。周方向の片持ち壁部５１の表面は、チャンバの内壁部５２に隣接して収容されている。支持部材１６が図７に示されるように処理用のチャンバ内に配置されているときは、片持ち壁部５１がチャンバの内壁部５２と共に、対称的且つ連続的なチャンバ内壁部を形成する。
【００３２】
片持ち腕部９６はベース９４の下方部分から内側に向かって延びて、基板収容表面９９を有するＥＳＣ収容部分９８を支持している。ＥＳＣ収容部分９８は、上方に延びている環状のパイロット１００を含んでいる。環状パイロット１００には大内径部分と小内径部分とがあり、内部環状段を形成して絶縁部材１０２が支持されるようになっている。絶縁プレート１０２上にはＥＳＣ１０４が支持されて、基板収容表面９９が設けられることが好ましい。ＥＳＣ収容部分９８の外壁部５０は環状面を連続的に画成している。
【００３３】
また、ＥＳＣ収容部分９８には、基板位置決めアセンブリ１１０が配設されている凹部１０８が画成されている。収容部分の下方部分には、底部プレート１１２がねじを配置することにより固定され、支持部材１６の内部構成部品が処理環境から保護されるようになる。
【００３４】
図７は、チャンバ内に配設された支持部材１６を示す断面平面図である。片持ち腕部９６は対称的な流体通路２２を横切って延び、チャンバ内でＥＳＣ収容部９８を支持している。片持ち腕部は、半径方向の通路等の１つの通路又は複数の通路１１４を含むことにより、流体通路２２を通る流体の流れの遮断、制限又は妨害を最小限に抑制していることが好ましい。また、支持腕部１１６は、その内部に１以上の通路１１８を含んで、均等な流体通路内の流体の遮断、制限又は妨害を最小限にしていることが好ましい。
【００３５】
さらに、流体が片持ち腕部の内部及びその付近を通過するときに流体の遮断、制限又は妨害によって生じる基板表面付近のガスに対する影響をさらに最小にするために、片持ち腕部９６がＥＳＣ収容部分９８の基板収容表面から離れた位置、例えばＥＳＣ収容部分９８の底部に沿った位置等に取り付けられていることが好ましい。より基本的には、配置された基板の上の流体の流れに対する影響を回避するために、流体通路２２内の不均等性が最小限にされ、且つ、ＥＳＣ収容表面９８から十分な距離を置いて配置されることが好ましい。
【００３６】
基板リフトアセンブリ１２０には、半径方向に延びている複数の支持ピン１２２が含まれており、ＥＳＣ収容部材９８の周囲に間隔をおいて配列され、且つ、ウイング形取付プレート１２３上に収容されている。取付プレート１２３は、支持部材１６に形成されたほぼ矩形の凹部内に配設されており、垂直方向に移動可能なエレベータアセンブリ１２６によって動かされるようになっている。図５に示されるように、エレベータ機構１２６は、上端部に取付プレート１３０を取り付け、垂直方向に移動可能なシャフト１２８を含んでいる。シャフト１２８はアクチュエータ、好適にはチャンバの外部に配置される空気圧シリンダによって垂直方向に上下に移動するものになっている。
【００３７】
支持ピン１２２は、ＥＳＣ収容部材９８を垂直方向に通って配設された穴部１３４の中に設けられたスリーブ１３２内に収容されて、密閉容器内の支持部材１６とは独立に移動するようになる。支持ピン１２２が支持部材１６から延びて、ロボットブレードが基板をエンクロージャから取り出すことを許容しているが、ＥＳＣ１０４の上面に基板を配置するためには、各ピンは支持部材１６の内部へ下降しなければならない。ピンにはそれぞれ円柱状のシャフトが含まれており、周縁下部分及び周縁上部分で末端をなしている。
【００３８】
次に作用について説明する。外部ブレード１３８が（被処理の基板を支持し）スリットバルブ２４を介してチャンバ内に挿入するようにして、支持部材１６の上に基板を配置する。適切なブレード１３８及び基板を運搬する関連のロボット装置の例の１つが、ダン・メイダン(Dan Maydan)、サッソン・ソメク(Sasson Somekh)、ディビット・ケー・ウォン(David N.K.Wang)、ディビット・チェン(David Cheng)、マサト・トシマ(Masato Toshima)、イサク・ハラリ(Isak Harari)及びピータ・ハップ(Peter Hoppe)の名前で出願され、発明の名称が「マルチチャンバ統合処理装置(A Multichamber Integrated Process System@)」である、本願と同一人に譲渡された同時係属出願第９４４，８０３号に記載されており、これは参考として本明細書で援用されている。エレベータ機構１２６は基板支持ピン１２２をブレードより上に上昇させ、基板を持ち上げる。次に、ブレードをチャンバから引っ込め、空気圧シリンダがブレードアクセススロット上のドアを閉じて、チャンバを密閉する。エレベータ機構１２６を動かして支持ピン１２２を下降させ、処理のための所定の位置である支持部材１６の上面９８に基板を収容する。
【００３９】
処理後は、エレベータ機構が支持ピン１２２を上昇させて基板を持ち上げ、基板支持部材１６から離す。次に、ドアを開け、ブレードを再びチャンバ内に挿入する。次に、エレベータ機構１２６は基板支持ピン１２２を下降させ、基板をブレードに置く。下方に移動したピン１２２がブレードを取り除いた後に、ブレードを引っ込める。
【００４０】
処理中は、ＣＶＤの処理環境のプラズマが大量の熱を発するが、プラズマによって発生する総発熱量は、プラズマの電力密度に少なくとも部分的には依存している。このような熱の一部は基板に伝わるので、所定の臨界温度以下に基板の温度を維持するために、基板からこの熱を除去しなければならない。このような熱を取り除くために、基板支持部材１６には伝熱装置が設けられて、支持部材及び被処理の基板の温度が制御されるようになっている。図６は、支持部材の伝熱装置を示す断面平面図である。取水部１４０及び排水部１４２は通路１４４，１４６により接続されている。支持部材１６の内部には給水マニホールド１４８が配置されて、支持部材から冷却流体への熱伝達を促進するようにしている。支持部材１６の温度を選択して、チャンバの処理領域から上流のガスマニホールド内部で早期に堆積することを回避している。基板支持部材１６全体の至る所に収容されている冷却チャネル１４４，１４６は、冷却流体の通路用に設けられたものである。さらに、ＥＳＣ１０４（以下で説明する）の表面にあり、ガスが流れる溝部が、熱を基板から支持部材１６内に、そして実質的には冷却流体内に伝達している。
【００４１】
図８は、本発明にしたがった静電チャック１０４の一実施形態の平面図である。図８（ａ）は、ウェハの平坦部を除去して対称的になっている他の実施形態である。平滑な最上面を有しているのではなく、多数の溝が多数の突起部１６６を形成している表面に設けられている。これら突起部の中央領域１６８は、シール部１７２により周縁領域１７０から分離されている。シール部１７２は、溝部をその中に形成して突起部を設けていない領域にすぎず、このため、分離した領域間の流れを最小限にするための固体表面が形成される。外側シール部１７４は、チャンバ内にヘリウムガスが漏れることを最小限にするための障壁を提供している。
【００４２】
ヘリウムガスが周縁領域１７０の中に向かって、一連の穴部をその中に有する溝部となっているリング１７６を介して挿入され、図１のヘリウムのライン４７から当該領域に向かって高圧ヘリウムが収容されるようになる。内側リング１７８は、ヘリウム圧力ライン１４７から中央領域１６８へ向かう低圧ガスを許容している。次に作用について説明する。中央領域１６８においてヘリウムによる初期の低圧を設定した後に、ヘリウムリング１７８がシール領域１７２を介して漏出するヘリウムガスを除去して、所望の低圧へリウムが維持されるようにすることが基本的である。他の実施形態では、リフトピンの穴部になりうる真空穴部１８０が用いられ、図１の真空排気ライン１３５を使用して中央領域のガスを真空排気し、中央領域の圧力をさらに低めることができる。或いは、追加の真空穴部を付加してもよい。
【００４３】
ヘリウムの溝部１７８は、シール領域１７２付近に配置されていることが好ましい。それをできるだけ近くに配置することにより、所望の伝熱の階段関数に近付けることができる。このため、高圧ガスは、周縁部のそばの狭い領域内に収容される。高圧ガスが遠く離れてウェハの中央部に向かって延在してる場合に、冷えた中央部が一層冷えれば冷えるほど、ますます高圧になるガスによって生じる熱の差分の低下を部分的に相殺するようになる。
【００４４】
次に作用について説明する。ウェハを加熱するために、低圧のヘリウム（１３３〜２０００Ｐａ（１〜１５ｔｏｒｒ））を中央領域１６８に供給し、また、高圧のヘリウム（１３３〜２６６６Ｐａ（１〜２０ｔｏｒｒ））を周縁領域１７０に供給する。周縁領域の高圧ヘリウムを高圧にすればするほど、ウェハの周縁部においてより良好な熱伝達が行われる。
【００４５】
実施形態の中には、シール部が静電チャック１６４の残りの部分と同じセラミックコーティングで作られているものがある。上述のセラミックコーティングでは隙間が小さくなっており、このため、シール領域では完全な密閉が提供されない。さらに、基板すなわちウェハには裏面が多少粗いものや、基板サポートより粗いものがある。したがって、シール領域は十分な幅を有して、一の領域から他の領域にヘリウムがかなり漏出することが防止されるようにすべきである。静電チャックがセラミックで覆われた場合、圧力範囲が上述されているときには、シール幅が２．５４ｍｍ（１／１０インチすなわち１００ｍｉｌ）であることが効果的であることが試験により確認された。好適には、シール幅は１．２７〜７．６２ｍｍ（５０〜３００ｍｉｌ）の範囲内にある。外側シール部１７４の場合は、幅を最小にすることが好ましいが、なぜならば、このシール部より上のウェハ領域に、高圧ヘリウムからの熱伝達の利点がないからである。同時に、シール部は十分な幅になって、ヘリウムがチャンバ内にかなり漏出して、高い流量レベルによりヘリウムの持続圧力に達することにより意図した熱伝達能力を損なったり、チャンバ内の反応に影響を及ぼすおそれのあることが防止されなければならない。前述の２．５４ｍｍ（１００ｍｉｌ）の幅が効果的であり、最適なシール幅が１．２７〜７．６２ｍｍ（５０〜３００ｍｉｌ）であることが分かっている。基板サポート及び基板の材料や平滑度が異なる場合は、別の幅が適切であるかもしれない。例えば、よく知られた多くの供給者から入手可能なKaptonJ等のポリマの膜を使用する場合には、それに応じるために小さい幅のものを持ってきてもよい。
【００４６】
好ましい熱伝達ガスはヘリウムであるが、なぜならば、それは不活性であり、比較的安価であるからである。或いは、アルゴン、酸素、ＣＦ4若しくはその他のガスを使用したり、又は、混合ガスを使用したりしてもよい。例えば、圧力制御の追加能力を提供するための混合物を使用してもよい。特定のガスを選択してチャンバ内の化学処理と両立できるようにし、漏れガスが化学反応に対して影響を最小限にするようにすることができる。例えば、エッチング種としてフッ素を使用するエッチング反応では、裏面熱伝達ガスとしてＣＦ4を使用することが望ましい。
【００４７】
熱伝達は主としてヘリウムガスを介して行われるので、かかる目的のためにシール面積と突起部の大きさ及び数を最小限にすることが望ましい。したがって、基板の面積における接触面積が非接触面積より小さくする必要がある。他方、シール部はガスの漏れを防止することが必要とされて、突起部はウェハを機械的に支持するために十分な大きさと間隔を有していなければならない。さらには、最適化すべきその他の要素がある。突起部間において基板と基板サポートとの間のギャップを決定する突起部の高さは、ガスが処理開始時間に影響を与えることなく、迅速に領域全体に分配されるようになることをできるよう十分になっていなければならない。基本的には、これはおおよそ数秒でなければならず、好適には１０秒以下でガスが分配されている。
【００４８】
熱伝達が最適となるためには、ギャップは十分小さくなり、別のガス分子と衝突することなく基板から基板サポートに直接移動する分子によって、熱伝達が主として行われ、自由分子の熱伝達を行う必要がある。したがって、ギャップはガスの平均自由行程（混合ガスを使用する場合は自由行程の平均値）より小さなっている必要がある。平均自由行程は、ガスの圧力と分子衝突断面積との関数である。様々な圧力を使用すると、平均自由行程は変化する。好適な実施形態では、適用される最大圧力の平均自由行程を用いてギャップの寸法を決定する。
【００４９】
さらに、誘電体の全厚に対するギャップの比率を小さくして、基板の局所的な異常を回避する必要がある。この比率が有意なものとなれば、空間と突起部間の等価キャパシタンスが著しく変化し、かなり異なる電界が基板に印加される。このように電界が異なると化学処理に悪影響を及ぼし、堆積、エッチング、ドーピングされたり、又は、その他の属性変化を受けたりする薄膜に不均一性が発生する。多少の差は必ず存在するが、これを最小限に留めることが望ましい。
【００５０】
また、この比率の有意性は、誘電体材料によって、特に材料と熱伝達ガスの誘電率の差（基本的には同一）によって異なる。２つの誘電率が近ければ近いほど、ギャプが大きくてもその重要性は小さくなる。
【００５１】
ギャップの大きさを設定する際の他の重要な点は、基板サポートとウェハの裏面との間の熱伝達ガスによりプラズマを発生させることを回避することである。これは、ギャップの大きさが熱伝達ガスの平均自由行程の数倍になると、重要になり始めると考えられている。
【００５２】
静電チャックの一実施形態の場合、セラミックコーティングの厚さはおおよそ０．１７８〜０．２５４ｍｍ程度（７〜１０ｍｉｌ程度）になっている。KaptonJを使用した場合は、０．０２５〜０．０５１ｍｍ（１〜２ｍｉｌ）の厚さを使用することができる。チャックの目的を得るために、誘電体は、製造の一貫性を維持し且つ絶縁破壊を回避する範囲内でできるだけ薄くなっていることが理想的である。上に述べられた２つの領域の圧力でのヘリウムの平均自由行程は、約０．０２５〜０．１２７ｍｍ（約１〜５ｍｉｌ）となる（非常に高い圧力では、平均自由行程はこれより小さくなりうる）。したがって、０．０１７〜０．０３０ｍｍ（０．７〜１．２ｍｉｌ）の突起部の高さが選択され、試験されて、効果的であることが明らかになった。これにより、所望の圧力においてヘリウムの平均自由行程より小さいギャップが与えられる。好適には、当該ギャップは、妥当な(pertinent)圧力において熱伝達ガスの平均自由行程の２倍以下であることが好ましく、より好適には平均自由行程以下になっている。
【００５３】
突起部間の間隔は、湾曲することなく基板が支持されている限り、できるだけ大きくなっている。一の実施形態では、基板が平坦に維持されているが、一方、他の実施形態では、突起部の高さ或いは基板サポートの最上面を変えて（突起部の高さを均等にし）、湾曲した基板を適切に支持することが望ましい。別の要素として、電界の局所的異常の原因になる尖鋭な点を回避することがある。間隔が大きいと、チャックを解除するときの電荷の移動にも影響を与え、破損の原因になる可能性がある。
【００５４】
突起部の最適な中心距離は２．５４〜７．６２ｍｍ（１００〜３００ｍｉｌ）の範囲内にあり、好適には約７．６２ｍｍ（約３００ｍｉｌ）になっていることが明らかになっている。好適には、突起部自体の大きさは直径で０．２５４〜３．８１ｍｍ（１０〜１５０ｍｉｌ）の間にあり、より好適には約３．３０ｍｍ（約１３０ｍｉｌ）になっている。矩形の突起部が示されているが、単にそれらが製造しやすいからであり、他の形も同様に使用することができる。例えば、環状のものを使用することができる。
【００５５】
図示実施形態では、ガスを除去するための開口部が外側周縁領域に示されていないが、他の実施形態ではこれが設けられていてもよい。ヘリウムの圧力の制御は、高圧又は低圧ヘリウムを使用したり、又は、真空ポンプによって真空排気したりすることによってなされうる。同様に、中央領域の場合は、圧力はこれらの方法のいずれか又は両方の組み合わせで制御されうる。サポートの中央部に近接した真空部と組み合わせて、ヘリウム供給源を縁部に近接したリングとして配置することにより、中央領域内には追加の圧力勾配が生じ、中央部に向かって低下する。例えば、本発明の他の実施形態は、この方法により２つの圧力領域を通して熱伝達の粗調整をし、中央領域におけるヘリウム入口及び真空出口を配置することにより微調整を実施する。他の実施形態では、２以上の領域を使用してさらに細かい微調整を行って、より多くのハードウェアを必要とすることが引き換えになることができる。
【００５６】
図９は、誘電体１８６の変化している厚さを示しているＥＳＣ１０４の一実施形態の側面図である。ウェハ１８２はチャックに取り付けられて示されている。チャックは、誘電体１８６で覆われた電極部分１８４を含んでいる。誘電体は、静電チャックの最上部全体及び側部１９０に沿って延在している。理解されるように、誘電体は中央部分で厚く、また、周縁部分１９４では薄くなっている。この側面図は複数の突起部１７０を示しており、さらに、内側シール部１７２及び外側シール部１７４を示している。
【００５７】
周縁部分１９４で誘電体が薄くなっているほど、これらの部分により強い静電力を与える。これは多くの理由により都合のよいことになっている。第１に、それがウェハをしっかりと保持して、静電チャックの最上面とより良好な接触をすることにより、より良好な熱伝達を確保している。第２に、力がより強くなると、周縁部に近接したシール部１７２とシール部１７４との間の高圧のヘリウムを抑制するのに役立つ。さらに、ウェハの周縁部分が中央部分と異なる温度を有している場合には、これにより、それが中央部分に比べて湾曲するおそれがあり、しかも、上向き又は下向きに湾曲するおそれがあり、熱の差分の問題がさらに悪化する。このことは、周縁部分で静電力が適切に高められることによって克服することができる。
【００５８】
他の実施形態では、２つの圧力領域なしで又は突起部なしで、誘電体の変化する厚さを用いることができる。誘電体被膜の変化は連続的になっていたり又は階段形式になっていたりしてもよい。階段形式との差は製造を容易に且つ安価にしている。
【００５９】
シール領域１７４と、ウェハの縁部の静電力が強くなることとに関する他の利点は、静電チャックの最上面に近接して露出した金属に対するプラズマ放電を防止することである。基本的には、上述の露出した金属はヘリウムの入口ポートにあり、アルミニウム電極を介して近づき(come up)、このため、これらの穴を通って電極に通路が露出する。放電は、より気密なシール部を設けるか、ヘリウム入口穴部を静電チャックの縁部から十分に離れた位置に配置するか、又は、そうした放電を防止する溝をそこに設けることによって防止される。
【００６０】
図９に示されるように、静電チャックの最上面とウェハとの間の空間には、温度センサ１９６が設置されうる。こうして、温度センサからウェハの温度を推測することができる。
【００６１】
図１０は、温度制御を例示しているフィードバック制御装置の信号の系統線図である。図１０の線図は、ヘリウムの圧力を制御するための閉ループ温度制御装置用のものである。或いは、温度センサのない開ループ装置を使用してもよい。事前の実験により所望のプロセスパラメータに対して、適切なヘリウム圧力が表されることができ、したがって、他の実施形態では温度センサを除去することができる。図９は、プロセッサ内で実行される関数と物理的効果とを両方含むものである。
【００６２】
温度設定値は、メモリ２４５の制御プログラムから制御装置へのユーザプログラムの入力として提供される。温度設定値は制御装置によって定数１９８を乗じられて、その結果が、加算関数２０２で示されるように、帰還信号２１３に加算される。加算関数の結果は制御装置により使用され、ヘリウム供給源の流量抑制装置(flow restrictor)又はバルブを制御することにより、ヘリウムの圧力を制御する。これにより、ヘリウムガスの熱伝達の程度が変化する。好適な実施形態では、ヘリウムの圧力は数学的なモデルにしたがって制御されるが、しかしながら、圧力制御の基礎として経験に基づく結果を使用することもできる。以下、数学的なモデルを説明する。ヘリウムの圧力は、ブロック２０２で示すように、ＥＳＣへの熱伝達を制御する（或いは、任意の形式の基板サポートを使用してもよい）。ＥＳＣは熱交換器２３３で冷却されたり、又は、加熱器２４３で加熱されたりして、ウェハへの熱の伝達の量がヘリウムの圧力によって制御されている。このような熱伝達は、（ブロック２０６で示されるように）ＥＳＣへの熱伝達と結合し、プラズマから伝達されるエネルギによって発生する（ブロック２０４で示されるような）熱で相殺することができる。（ブロック２０８で示されるような）ウェハのサーマル・マス(thermal mass)に適用される全熱伝達により、ウェハの温度２１０が作り出される。半導体ウェハではなく他の基板を使用してもよいことに留意されたい。また、ウェハの最終温度２１０は、フィードバック線２１１で示されるように、静電チャックへの熱伝達量に影響を及ぼす。ブロック２０２に示されるＥＳＣとウェハとの間の熱伝達関数は、ＥＳＣの温度の関数の他にウェハの温度の関数である。図示のように、ＥＳＣへの熱伝達がウェハからの熱を除去するが、同時に、プラズマからの熱はウェハに加わる。しかしながら、静電チャックを使用してウェハを加熱するときは、これらを逆転させることができ、したがって、熱入力が行われ、同時に、低温のプラズマにより又は単にプラズマが存在しないチャンバにより熱が除去される。
【００６３】
ブロック２１２は、温度センサによって温度が電気信号へ変換されていることを示している。ブロック２１４は、温度信号をフィードバック信号として温度設定値と結合する前にプロセッサに適用された伝達関数を示している。上述の伝達関数は、最も単純な形では１となる可能性のある定数の乗算、又は、単にアナログ信号からデジタル信号への変換するものとなる傾向がある。
【００６４】
制御装置によって実施される関数は、メモリ２４５内のプログラムの制御によって行われる。そのプログラムは様々な段階を実行するための命令、例えば、温度センサから温度の指示を読み取るための命令や、その温度を所望の入力設定温度と比較するための命令、及び、圧力バルブ（又は流量抑制装置）を制御してガスの圧力を変化させ特定の圧力領域にするための命令等を含んでいる。故障等が発生した場合には、ガスを遮断する他の命令が規定されている。
【００６５】
ヘリウムの圧力は、１つの簡単な圧力の静電チャックを使用している場合に、その圧力を増したり減らしたりすることによって、制御することができる。或いは、本発明の好適な実施形態のように２つの圧力領域を使用する場合には、外側及び内側のヘリウム圧力を独立に制御することができる。例えば、各領域の温度は、２つの領域の交差部付近に配置されている単一の温度センサから推測することができる。或いは、２つの異なる温度センサを使用することもできる。他の実施形態では、温度センサが静電チャックの最上面に取り付けられたり、又は、ウェハ自体に直接接触されてもよい。例えば、圧力の変動を発生させる漏れが領域間にある場合には、その圧力を推測するために温度センサを使用してもよい。ウェハから多少離れていることが基本的であり、その下では異なる圧力を有している可能性のあるその出力部における圧力のみを、圧力調整器は検出している。温度センサは、ウェハの下の実際の圧力を推測するために使用することができる。ウェハ表面の粗さによっては、漏れ量が変動することがあり、供給する圧力を変動させる必要があるかもしれない。
【００６６】
制御装置はそれに対して特定の制限をすることが基本的である。例えば、ヘリウムの圧力は、ウェハが静電チャックから持ち上げられて離れないように、又は、圧力差が大きくなり熱応力のためにウェハが破損する熱勾配を発生するように、制限される。上述の制限を超えたり又は画成されたその他何らかの障害が発生すると、ガスの流れは停止する。
【００６７】
プロセスキット
プロセスキットはカラー及びカバーからなる。さらに、スカートを使用してもよい。セラミックのカラーはウェハの大きさ及び種類によって異なり、静電チャックと石英カバーの間に配設されている。カラーの主な目的は、静電チャックのフランジをプラズマの影響から保護することである。カバーはカラーから陰極アセンブリの外側周縁部まで延びており、その主な目的は、陰極アセンブリをプラズマの影響から保護することである。スカートは、上部チャンバ及び下部チャンバを密閉するスペーサ及びＯリングを、プラズマの影響から保護するために、下部チャンバに配設してもよい。
【００６８】
一の態様では、本発明は、ガス生成物の堆積を防止又はそれに耐える半導体処理チャンバの静電チャック用の改良型のプロセスキット又はシールドを提供している。さらに、このシールドは、酸化物の堆積物を高速で除去し、その結果、ウェハ製造工程のスループットが向上する。
【００６９】
一の実施形態では、カラー又はカバーには、１以上の表面又は内部に配設された導電材料が含まれて、その表面のクリーニングが高められてもよい。総括的には、誘電体のドーム３２の周囲に配設されている誘導性コイルを使用して、カラー又はカバーの導電材料を加熱し、それからカラー又はカバーの表面を加熱するようにしている。フッ素系の化学薬品又はその他の反応ガスを使用してなされるその場のクリーニング工程が、高温で強化されることが示されている。プロセスキット部品に配設された導体と誘導性コイルとを使用することにより、これらの部品の表面の温度が上昇し、クリーニング速度が増す。
【００７０】
一例として、電流を誘導することのできる導体を設けるために、カラーやカバー等のプロセスキット部品の一表面に金属を堆積することができる。加熱処理の操作は、コイルを外部巻線、金属層を内部巻線とする変圧器において見られるものと同様である。
【００７１】
図１１は、静電チャック及びプロセスキットの断面図である。基板サポートアセンブリ２３０には、高いサーマル・マスと優れた熱伝導率を有する導電材料から一体的ブロックとして好適には製造される支持体２３２が備えられ、その上面について冷却されるウェハから熱の吸収を促進するようにしている。アルミニウム又は陽極酸化されるアルミニウムが、支持体２３２の好適な材料であるが、なぜならば、それは約２．３７Ｗ／cm-ECの高い熱伝導率を有し、また、それは半導体ウェハと両立できる工程であることが基本的であるからである。支持体２３２は、ステンレス鋼やニッケル等他の金属を備えていてもよく、また、支持体２３２は、追加の非導電材料を備えていてもく、又は、支持体全ては、非導電性若しくは半導性の材料を備えていてもよい。他の実施形態では、支持体２３２はセラミックからなる一体プレートを備えている。このような構成では、セラミックプレートは導電性エレメントが含まれ、その内部に埋め込まれている。導電性エレメントは、金属エレメント、グリーン・プリンテッド・メタライゼーション（green printed metalization）、メッシュ・スクリーン等を備えていてもよい。支持体２３２は、支持体２３２の外表面から外側に向かって延在している環状の取付フランジ２３４を画成している。好ましくは約７００Ｖの電圧が、基板サポートアセンブリ２３０に直流電源（図示せず）により印加され、ウェハＷを支持体２３２の上面に近接して保持する静電引力を発生させるようにしている。
【００７２】
図１１を参照すると、基板サポートアセンブリ２３０には、支持体２３２の上面２３８を覆う平滑な誘電体材料の層２３６が備えられて、ウェハＷの下面を支持している。誘電体層２３６は、４つのリフトピン穴２４０の上の領域を除いて、支持体２３２の上面２３８全体を覆っている。好適には、誘電体層２３６は、支持体２３２の上面２３４にプラズマ溶射された、アルミナ、酸化アルミニウム又はアルミナ／チタニア複合物の（好ましくはおおよそ約０．１０〜０．３０インチ程度の）薄いセラミック誘電体層を備えている。
【００７３】
一の実施形態では、シールド２４２は、カラー２４６の下に位置する導電材料２４４からなる薄い環状体(annulus)を備えている。カラー２４６は、環状のフランジ２３４により支持され、カバー２４８により保持されている。カバー２４８は、チャンバをクリーニングするのに必要とされる時間を短縮するために、支持体２３２の側方の表面を覆って保護するセラミックの外部ジャケットであることが好ましい。カラー２４６は、小さな間隙２５０により環状フランジ２３４から分離されていることが好ましい。間隙２５０は、環状フランジ２３４の上面及び導電材料２４４の下面又はカラー２４６の自然な表面粗さによって作り出されている。間隙２５０は、０．０１２７〜０．１２７ｍｍ（０．５〜５ｍｉｌ）の厚さになっていることが好ましい。処理チャンバが比較的低圧（基本的には約０．６６７Ｐａ（約５ｍＴｏｒｒ程度））な環境にあるときには、間隙２５０は、カラー２４６と支持体２３２との間の熱伝導を防止する熱的障壁となる。
【００７４】
図１１に示されるように、カラー２４６は、支持体２３２の直径より大きい内径を有して、両者の間に他の間隙２５２を画成していることが好ましい。間隙２５２は、支持体２３２が処理チャンバ内で加熱されたときに支持体２３２が膨張する機会を提供し、さらに、基板サポート２３０又はカラー２４６に損傷を与えることなく、シールド２４２を取付けたり及び取外したりすることができること確実にしている。カラー２４６は、絶縁性換言すれは誘電性の材料からなり、好ましくはセラミック、すなわち、処理チャンバ内にあるウェハ上部のプラズマが静電チャックの一部に接触して浸食するのを防止又は抑制するのに役立つセラミックからなっている。しかしながら、カラー２４６は必ずしも絶縁材料に限定されず、実際、本出願人は、半導体材料でできているカラー２４６が、静電チャックをチャンバ内のプラズマから効果的に保護できることが明らかにしている。
【００７５】
カラー２４６は、処理チャンバ内でガスからの堆積物にさらされる、湾曲した上面２５６を有する薄いリング２５４である。好適には、カラー２４６のサーマル・マスに対する露出上面２５６の面積の比は高くなっており、基本的には約０．１〜５cm2Ｋ／Ｊであり、好適には約１〜１．６cm2Ｋ／Ｊになっている。カラー２４６のサーマル・マスに対する露出表面の面積の比が高ければ、チャンバ内のＲＦエネルギによりかなり高温にそれが加熱される。酸化物の堆積速度は、処理チャンバの表面の温度に反比例することが基本的であるので、カラー２４６が受ける熱は、露出した上面の酸化物の堆積を抑制する。したがって、カラー２４６の形状は（すなわちサーマル・マスに対する露出した表面の比が高いことは）、上面２５６の堆積速度を最小にする。
【００７６】
堆積工程中、処理ガスからの酸化物は、ウェハＷや、エンクロージャの内壁部やカラー２４６の上面２５６のようなチャンバの露出した表面のかなりの部分に堆積する。カラー２４６のサーマル・マスは、表面２５６の面積に比較して相対的に小さいので、カラー２４６は比較的大量の熱をＲＦ電源から受け取る。さらに、カラー２４６は、ＲＦ電力を介して熱が発生する導電材料２４４からなる薄い環状体から加熱される。これにより、上面７２への酸化物の堆積速度はさらに低下する。
【００７７】
図１１に示されるように、ウェハが誘電体層２３６の上面にあるとき又はそれに隣接しているときに、カラー２４６は、カラー２４６の上面がウェハの上面より低く配置されるような大きさで作られていることが好ましい。カラー２４６をウェハの上面より低い位置に配置することにより、上面２５６へ酸化物が堆積する速度がさらに低下し、ウェハ縁部への視線が改善される。したがって、ウェハの縁部は、シールド２４２が仮にウェハよりも上に延びる場合よりも高い堆積速度を受ける。このことは、処理中に生じるのが基本的であるウェハ中央部の高い堆積速度を補償するためには都合のよいことである。
【００７８】
処理チャンバのプロセスキットの断面図である図１２を参照すると、誘導性のＨＤＰ源のソースＲＦコイル２６０を用いて、セラミックのプロセスキットを加熱することができる。導電材料２４４の薄い環状体は、セラミックのプロセスキットの１以上の表面又はその内部に配設されうるが、変圧器の二次コイルとして機能して、ソースＲＦコイル２６０のＲＦ電流によって誘導される電流を通し、プロセスキット用の熱を発生させる。２次コイルの抵抗は非常に重要となるが、なぜならば、抵抗が低すぎたり高すぎると電力伝送が不十分となり、したがって、プロセスキットの加熱が不十分となるからである。
【００７９】
図１２に示す円形の形状の場合、抵抗Ｒはほぼ２ＢｒＤ／Ｗ＠ｄとなる。ここで、ｒは導電材料の薄い環状体の外径の半径方向寸法の大きさであり、ｗは導電材料の幅、ｄは導電材料の厚さ、Ｄは導電材料の抵抗率である。抵抗Ｒは、ｗ＠ｄすなわち導電材料２４４の断面積を変化させることによって、制御することが好ましい。カラー２４６との最適な接触を達成するために、ｗはできるだけ大きく、しかしカラー２４６の幅より小さいことが好適である。ｄの最適値を得るための１つの好適な方法は、導電材料の厚さｄが異なる場合において、様々な試料の加熱速度を経験的にモニタすることである。一の実施形態では、環状体が１０cmの内径、１２cmの外径及び０．１３mmの厚さを有している状態で、導電材料としてのグラファイトを有しているプロセスキットを約２８８ＥＣの温度まで誘導加熱した。
【００８０】
本発明の他の態様では、プロセスキットのクリーニング速度すなわち堆積除去速度は、温度の関数である（つまり処理中に遮蔽が高温になるほど、短時間にそれはクリーニングすることができる）ことが基本的である。クリーニング中、導電材料２４４は、ソースＲＦコイル２６０内のＲＦ電流によって誘導される電流を通す変圧器の２次コイルとして機能し、プロセスキットのための熱を発生する。したがって、温度が高くなると、カラー２４６のクリーニング速度は高くなり、装置２の停止時間を短縮し、それによりプロセスのスループットを向上させる。
【００８１】
ガス分配アセンブリ
以下、図１３〜図１６を参照して、ガス分配アセンブリ３００について説明する。図１３は、ガス分配アセンブリ３００を示す本発明のチャンバの断面図である。総括的には、ガス分配装置は、ドームの下部部分とチャンバ本体の上面との間に配設されている環状のガスリング３１０と、ドームの最上部を通って配置されると共に中央部に配置された中央ガス供給部３１２とを備えている。ガスは、ドーム３２の底部に近接して配置されると共に周方向に取り付けられたガスノズル３０２，３０４と、ドームの最上部プレートの中央部に配置される中央配置のガスノズル３０６との両方を通って、チャンバ内に導入されるようになる。この構成の利点の１つは、ノズル３０２，３０４，３０６を介してチャンバ内の選択位置に、複数の様々なガスを導入することができることである。さらに、酸素のような他のガス又は混合ガスを、ノズル３０６の周囲に配設されたガス通路３０８を通して、側部のノズル３０６に沿って導入し、且つ、チャンバ内に導入される他のガスと混合することができる。
【００８２】
以下、ガス分配リング及び中央部に配置されたガスマニホールドを、それぞれ説明する。
【００８３】
基本的に、ガス分配リング３１０には、アルミニウム又はその他の適切な材料３１４でできた環状リングが備えられ、複数のポートを形成してノズルが収容され、また、１以上のガスチャネル３１６，３１８と連通している。好適には、少なくとも２つの別個のガスをチャンバ内に供給するために、ガスリング内に少なくとも２つの別個のチャネルが形成されている。ノズルを収容するためのポートはそれぞれ、リング内に形成されたガス分配チャネル３１６，３１８のうち少なくとも１つに接続されている。本発明の一実施形態では、１つおきのポートがチャネルの１つに接続され、同時に、残りのポートは残りのチャネルに接続されている。このような構成では、一例として、ＳｉＨ4及びＯ2等の別個のガスを別個にチャンバ内に導入することができる。
【００８４】
図１４は、ノズル３０２を内部に配設した１つのポート３１４に接続されている第１のガスチャネル３１６を示す断面図である。図示のように、ガスチャネル３１６は、チャンバ本体の壁部の上面に、好適には、チャンバの壁部の周縁部全体を取り囲んで環状に形成されている。環状のガスリングには、リング内において長手方向に第１の組のチャネル３２０が配設され、ガスの分配のためにチャネル内に設けられたポート３１４のぞれぞれに接続されている。ガスリングをガスチャネルの上に配置されるときは、通路がチャネルと連通する。ガス分配リングは、チャネルから外側に配設された２つの別個のＯリング３２２，３２４により、チャンバの壁部の最上部表面で密閉され、ガスがチャンバの内部に漏れるのを防止する。チャネルの内側の凹部３２８には、テフロンシール３２６等が配設され、チャンバへのガス漏れを防止している。
【００８５】
ポート３１４内に配設されたノズル３０２，３０４はねじ山を作り、ポートのねじ山と合わせて、両者間の密封をし、また、迅速且つ容易な交換をすることが好ましい。各ノズルの端部に制限オリフィス３３０を配置して、チャンバ内に所望のガス分布をもたらすために、選択することができる。
【００８６】
図１５は、第２のガスチャネル３１８を示す断面図である。第２のガスチャネル３１８は環状のガス分配リングの上部部分に形成され、また、同様に、ガス分配リングの周縁部を取り囲むように環状の構成をなして配設されている。水平方向に配置された通路３３２は、ガスリング内に形成された１以上のポートに、第２のガスチャネルを接続しており、そしてここで、追加のガスノズルが配設されている。上部を含んでいる第２のガスチャネルの表面は、ドーム３２を支持しているリッドの部分により形成され、また、最上部においてベースプレート３３によって密閉されている。ガスリング３１０は、チャンバ本体にヒンジで取り付けられたベースプレート３３にボルト固定されている。
【００８７】
本発明の利点の１つは、ガスの分配パターンを調整することができるように、リングがポートを形成して様々な角度でノズルの先端部を収容し位置決めするときに、ガス分配リングを容易に取り外したり交換することができることである。換言すれば、ある適用分野では、リングにポートを形成し、ガスノズルの幾つかをチャンバ内で上方に向けたり、又は、逆にそれらの幾つかをチャンバ内で下方に向けたりすることが有利になっている。ガス分配リングに形成されたポートは、機械加工され、所望の角度を選択して所望の処理結果をもたらすことができるようになっている。さらに、少なくとも２つのガスを別個にチャンバ内に送り込むことができる少なくとも２つのガスチャネルがある場合は、様々なガスの間で発生する反応の際立った制御をすることが可能になる。さらにまた、ガスを別個にチャンバ内へ送り込むことにより、ガス分配アセンブリ内のガスの反応が防止されることができる。
【００８８】
図１６は、ドーム３２を通って配設された中央ガス供給部３１２を示す断面図である。最上部ガス供給部３１２は、ドームの最上部に配設されたベース３３４と、ドームに形成された凹部内に配設されたテーパボディ３３６とを有するテーパ構体になっていることが好ましい。別個の２つのＯリング３３６，３３８は、１つがテーパボディ３３６の下面とあり、また、１つが下端に向かったテーパボディ３３８の側部表面にあるとき、ガス供給部３１２とチャンバのドームとの間の密閉可能な接触をしていた。最上部ガス供給部の本体の下部部分にはポート３４０が形成されて、ガスをチャンバに送り込むためのノズル３０６が収容されるようになっている。少なくとも１つのガス通路３４２が、ポートに接続されたガス供給部３１０の至る所に配設され、ガスがノズルの後部まで送り込まれるようになる。さらに、ノズル３０６はテーパ加工されており、また、ポート３４０は、ノズル３０６の側部に沿ってガスをチャンバ内に送り込む第２のガス３０８通路を画成している。第２のガスチャネル３０４は、ガス供給部３１２の至る所に配設されて、ガスを通路３０８に送り込むようにしている。酸素等のガスは、ＳｉＨ4等のガスの横側に送り込むことができる。
【００８９】
図１７は、リッドアセンブリのベースプレート３３及びガス分配リング３１０を示す拡大図である。ベースプレート３３の下部部分にはチャネル３５０が形成されて、ガス分配リング３１０を収容するようにしている。ガスリング３１０はベースプレート３３にボルトで固定されるか、又は、その他の方法で取り付けられている。ベースプレートは、チャンバ本体にヒンジで取り付けられている。
【００９０】
第１のガス源３５２及び第１のガス制御装置３５４は、チャンバの壁部に形成された第１のガスチャネル３１６内へライン３５６を介して第１のガスが入ることを制御する。同様に、第２のガス源３５８及び第２のガス制御装置３６０は、ガス分配リングに形成された第２のガスチャネル３１８へ、ライン３６２を介して所望の第２のガスを供給する。
【００９１】
第３のガス源３６４及び第３のガス制御装置３６６は、チャンバの最上部に配置したガスチャネルへ、ライン３６８を介して第３のガスを供給する。第４のガス源３７０及び第４のガス制御装置３７２は、ガス通路３０８へライン３７４を介して第４のガスを供給する。第３のガスノズル及び第４のガスノズル６４を介して導入されるガスやＯ2は、両方のガスがチャンバ内に入るときに、チャンバの上部で混合される。
【００９２】
遠隔プラズマクリーニング装置
遠隔プラズマ源は、ガス入口部及びガス出口部を有する遠隔チャンバ、導波管によりチャンバに結合される電源、及び、チャンバ内のガス入口部とガス出口部との間に配設されたアプリケータ管(applicator tube)を備えていることが基本的である。図１８は、チャンバに接続された遠隔プラズマ源５００の概略図を示すものである。チャンバ５０２は、好適にはアルミニウムでできた円筒形のチャンバであり、その対置する両端部にはガス入口部５０４及びガス出口部５０６を配設している。チャンバは、チャンバの壁部の至る所に配設されたファンを使用するか、又は、水等の熱伝達流体を内部に流す一連のコイル等の流体冷却装置を使用することにより、冷却することが好適である。サファイア管のようなアプリケータ管５０８又はその他のエネルギ透過管等は、チャンバ５０２内のガス入口部とガス出口部との間に配設されている。また、送出式水冷送出導管５１０は、チャンバ１０の下部部分に形成されたガスチャネル２８に、ガス出口部を接続している。電源は、導波管５１２によりチャンバに結合されている。本発明を有利にするために用いることができる遠隔プラズマ源の１つが、１９９４年７月２１日に出願され、本明細書で参考として援用される米国特許出願第０８／２７８，６０５号に記載されている。
【００９３】
好適には、２０００〜５０００Ｗの範囲の電力がチャンバ５０２に供給される。ガスを解離するために必要とされる最適な電力を使用する必要がある。付加された電力はすべて浪費され、基本的には、追加の熱を発生する際に用いられる。最適な電力より電力が低い場合は、クリーニングガスを不完全に解離して、クリーニング速度及び効率を低下させることに帰着する。一の実施形態では、単一電源を使用して、ソースアンテナ及び遠隔プラズマチャンバの両方が駆動される。
【００９４】
チャンバ内では、非常に高速で進行するクリーニング反応が以下の形式、すなわち、
４Ｆ* (Gas)＋ＳｉＯ3６ＳｉＦ4(Gas)＋Ｏ2(Gas)
及び、２Ｆ* (Gas)＋ＳｉＯ2(Gas)６ＳｉＦ2(Gas)＋Ｏ2(Gas)
を有して、気相を真空排気することによりチャンバ１３から除去されるガス状生成物を作り出すものと考えられている。長時間励起中性フッ素種Ｆ*を高濃度発生するのに最も効果的な反応ガスは、ＮＦ3，Ｆ2，ＳＦ6，ＣｌＦ3及びＣ2Ｆ6である。しかしながら、マイクロ波によって励起可能で、チャンバ内の堆積材料と反応する他のクリーニングガスを使用してもよい。図９の本発明の遠隔マイクロ波クリーニング装置の場合、ＮＦ3及びＦ2を不活性なアルゴンガスで１０〜５０％の濃度に希釈して使用することが好ましい。遠隔プラズマ源の使用により生じる所望のクリーニング反応は、チャンバ又は基板サポート構体がイオン衝撃を受けることなく進み、ＥＳＣ１０４上のウェハカバーや、不可欠なチャンバアセンブリの定期的な交換をする必要性が回避される。したがって、装置のずっとはるかに効果的な使用及びスループットがもたらされる。
【００９５】
また、図１８は、チャンバ壁部に形成されたクリーニングガス送出チャネルを示している。ガスは、遠隔源５００からチャンバの後壁部５２０に向かって水平方向に配設された第１のガスチャネル２８に送出される。第１のガスチャネル２８は後壁部の長さだけ延び、チャンバの対置する両側部にガスを送出するようにしている。チャンバの下部部分には中央ガス５２２接続部が形成され、送出導管５１０の第１のガスチャネル２８に接続されるようにしている。また、チャンバの各側壁部には第２のガスチャネル５２４が形成され、チャンバ内のスリット開口部５２６で終端されている。チャネルが形成されているコーナーカバーが作られて、第１のガスチャネル２８の端部を、側壁部に形成された側部のガスチャネル５２４に接続するようにしている。好適には、コーナーカバーはチャンバ本体の所定の位置に溶接されて、チャンバ本体を介してチャンバのスリット開口部５２６にガスが送出されることを促進するようにしている。
【００９６】
第２のガスチャネル５２４のスリット開口部５２６内には、第１のガス拡散部材５２８が配設されて、クリーニングガスがチャンバに導かれるようになる。図１９は、チャンバの対置する両側部にクリーニングガスを送出する湾曲側面部５３０，５３２を示すガス拡散部材５２８の平面図である。湾曲した表面５３０，５３２は第２のガスチャネル５２４の両側に配置され、外側にチャンバ内に向かってガスを導くようにしている。
【００９７】
図２０は、ガス拡散部材５２８の側面図である。ガスディフューザの後部５３４は傾斜の付いた状態になって、チャネル５２４内に配設されたガスディフューザを越えてガスが通過し、チャンバの両側部にガスが導かれるようになることを可能にしている。ガス拡散部材の一端部には凹部５３６が形成されて、ガスチャネル内の所定位置でディフューザの係合を楔式でしている。凹部と結合するために、楔部５３８が設けられ、ねじにより楔部を凹所内の所定位置に押し込み、楔部をディフューザに接続し、また、ディフューザをチャンバ本体に接続する。
【００９８】
他の実施形態では、チャンバ内において、チャンバの各スリット開口部５２６に近接してガスバフラ(gas baffler)を配設し、クリーニングガスを上向きの方向に、また、プロセスキットやＥＳＣ１０４の上部に向かわせてもよい。図２１は、フランジ５４２によりディフューザ５２８に取り付けられているバフラ５４０の斜視図が示されている。バフラの本体５４４には湾曲した表面５４６が設けられ、チャンバ内に配置されているときは、わずかに上向きに傾斜し、クリーニングガスをチャンバ内で上向きの方向に、また、ＥＳＣ１０４やプロセスキットの上部に向かわせるようにしている。
【００９９】
クリーニングガスが上記ＥＳＣ及びプロセスキットの上からチャンバ内に送り込まれると、クリーニング工程が最も効果的なものになることが明らかになっている。さらに、チャンバ内で上向きに、また、ＥＳＣ及びプロセスキットから離れる方向にガスが流れて、クリーニング工程中に遊離される粒子や残留物を、クリーニングガスがＥＳＣに押しつけることが防止されるようにすることが好ましい。粒子がＥＳＣ上に残ったままであるならば、チャックでの固定中に、ヘリウムの漏れが生じるおそれが増大する。バッフル(baffle)はガス流を上向きにそらせて、クリーニングを向上させ、ＥＳＣ上への粒子の堆積を防止するようにしている。
【０１００】
上記は本発明の好適な実施形態にしたがったものであるが、本発明のその他の実施形態もその基本的な範囲から逸脱することなく創案してもよく、また、本発明の範囲は、上記の特許請求の範囲に記載する請求項にしたがって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の処理チャンバの断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明が進歩するために使用することができる種々のＲＦ整合の構成を示す電気的な概略図である。
【図３】本発明の２重領域ＲＦプラズマ源を示す概略断面図である。
【図４】上部温度制御アセンブリ及び上部アンテナの拡大図である。
【図５】本発明の基板支持部材の断面図である。
【図６】本発明の基板支持部材の断面平面図である。
【図７】基板支持部材を配設しているチャンバの断面平面図である。
【図８】静電チャックの一の実施形態の平面図である。
【図８ａ】静電チャックの他の実施形態の平面図である。
【図９】図８の静電チャックの一実施形態の断面図である。
【図１０】図８及び図９の静電チャックの温度制御の態様の系統線図である。
【図１１】静電チャック及びカバーリングの断面図である。
【図１２】ソースコイルに近接して配設されているカバーリングの断面図である。
【図１３】本発明のガス制御装置を示す部分的に断面になった側面図である。
【図１４】ガス分配リング及び第１のガスチャネルを示す部分的に断面になった側面図である。
【図１５】ガス分配リング及び第２のガスチャネルを示す部分的に断面になった側面図である。
【図１６】中央ガス供給アセンブリを示す部分的に断面になった側面図である。
【図１７】リッドアセンブリのガス分配リング及びルーズプレートの拡大図である。
【図１８】マイクロ波遠隔プラズマクリーニング部及びチャンバに対するその位置を示す部分的に断面になった概略側面図である。
【図１９】ガスディフューザの平面図である。
【図２０】ガスディフューザの側面図である。
【図２１】ガスバフラの斜視図である。
【符号の説明】
１０…処理装置、１２…チャンバ本体、１４…リッドアセンブリ、１６…基板支持部材、２０…環状処理領域、２２…排気通路、２４…基板入口ポート、２６…側方入口ポート、２８…ガスチャネル、３０…遠隔プラズマ源、３２…ドーム、３３…ベースプレート、４４…スリットバルブ、４６…フランジ、５０…外壁部、５１…片持ち壁部、５２…チャンバ内壁部、５４…排気ポート、５６…ツインブレードスロットルアセンブリ、５８…ゲートバルブ、６０…ターボ分子ポンプ、６２…エネルギ送出アセンブリ、６４…温度制御アセンブリ、６６…側壁部、６８…最上部、７０…接合部、７２…最上部コイル、７４…側部コイル、７６，７８…電源、８０…加熱プレート、８２…冷却プレート、８４…薄層、８６…熱伝導性プレート、８８…第２の層、９０…第３の層、９４，９６…絶縁スリーブ、９８…ＥＳＣ収容部分、９９…基板収容表面、１００…パイロット、１０２…絶縁部材、１０４…静電チャック（ＥＳＣ）、１０８…凹部、１１０…基板位置決めアセンブリ、１１２…底部プレート、１１４，１１８…通路、１１６…支持腕部、１２０…基板リフトアセンブリ、１２２…基板支持ピン、１２３…取り付けプレート、１２６…エレベータ機構、１２８…シャフト、１３０…取り付けプレート、１３２…スリーブ、１３４…穴部、１４０…取水部、１４２…排水部、１４４，１４６…冷却チャネル、１４８…給水マニホールド、１６４…静電チャック、１６６…突起部、１６８…中央領域、１７０…周縁領域、１７２…内側シール部、１７４…外側シール部、１７６…リング、１７８…内側リング、１８０…真空穴部、１８２…ウェハ、１８４…電極部分、１８６…誘電体、１９０…側部、１９４…周縁部分、１９６…温度センサ、１９８…定数、２００…基板収容面、２０２，２０４，２０６，２０８，２１２，２１４…ブロック、２１０…ウェハの温度、２１１…フィードバック線、２１３…帰還信号、２３０…基板サポートアセンブリ、２３２…支持体、２３４…フランジ、２３６…誘電体層、２３８…上面、２４０…リフトピン穴、２４２…シールド、２４４…導電材料、２４６…カラー、２４８…カバー、２５０…間隙、２５２…第２の間隙、２５６…上面、２６０…ソースＲＦコイル、３００…ガス分配アセンブリ、３０２，３０４，３０６…ガスノズル、３０８…ガス通路、３１０…ガス分配リング、３１２…中央ガス供給部、３１４…ポート、３１６，３１８…ガスチャネル、３２０…チャネル、３２２，３２４…Ｏリング、３２６…テフロンシール、３２８…凹部、３３２…通路、３３４…ベース、３３６，３３８…Ｏリング、３４０…ポート、３４２…ガス通路、３５０…チャネル、５００…遠隔プラズマ源、５０２…チャンバ、５０６…ガス出口部、５０８…アプリケータ管、５１０…送出式水冷送出導管、５１２…導波管、５２０…後壁部、５２２…中央ガス、５２４…第２のガスチャネル、５２６…スリット開口部、５２８…第１のガス拡散部材、５３０，５３２…湾曲側面部、５３４…後部、５３６…凹部、５３８…楔部、５４０…バフラ、５４２…フランジ、５４４…本体、５４６…湾曲面、Ｗ…ウェハ。
【発明の分野】
本発明は、半導体基板を処理する装置及び方法に関し、さらに詳しくは、基板上に薄膜、好ましくはαＣ，αＦＣ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ドープ処理されたＳｉＯ2 ，ドープ処理されていないＳｉＯ2 及びＢｉＮの薄膜を堆積するための高密度プラズマ（ＨＤＰ）化学気相堆積（ＣＶＤ）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、反応性イオンエッチング等の半導体処理に用いられるプラズマ装置は、誘導結合又は容量結合のいずれかを使用して、プラズマの点火及び維持をすることが典型的である。誘導結合プラズマが容量結合プラズマより有利な点は、誘導結合プラズマが、基板に印加するバイアス電圧がずっと低い状態で発生するので、基板を損傷する可能性が低下することである。さらに、誘導結合プラズマは、容量結合プラズマよりもはるかに低い圧力で作動するけれども、より高いイオン密度を有しており、それにより、より高い堆積速度及びより長い平均自由行程をもたらす。これらの利点により、処理中にその場スパッタリング（in situ sputtering）、及び／又は、イオン指向性（ion directionality）がもたらされる。
【０００３】
最近になって、高密度プラズマ（ＨＤＰ）ＣＶＤプロセスを用いて、化学反応と物理的なスパッタリングとの組み合わせがなされるようになっている。ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスは、基板表面の近傍の反応領域に高周波（ＲＦ）エネルギを印加することによって反応ガスの解離を促進し、高反応性イオン種のプラズマを生成する。また、比較的不活性なイオン成分すなわちＡｒは、被堆積薄膜材料をスパッタ率曲線に基づき薄膜の断面形状に沿って特定の領域から選択的に除去するために使用される高い運動量（電界）を与えられる。放出したイオン種の反応性が高いので、化学反応が起きるために必要なエネルギを減らし、かくして、これらのプロセスに必要な温度を低める。
【０００４】
大抵のＨＤＰ−ＣＶＤプロセスの目標は、基板の表面全体に均一な厚さの薄膜を堆積し、同時に、基板上に形成された電線路とその他の特徴部分との間の適正なギャップの埋込みをも行うことである。堆積の均一性及びギャップ・ビアの埋込みは、電源の構成と、ガス流量の変化と、高周波発生電源の出力と、バイアス高周波発生電源の出力と、ノズルの配置分布の対称性、ノズルの数、基板サポートの上に配設されるノズルの高さ及び基板サポートに対するノズルの横方向の位置を含むガスノズルの設計とに、非常に影響されやすい。かかる装置内部で行われるプロセスや処理ガスが変化すると、これらの変数も変化する。
【０００５】
半導体の製造の際に直面する問題の１つに、基板の上に均一な密度のプラズマの発生及び維持がある。プラズマの均一性は、装置の内外へ流れるガス流量だけでなく、装置内で発生する磁界及び電界にも依存する。基板の大きさが増すにつれ、すなわち３００mmにまで増大すると、より広い領域全体で均一性を達成することはいっそう困難になる。
【０００６】
堆積の均一性に影響を及ぼす他の問題に、基板表面全体における不均等なガス分布がある。一般的に、処理領域の周縁部にはガスプレナムが設けられており、また、基板表面にガスを供給するために、複数のノズルが半径方向に内向きに向かって延びている。用途によっては、基板表面全体においてガスが不均等に分配されて、基板の縁部の方にガスがより多くもたらされ、基板の中央部の方にガスがそれほどもたらされない傾向がある。さらに、反応ガスは、チャンバ内への導入の前に、ガス噴射装置内で混合されることが一般的である。このような場合、材料がガス噴射装置それ自体の内部で堆積する傾向があり、それによって、一部のガス噴射装置が目詰まりを起こし、不均等なガス分布がさらに強められる。
【０００７】
さらに、他の問題としては、基板表面全体の温度を均等に維持することがある。基板を処理するときに、基板表面がプラズマ放射やイオン衝突にさらされるため、かなりの熱負荷が存在する。もし基板表面に温度勾配が存在すると、薄膜の堆積が不均等に進行する可能性がある。したがって、基板の温度を正確に制御することが重要である。
【０００８】
他の問題に、装置自体に対する材料の堆積がある。処理中に、堆積材料が、基板支持部材やガス分配部品等チャンバ全体に堆積する。長い間、上述の材料の堆積物は剥離してチャンバ内に落下し、その結果、被製造デバイスの完全性を損なう基板の粒子汚染物質となる。したがって、装置は定期的にクリーニングしなければならない。好ましいクリーニングの方法は、チャンバにクリーニングガスを導入し、被堆積材料と反応させて、チャンバから排出できる生成物を形成することである。典型的には、フッ化ガス(fluorinated gas)等のクリーニングガスをチャンバに導入すると、チャンバ内でプラズマが点火する。その結果得られる励起生成物は堆積材料と反応し、気相の副生成物が作られて、それから、チャンバから排気される。このような工程における問題の１つに、一般的にクリーニングがプラズマに隣接する領域のみに局在化されるのが典型的であることがある。露出したチャンバの全表面のクリーニングを高めるため、クリーニング工程の実施時間を増しているが、そのために、スループットが低下し、及び／又は、高い温度を用いてクリーニング工程を行っているが、そのために、チャンバ表面には事実上過剰にクリーニングされるところがあり、消耗部品のコスト及び／又は保守間隔が増大する。
【０００９】
したがって、製造価値を高める方法で、クリーニング機能の強化及びスループットの向上を含む、基板にＣＶＤ薄膜を形成するための条件の均等性を高める製造装置が必要とされる。
【００１０】
【発明の概要】
本発明の実施態様ではＨＤＰ−ＣＤＶ装置が提供され、ドープされた二酸化ケイ素やドープされていない二酸化ケイ素の堆積及びスパッタリングを使用し、アスペクト比が１．２：１より高い０．５ミクロン未満の特定の寸法を有するウェハに対して、優れたギャップ埋込みやブランケット膜の堆積を可能にしている。本発明の装置は、２重ＲＦ領域誘電結合プラズマ源、２重領域ガス分配装置、温度制御されるチャンバ部品、対称形のターボ分子ポンプで真空排気されるチャンバ本体、２重の冷却領域静電チャック、全セラミック／アルミニウム合金製チャンバ構造体、及び、プラズマチャンバクリーニング遠隔装置を含んでいる。
【００１１】
【好ましい実施形態の説明】
本発明の上記の特徴、利点及び目的を達成する方法を詳細に理解することができるよう、上記に要約された本発明のより詳細な説明を、添付図面に示されている実施形態を参照して行う。
【００１２】
しかしながら、添付図面は本発明の基本的な実施形態にすぎず、それゆえ、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではなく、同等の作用効果のある他の実施形態に導いてもよいことは留意すべきである。
【００１３】
本発明の装置を、以下の各サブアセンブリ、すなわち、チャンバ本体、チャンバのリッド(lid)アセンブリ、陰極並びにリフトアセンブリ、プロセスキット、ガス分配アセンブリ及び遠隔プラズマ源を参照して、以下詳細に説明する。
【００１４】
チャンバ本体
図１は、本発明の処理装置１０の断面図である。処理装置１０はチャンバ本体１２、リッドアセンブリ１４及び取外し可能な片持ち式の基板支持部材１６を含んでいる。これら部材は組合わされて、基板の処理を行なう真空排気可能な密閉容器及び排気通路２２を、物理的及び電気的に対称に形成する。
【００１５】
好適には、チャンバ本体１２は、機械加工された一体の構造体であり、内側の環状処理領域２０を画成し、また、下端部に向かってテーパをつけて同心の排気通路を画成している側壁部１８を有している。チャンバ本体１２は、スリットバルブ４４により密閉される基板入口ポート２４と、片持ち式の実装基板支持部材１６が配設される側方ポート２６を少なくとも含む複数のポートを画成している。基板入口ポート２４及び支持部材ポート２６は、チャンバ本体１２の対向側面部を貫いて配設されていることが好ましい。基板支持部材１６の上面とほぼ同じ高さにあるチャンバの側壁部１８の対向側面部において、２つの追加側方ポートが配設され、チャンバ側壁部１８に形成されたガスチャネル２８に接続されている。解離性フッ素含有ガス等のクリーニングガスは、遠隔プラズマ源３０からチャネル２８内に向かい、そして、そのために設けられ且つ図１８に示されるガス入口ポートを介してチャンバ内に導入される。チャンバ内へ通じるポートの開口部の位置は、堆積が大量に生じるチャンバ領域の方にガスを向けるように提供されている。以下、遠隔プラズマ源及びクリーニングガスの送出を、詳細に説明する。
【００１６】
チャンバの側壁部１８の上面は、リッドアセンブリ３４のベースプレート３３が支持されているほぼ平坦な着地領域を画成している。その壁部１８の上面には、１以上のオー（Ｏ）リングの溝部が形成され、チャンバ本体１２とベースプレート３３との間の気密シール部を形成している。以下、リッドアセンブリを詳細に説明する。
【００１７】
基板支持部材１６は、チャンバ側壁部１８に形成された側方入口ポート２６を介して部分的に延び、フランジ４６に沿ったチャンバ側壁部１８に取り付けられて、チャンバの中央部にほぼ環状の基板収容面２００を提供している。支持部材１６がチャンバ内に配置されるときは、環状の支持部材１６の外壁部５０とチャンバ内壁部５２とが、支持部材１６の周縁部全体にほぼ均一な環状の流体通路２２を画成する。ほぼ均等な通路２２及び排気ポート５４は、支持部材の基板収容面とほぼ同心であることが好ましい。排気ポート５４は、支持部材１６の基板収容部分の中央下方に置かれ、均等な通路２２を通ってチャンバの外にガスを均等に吐出するようになっている。このことにより、基板周縁部全体を囲む基板表面についての均一なガスの流れが放射状に下方に向かい、そして、チャンバのベースの中央に配置された排気ポート５４を介して、チャンバから外方に向かって可能となる。均等な流体通路２２は、排気ポートに対して異なる近接性を有する基板位置のような、既存のチャンバには欠落している圧力と滞留時間との均等性を維持することにより、薄膜層を均等に堆積することを促進する。
【００１８】
チャンバ本体のテーパを付けた下部部分には、ツインブレードスロットルアセンブリ５６、ゲートバルブ５８及びターボ分子ポンプ６０を備えるポンプスタック(pumping stack)が取り付けられ、チャンバ内部の圧力制御を行うようにしている。ツインブレードスロットルアセンブリ５６及びゲートバルブ５８は、チャンバ本体１２とターボ分子ポンプ６０との間に設けられて、ゲートバルブ５８による分離、及び／又は、ツインブレードスロットルアセンブリ５６の設定により決定される０〜１３．３Ｐａ（０〜１００ｍＴｏｒｒ）の圧力における圧力制御を許容している。１６００Ｌ／秒のターボポンプが好適なポンプではあるが、しかしながら、所望のチャンバの圧力を達成することができる任意のポンプを使用することができる。フォアライン（foreline）５７が、ターボポンプから上流側及び下流側の位置にある排気ポート５４と接続されている。このことは後方排気能力を提供する。フォアラインは、基本的には粗引きポンプであるメインフレーム遠隔ポンプに接続されている。ポンプスタックにはポート５９が形成され、フォアラインのフランジ６１を取り付けている。チャンバのクリーニング中は、クリーニングガスは高速でチャンバ内に流し、それによりチャンバ内の圧力を増す。したがって、本発明の一態様では、ターボポンプをゲートバルブ５８によりチャンバから分離し、クリーニング中はメインフレームのポンプを使用して、チャンバ内部の圧力が維持されるようになる。
【００１９】
チャンバ内で基板の処理中は、真空ポンプはチャンバを真空排気し、０．５３３〜０．８００Ｐａ（４〜６ｍＴｏｒｒ）の範囲の圧力にして、それから、メータで計った処理ガス又はガスの流量を、ガス分配アセンブリを介してチャンバ内に供給する。チャンバの圧力は、チャンバの圧力を直接測定し、そして、排気速度を調整するためにバルブの開閉をする制御装置にこの情報を送ることによって制御する。ガスの流量／濃度は、処理レシピにおいて提供されたソフトウェアの設定値を介して、質量流量制御装置により直接制御する。また、排気ポート５４を通ってチャンバの外へ排気されるガスの流量を測定することにより、入口ガス供給源の質量流量制御装置（図示せず）は、チャンバ内の所望の圧力及びガス濃度を維持するために使用することができる。
【００２０】
チャンバリッドアセンブリ
基本的に、チャンバリッドアセンブリは３４は、エネルギ伝達ドーム３２と、エネルギ送出アセンブリ６２と、ヒンジ取付けベースプレート３３上に支持される温度制御アセンブリ６４とからなっている。ベースプレート３３は、ガス分配リングが配設される内部環状溝を画成している。ガス分配リングの最上部にはＯリング溝が形成されてＯリングを収容し、ドーム３２及びガス分配リングの最上部を密閉している。組み合わせによっては、リッドアセンブリが、プラズマ処理領域の他にエネルギ送出装置をも共に物理的に密閉して、処理を行うようにしている。好適には、様々な構成部品を収容するために、カバーがリッドアセンブリ全体を覆って設けられている。
【００２１】
基本的に、ドーム３２は、平坦な最上部６８により一端部に対して囲まれた円筒形の側壁部６６からなる。円筒形の側壁部は基板支持部材１６の上面に対しほぼ直角であり、平坦な最上部６８は基板支持部材１６の上面とほぼ平行になっている。側壁部と最上部との間の接合部７０は丸みを持ち、湾曲したドーム３２の内壁部を提供している。ドーム３２はＲＦエネルギに対して透過性のある誘電体材料、好ましくは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）又は石英（ＳｉＯ2）等のセラミックで作られている。
【００２２】
独立に電力供給される２つのＲＦコイル、すなわち最上部コイル７２及び側部コイル７４は、誘電体ドームの外側に巻き付けられている。側部コイル７４は、コイル７２とコイル７４間の電気的クロストーク(crosstalk)を減らすために、接地遮蔽で覆われることが好ましい。このようなＲＦコイル７２，７４は、２つの可変周波数ＲＦ電源７６，７８から電力供給される。
【００２３】
各電源には制御回路が含まれており、反射電力を測定し、また、ＲＦ発生装置内のデジタル制御シンセサイザを調整し、基本的に１．８ＭＨｚから周波数を掃引し始めて、反射電力を最小にしている。プラズマが点火すると、プラズマはコイルと並列な抵抗体として働くので、回路の状態は変化する。この段階で、ＲＦ発生装置は、再び最小反射電力点に達するまで周波数を掃引し続ける。電源回路は、最小反射電力点が達成される周波数又はその付近で、各組の巻線が共振するように設計されているので、巻線の電圧は十分に高くなって、プラズマを維持するのに十分な電流を流すことができる。かくして、周波数同調は、処理中に回路の共振点が変化した場合に、装置が共振周波数付近に維持されることを保証する。このように、周波数同調は、インピーダンス整合構成部品（例えばコンデンサやインダクタ）の値を変えることによって、インピーダンスの整合や回路の同調を行なう必要性を取り除いている。
【００２４】
たとえプラズマインピーダンスの変化によりインピーダンスの不整合が連続的に変わっても、各電源は、インピーダンスが不整合にもかかわらず所望の電力が負荷に送出されることを保証している。電力を負荷に対して正確に送出することを確実に行うために、各ＲＦ発生装置は反射電力自体を分散させて出力電力を増加させ、その結果、送出される電力が所望の水準を維持するようになる。
【００２５】
図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、独立した３つの局所ＲＦ整合部の構成を概略的に示したものである。図２（ａ）は、コイルＬの一方の端部を接地した整合部の構成を示したものである。２つのコンデンサＣ１，Ｃ２はＲＦ分圧器を形成している。図２（ｂ）には、両端の２つの分路コンデンサＣ２，Ｃ３を接地した平衡コイルＬを使用して負荷（プラズマ）周波数を整合する。最後に、図２（ｃ）には、コイルＬの両端の２つの可変コンデンサを接地したパイ（Ｂ）形の整合回路網が用いられている。大抵の従来のＲＦ発生装置の出力インピーダンスは５０Ωとなるように設計されているので、整合回路網２（ａ），（ｂ）又は（ｃ）を使用して、下限が５Ωから上限が９００Ωまで（平衡負荷の場合）のインピーダンスの範囲にあるプラズマに最大の電力を伝達することができる。このような２重コイル装置だと、リアクタチャンバ内で半径方向のイオン密度プロファイルの制御が可能となる。
【００２６】
図３は、コイルの形状寸法及び最上部コイル７２及び側部コイル７４のＲＦ給電部を主に示しているチャンバの概略側面図である。図２（ｃ）のところで説明したパイ形回路網の整合装置が図３に示されている。チャンバ１３内にはラングミュア(Langmiur)のプローブが導入されて、チャンバ１３全体の様々な位置におけるプラズマイオン密度を測定して、最上部コイルのみ及び側部コイルのみを使用してプラズマを発生させることができるようになっている。２重コイルの配置構成が、被処理の基板に適切に同調すると、基板の表面全体には均一なイオン密度をもたらすことができる。基板表面全体でイオンが均一になると、ウェハ上への均一な堆積及びギャップ埋込みの実行の一助となり、不均一なプラズマ密度によってデバイスのゲート酸化物がプラズマで荷電することを緩和するのに役立つ。コイルの動作が重ね合わせられたとき、プラズマ密度が均等に生じ、堆積特性を著しく改善することができる。
【００２７】
また、ドーム３２には温度制御アセンブリ６４が含まれ、様々な処理サイクル中、すなわち堆積工程やクリーニング中にドームの温度を調整するようにしている。図４は、温度制御アセンブリ６４及び最上部コイル７２の組立分解図である。基本的には、温度制御アセンブリは、相互に隣接して配設される加熱プレート８０と冷却プレート８２とを備えており、また、好適には、グラフォイル(grafoil)等の熱伝導材料からなる薄層８４をそれらの間に配設させている。好適には、約０．１０２〜０．２０３ｍｍ（約４〜８ｍｉｌ）のグラフォイルの層がそれらの間に配設されている。ＡＩＮプレートのような熱伝導性プレート８６が設けられ、その下面にはコイル７２を収容するために溝が形成されている。熱伝導性プレート８６と加熱プレート８０との間には、好ましくは、厚さが０．０２５〜０．１０２ｍｍ（１〜４ｍｉｌ）のグラフォイルからなる第２の層８８が配設されている。コイル７２とドーム３２との間には、熱伝導性の第３の層９０が配設されている。第３の層は、０．１０２〜０．２０３ｍｍ（４〜８ｍｉｌ）の厚さを有するチョメリックス材(Chomerics)からなる層であることが好ましい。熱伝導性の層はドーム３２との熱伝達を容易にする。クリーニング中はドームを加熱することが好ましい、一方で、処理中はドームを冷却することが好ましい。その結果、熱伝導性の経路が設けられて、これらの利点が達成されるようになる。
【００２８】
冷却プレート８２には、その内部に形成され、水のような冷却流体が流れる１以上の流体通路が含まれている。冷却プレート内の水路は、チャンバ本体に形成された冷却チャネルと直列になっている。急速脱着継手を備えたプッシュロック式ゴムホースにより、水がチャンバ本体及びリッドの冷却水路に供給される。戻りラインには、インターロック式のフロースイッチを備えた目視流量計がある。流量計は、約６０psiの圧力で０．８gpmの流量が得られるように工場で校正されている。ドームには、温度を測定するための温度センサが設けられている。加熱プレート８０は１以上の抵抗加熱エレメントを配設させて、クリーニング段階中にドームに熱を供給することが好ましい。好適には、加熱プレートは鋳造アルミニウムで作られているが、しかしながら、この分野で知られている他の材料を使用してもよい。ドームの温度を調整するために、制御装置は温度制御アセンブリに接続されている。
【００２９】
構成部品８０，８２，８４，８６及び８８はそれぞれ、最上部コイル７２の端部が延在している２つのチャネルを画成している。加熱プレート８０、冷却プレート８２及びグラフォイル層に形成された各チャネルには、２つの絶縁スリーブ９４，９６が配設されて、チャネル内に延びているコイルのリード線を絶縁するようにしている。絶縁スリーブには、その下端部に配設されたシリコン吸引カップが含まれ、絶縁プレート８６において密閉をするようにしている。
【００３０】
直接伝導により、加熱プレート８０及び冷却プレート８２を用いて、ドームの温度を制御するようにしている。ドームの温度を±１０Ｋ以内に制御することにより、ウェハの繰返し精度(wafer to wafer repeatability)や堆積密着性が改善され、また、チャンバ内に落下する破片や粒子が減ることが分かった。基本的に、ドームの温度は、処理要件によって１００〜２００℃の範囲内に維持されている。また、ドーム温度が高くなれば、より高いチャンバのクリーニング速度（エッチング速度）とより高い薄膜密着性とを得ることができることが示されている。
【００３１】
陰極及びリフトアセンブリ
次に、図５〜図１０を参照して、陰極及びリフトアセンブリについて説明する。基板支持部材には、チャンバの内部に配置可能なエレメントと、チャンバの外部に配置可能なエレメントとが含まれている。チャンバ内に配置可能な支持部材１６のエレメントは、チャンバの側壁部１８に設けられた連絡ポート２６を通ってチャンバ内部に延び、チャンバ外部に配置可能なエレメントにより側壁部に支持されている。図５は基板支持部材１６の断面図である。支持部材１６は、チャンバの壁部に取り付けるためのフランジ４６を有するベース９４、半径方向に内向きに延びている片持ち腕部分９６、及び片持ち腕部分９６の端部に配置された基板収容部分９８を備えている。フランジ４６は、基板支持部材連絡ポート２６の周囲のチャンバの壁部１８に、支持部材のベース９４を取り付けるものである。ベース９４はフランジ４６から内方に延び、片持ち内壁部分５１を画成している。片持ち壁部５１は弓形をなすもの、又は、チャンバの全体にわたる内径（Ｒ）とほぼ等しい半径（ｒ）を有する円弧であることが好ましい。周方向の片持ち壁部５１の表面は、チャンバの内壁部５２に隣接して収容されている。支持部材１６が図７に示されるように処理用のチャンバ内に配置されているときは、片持ち壁部５１がチャンバの内壁部５２と共に、対称的且つ連続的なチャンバ内壁部を形成する。
【００３２】
片持ち腕部９６はベース９４の下方部分から内側に向かって延びて、基板収容表面９９を有するＥＳＣ収容部分９８を支持している。ＥＳＣ収容部分９８は、上方に延びている環状のパイロット１００を含んでいる。環状パイロット１００には大内径部分と小内径部分とがあり、内部環状段を形成して絶縁部材１０２が支持されるようになっている。絶縁プレート１０２上にはＥＳＣ１０４が支持されて、基板収容表面９９が設けられることが好ましい。ＥＳＣ収容部分９８の外壁部５０は環状面を連続的に画成している。
【００３３】
また、ＥＳＣ収容部分９８には、基板位置決めアセンブリ１１０が配設されている凹部１０８が画成されている。収容部分の下方部分には、底部プレート１１２がねじを配置することにより固定され、支持部材１６の内部構成部品が処理環境から保護されるようになる。
【００３４】
図７は、チャンバ内に配設された支持部材１６を示す断面平面図である。片持ち腕部９６は対称的な流体通路２２を横切って延び、チャンバ内でＥＳＣ収容部９８を支持している。片持ち腕部は、半径方向の通路等の１つの通路又は複数の通路１１４を含むことにより、流体通路２２を通る流体の流れの遮断、制限又は妨害を最小限に抑制していることが好ましい。また、支持腕部１１６は、その内部に１以上の通路１１８を含んで、均等な流体通路内の流体の遮断、制限又は妨害を最小限にしていることが好ましい。
【００３５】
さらに、流体が片持ち腕部の内部及びその付近を通過するときに流体の遮断、制限又は妨害によって生じる基板表面付近のガスに対する影響をさらに最小にするために、片持ち腕部９６がＥＳＣ収容部分９８の基板収容表面から離れた位置、例えばＥＳＣ収容部分９８の底部に沿った位置等に取り付けられていることが好ましい。より基本的には、配置された基板の上の流体の流れに対する影響を回避するために、流体通路２２内の不均等性が最小限にされ、且つ、ＥＳＣ収容表面９８から十分な距離を置いて配置されることが好ましい。
【００３６】
基板リフトアセンブリ１２０には、半径方向に延びている複数の支持ピン１２２が含まれており、ＥＳＣ収容部材９８の周囲に間隔をおいて配列され、且つ、ウイング形取付プレート１２３上に収容されている。取付プレート１２３は、支持部材１６に形成されたほぼ矩形の凹部内に配設されており、垂直方向に移動可能なエレベータアセンブリ１２６によって動かされるようになっている。図５に示されるように、エレベータ機構１２６は、上端部に取付プレート１３０を取り付け、垂直方向に移動可能なシャフト１２８を含んでいる。シャフト１２８はアクチュエータ、好適にはチャンバの外部に配置される空気圧シリンダによって垂直方向に上下に移動するものになっている。
【００３７】
支持ピン１２２は、ＥＳＣ収容部材９８を垂直方向に通って配設された穴部１３４の中に設けられたスリーブ１３２内に収容されて、密閉容器内の支持部材１６とは独立に移動するようになる。支持ピン１２２が支持部材１６から延びて、ロボットブレードが基板をエンクロージャから取り出すことを許容しているが、ＥＳＣ１０４の上面に基板を配置するためには、各ピンは支持部材１６の内部へ下降しなければならない。ピンにはそれぞれ円柱状のシャフトが含まれており、周縁下部分及び周縁上部分で末端をなしている。
【００３８】
次に作用について説明する。外部ブレード１３８が（被処理の基板を支持し）スリットバルブ２４を介してチャンバ内に挿入するようにして、支持部材１６の上に基板を配置する。適切なブレード１３８及び基板を運搬する関連のロボット装置の例の１つが、ダン・メイダン(Dan Maydan)、サッソン・ソメク(Sasson Somekh)、ディビット・ケー・ウォン(David N.K.Wang)、ディビット・チェン(David Cheng)、マサト・トシマ(Masato Toshima)、イサク・ハラリ(Isak Harari)及びピータ・ハップ(Peter Hoppe)の名前で出願され、発明の名称が「マルチチャンバ統合処理装置(A Multichamber Integrated Process System@)」である、本願と同一人に譲渡された同時係属出願第９４４，８０３号に記載されており、これは参考として本明細書で援用されている。エレベータ機構１２６は基板支持ピン１２２をブレードより上に上昇させ、基板を持ち上げる。次に、ブレードをチャンバから引っ込め、空気圧シリンダがブレードアクセススロット上のドアを閉じて、チャンバを密閉する。エレベータ機構１２６を動かして支持ピン１２２を下降させ、処理のための所定の位置である支持部材１６の上面９８に基板を収容する。
【００３９】
処理後は、エレベータ機構が支持ピン１２２を上昇させて基板を持ち上げ、基板支持部材１６から離す。次に、ドアを開け、ブレードを再びチャンバ内に挿入する。次に、エレベータ機構１２６は基板支持ピン１２２を下降させ、基板をブレードに置く。下方に移動したピン１２２がブレードを取り除いた後に、ブレードを引っ込める。
【００４０】
処理中は、ＣＶＤの処理環境のプラズマが大量の熱を発するが、プラズマによって発生する総発熱量は、プラズマの電力密度に少なくとも部分的には依存している。このような熱の一部は基板に伝わるので、所定の臨界温度以下に基板の温度を維持するために、基板からこの熱を除去しなければならない。このような熱を取り除くために、基板支持部材１６には伝熱装置が設けられて、支持部材及び被処理の基板の温度が制御されるようになっている。図６は、支持部材の伝熱装置を示す断面平面図である。取水部１４０及び排水部１４２は通路１４４，１４６により接続されている。支持部材１６の内部には給水マニホールド１４８が配置されて、支持部材から冷却流体への熱伝達を促進するようにしている。支持部材１６の温度を選択して、チャンバの処理領域から上流のガスマニホールド内部で早期に堆積することを回避している。基板支持部材１６全体の至る所に収容されている冷却チャネル１４４，１４６は、冷却流体の通路用に設けられたものである。さらに、ＥＳＣ１０４（以下で説明する）の表面にあり、ガスが流れる溝部が、熱を基板から支持部材１６内に、そして実質的には冷却流体内に伝達している。
【００４１】
図８は、本発明にしたがった静電チャック１０４の一実施形態の平面図である。図８（ａ）は、ウェハの平坦部を除去して対称的になっている他の実施形態である。平滑な最上面を有しているのではなく、多数の溝が多数の突起部１６６を形成している表面に設けられている。これら突起部の中央領域１６８は、シール部１７２により周縁領域１７０から分離されている。シール部１７２は、溝部をその中に形成して突起部を設けていない領域にすぎず、このため、分離した領域間の流れを最小限にするための固体表面が形成される。外側シール部１７４は、チャンバ内にヘリウムガスが漏れることを最小限にするための障壁を提供している。
【００４２】
ヘリウムガスが周縁領域１７０の中に向かって、一連の穴部をその中に有する溝部となっているリング１７６を介して挿入され、図１のヘリウムのライン４７から当該領域に向かって高圧ヘリウムが収容されるようになる。内側リング１７８は、ヘリウム圧力ライン１４７から中央領域１６８へ向かう低圧ガスを許容している。次に作用について説明する。中央領域１６８においてヘリウムによる初期の低圧を設定した後に、ヘリウムリング１７８がシール領域１７２を介して漏出するヘリウムガスを除去して、所望の低圧へリウムが維持されるようにすることが基本的である。他の実施形態では、リフトピンの穴部になりうる真空穴部１８０が用いられ、図１の真空排気ライン１３５を使用して中央領域のガスを真空排気し、中央領域の圧力をさらに低めることができる。或いは、追加の真空穴部を付加してもよい。
【００４３】
ヘリウムの溝部１７８は、シール領域１７２付近に配置されていることが好ましい。それをできるだけ近くに配置することにより、所望の伝熱の階段関数に近付けることができる。このため、高圧ガスは、周縁部のそばの狭い領域内に収容される。高圧ガスが遠く離れてウェハの中央部に向かって延在してる場合に、冷えた中央部が一層冷えれば冷えるほど、ますます高圧になるガスによって生じる熱の差分の低下を部分的に相殺するようになる。
【００４４】
次に作用について説明する。ウェハを加熱するために、低圧のヘリウム（１３３〜２０００Ｐａ（１〜１５ｔｏｒｒ））を中央領域１６８に供給し、また、高圧のヘリウム（１３３〜２６６６Ｐａ（１〜２０ｔｏｒｒ））を周縁領域１７０に供給する。周縁領域の高圧ヘリウムを高圧にすればするほど、ウェハの周縁部においてより良好な熱伝達が行われる。
【００４５】
実施形態の中には、シール部が静電チャック１６４の残りの部分と同じセラミックコーティングで作られているものがある。上述のセラミックコーティングでは隙間が小さくなっており、このため、シール領域では完全な密閉が提供されない。さらに、基板すなわちウェハには裏面が多少粗いものや、基板サポートより粗いものがある。したがって、シール領域は十分な幅を有して、一の領域から他の領域にヘリウムがかなり漏出することが防止されるようにすべきである。静電チャックがセラミックで覆われた場合、圧力範囲が上述されているときには、シール幅が２．５４ｍｍ（１／１０インチすなわち１００ｍｉｌ）であることが効果的であることが試験により確認された。好適には、シール幅は１．２７〜７．６２ｍｍ（５０〜３００ｍｉｌ）の範囲内にある。外側シール部１７４の場合は、幅を最小にすることが好ましいが、なぜならば、このシール部より上のウェハ領域に、高圧ヘリウムからの熱伝達の利点がないからである。同時に、シール部は十分な幅になって、ヘリウムがチャンバ内にかなり漏出して、高い流量レベルによりヘリウムの持続圧力に達することにより意図した熱伝達能力を損なったり、チャンバ内の反応に影響を及ぼすおそれのあることが防止されなければならない。前述の２．５４ｍｍ（１００ｍｉｌ）の幅が効果的であり、最適なシール幅が１．２７〜７．６２ｍｍ（５０〜３００ｍｉｌ）であることが分かっている。基板サポート及び基板の材料や平滑度が異なる場合は、別の幅が適切であるかもしれない。例えば、よく知られた多くの供給者から入手可能なKaptonJ等のポリマの膜を使用する場合には、それに応じるために小さい幅のものを持ってきてもよい。
【００４６】
好ましい熱伝達ガスはヘリウムであるが、なぜならば、それは不活性であり、比較的安価であるからである。或いは、アルゴン、酸素、ＣＦ4若しくはその他のガスを使用したり、又は、混合ガスを使用したりしてもよい。例えば、圧力制御の追加能力を提供するための混合物を使用してもよい。特定のガスを選択してチャンバ内の化学処理と両立できるようにし、漏れガスが化学反応に対して影響を最小限にするようにすることができる。例えば、エッチング種としてフッ素を使用するエッチング反応では、裏面熱伝達ガスとしてＣＦ4を使用することが望ましい。
【００４７】
熱伝達は主としてヘリウムガスを介して行われるので、かかる目的のためにシール面積と突起部の大きさ及び数を最小限にすることが望ましい。したがって、基板の面積における接触面積が非接触面積より小さくする必要がある。他方、シール部はガスの漏れを防止することが必要とされて、突起部はウェハを機械的に支持するために十分な大きさと間隔を有していなければならない。さらには、最適化すべきその他の要素がある。突起部間において基板と基板サポートとの間のギャップを決定する突起部の高さは、ガスが処理開始時間に影響を与えることなく、迅速に領域全体に分配されるようになることをできるよう十分になっていなければならない。基本的には、これはおおよそ数秒でなければならず、好適には１０秒以下でガスが分配されている。
【００４８】
熱伝達が最適となるためには、ギャップは十分小さくなり、別のガス分子と衝突することなく基板から基板サポートに直接移動する分子によって、熱伝達が主として行われ、自由分子の熱伝達を行う必要がある。したがって、ギャップはガスの平均自由行程（混合ガスを使用する場合は自由行程の平均値）より小さなっている必要がある。平均自由行程は、ガスの圧力と分子衝突断面積との関数である。様々な圧力を使用すると、平均自由行程は変化する。好適な実施形態では、適用される最大圧力の平均自由行程を用いてギャップの寸法を決定する。
【００４９】
さらに、誘電体の全厚に対するギャップの比率を小さくして、基板の局所的な異常を回避する必要がある。この比率が有意なものとなれば、空間と突起部間の等価キャパシタンスが著しく変化し、かなり異なる電界が基板に印加される。このように電界が異なると化学処理に悪影響を及ぼし、堆積、エッチング、ドーピングされたり、又は、その他の属性変化を受けたりする薄膜に不均一性が発生する。多少の差は必ず存在するが、これを最小限に留めることが望ましい。
【００５０】
また、この比率の有意性は、誘電体材料によって、特に材料と熱伝達ガスの誘電率の差（基本的には同一）によって異なる。２つの誘電率が近ければ近いほど、ギャプが大きくてもその重要性は小さくなる。
【００５１】
ギャップの大きさを設定する際の他の重要な点は、基板サポートとウェハの裏面との間の熱伝達ガスによりプラズマを発生させることを回避することである。これは、ギャップの大きさが熱伝達ガスの平均自由行程の数倍になると、重要になり始めると考えられている。
【００５２】
静電チャックの一実施形態の場合、セラミックコーティングの厚さはおおよそ０．１７８〜０．２５４ｍｍ程度（７〜１０ｍｉｌ程度）になっている。KaptonJを使用した場合は、０．０２５〜０．０５１ｍｍ（１〜２ｍｉｌ）の厚さを使用することができる。チャックの目的を得るために、誘電体は、製造の一貫性を維持し且つ絶縁破壊を回避する範囲内でできるだけ薄くなっていることが理想的である。上に述べられた２つの領域の圧力でのヘリウムの平均自由行程は、約０．０２５〜０．１２７ｍｍ（約１〜５ｍｉｌ）となる（非常に高い圧力では、平均自由行程はこれより小さくなりうる）。したがって、０．０１７〜０．０３０ｍｍ（０．７〜１．２ｍｉｌ）の突起部の高さが選択され、試験されて、効果的であることが明らかになった。これにより、所望の圧力においてヘリウムの平均自由行程より小さいギャップが与えられる。好適には、当該ギャップは、妥当な(pertinent)圧力において熱伝達ガスの平均自由行程の２倍以下であることが好ましく、より好適には平均自由行程以下になっている。
【００５３】
突起部間の間隔は、湾曲することなく基板が支持されている限り、できるだけ大きくなっている。一の実施形態では、基板が平坦に維持されているが、一方、他の実施形態では、突起部の高さ或いは基板サポートの最上面を変えて（突起部の高さを均等にし）、湾曲した基板を適切に支持することが望ましい。別の要素として、電界の局所的異常の原因になる尖鋭な点を回避することがある。間隔が大きいと、チャックを解除するときの電荷の移動にも影響を与え、破損の原因になる可能性がある。
【００５４】
突起部の最適な中心距離は２．５４〜７．６２ｍｍ（１００〜３００ｍｉｌ）の範囲内にあり、好適には約７．６２ｍｍ（約３００ｍｉｌ）になっていることが明らかになっている。好適には、突起部自体の大きさは直径で０．２５４〜３．８１ｍｍ（１０〜１５０ｍｉｌ）の間にあり、より好適には約３．３０ｍｍ（約１３０ｍｉｌ）になっている。矩形の突起部が示されているが、単にそれらが製造しやすいからであり、他の形も同様に使用することができる。例えば、環状のものを使用することができる。
【００５５】
図示実施形態では、ガスを除去するための開口部が外側周縁領域に示されていないが、他の実施形態ではこれが設けられていてもよい。ヘリウムの圧力の制御は、高圧又は低圧ヘリウムを使用したり、又は、真空ポンプによって真空排気したりすることによってなされうる。同様に、中央領域の場合は、圧力はこれらの方法のいずれか又は両方の組み合わせで制御されうる。サポートの中央部に近接した真空部と組み合わせて、ヘリウム供給源を縁部に近接したリングとして配置することにより、中央領域内には追加の圧力勾配が生じ、中央部に向かって低下する。例えば、本発明の他の実施形態は、この方法により２つの圧力領域を通して熱伝達の粗調整をし、中央領域におけるヘリウム入口及び真空出口を配置することにより微調整を実施する。他の実施形態では、２以上の領域を使用してさらに細かい微調整を行って、より多くのハードウェアを必要とすることが引き換えになることができる。
【００５６】
図９は、誘電体１８６の変化している厚さを示しているＥＳＣ１０４の一実施形態の側面図である。ウェハ１８２はチャックに取り付けられて示されている。チャックは、誘電体１８６で覆われた電極部分１８４を含んでいる。誘電体は、静電チャックの最上部全体及び側部１９０に沿って延在している。理解されるように、誘電体は中央部分で厚く、また、周縁部分１９４では薄くなっている。この側面図は複数の突起部１７０を示しており、さらに、内側シール部１７２及び外側シール部１７４を示している。
【００５７】
周縁部分１９４で誘電体が薄くなっているほど、これらの部分により強い静電力を与える。これは多くの理由により都合のよいことになっている。第１に、それがウェハをしっかりと保持して、静電チャックの最上面とより良好な接触をすることにより、より良好な熱伝達を確保している。第２に、力がより強くなると、周縁部に近接したシール部１７２とシール部１７４との間の高圧のヘリウムを抑制するのに役立つ。さらに、ウェハの周縁部分が中央部分と異なる温度を有している場合には、これにより、それが中央部分に比べて湾曲するおそれがあり、しかも、上向き又は下向きに湾曲するおそれがあり、熱の差分の問題がさらに悪化する。このことは、周縁部分で静電力が適切に高められることによって克服することができる。
【００５８】
他の実施形態では、２つの圧力領域なしで又は突起部なしで、誘電体の変化する厚さを用いることができる。誘電体被膜の変化は連続的になっていたり又は階段形式になっていたりしてもよい。階段形式との差は製造を容易に且つ安価にしている。
【００５９】
シール領域１７４と、ウェハの縁部の静電力が強くなることとに関する他の利点は、静電チャックの最上面に近接して露出した金属に対するプラズマ放電を防止することである。基本的には、上述の露出した金属はヘリウムの入口ポートにあり、アルミニウム電極を介して近づき(come up)、このため、これらの穴を通って電極に通路が露出する。放電は、より気密なシール部を設けるか、ヘリウム入口穴部を静電チャックの縁部から十分に離れた位置に配置するか、又は、そうした放電を防止する溝をそこに設けることによって防止される。
【００６０】
図９に示されるように、静電チャックの最上面とウェハとの間の空間には、温度センサ１９６が設置されうる。こうして、温度センサからウェハの温度を推測することができる。
【００６１】
図１０は、温度制御を例示しているフィードバック制御装置の信号の系統線図である。図１０の線図は、ヘリウムの圧力を制御するための閉ループ温度制御装置用のものである。或いは、温度センサのない開ループ装置を使用してもよい。事前の実験により所望のプロセスパラメータに対して、適切なヘリウム圧力が表されることができ、したがって、他の実施形態では温度センサを除去することができる。図９は、プロセッサ内で実行される関数と物理的効果とを両方含むものである。
【００６２】
温度設定値は、メモリ２４５の制御プログラムから制御装置へのユーザプログラムの入力として提供される。温度設定値は制御装置によって定数１９８を乗じられて、その結果が、加算関数２０２で示されるように、帰還信号２１３に加算される。加算関数の結果は制御装置により使用され、ヘリウム供給源の流量抑制装置(flow restrictor)又はバルブを制御することにより、ヘリウムの圧力を制御する。これにより、ヘリウムガスの熱伝達の程度が変化する。好適な実施形態では、ヘリウムの圧力は数学的なモデルにしたがって制御されるが、しかしながら、圧力制御の基礎として経験に基づく結果を使用することもできる。以下、数学的なモデルを説明する。ヘリウムの圧力は、ブロック２０２で示すように、ＥＳＣへの熱伝達を制御する（或いは、任意の形式の基板サポートを使用してもよい）。ＥＳＣは熱交換器２３３で冷却されたり、又は、加熱器２４３で加熱されたりして、ウェハへの熱の伝達の量がヘリウムの圧力によって制御されている。このような熱伝達は、（ブロック２０６で示されるように）ＥＳＣへの熱伝達と結合し、プラズマから伝達されるエネルギによって発生する（ブロック２０４で示されるような）熱で相殺することができる。（ブロック２０８で示されるような）ウェハのサーマル・マス(thermal mass)に適用される全熱伝達により、ウェハの温度２１０が作り出される。半導体ウェハではなく他の基板を使用してもよいことに留意されたい。また、ウェハの最終温度２１０は、フィードバック線２１１で示されるように、静電チャックへの熱伝達量に影響を及ぼす。ブロック２０２に示されるＥＳＣとウェハとの間の熱伝達関数は、ＥＳＣの温度の関数の他にウェハの温度の関数である。図示のように、ＥＳＣへの熱伝達がウェハからの熱を除去するが、同時に、プラズマからの熱はウェハに加わる。しかしながら、静電チャックを使用してウェハを加熱するときは、これらを逆転させることができ、したがって、熱入力が行われ、同時に、低温のプラズマにより又は単にプラズマが存在しないチャンバにより熱が除去される。
【００６３】
ブロック２１２は、温度センサによって温度が電気信号へ変換されていることを示している。ブロック２１４は、温度信号をフィードバック信号として温度設定値と結合する前にプロセッサに適用された伝達関数を示している。上述の伝達関数は、最も単純な形では１となる可能性のある定数の乗算、又は、単にアナログ信号からデジタル信号への変換するものとなる傾向がある。
【００６４】
制御装置によって実施される関数は、メモリ２４５内のプログラムの制御によって行われる。そのプログラムは様々な段階を実行するための命令、例えば、温度センサから温度の指示を読み取るための命令や、その温度を所望の入力設定温度と比較するための命令、及び、圧力バルブ（又は流量抑制装置）を制御してガスの圧力を変化させ特定の圧力領域にするための命令等を含んでいる。故障等が発生した場合には、ガスを遮断する他の命令が規定されている。
【００６５】
ヘリウムの圧力は、１つの簡単な圧力の静電チャックを使用している場合に、その圧力を増したり減らしたりすることによって、制御することができる。或いは、本発明の好適な実施形態のように２つの圧力領域を使用する場合には、外側及び内側のヘリウム圧力を独立に制御することができる。例えば、各領域の温度は、２つの領域の交差部付近に配置されている単一の温度センサから推測することができる。或いは、２つの異なる温度センサを使用することもできる。他の実施形態では、温度センサが静電チャックの最上面に取り付けられたり、又は、ウェハ自体に直接接触されてもよい。例えば、圧力の変動を発生させる漏れが領域間にある場合には、その圧力を推測するために温度センサを使用してもよい。ウェハから多少離れていることが基本的であり、その下では異なる圧力を有している可能性のあるその出力部における圧力のみを、圧力調整器は検出している。温度センサは、ウェハの下の実際の圧力を推測するために使用することができる。ウェハ表面の粗さによっては、漏れ量が変動することがあり、供給する圧力を変動させる必要があるかもしれない。
【００６６】
制御装置はそれに対して特定の制限をすることが基本的である。例えば、ヘリウムの圧力は、ウェハが静電チャックから持ち上げられて離れないように、又は、圧力差が大きくなり熱応力のためにウェハが破損する熱勾配を発生するように、制限される。上述の制限を超えたり又は画成されたその他何らかの障害が発生すると、ガスの流れは停止する。
【００６７】
プロセスキット
プロセスキットはカラー及びカバーからなる。さらに、スカートを使用してもよい。セラミックのカラーはウェハの大きさ及び種類によって異なり、静電チャックと石英カバーの間に配設されている。カラーの主な目的は、静電チャックのフランジをプラズマの影響から保護することである。カバーはカラーから陰極アセンブリの外側周縁部まで延びており、その主な目的は、陰極アセンブリをプラズマの影響から保護することである。スカートは、上部チャンバ及び下部チャンバを密閉するスペーサ及びＯリングを、プラズマの影響から保護するために、下部チャンバに配設してもよい。
【００６８】
一の態様では、本発明は、ガス生成物の堆積を防止又はそれに耐える半導体処理チャンバの静電チャック用の改良型のプロセスキット又はシールドを提供している。さらに、このシールドは、酸化物の堆積物を高速で除去し、その結果、ウェハ製造工程のスループットが向上する。
【００６９】
一の実施形態では、カラー又はカバーには、１以上の表面又は内部に配設された導電材料が含まれて、その表面のクリーニングが高められてもよい。総括的には、誘電体のドーム３２の周囲に配設されている誘導性コイルを使用して、カラー又はカバーの導電材料を加熱し、それからカラー又はカバーの表面を加熱するようにしている。フッ素系の化学薬品又はその他の反応ガスを使用してなされるその場のクリーニング工程が、高温で強化されることが示されている。プロセスキット部品に配設された導体と誘導性コイルとを使用することにより、これらの部品の表面の温度が上昇し、クリーニング速度が増す。
【００７０】
一例として、電流を誘導することのできる導体を設けるために、カラーやカバー等のプロセスキット部品の一表面に金属を堆積することができる。加熱処理の操作は、コイルを外部巻線、金属層を内部巻線とする変圧器において見られるものと同様である。
【００７１】
図１１は、静電チャック及びプロセスキットの断面図である。基板サポートアセンブリ２３０には、高いサーマル・マスと優れた熱伝導率を有する導電材料から一体的ブロックとして好適には製造される支持体２３２が備えられ、その上面について冷却されるウェハから熱の吸収を促進するようにしている。アルミニウム又は陽極酸化されるアルミニウムが、支持体２３２の好適な材料であるが、なぜならば、それは約２．３７Ｗ／cm-ECの高い熱伝導率を有し、また、それは半導体ウェハと両立できる工程であることが基本的であるからである。支持体２３２は、ステンレス鋼やニッケル等他の金属を備えていてもよく、また、支持体２３２は、追加の非導電材料を備えていてもく、又は、支持体全ては、非導電性若しくは半導性の材料を備えていてもよい。他の実施形態では、支持体２３２はセラミックからなる一体プレートを備えている。このような構成では、セラミックプレートは導電性エレメントが含まれ、その内部に埋め込まれている。導電性エレメントは、金属エレメント、グリーン・プリンテッド・メタライゼーション（green printed metalization）、メッシュ・スクリーン等を備えていてもよい。支持体２３２は、支持体２３２の外表面から外側に向かって延在している環状の取付フランジ２３４を画成している。好ましくは約７００Ｖの電圧が、基板サポートアセンブリ２３０に直流電源（図示せず）により印加され、ウェハＷを支持体２３２の上面に近接して保持する静電引力を発生させるようにしている。
【００７２】
図１１を参照すると、基板サポートアセンブリ２３０には、支持体２３２の上面２３８を覆う平滑な誘電体材料の層２３６が備えられて、ウェハＷの下面を支持している。誘電体層２３６は、４つのリフトピン穴２４０の上の領域を除いて、支持体２３２の上面２３８全体を覆っている。好適には、誘電体層２３６は、支持体２３２の上面２３４にプラズマ溶射された、アルミナ、酸化アルミニウム又はアルミナ／チタニア複合物の（好ましくはおおよそ約０．１０〜０．３０インチ程度の）薄いセラミック誘電体層を備えている。
【００７３】
一の実施形態では、シールド２４２は、カラー２４６の下に位置する導電材料２４４からなる薄い環状体(annulus)を備えている。カラー２４６は、環状のフランジ２３４により支持され、カバー２４８により保持されている。カバー２４８は、チャンバをクリーニングするのに必要とされる時間を短縮するために、支持体２３２の側方の表面を覆って保護するセラミックの外部ジャケットであることが好ましい。カラー２４６は、小さな間隙２５０により環状フランジ２３４から分離されていることが好ましい。間隙２５０は、環状フランジ２３４の上面及び導電材料２４４の下面又はカラー２４６の自然な表面粗さによって作り出されている。間隙２５０は、０．０１２７〜０．１２７ｍｍ（０．５〜５ｍｉｌ）の厚さになっていることが好ましい。処理チャンバが比較的低圧（基本的には約０．６６７Ｐａ（約５ｍＴｏｒｒ程度））な環境にあるときには、間隙２５０は、カラー２４６と支持体２３２との間の熱伝導を防止する熱的障壁となる。
【００７４】
図１１に示されるように、カラー２４６は、支持体２３２の直径より大きい内径を有して、両者の間に他の間隙２５２を画成していることが好ましい。間隙２５２は、支持体２３２が処理チャンバ内で加熱されたときに支持体２３２が膨張する機会を提供し、さらに、基板サポート２３０又はカラー２４６に損傷を与えることなく、シールド２４２を取付けたり及び取外したりすることができること確実にしている。カラー２４６は、絶縁性換言すれは誘電性の材料からなり、好ましくはセラミック、すなわち、処理チャンバ内にあるウェハ上部のプラズマが静電チャックの一部に接触して浸食するのを防止又は抑制するのに役立つセラミックからなっている。しかしながら、カラー２４６は必ずしも絶縁材料に限定されず、実際、本出願人は、半導体材料でできているカラー２４６が、静電チャックをチャンバ内のプラズマから効果的に保護できることが明らかにしている。
【００７５】
カラー２４６は、処理チャンバ内でガスからの堆積物にさらされる、湾曲した上面２５６を有する薄いリング２５４である。好適には、カラー２４６のサーマル・マスに対する露出上面２５６の面積の比は高くなっており、基本的には約０．１〜５cm2Ｋ／Ｊであり、好適には約１〜１．６cm2Ｋ／Ｊになっている。カラー２４６のサーマル・マスに対する露出表面の面積の比が高ければ、チャンバ内のＲＦエネルギによりかなり高温にそれが加熱される。酸化物の堆積速度は、処理チャンバの表面の温度に反比例することが基本的であるので、カラー２４６が受ける熱は、露出した上面の酸化物の堆積を抑制する。したがって、カラー２４６の形状は（すなわちサーマル・マスに対する露出した表面の比が高いことは）、上面２５６の堆積速度を最小にする。
【００７６】
堆積工程中、処理ガスからの酸化物は、ウェハＷや、エンクロージャの内壁部やカラー２４６の上面２５６のようなチャンバの露出した表面のかなりの部分に堆積する。カラー２４６のサーマル・マスは、表面２５６の面積に比較して相対的に小さいので、カラー２４６は比較的大量の熱をＲＦ電源から受け取る。さらに、カラー２４６は、ＲＦ電力を介して熱が発生する導電材料２４４からなる薄い環状体から加熱される。これにより、上面７２への酸化物の堆積速度はさらに低下する。
【００７７】
図１１に示されるように、ウェハが誘電体層２３６の上面にあるとき又はそれに隣接しているときに、カラー２４６は、カラー２４６の上面がウェハの上面より低く配置されるような大きさで作られていることが好ましい。カラー２４６をウェハの上面より低い位置に配置することにより、上面２５６へ酸化物が堆積する速度がさらに低下し、ウェハ縁部への視線が改善される。したがって、ウェハの縁部は、シールド２４２が仮にウェハよりも上に延びる場合よりも高い堆積速度を受ける。このことは、処理中に生じるのが基本的であるウェハ中央部の高い堆積速度を補償するためには都合のよいことである。
【００７８】
処理チャンバのプロセスキットの断面図である図１２を参照すると、誘導性のＨＤＰ源のソースＲＦコイル２６０を用いて、セラミックのプロセスキットを加熱することができる。導電材料２４４の薄い環状体は、セラミックのプロセスキットの１以上の表面又はその内部に配設されうるが、変圧器の二次コイルとして機能して、ソースＲＦコイル２６０のＲＦ電流によって誘導される電流を通し、プロセスキット用の熱を発生させる。２次コイルの抵抗は非常に重要となるが、なぜならば、抵抗が低すぎたり高すぎると電力伝送が不十分となり、したがって、プロセスキットの加熱が不十分となるからである。
【００７９】
図１２に示す円形の形状の場合、抵抗Ｒはほぼ２ＢｒＤ／Ｗ＠ｄとなる。ここで、ｒは導電材料の薄い環状体の外径の半径方向寸法の大きさであり、ｗは導電材料の幅、ｄは導電材料の厚さ、Ｄは導電材料の抵抗率である。抵抗Ｒは、ｗ＠ｄすなわち導電材料２４４の断面積を変化させることによって、制御することが好ましい。カラー２４６との最適な接触を達成するために、ｗはできるだけ大きく、しかしカラー２４６の幅より小さいことが好適である。ｄの最適値を得るための１つの好適な方法は、導電材料の厚さｄが異なる場合において、様々な試料の加熱速度を経験的にモニタすることである。一の実施形態では、環状体が１０cmの内径、１２cmの外径及び０．１３mmの厚さを有している状態で、導電材料としてのグラファイトを有しているプロセスキットを約２８８ＥＣの温度まで誘導加熱した。
【００８０】
本発明の他の態様では、プロセスキットのクリーニング速度すなわち堆積除去速度は、温度の関数である（つまり処理中に遮蔽が高温になるほど、短時間にそれはクリーニングすることができる）ことが基本的である。クリーニング中、導電材料２４４は、ソースＲＦコイル２６０内のＲＦ電流によって誘導される電流を通す変圧器の２次コイルとして機能し、プロセスキットのための熱を発生する。したがって、温度が高くなると、カラー２４６のクリーニング速度は高くなり、装置２の停止時間を短縮し、それによりプロセスのスループットを向上させる。
【００８１】
ガス分配アセンブリ
以下、図１３〜図１６を参照して、ガス分配アセンブリ３００について説明する。図１３は、ガス分配アセンブリ３００を示す本発明のチャンバの断面図である。総括的には、ガス分配装置は、ドームの下部部分とチャンバ本体の上面との間に配設されている環状のガスリング３１０と、ドームの最上部を通って配置されると共に中央部に配置された中央ガス供給部３１２とを備えている。ガスは、ドーム３２の底部に近接して配置されると共に周方向に取り付けられたガスノズル３０２，３０４と、ドームの最上部プレートの中央部に配置される中央配置のガスノズル３０６との両方を通って、チャンバ内に導入されるようになる。この構成の利点の１つは、ノズル３０２，３０４，３０６を介してチャンバ内の選択位置に、複数の様々なガスを導入することができることである。さらに、酸素のような他のガス又は混合ガスを、ノズル３０６の周囲に配設されたガス通路３０８を通して、側部のノズル３０６に沿って導入し、且つ、チャンバ内に導入される他のガスと混合することができる。
【００８２】
以下、ガス分配リング及び中央部に配置されたガスマニホールドを、それぞれ説明する。
【００８３】
基本的に、ガス分配リング３１０には、アルミニウム又はその他の適切な材料３１４でできた環状リングが備えられ、複数のポートを形成してノズルが収容され、また、１以上のガスチャネル３１６，３１８と連通している。好適には、少なくとも２つの別個のガスをチャンバ内に供給するために、ガスリング内に少なくとも２つの別個のチャネルが形成されている。ノズルを収容するためのポートはそれぞれ、リング内に形成されたガス分配チャネル３１６，３１８のうち少なくとも１つに接続されている。本発明の一実施形態では、１つおきのポートがチャネルの１つに接続され、同時に、残りのポートは残りのチャネルに接続されている。このような構成では、一例として、ＳｉＨ4及びＯ2等の別個のガスを別個にチャンバ内に導入することができる。
【００８４】
図１４は、ノズル３０２を内部に配設した１つのポート３１４に接続されている第１のガスチャネル３１６を示す断面図である。図示のように、ガスチャネル３１６は、チャンバ本体の壁部の上面に、好適には、チャンバの壁部の周縁部全体を取り囲んで環状に形成されている。環状のガスリングには、リング内において長手方向に第１の組のチャネル３２０が配設され、ガスの分配のためにチャネル内に設けられたポート３１４のぞれぞれに接続されている。ガスリングをガスチャネルの上に配置されるときは、通路がチャネルと連通する。ガス分配リングは、チャネルから外側に配設された２つの別個のＯリング３２２，３２４により、チャンバの壁部の最上部表面で密閉され、ガスがチャンバの内部に漏れるのを防止する。チャネルの内側の凹部３２８には、テフロンシール３２６等が配設され、チャンバへのガス漏れを防止している。
【００８５】
ポート３１４内に配設されたノズル３０２，３０４はねじ山を作り、ポートのねじ山と合わせて、両者間の密封をし、また、迅速且つ容易な交換をすることが好ましい。各ノズルの端部に制限オリフィス３３０を配置して、チャンバ内に所望のガス分布をもたらすために、選択することができる。
【００８６】
図１５は、第２のガスチャネル３１８を示す断面図である。第２のガスチャネル３１８は環状のガス分配リングの上部部分に形成され、また、同様に、ガス分配リングの周縁部を取り囲むように環状の構成をなして配設されている。水平方向に配置された通路３３２は、ガスリング内に形成された１以上のポートに、第２のガスチャネルを接続しており、そしてここで、追加のガスノズルが配設されている。上部を含んでいる第２のガスチャネルの表面は、ドーム３２を支持しているリッドの部分により形成され、また、最上部においてベースプレート３３によって密閉されている。ガスリング３１０は、チャンバ本体にヒンジで取り付けられたベースプレート３３にボルト固定されている。
【００８７】
本発明の利点の１つは、ガスの分配パターンを調整することができるように、リングがポートを形成して様々な角度でノズルの先端部を収容し位置決めするときに、ガス分配リングを容易に取り外したり交換することができることである。換言すれば、ある適用分野では、リングにポートを形成し、ガスノズルの幾つかをチャンバ内で上方に向けたり、又は、逆にそれらの幾つかをチャンバ内で下方に向けたりすることが有利になっている。ガス分配リングに形成されたポートは、機械加工され、所望の角度を選択して所望の処理結果をもたらすことができるようになっている。さらに、少なくとも２つのガスを別個にチャンバ内に送り込むことができる少なくとも２つのガスチャネルがある場合は、様々なガスの間で発生する反応の際立った制御をすることが可能になる。さらにまた、ガスを別個にチャンバ内へ送り込むことにより、ガス分配アセンブリ内のガスの反応が防止されることができる。
【００８８】
図１６は、ドーム３２を通って配設された中央ガス供給部３１２を示す断面図である。最上部ガス供給部３１２は、ドームの最上部に配設されたベース３３４と、ドームに形成された凹部内に配設されたテーパボディ３３６とを有するテーパ構体になっていることが好ましい。別個の２つのＯリング３３６，３３８は、１つがテーパボディ３３６の下面とあり、また、１つが下端に向かったテーパボディ３３８の側部表面にあるとき、ガス供給部３１２とチャンバのドームとの間の密閉可能な接触をしていた。最上部ガス供給部の本体の下部部分にはポート３４０が形成されて、ガスをチャンバに送り込むためのノズル３０６が収容されるようになっている。少なくとも１つのガス通路３４２が、ポートに接続されたガス供給部３１０の至る所に配設され、ガスがノズルの後部まで送り込まれるようになる。さらに、ノズル３０６はテーパ加工されており、また、ポート３４０は、ノズル３０６の側部に沿ってガスをチャンバ内に送り込む第２のガス３０８通路を画成している。第２のガスチャネル３０４は、ガス供給部３１２の至る所に配設されて、ガスを通路３０８に送り込むようにしている。酸素等のガスは、ＳｉＨ4等のガスの横側に送り込むことができる。
【００８９】
図１７は、リッドアセンブリのベースプレート３３及びガス分配リング３１０を示す拡大図である。ベースプレート３３の下部部分にはチャネル３５０が形成されて、ガス分配リング３１０を収容するようにしている。ガスリング３１０はベースプレート３３にボルトで固定されるか、又は、その他の方法で取り付けられている。ベースプレートは、チャンバ本体にヒンジで取り付けられている。
【００９０】
第１のガス源３５２及び第１のガス制御装置３５４は、チャンバの壁部に形成された第１のガスチャネル３１６内へライン３５６を介して第１のガスが入ることを制御する。同様に、第２のガス源３５８及び第２のガス制御装置３６０は、ガス分配リングに形成された第２のガスチャネル３１８へ、ライン３６２を介して所望の第２のガスを供給する。
【００９１】
第３のガス源３６４及び第３のガス制御装置３６６は、チャンバの最上部に配置したガスチャネルへ、ライン３６８を介して第３のガスを供給する。第４のガス源３７０及び第４のガス制御装置３７２は、ガス通路３０８へライン３７４を介して第４のガスを供給する。第３のガスノズル及び第４のガスノズル６４を介して導入されるガスやＯ2は、両方のガスがチャンバ内に入るときに、チャンバの上部で混合される。
【００９２】
遠隔プラズマクリーニング装置
遠隔プラズマ源は、ガス入口部及びガス出口部を有する遠隔チャンバ、導波管によりチャンバに結合される電源、及び、チャンバ内のガス入口部とガス出口部との間に配設されたアプリケータ管(applicator tube)を備えていることが基本的である。図１８は、チャンバに接続された遠隔プラズマ源５００の概略図を示すものである。チャンバ５０２は、好適にはアルミニウムでできた円筒形のチャンバであり、その対置する両端部にはガス入口部５０４及びガス出口部５０６を配設している。チャンバは、チャンバの壁部の至る所に配設されたファンを使用するか、又は、水等の熱伝達流体を内部に流す一連のコイル等の流体冷却装置を使用することにより、冷却することが好適である。サファイア管のようなアプリケータ管５０８又はその他のエネルギ透過管等は、チャンバ５０２内のガス入口部とガス出口部との間に配設されている。また、送出式水冷送出導管５１０は、チャンバ１０の下部部分に形成されたガスチャネル２８に、ガス出口部を接続している。電源は、導波管５１２によりチャンバに結合されている。本発明を有利にするために用いることができる遠隔プラズマ源の１つが、１９９４年７月２１日に出願され、本明細書で参考として援用される米国特許出願第０８／２７８，６０５号に記載されている。
【００９３】
好適には、２０００〜５０００Ｗの範囲の電力がチャンバ５０２に供給される。ガスを解離するために必要とされる最適な電力を使用する必要がある。付加された電力はすべて浪費され、基本的には、追加の熱を発生する際に用いられる。最適な電力より電力が低い場合は、クリーニングガスを不完全に解離して、クリーニング速度及び効率を低下させることに帰着する。一の実施形態では、単一電源を使用して、ソースアンテナ及び遠隔プラズマチャンバの両方が駆動される。
【００９４】
チャンバ内では、非常に高速で進行するクリーニング反応が以下の形式、すなわち、
４Ｆ* (Gas)＋ＳｉＯ3６ＳｉＦ4(Gas)＋Ｏ2(Gas)
及び、２Ｆ* (Gas)＋ＳｉＯ2(Gas)６ＳｉＦ2(Gas)＋Ｏ2(Gas)
を有して、気相を真空排気することによりチャンバ１３から除去されるガス状生成物を作り出すものと考えられている。長時間励起中性フッ素種Ｆ*を高濃度発生するのに最も効果的な反応ガスは、ＮＦ3，Ｆ2，ＳＦ6，ＣｌＦ3及びＣ2Ｆ6である。しかしながら、マイクロ波によって励起可能で、チャンバ内の堆積材料と反応する他のクリーニングガスを使用してもよい。図９の本発明の遠隔マイクロ波クリーニング装置の場合、ＮＦ3及びＦ2を不活性なアルゴンガスで１０〜５０％の濃度に希釈して使用することが好ましい。遠隔プラズマ源の使用により生じる所望のクリーニング反応は、チャンバ又は基板サポート構体がイオン衝撃を受けることなく進み、ＥＳＣ１０４上のウェハカバーや、不可欠なチャンバアセンブリの定期的な交換をする必要性が回避される。したがって、装置のずっとはるかに効果的な使用及びスループットがもたらされる。
【００９５】
また、図１８は、チャンバ壁部に形成されたクリーニングガス送出チャネルを示している。ガスは、遠隔源５００からチャンバの後壁部５２０に向かって水平方向に配設された第１のガスチャネル２８に送出される。第１のガスチャネル２８は後壁部の長さだけ延び、チャンバの対置する両側部にガスを送出するようにしている。チャンバの下部部分には中央ガス５２２接続部が形成され、送出導管５１０の第１のガスチャネル２８に接続されるようにしている。また、チャンバの各側壁部には第２のガスチャネル５２４が形成され、チャンバ内のスリット開口部５２６で終端されている。チャネルが形成されているコーナーカバーが作られて、第１のガスチャネル２８の端部を、側壁部に形成された側部のガスチャネル５２４に接続するようにしている。好適には、コーナーカバーはチャンバ本体の所定の位置に溶接されて、チャンバ本体を介してチャンバのスリット開口部５２６にガスが送出されることを促進するようにしている。
【００９６】
第２のガスチャネル５２４のスリット開口部５２６内には、第１のガス拡散部材５２８が配設されて、クリーニングガスがチャンバに導かれるようになる。図１９は、チャンバの対置する両側部にクリーニングガスを送出する湾曲側面部５３０，５３２を示すガス拡散部材５２８の平面図である。湾曲した表面５３０，５３２は第２のガスチャネル５２４の両側に配置され、外側にチャンバ内に向かってガスを導くようにしている。
【００９７】
図２０は、ガス拡散部材５２８の側面図である。ガスディフューザの後部５３４は傾斜の付いた状態になって、チャネル５２４内に配設されたガスディフューザを越えてガスが通過し、チャンバの両側部にガスが導かれるようになることを可能にしている。ガス拡散部材の一端部には凹部５３６が形成されて、ガスチャネル内の所定位置でディフューザの係合を楔式でしている。凹部と結合するために、楔部５３８が設けられ、ねじにより楔部を凹所内の所定位置に押し込み、楔部をディフューザに接続し、また、ディフューザをチャンバ本体に接続する。
【００９８】
他の実施形態では、チャンバ内において、チャンバの各スリット開口部５２６に近接してガスバフラ(gas baffler)を配設し、クリーニングガスを上向きの方向に、また、プロセスキットやＥＳＣ１０４の上部に向かわせてもよい。図２１は、フランジ５４２によりディフューザ５２８に取り付けられているバフラ５４０の斜視図が示されている。バフラの本体５４４には湾曲した表面５４６が設けられ、チャンバ内に配置されているときは、わずかに上向きに傾斜し、クリーニングガスをチャンバ内で上向きの方向に、また、ＥＳＣ１０４やプロセスキットの上部に向かわせるようにしている。
【００９９】
クリーニングガスが上記ＥＳＣ及びプロセスキットの上からチャンバ内に送り込まれると、クリーニング工程が最も効果的なものになることが明らかになっている。さらに、チャンバ内で上向きに、また、ＥＳＣ及びプロセスキットから離れる方向にガスが流れて、クリーニング工程中に遊離される粒子や残留物を、クリーニングガスがＥＳＣに押しつけることが防止されるようにすることが好ましい。粒子がＥＳＣ上に残ったままであるならば、チャックでの固定中に、ヘリウムの漏れが生じるおそれが増大する。バッフル(baffle)はガス流を上向きにそらせて、クリーニングを向上させ、ＥＳＣ上への粒子の堆積を防止するようにしている。
【０１００】
上記は本発明の好適な実施形態にしたがったものであるが、本発明のその他の実施形態もその基本的な範囲から逸脱することなく創案してもよく、また、本発明の範囲は、上記の特許請求の範囲に記載する請求項にしたがって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の処理チャンバの断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明が進歩するために使用することができる種々のＲＦ整合の構成を示す電気的な概略図である。
【図３】本発明の２重領域ＲＦプラズマ源を示す概略断面図である。
【図４】上部温度制御アセンブリ及び上部アンテナの拡大図である。
【図５】本発明の基板支持部材の断面図である。
【図６】本発明の基板支持部材の断面平面図である。
【図７】基板支持部材を配設しているチャンバの断面平面図である。
【図８】静電チャックの一の実施形態の平面図である。
【図８ａ】静電チャックの他の実施形態の平面図である。
【図９】図８の静電チャックの一実施形態の断面図である。
【図１０】図８及び図９の静電チャックの温度制御の態様の系統線図である。
【図１１】静電チャック及びカバーリングの断面図である。
【図１２】ソースコイルに近接して配設されているカバーリングの断面図である。
【図１３】本発明のガス制御装置を示す部分的に断面になった側面図である。
【図１４】ガス分配リング及び第１のガスチャネルを示す部分的に断面になった側面図である。
【図１５】ガス分配リング及び第２のガスチャネルを示す部分的に断面になった側面図である。
【図１６】中央ガス供給アセンブリを示す部分的に断面になった側面図である。
【図１７】リッドアセンブリのガス分配リング及びルーズプレートの拡大図である。
【図１８】マイクロ波遠隔プラズマクリーニング部及びチャンバに対するその位置を示す部分的に断面になった概略側面図である。
【図１９】ガスディフューザの平面図である。
【図２０】ガスディフューザの側面図である。
【図２１】ガスバフラの斜視図である。
【符号の説明】
１０…処理装置、１２…チャンバ本体、１４…リッドアセンブリ、１６…基板支持部材、２０…環状処理領域、２２…排気通路、２４…基板入口ポート、２６…側方入口ポート、２８…ガスチャネル、３０…遠隔プラズマ源、３２…ドーム、３３…ベースプレート、４４…スリットバルブ、４６…フランジ、５０…外壁部、５１…片持ち壁部、５２…チャンバ内壁部、５４…排気ポート、５６…ツインブレードスロットルアセンブリ、５８…ゲートバルブ、６０…ターボ分子ポンプ、６２…エネルギ送出アセンブリ、６４…温度制御アセンブリ、６６…側壁部、６８…最上部、７０…接合部、７２…最上部コイル、７４…側部コイル、７６，７８…電源、８０…加熱プレート、８２…冷却プレート、８４…薄層、８６…熱伝導性プレート、８８…第２の層、９０…第３の層、９４，９６…絶縁スリーブ、９８…ＥＳＣ収容部分、９９…基板収容表面、１００…パイロット、１０２…絶縁部材、１０４…静電チャック（ＥＳＣ）、１０８…凹部、１１０…基板位置決めアセンブリ、１１２…底部プレート、１１４，１１８…通路、１１６…支持腕部、１２０…基板リフトアセンブリ、１２２…基板支持ピン、１２３…取り付けプレート、１２６…エレベータ機構、１２８…シャフト、１３０…取り付けプレート、１３２…スリーブ、１３４…穴部、１４０…取水部、１４２…排水部、１４４，１４６…冷却チャネル、１４８…給水マニホールド、１６４…静電チャック、１６６…突起部、１６８…中央領域、１７０…周縁領域、１７２…内側シール部、１７４…外側シール部、１７６…リング、１７８…内側リング、１８０…真空穴部、１８２…ウェハ、１８４…電極部分、１８６…誘電体、１９０…側部、１９４…周縁部分、１９６…温度センサ、１９８…定数、２００…基板収容面、２０２，２０４，２０６，２０８，２１２，２１４…ブロック、２１０…ウェハの温度、２１１…フィードバック線、２１３…帰還信号、２３０…基板サポートアセンブリ、２３２…支持体、２３４…フランジ、２３６…誘電体層、２３８…上面、２４０…リフトピン穴、２４２…シールド、２４４…導電材料、２４６…カラー、２４８…カバー、２５０…間隙、２５２…第２の間隙、２５６…上面、２６０…ソースＲＦコイル、３００…ガス分配アセンブリ、３０２，３０４，３０６…ガスノズル、３０８…ガス通路、３１０…ガス分配リング、３１２…中央ガス供給部、３１４…ポート、３１６，３１８…ガスチャネル、３２０…チャネル、３２２，３２４…Ｏリング、３２６…テフロンシール、３２８…凹部、３３２…通路、３３４…ベース、３３６，３３８…Ｏリング、３４０…ポート、３４２…ガス通路、３５０…チャネル、５００…遠隔プラズマ源、５０２…チャンバ、５０６…ガス出口部、５０８…アプリケータ管、５１０…送出式水冷送出導管、５１２…導波管、５２０…後壁部、５２２…中央ガス、５２４…第２のガスチャネル、５２６…スリット開口部、５２８…第１のガス拡散部材、５３０，５３２…湾曲側面部、５３４…後部、５３６…凹部、５３８…楔部、５４０…バフラ、５４２…フランジ、５４４…本体、５４６…湾曲面、Ｗ…ウェハ。
Claims (9)
- （ａ）（i）側壁部と、
（ii）前記側壁部の一方の端部に配設されたリッドと、
（iii）前記側壁部の反対側の端部に配設された底部と、
を有するチャンバ、
（ｂ）前記側壁部に片持ち式で取り付けられた基板支持部材、
（ｃ）前記リッドを通って配設され、第１の処理ガスを前記チャンバ内に入れるようにする第１の処理ガス入口部、
（ｄ）前記側壁部を通って配設され、第２の処理ガスを前記チャンバ内に入れるようにする第２の処理ガス入口部、
（ｅ）前記チャンバの前記底部に配設された排気ポート、
（ｆ）前記リッドに近接して配設されたアンテナ、
（ｇ）前記アンテナに接続された可変周波数ＲＦ源、及び、
（ｈ）前記可変周波数ＲＦ源に接続され、前記アンテナへの電力伝送の変化に応じて前記可変周波数ＲＦ源の出力を連続的に調整するようにする制御回路、
を備え、
（ｉ）前記制御回路が反射電力を測定し、前記可変周波数ＲＦ源のシンセサイザを調整することで周波数を掃引して反射電力を最小にする、基板を処理するための装置。 - 前記アンテナは、電磁エネルギの透過を容易にする材料からなる前記リッドの一部分に近接して配設されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
- 前記材料が、Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ又はそれらの組み合わせからなる群から選択されたセラミックであることを特徴とする請求項２に記載の装置。
- 前記アンテナは、前記リッドに近接して配設された１以上のコイルを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
- 前記アンテナが第１のコイルと第２のコイルとを備え、且つ、前記可変周波数ＲＦ源が、前記第１のコイルに電気的に接続された第１の可変周波数ＲＦ源と、前記第２のコイルに電気的に接続された第２の可変周波数ＲＦ源を備えていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
- 前記第１のコイルが前記リッドの側部に巻き付けられたらせんコイルであり、また、前記第２のコイルが前記リッドの最上部に近接して配設された平形コイルであり、前記リッドの最上部に配置した前記平形コイルは１以上のガス入口部が配設された通路を画成し、前記第２コイルによって画成される前記通路は前記基板支持部材の上方の中央部に配置されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
- 前記第１の可変周波数ＲＦ源及び前記第２の可変周波数ＲＦ源が独立に制御されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
- 前記アンテナが第１のコイルと第２のコイルとを備え、前記可変周波数ＲＦ源が前記第１のコイル及び前記第２のコイルに接続されており、前記可変周波数ＲＦ源が高周波発生器を備えることを特徴とする請求項４に記載の装置。
- 前記リッドが、誘電体材料からなるドームを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/679927 | 1996-07-15 | ||
| US08/679,927 US6170428B1 (en) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007293616A Division JP2008091938A (ja) | 1996-07-15 | 2007-11-12 | プロセスキット、ウェハ処理装置及びプロセスキットの加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116826A JPH10116826A (ja) | 1998-05-06 |
| JP4688983B2 true JP4688983B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=24728963
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22293297A Expired - Fee Related JP4688983B2 (ja) | 1996-07-15 | 1997-07-15 | 誘導結合型ｈｄｐ−ｃｖｄリアクター |
| JP2007293616A Pending JP2008091938A (ja) | 1996-07-15 | 2007-11-12 | プロセスキット、ウェハ処理装置及びプロセスキットの加熱方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007293616A Pending JP2008091938A (ja) | 1996-07-15 | 2007-11-12 | プロセスキット、ウェハ処理装置及びプロセスキットの加熱方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6170428B1 (ja) |
| EP (1) | EP0819780B1 (ja) |
| JP (2) | JP4688983B2 (ja) |
| KR (1) | KR100268158B1 (ja) |
| DE (1) | DE69727624T2 (ja) |
| TW (1) | TW363212B (ja) |
Families Citing this family (330)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6070551A (en) | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| US6170428B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| US6184158B1 (en) * | 1996-12-23 | 2001-02-06 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma CVD |
| US6749717B1 (en) | 1997-02-04 | 2004-06-15 | Micron Technology, Inc. | Device for in-situ cleaning of an inductively-coupled plasma chambers |
| US6286451B1 (en) * | 1997-05-29 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | Dome: shape and temperature controlled surfaces |
| US6797188B1 (en) * | 1997-11-12 | 2004-09-28 | Meihua Shen | Self-cleaning process for etching silicon-containing material |
| DE69723566T2 (de) * | 1997-12-17 | 2004-06-03 | Tokyo Electron Ltd. | Verfahren zur Behandlung eines Halbleitersubstrates |
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| US6200911B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for modifying the profile of narrow, high-aspect-ratio gaps using differential plasma power |
| KR20010034810A (ko) * | 1998-04-21 | 2001-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 가변 플라즈마 전력을 사용하여 고종횡비를 갖는 갭의프로파일을 변형시키는 방법 및 장치 |
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| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
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| US6367413B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate |
| US6395095B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-05-28 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improved plasma processing of a substrate |
| JP4776130B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2011-09-21 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置、半導体製造装置、およびこれに用いる加熱・冷却ブロック |
| US6302966B1 (en) | 1999-11-15 | 2001-10-16 | Lam Research Corporation | Temperature control system for plasma processing apparatus |
| TW518639B (en) | 1999-11-18 | 2003-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment device, cooling treatment device and cooling treatment method |
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| EP1169490B1 (en) * | 2000-01-12 | 2008-03-12 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| KR100704591B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2007-04-09 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 및 그 내부 세정방법 |
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| US6335288B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-01-01 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD |
| US6843258B2 (en) | 2000-12-19 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning |
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1996
- 1996-07-15 US US08/679,927 patent/US6170428B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-29 US US08/865,018 patent/US6182602B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-15 EP EP97305257A patent/EP0819780B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-15 TW TW086110052A patent/TW363212B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-07-15 DE DE69727624T patent/DE69727624T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-15 KR KR1019970034125A patent/KR100268158B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-15 JP JP22293297A patent/JP4688983B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-12 JP JP2007293616A patent/JP2008091938A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0819780B1 (en) | 2004-02-18 |
| TW363212B (en) | 1999-07-01 |
| KR100268158B1 (ko) | 2000-12-01 |
| EP0819780A3 (en) | 1998-05-27 |
| JPH10116826A (ja) | 1998-05-06 |
| JP2008091938A (ja) | 2008-04-17 |
| KR980011769A (ko) | 1998-04-30 |
| DE69727624T2 (de) | 2004-10-14 |
| US6170428B1 (en) | 2001-01-09 |
| DE69727624D1 (de) | 2004-03-25 |
| US6182602B1 (en) | 2001-02-06 |
| EP0819780A2 (en) | 1998-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070625 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071010 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071015 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
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