JP6595396B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

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    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、被加工物に対するプラズマ処理、例えば、プラズマエッチングが行われることがある。プラズマ処理は、プラズマ処理装置を用いて行われる。プラズマ処理装置では、チャンバ本体によって提供されるチャンバ内にガスが供給され、当該ガスがプラズマ源によって励起される。これにより、チャンバにおいてプラズマが生成され、試料台によって支持された被加工物が、プラズマ中のイオン及び／又はラジカルによって加工される。
このようなプラズマ処理装置の一種として、試料台をプラズマ導出方向を軸として回転させる回転駆動装置と、試料台をプラズマ導出方向に対して傾斜させる傾動駆動装置とを備えるものがある。このようなプラズマ処理装置は、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、試料台は回転体に取り付けられており、当該回転体は密閉構造の容器の内部まで延びている。この容器の内部には、回転駆動装置が設けられている。
特開平１−１１７３１７号公報
特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、容器の内部に設けられた回転駆動装置といった種々の部品の何れかを保守するために、試料台、回転体、及び、容器を含む組立体（支持構造体）をチャンバから取り出す必要がある。したがって、支持構造体を構成する部品の保守が容易ではない。
一態様では、被加工物に対するプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、チャンバ本体、ガス供給部、排気装置、プラズマ原、支持構造体、及び、第１の駆動装置を備える。チャンバ本体はチャンバを提供する。ガス供給部は、チャンバにガスを供給するよう構成されている。排気装置は、チャンバを減圧するよう構成されている。プラズマ源は、チャンバ内のガスを励起させるよう構成されている。支持構造体は、チャンバ内において被加工物を支持するよう構成されている。第１の駆動装置は、チャンバ内において、鉛直方向に直交する方向に延びる第１軸線周りに支持構造体を回転させるよう構成されている。支持構造体は、保持部、容器、シール部材、第２の駆動装置、及び、ロータリーコネクタを有している。保持部は、静電チャックを含んでいる。静電チャックは、被加工物を保持するよう構成されている。保持部は、第１軸線に直交する第２軸線周りに回転可能に設けられている。容器は、保持部の下側に設けられている。シール部材は、容器と保持部との間に介在し、容器内の空間をチャンバから分離するよう構成されている。第２の駆動装置は、容器内に設けられており、保持部を第２軸線周りに回転させるよう構成されている。ロータリーコネクタは、静電チャックの電極に電気的に接続されている。容器は、筒状の容器本体、及び、底蓋を有する。底蓋は、容器本体の下側開口を閉じる部材であり、容器本体に対して取り外し可能に構成されている。
一態様に係るプラズマ処理装置では、支持構造体の容器の内部に設けられた部品の保守を行う際に、底蓋が静電チャックに対して上方に位置するように支持構造体を第１軸線周りに回転させることができる。そして、底蓋を容器本体から取り外すことができる。したがって、支持構造体をチャンバ本体内に配置した状態で、容器内の部品に容易にアクセスすることが可能である。故に、支持構造体を構成する部品の保守が容易である。
一実施形態では、排気装置は、底蓋の下方において、チャンバ本体に接続されている。底蓋は、上端部及び下端部を含む。底蓋の上端部は、容器本体に接続される部分である。底蓋の下端部は、第２軸線が延びる方向において上端部よりも容器本体から離れた部分である。この実施形態では、上端部よりも下端部の側において、第２軸線に直交する任意の方向における底蓋の幅が、該任意の方向における上端部の幅よりも狭くなっている。この実施形態では、上端部よりも下端部の側で底蓋の幅が小さくなっているので、第１軸線と底蓋との間の最大距離が小さい。即ち、支持構造体の第１軸線周りの回転半径が小さくなっている。したがって、チャンバのサイズを小さくすることができる。また、支持構造体、特に底蓋の周囲におけるコンダクタンスが大きくなる。したがって、チャンバ内における均一なガスの流れが形成される。故に、静電チャック上におけるプラズマ密度分布の均一性が向上される。
一実施形態では、上端部と下端部との間において、底蓋の幅は、単調に減少してもよい。
一実施形態では、保持部は、絶縁性のベース部材及び固定具を更に有する。ベース部材は、静電チャックと容器本体との間に介在する。固定具は、静電チャックをベース部材に対して取り外し可能に固定するよう構成されている。この実施形態では、固定具による静電チャックのベース部材に対する固定を解除することにより、静電チャックをベース部材から容易に取り外すことができる。したがって、静電チャックの交換といった保守を容易に行うことができる。
一実施形態では、ベース部材及び静電チャックには、該ベース部材の下面から静電チャックの内部まで延びる複数の第１の孔が形成されている。また、静電チャックには、当該静電チャックの外周面から延びて複数の第１の孔にそれぞれ接続する複数の第２の孔が形成されている。固定具は、複数の第１の柱状体及び複数の第２の柱状体を含む。静電チャックをベース部材に固定する際には、複数の第１の柱状体が複数の第１の孔に挿入される。また、複数の第２の柱状体が、複数の第２の孔に挿入され、複数の第１の柱状体それぞれに形成された孔に挿入される。
一実施形態では、保持部には、第２軸線が延びる方向に沿って延びる複数の貫通孔が形成されている。支持構造体は、複数のプッシャーピン、複数の第３の駆動装置、及び、複数のホルダを更に有する。複数のプッシャーピンはそれぞれ、複数の貫通孔に挿入可能に設けられている。複数の第３の駆動装置は、容器内に設けられている。複数の第３の駆動装置は、複数のプッシャーピンの上端の位置を静電チャックの上面よりも上方の位置と容器内の位置との間で変化させるために当該複数のプッシャーピンを個別に移動させるよう構成されている。複数のホルダは筒状をなしている。複数のホルダはそれぞれ、複数の第３の駆動装置に取り付けられている。複数のホルダの内孔には、複数のプッシャーピンの基端部がそれぞれ嵌め込まれるようになっている。この実施形態では、プッシャーピンの上端を静電チャックの上面よりも上方に位置させた状態で、ホルダからプッシャーピンを抜き取ることができる。したがって、プッシャーピンの交換といった保守を容易に行うことができる。また、複数のプッシャーピンそれぞれに専用の駆動装置が設けられているので、複数のプッシャーピンを支持するリンクを一つの駆動装置によって上下動させるタイプの駆動機構に比べて、複数のプッシャーピンそれぞれの上端の位置を精密に制御することができる。また、被加工物を静電チャックから上方に移動させる際に複数のプッシャーピンの各々が被加工物に対して与える駆動力の監視の精度が向上される。さらに、この実施形態の支持構造体は容器内にリンクを内蔵していないので、容器内のスペースを有効に利用することができる。
一実施形態では、支持構造体は、静電チャックの上面の外縁部及び静電チャックの外周面を覆う絶縁性の保護部材を更に有する。この実施形態では、保護部材によって静電チャックの上面の外縁部及び静電チャックの外周面がプラズマから保護される。また、被加工物の周囲におけるプラズマ密度分布の均一性が向上される。
一実施形態では、支持構造体は、第１軸線に沿ってチャンバ本体の内部からチャンバ本体の外部まで延び、チャンバ本体の外部において第１の駆動装置に結合された中空の第１の軸部を更に有する。第１の軸部の内孔には、ロータリーコネクタ及び第２の駆動装置に電気的に接続される複数の配線が通される。
一実施形態では、保持部は静電チャックから容器内まで第２軸線に沿って延びる第２の軸部を更に有し、第２の軸部は、第２の駆動装置に連結されており、シール部材は、第２の軸部と容器との間に設けられた磁性流体シールであり得る。
以上説明したように、支持構造体を構成する部品の保守が容易になる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一実施形態のプラズマ源を示す図である。 一実施形態のプラズマ源を示す図である。 一実施形態に係る支持構造体を示す断面図である。 一実施形態に係る支持構造体を示す断面図である。 別の実施形態の固定具を示す図である。 静電チャックに対して底蓋を上方に位置させた状態の支持構造体を示す図である。 底蓋を取り外した状態の支持構造体を示す図である。 静電チャックを取り外した状態の支持構造体を示す図である。 プッシャーピンが抜き取られた状態の支持構造体を示す図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１及び図２は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、鉛直方向に延びる軸線ＰＸを含む一平面においてチャンバ本体を破断して、当該プラズマ処理装置を示している。なお、図１においては、後述する第２軸線ＡＸ２が軸線ＰＸに一致するよう支持構造体の第１軸線ＡＸ１周りの回転方向位置が設定された状態（非傾斜状態）のプラズマ処理装置が示されている。図２においては、第２軸線ＡＸ２が軸線ＰＸに交差するよう支持構造体の第１軸線ＡＸ１周りの回転方向位置が設定された状態（傾斜状態）ののプラズマ処理装置が示されている。
図１及び図２に示すプラズマ処理装置１０は、チャンバ本体１２、ガス供給部１４、プラズマ源１６、支持構造体１８、排気装置２０、及び、第１の駆動装置２４、を備えている。一実施形態では、プラズマ処理装置１０は、バイアス電力供給部２２、及び、制御部Ｃｎｔを更に備え得る。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。一実施形態では、チャンバ本体１の中心軸線は、軸線ＰＸと一致している。このチャンバ本体１２は、その内部空間、即ちチャンバＳを提供している。
一実施形態では、チャンバ本体１２は、上側部分１２ａ、中間部分１２ｂ、及び、下側部分１２ｃを含んでいる。上側部分１２ａは、中間部分１２ｂの上方に位置しており、中間部分１２ｂは、下側部分１２ｃの上方に位置している。中間部分１２ｂ及び下側部分１２ｃは一体の筒状体である。上側部分１２ａは、中間部分１２ｂ及び下側部分１２ｃを提供する筒状体とは別体の筒状体である。上側部分１２ａの下端は中間部分１２ｂの上端に結合される。上側部分１２ａの下端と中間部分１２ｂの上端との間には、Ｏリングといった封止部材が設けられる。また、上側部分１２ａと中間部分１２ｂとは、固定具、例えば、ネジによって結合される。この上側部分１２ａは、中間部分１２ｂから取り外し可能になっている。上側部分１２ａは、プラズマ処理装置１０の保守を行うときに、必要に応じて、中間部分１２ｂから取り外される。
中間部分１２ｂによって囲まれた領域、即ち、支持構造体１８を収容する領域において、チャンバＳは、略一定の幅を有している。また、チャンバＳは、支持構造体１８を収容する領域の下側の領域においては、当該チャンバＳの底部に向かうにつれて徐々に幅が狭くなるテーパー状をなしている。また、チャンバ本体１２の底部は、排気口１２ｅを提供しており、当該排気口１２ｅは軸線ＰＸに対して軸対称に形成されている。
ガス供給部１４は、チャンバＳにガスを供給するよう構成されている。一実施形態では、ガス供給部１４は、第１のガス供給部１４ａ、及び第２のガス供給部１４ｂを有していてもよい。第１のガス供給部１４ａは、第１の処理ガスをチャンバ本体１２内に供給するよう構成されている。第２のガス供給部１４ｂは、第２の処理ガスをチャンバ本体１２内に供給するよう構成されている。なお、ガス供給部１４の詳細については後述する。
プラズマ源１６は、チャンバＳ内のガスを励起させるよう構成されている。一実施形態では、プラズマ源１６は、チャンバ本体１２の天部に設けられている。また、一実施形態では、プラズマ源１６の中心軸線は、軸線ＰＸと一致している。なお、プラズマ源１６の一例に関する詳細については後述する。
支持構造体１８は、チャンバ本体１２内において被加工物Ｗを保持するように構成されている。被加工物Ｗは、ウエハのように、略円盤形状を有し得る。支持構造体１８は、鉛直方向に直交する方向に延びる第１軸線ＡＸ１中心に回転可能であるよう構成されている。即ち、支持構造体１８は、第２軸線ＡＸ２と軸線ＰＸとの間の角度を変更することが可能である。支持構造体１８を回転させるために、プラズマ処理装置１０は、第１の駆動装置２４を有する。第１の駆動装置２４は、チャンバ本体１２の外部に設けられている。第１の駆動装置２４は、第１軸線ＡＸ１中心の支持構造体１８の回転のための駆動力を発生する。また、支持構造体１８は、第１軸線ＡＸ１に直交する第２軸線ＡＸ２中心に被加工物Ｗを回転させるよう構成されている。なお、支持構造体１８の詳細については後述する。
排気装置２０は、チャンバＳを減圧するよう構成されている。一実施形態では、排気装置２０は、自動圧力制御器２０ａ、ターボ分子ポンプ２０ｂ、及び、ドライポンプ２０ｃを有している。自動圧力制御器２０ａは、チャンバ本体１２の直下に設けられており、排気口１２ｅに接続されている。ターボ分子ポンプ２０ｂは、自動圧力制御器２０ａの下流に設けられている。ドライポンプ２０ｃは、バルブ２０ｄを介してチャンバＳに直結されている。また、ドライポンプ２０ｃは、バルブ２０ｅを介してターボ分子ポンプ２０ｂに接続されている。このプラズマ処理装置１０では、軸線ＰＸに対して軸対称に設けられた排気口１２ｅに排気装置２０が接続されているので、支持構造体１８の周囲から排気装置２０までの均一な排気の流れを形成することができる。これにより、効率の良い排気が達成され得る。また、チャンバＳ内で生成されるプラズマを均一に拡散させることが可能である。なお、チャンバＳ内には、必要に応じて、整流部材（不図示）が設けられていてもよい。整流部材は、支持構造体１８を側方及び下方から囲むように、チャンバ本体１２の内壁面に沿って延在する。整流部材には多数の貫通孔が形成されている。
バイアス電力供給部２２は、被加工物Ｗにイオンを引き込むための、バイアス電圧及び高周波を選択的に支持構造体１８に与えるよう構成されている。一実施形態では、バイアス電力供給部２２は、第１電源２２ａ及び第２電源２２ｂを有している。第１電源２２ａは、支持構造体１８に印加するバイアス電圧として、パルス変調された直流電圧（以下、「変調直流電圧」という）を発生する。
第２電源２２ｂは、被加工物Ｗにイオンを引き込むための高周波を支持構造体１８に供給するよう構成されている。この高周波の周波数は、イオンを被加工物Ｗに引き込むのに適した任意の周波数であり、例えば、４００ｋＨｚである。プラズマ処理装置１０では、第１電源２２ａからの変調直流電圧と第２電源２２ｂからの高周波を選択的に支持構造体１８に供給することができる。変調直流電圧と高周波の選択的な供給は、制御部Ｃｎｔによって制御され得る。
制御部Ｃｎｔは、例えば、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータである。制御部Ｃｎｔは、入力されたレシピに基づくプログラムに従って動作し、制御信号を送出する。プラズマ処理装置１０の各部は、制御部Ｃｎｔからの制御信号により制御される。
以下、ガス供給部１４、プラズマ源１６、支持構造体１８のそれぞれについて詳細に説明する。
［ガス供給部］
ガス供給部１４は、上述したように、第１のガス供給部１４ａ及び第２のガス供給部１４ｂを有している。第１のガス供給部１４ａは、一以上のガス吐出孔１４ｅを介してチャンバＳに第１の処理ガスを供給する。また、第２のガス供給部１４ｂは、一以上のガス吐出孔１４ｆを介してチャンバＳに第２の処理ガスを供給する。ガス吐出孔１４ｅは、ガス吐出孔１４ｆよりも、プラズマ源１６に近い位置に設けられている。したがって、第１の処理ガスは第２の処理ガスよりもプラズマ源１６に近い位置に供給される。なお、図１及び図２においては、ガス吐出孔１４ｅ及びガス吐出孔１４ｆそれぞれの個数は、「１」であるが、複数のガス吐出孔１４ｅ及び複数のガス吐出孔１４ｆが設けられていてもよい。複数のガス吐出孔１４ｅは、軸線ＰＸに対して周方向に均等に配列されていてもよい。また、複数のガス吐出孔１４ｆも、軸線ＰＸに対して周方向に均等に配列されていてもよい。
一実施形態では、ガス吐出孔１４ｅによってガスが吐出される領域とガス吐出孔１４ｆによってガスが吐出される領域との間に、仕切板、所謂イオントラップが設けられていてもよい。これにより、第１の処理ガスのプラズマから被加工物Ｗに向かうイオンの量を調整することが可能となる。
第１のガス供給部１４ａは、一以上のガスソース、一以上の流量制御器、一以上のバルブを有し得る。したがって、第１のガス供給部１４ａの一以上のガスソースからの第１の処理ガスの流量は調整可能となっている。また、第２のガス供給部１４ｂは、一以上のガスソース、一以上の流量制御器、一以上のバルブを有し得る。したがって、第２のガス供給部１４ｂの一以上のガスソースからの第２の処理ガスの流量は調整可能となっている。第１のガス供給部１４ａからの第１の処理ガスの流量及び当該第１の処理ガスの供給のタイミング、並びに、第２のガス供給部１４ｂからの第２の処理ガスの流量及び当該第２の処理ガスの供給のタイミングは、制御部Ｃｎｔによって個別に調整される。
一例では、第１の処理ガスは、希ガスであり得る。希ガスは、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス、Ｋｒガス、又は、Ｘｅガスである。また、第１の処理ガスは、Ｈｅガス、ｅガス、Ａｒガス、Ｋｒガス、及び、Ｘｅガスのうちから選択されるガスであり得る。例えば、多層膜を有する被加工物Ｗをエッチングする際には、各層のエッチングに適した希ガスが選択される。第２の処理ガスは、水素含有ガスであり得る。水素含有ガスとしては、ＣＨ４ガス又はＮＨ３ガスが例示される。このような第２の処理ガスに由来する水素の活性種は、例えば、多層膜中の１以上の層に含まれる金属を還元作用によってエッチングし易い状態に改質する。かかる一例においては、制御部Ｃｎｔによる制御により、プラズマ生成時の第１の処理ガス及び第２の処理ガスの供給量が個別に制御される。
［プラズマ源］
図３及び図４は、一実施形態のプラズマ源を示す図である。図３には、図１のＹ方向（軸線ＰＸ及び第１軸線ＡＸ１に直交する方向）に視たプラズマ源が示されており、同図においては、プラズマ源が部分的に破断されている。図４には、図１のＺ方向（鉛直方向）においてその上側から視たプラズマ源が示されており、同図においては、プラズマ源が部分的に破断されている。図１及び図３に示すように、チャンバ本体１２の天部には開口が設けられており、当該開口は、誘電体板１９４によって閉じられている。誘電体板１９４は、板状体であり、石英、又はセラミックから構成されている。プラズマ源１６は、この誘電体板１９４上に設けられている。
図３及び図４に示すように、プラズマ源１６は、高周波アンテナ１４０及びシールド部材１６０を有している。高周波アンテナ１４０は、シールド部材１６０によって覆われている。一実施形態では、高周波アンテナ１４０は、内側アンテナ素子１４２Ａ及び外側アンテナ素子１４２Ｂを含んでいる。内側アンテナ素子１４２Ａは、外側アンテナ素子１４２Ｂよりも軸線ＰＸの近くに設けられている。換言すると、外側アンテナ素子１４２Ｂは、内側アンテナ素子１４２Ａを囲むように、当該内側アンテナ素子１４２Ａの外側に設けられている。内側アンテナ素子１４２Ａ及び外側アンテナ素子１４２Ｂの各々は、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等の導体から構成されており、軸線ＰＸに対して螺旋状に延在している。
内側アンテナ素子１４２Ａ及び外側アンテナ素子１４２Ｂは共に、複数の挟持体１４４に挟持されている。複数の挟持体１４４は、例えば、棒状の部材であり、軸線ＰＸに対して放射状に延在している。
シールド部材１６０は、内側シールド壁１６２Ａ及び外側シールド壁１６２Ｂを有している。内側シールド壁１６２Ａは、鉛直方向に延在する筒形状を有しており、内側アンテナ素子１４２Ａと外側アンテナ素子１４２Ｂの間に設けられている。この内側シールド壁１６２Ａは、内側アンテナ素子１４２Ａを囲んでいる。また、外側シールド壁１６２Ｂは、鉛直方向に延在する筒形状を有しており、外側アンテナ素子１４２Ｂを囲むように設けられている。
内側アンテナ素子１４２Ａの上には、内側シールド板１６４Ａが設けられている。内側シールド板１６４Ａは、円盤形状を有しており、内側シールド壁１６２Ａの開口を塞ぐように設けられている。また、外側アンテナ素子１４２Ｂの上には、外側シールド板１６４Ｂが設けられている。外側シールド板１６４Ｂは、環状板であり、内側シールド壁１６２Ａと外側シールド壁１６２Ｂとの間の開口を塞ぐように設けられている。
内側アンテナ素子１４２Ａ、外側アンテナ素子１４２Ｂにはそれぞれ、高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂが接続されている。高周波電源１５０Ａ及び高周波電源１５０Ｂは、プラズマ生成用の高周波電源である。高周波電源１５０Ａ及び高周波電源１５０Ｂは、内側アンテナ素子１４２Ａ及び外側アンテナ素子１４２Ｂのそれぞれに、同じ周波数又は異なる周波数の高周波を供給する。例えば、内側アンテナ素子１４２Ａに高周波電源１５０Ａから所定の周波数（例えば４０ＭＨｚ）の高周波を所定のパワーで供給すると、チャンバＳ内で形成された誘導磁界によって、チャンバＳに供給された処理ガスが励起され、被加工物Ｗの上の中央領域においてドーナツ型のプラズマが生成される。また、外側アンテナ素子１４２Ｂに高周波電源１５０Ｂから所定の周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波を所定のパワーで供給すると、チャンバＳ内で形成された誘導磁界によって、チャンバＳに供給された処理ガスが励起され、被加工物Ｗの上の周縁領域において別のドーナツ型のプラズマが生成される。かかるプラズマによって、処理ガスからラジカルといった活性種が生成される。
［支持構造体］
図５及び図６は、一実施形態に係る支持構造体を示す断面図である。図５には、Ｙ方向に視た支持構造体の断面図が示されており、図６には、Ｘ方向（図２参照）に視た支持構造体の断面図が示されている。図５及び図６に示すように、支持構造体１８は、保持部３０、容器４０、及び、第１の軸部５０を有している。
保持部３０は、被加工物Ｗを保持し、第２軸線ＡＸ２中心に回転することによって、被加工物Ｗを回転させる機構である。なお、第２軸線ＡＸ２は、第１軸線ＡＸ１に直交する軸線であり、支持構造体１８が非傾斜状態にあるときには、軸線ＰＸと一致する。この保持部３０は、静電チャック３２、ベース部材３５、及び、第２の軸部３６を有している。
静電チャック３２は、吸着部３３及び下部電極３４を有している。吸着部３３は、下部電極３４上に設けられている。下部電極３４は、ベース部材３５上に設けられる。吸着部３３は、その上面において被加工物Ｗを保持するように構成されている。吸着部３３は、略円盤形状を有しており、その中心軸線は第２軸線ＡＸ２に略一致している。吸着部３３は、絶縁膜、及び、当該絶縁膜内に設けられた電極膜を有している。電極膜に電圧が印加されると、吸着部３３は静電力を発生する。この静電力により、吸着部３３は、その上面に載置された被加工物Ｗを吸着する。この吸着部３３と被加工物Ｗとの間には、Ｈｅガスといった伝熱ガスが供給されるようになっている。この吸着部３３の内部には、被加工物Ｗを加熱するためのヒータが内蔵されていてもよい。
下部電極３４は、略円盤形状を有しており、その中心軸線は第２軸線ＡＸ２に略一致している。一実施形態において、下部電極３４は、第１部分３４ａ及び第２部分３４ｂを有している。第１部分３４ａは、下部電極３４の中央側の部分であり、第２部分３４ｂは、第１部分３４ａよりも第２軸線ＡＸ２から離れて、即ち、第１部分３４ａよりも外側で延在する部分である。第１部分３４ａの上面及び第２部分３４ｂの上面は連続しており、第１部分３４ａの上面及び第２部分３４ｂの上面によって下部電極３４の略平坦な上面が構成されている。この下部電極３４の上面には、吸着部３３が接している。また、第１部分３４ａは、第２部分３４ｂよりも下方に突出して、円柱状をなしている。即ち、第１部分３４ａの下面は、第２部分３４ｂの下面よりも下方において延在している。この下部電極３４は、アルミニウムといった導体から構成されている。下部電極３４は、上述したバイアス電力供給部２２と電気的に接続される。即ち、下部電極３４には、第１電源２２ａからの変調直流電圧、及び、第２電源２２ｂからの高周波が選択的に与えられるようになっている。また、下部電極３４には、冷媒流路３４ｆが設けられている。この冷媒流路３４ｆに冷媒が供給されることにより、被加工物Ｗの温度が制御されるようになっている。
ベース部材３５は、石英、アルミナといった絶縁体から構成されている。ベース部材３５は、略円盤形状を有しており、中央において開口している。一実施形態では、ベース部材３５は、第１部分３５ａ及び第２部分３５ｂを有している。第１部分３５ａは、ベース部材３５の中央側の部分であり、第２部分３５ｂは、第１部分３５ａよりも第２軸線ＡＸ２から離れて、即ち、第１部分３５ａよりも外側で延在する部分である。第１部分３５ａの上面は第２部分３５ｂの上面よりも下方で延在しており、第１部分３５ａの下面も第２部分３５ｂの下面よりも下方で延在している。ベース部材３５の第２部分３５ｂの上面は、下部電極３４の第２部分３４ｂの下面に接している。一方、ベース部材３５の第１部分３５ａの上面は、下部電極３４の下面から離間している。
支持構造体１８は、絶縁性の保護部材３０ｐを更に有している。保護部材３０ｐは、例えば、石英、アルミナといった絶縁体から構成されている。保護部材３０ｐは、略円筒形状を有しており、その上端部分は当該保護部材３０ｐの他の部分よりも縮径している。この保護部材３０ｐは、静電チャック３２の上面の外縁部及び静電チャック３２の外周面を覆っている。したがって、静電チャック３２の上面の外縁部及び静電チャック３２の外周面は、保護部材３０ｐによりプラズマから保護される。また、保護部材３０ｐにより、被加工物Ｗの周囲におけるプラズマ密度分布の均一性が向上される。
保持部３０は、固定具３０ａを更に有する。固定具３０ａは、静電チャック３２をベース部材３５に対して取り外し可能に固定する。固定具３０ａは、一実施形態では、複数のねじを含む。この実施形態のベース部材３５及び静電チャック３２には、ベース部材３５の下面から鉛直方向に沿って静電チャック３２の内部まで延びる複数の孔３０ｂが形成されている。複数の孔３０ｂを画成する面は雌ねじを提供している。これら雌ねじに固定具３０ａの複数のねじがそれぞれ螺合されることにより、静電チャック３２はベース部材３５に対して固定される。また、これら複数のねじを雌ねじから取り外すと、静電チャック３２をベース部材３５から容易に取り外すことができる。
図７は、別の実施形態の固定具を示す図である。この実施形態では、保持部３０は、固定具３０ａに代わる固定具３１を有している。固定具３１は、複数の第１の柱状体３１ａ及び複数の第２の柱状体３１ｂを含んでいる。ベース部材３５及び静電チャック３２には、複数の第１の孔３１ｃが形成されている。複数の第１の孔３１ｃは、ベース部材３５の下面から鉛直方向に沿って静電チャック３２の内部まで延びている。また、静電チャック３２には複数の第２の孔３１ｄが形成されている。複数の第２の孔３１ｄは、静電チャック３２（下部電極３４）の外周面から延びて、複数の第１の孔３１ｃにそれぞれ接続している。
静電チャック３２をベース部材３５に固定する際には、図７の（ａ）部に示すように、複数の第１の柱状体３１ａがそれぞれ、複数の第１の孔３１ｃに挿入される。そして、図７の（ｂ）部に示すように、複数の第２の柱状体３１ｂがそれぞれ、複数の第２の孔３１ｄに挿入される。複数の第２の柱状体３１ｂの先端部分はそれぞれ、複数の第１の柱状体３１ａに形成された孔３１ｅに挿入される。これにより、静電チャック３２がベース部材３５に対して固定される。しかる後に、図７の（ｃ）部に示すように、静電チャック３２の上面の外縁部及び静電チャック３２の外周面を覆うように保護部材３０ｐが取り付けられる。
図５及び図６に示すように、第２の軸部３６は、静電チャック３２から容器４０内まで第２軸線ＡＸ２に沿って延びている。第２の軸部３６は、略円柱形状を有しており、下部電極３４の下面に結合されている。具体的には、下部電極３４の第１部分３４ａの下面に結合されている。第２の軸部３６の中心軸線は、第２軸線ＡＸ２と一致している。この第２の軸部３６に対して回転力が与えられることにより、保持部３０が回転するようになっている。
支持構造体１８の内部空間（即ち、容器４０内の空間）には、第２の駆動装置７８が設けられている。第２の軸部３６は、第２の駆動装置７８に連結されている。第２の駆動装置７８は、保持部３０を第２軸線ＡＸ２周りに回転させるよう構成されている。第２の駆動装置７８は、第２の軸部３６を回転させるための駆動力を発生する。一実施形態では、第２の駆動装置７８は、第２の軸部３６の側方に設けられている。この第２の駆動装置７８は、第２の軸部３６に取り付けられたプーリ８０に伝導ベルト８２を介して連結されている。第２の駆動装置７８の回転駆動力は、プーリ８０及び伝導ベルト８２を介して第２の軸部３６に伝達される。これにより、保持部３０が第２軸線ＡＸ２中心に回転する。
このような種々の要素によって構成される保持部３０は、容器４０と共に支持構造体１８の内部空間として中空の空間を形成している。容器４０は、保持部３０の下側に設けられている。容器４０は、筒状の容器本体４１、当該容器本体４１の上部に設けられた上蓋４２、及び、容器本体４１の下側開口を閉じる底蓋４３を有する。上蓋４２は、略円盤形状を有している。上蓋４２の中央には、第２の軸部３６が通る貫通孔が形成されている。この上蓋４２は、ベース部材３５の第２部分３５ｂの下方において、当該第２部分３５ｂに対して僅かな間隙を提供するように設けられている。上蓋４２の下面周縁には、容器本体４１の上端が結合している。
底蓋４３は、上端部４３ａ及び下端部４３ｂを含んでいる。下端部４３ｂは、第２軸線ＡＸ２が延びる方向において上端部４３ａよりも容器本体４１から離れている。この底蓋４３は、容器本体４１に対して取り外し可能なように構成されている。上端部４３ａは、容器本体４１の下端に接続される。容器本体４１の下端と底蓋４３の上端部４３ａとの間には、Ｏリングといった封止部材が設けられ得る。容器本体４１と底蓋４３とは、固定具４３ｃで結合される。固定具４３ｃは、例えば、複数のねじを含む。
上端部４３ａよりも下端部４３ｂの側において、第２軸線ＡＸ２に直交する任意の方向における底蓋４３の幅は、当該任意の方向における上端部４３ａの幅よりも小さくなっている。例えば、上端部４３ａと下端部４３ｂとの間において、底蓋４３の幅は、単調に減少している。この底蓋４３によれば、第１軸線ＡＸ１と底蓋４３との間の最大距離ＤＬが小さくなる。即ち、第１軸線ＡＸ１周りの支持構造体１８の回転半径が小さくなっている。したがって、チャンバＳのサイズを小さくすることができる。故に、チャンバ本体１２のサイズを小さくすることができる。また、支持構造体１８、特に底蓋４３の周囲におけるコンダクタンスが大きくなる。したがって、チャンバＳ内における均一なガスの流れが形成される。故に、静電チャック３２上におけるプラズマ密度分布の均一性が向上される。
一実施形態では、第１軸線ＡＸ１は、第２軸線ＡＸ２方向における支持構造体１８の中心と保持部３０の上面との間の位置を含んでいる。即ち、この実施形態では、第１の軸部５０は、支持構造体１８の中心よりも静電チャック３２側に偏った位置で延在している。この実施形態によれば、第２軸線ＡＸ２を軸線ＰＸに対して傾斜させたときに、プラズマ源１６から被加工物Ｗの各位置までの距離差を低減することができる。したがって、プラズマ処理、例えばエッチングの面内均一性が向上される。
別の実施形態では、第１軸線ＡＸ１は、支持構造体１８の重心を含んでいる。この実施形態では、第１の軸部５０は、当該重心を含む第１軸線ＡＸ１上で延在している。この実施形態によれば、第１の駆動装置２４に要求されるトルクが小さくなり、当該第１の駆動装置２４の制御が容易となる。
容器４０と保持部３０の第２の軸部３６との間には、シール部材が介在している。シール部材は、容器４０内の空間をチャンバＳから分離する。シール部材は、第２の軸部３６と容器４０との間に設けられた磁性流体シール５２であることができる。磁性流体シール５２は、内輪部５２ａ及び外輪部５２ｂを有している。内輪部５２ａは、第２の軸部３６と同軸に延在する略円筒形状を有しており、第２の軸部３６に対して固定されている。また、内輪部５２ａの上端部は、ベース部材３５の第１部分３５ａの下面に結合している。この内輪部５２ａは、第２の軸部３６と共に第２軸線ＡＸ２中心に回転するようになっている。外輪部５２ｂは、略円筒形状を有しており、内輪部５２ａの外側において当該内輪部５２ａと同軸に設けられている。外輪部５２ｂの上端部は、上蓋４２の中央側部分の下面に結合している。これら内輪部５２ａと外輪部５２ｂとの間には、磁性流体５２ｃが介在している。また、磁性流体５２ｃの下方において、内輪部５２ａと外輪部５２ｂとの間には、軸受５３が設けられている。この磁性流体シール５２は、支持構造体１８の内部空間を気密に封止する封止構造を提供している。この磁性流体シール５２により、容器４０内の空間は、プラズマ処理装置１０のチャンバＳから分離される。なお、プラズマ処理装置１０では、容器４０内の空間の圧力は大気圧に維持される。
一実施形態では、磁性流体シール５２と第２の軸部３６との間に、第１部材３７及び第２部材３８が設けられている。第１部材３７は、第２の軸部３６の外周面の一部分、即ち、後述する第３筒状部３６ｄの上側部分の外周面及び下部電極３４の第１部分３４ａの外周面に沿って延在する略円筒形状を有している。また、第１部材３７の上端は、下部電極３４の第２部分３４ｂの下面に沿って延在する環状板形状を有している。この第１部材３７は、第３筒状部３６ｄの上側部分の外周面、並びに、下部電極３４の第１部分３４ａの外周面及び第２部分３４ｂの下面に接している。
第２部材３８は、第２の軸部３６の外周面、即ち、第３筒状部３６ｄの外周面、及び第１部材３７の外周面に沿って延在する略円筒形状を有している。第２部材３８の上端は、ベース部材３５の第１部分３５ａの上面に沿って延在する環状板形状を有している。第２部材３８は、第３筒状部３６ｄの外周面、第１部材３７の外周面、ベース部材３５の第１部分３５ａの上面、及び、磁性流体シール５２の内輪部５２ａの内周面に接している。この第２部材３８とベース部材３５の第１部分３５ａの上面との間には、Ｏリングといった封止部材３９ａが介在している。また、第２部材３８と磁性流体シール５２の内輪部５２ａの内周面との間には、Ｏリングといった封止部材３９ｂ及び３９ｃが介在している。かかる構造により、第２の軸部３６と磁性流体シール５２の内輪部５２ａとの間が封止される。これにより、第２の軸部３６と磁性流体シール５２との間に間隙が存在していても、容器４０内の空間が、プラズマ処理装置１０のチャンバＳから分離される。
容器本体４１には、第１軸線ＡＸ１に沿って開口が形成されている。容器本体４１に形成された開口には、第１の軸部５０の内側端部が嵌め込まれている。第１の軸部５０は、中空であって略円筒形状を有しており、その中心軸線は第１軸線ＡＸ１と一致している。第１の軸部５０は、図１に示すように、第１軸線ＡＸ１に沿ってチャンバ本体１２の内部から該チャンバ本体１２の外部まで延在している。チャンバ本体１２の外部において、第１の軸部５０の一方の外側端部には、上述した第１の駆動装置２４が結合されている。この第１の駆動装置２４は、第１の軸部５０の一方の外側端部を軸支している。
図５に示すように、支持構造体１８は、複数のプッシャーピン９１、複数の第３の駆動装置９２、及び、複数のホルダ９３を更に有する。なお、図５には、一つのプッシャーピン９１、一つの第３の駆動装置９２、及び、一つのホルダ９３を含む一つのユニット９０が示されているが、支持構造体１８は、複数のユニット９０を有している。また、保持部３０には、鉛直方向に延びる複数の貫通孔９４が形成されている。複数の貫通孔９４は、第２軸線ＡＸ２に対して周方向に配列されている。複数のユニット９０は、複数のプッシャーピン９１がそれぞれ複数の貫通孔９４に挿入可能なように、第２軸線ＡＸ２に対して周方向に配列されている。即ち、複数の貫通孔９４の相対的位置関係と同一の相対的位置関係で複数のプッシャーピン９１が配置されるよう、複数のユニット９０が配列されている。また、複数のプッシャーピン９１それぞれの上方において上蓋４２には、複数の貫通孔が形成されている。上蓋４２において複数の貫通孔を画成する面には、当該面と複数のプッシャーピン９１との間の間隙を封止するよう、Ｏリングといった封止部材が設けられ得る。
複数の第３の駆動装置９２は、容器４０内に設けられている。複数の第３の駆動装置９２は、複数のプッシャーピン９１の上端の位置を静電チャック３２の上面よりも上方の位置と容器４０内の位置との間で変化させるために複数のプッシャーピン９１を個別に移動させるよう構成されている。
複数のホルダ９３は、筒状をなしている。各ユニット９０において、ホルダ９３は、当該ホルダ９３が鉛直方向に延在するよう、第３の駆動装置９２の駆動軸に固定されている。また、各ユニット９０において、ホルダ９３の周囲には、当該ホルダ９３と同軸に筒状のスリーブ９５が設けられている。スリーブ９５の長さはホルダ９３の長さよりも長く、スリーブ９５は、上蓋４２の近傍又は上蓋４２まで延びている。各ユニット９０では、プッシャーピン９１は、スリーブ９５によって案内されている。また、各ユニット９０では、プッシャーピン９１の基端部、即ち上端と反対側の端部が、ホルダ９３の内孔に嵌め込まれている。
このように、支持構造体１８では、複数のプッシャーピン９１それぞれに専用の第３の駆動装置９２が設けられている。したがって、複数のプッシャーピンを支持するリンクを一つの駆動装置によって上下動させるタイプの駆動機構に比べて、複数のプッシャーピン９１それぞれの上端の位置を精密に制御することができる。また、被加工物Ｗを静電チャック３２から上方に移動させる際に複数のプッシャーピン９１の各々が被加工物Ｗに対して与える駆動力の監視の精度が向上される。なお、複数の第３の駆動装置９２はモータであり、当該駆動力は、複数の第３の駆動装置９２それぞれのトルクを、これら複数の第３の駆動装置９２における電流を監視することにより、検出することができる。さらに、支持構造体１８は、容器４０内にリンクを内蔵していない。したがって、容器４０内のスペースを有効に利用することが可能になっている。
図５及び図６に示すように、第２の軸部３６は、柱状部３６ａ、第１筒状部３６ｂ、第２筒状部３６ｃ、及び、第３筒状部３６ｄを有している。柱状部３６ａは、略円柱形状を有しており、第２軸線ＡＸ２上で延在している。柱状部３６ａは、吸着部３３の電極膜に電圧を印加するための配線である。柱状部３６ａは、吸着部３３の電極膜に電気的に接続されており、また、スリップリングといったロータリーコネクタ５４を介して配線６０に接続されている。配線６０は、容器４０の内部空間から第１の軸部５０の内孔を通ってチャンバ本体１２の外部まで延びている。この配線６０は、チャンバ本体１２の外部においてスイッチを介して電源６２（図１参照）に接続されている。
第１筒状部３６ｂは、柱状部３６ａの外側において当該柱状部３６ａと同軸に設けられている。第１筒状部３６ｂは、下部電極３４にバイアス用の変調直流電圧及び高周波を供給するための配線である。第１筒状部３６ｂは、下部電極３４に電気的に接続されており、また、ロータリーコネクタ５４を介して配線６４に接続されている。配線６４は、容器４０の内部空間から第１の軸部５０の内孔を通ってチャンバ本体１２の外部まで延びている。この配線６４は、チャンバ本体１２の外部においてバイアス電力供給部２２の第１電源２２ａ及び第２電源２２ｂに接続されている。なお、第２電源２２ｂと配線６４との間には、インピーダンスマッチング用の整合器が設けられ得る。
第２筒状部３６ｃは、第１筒状部３６ｂの外側において当該第１筒状部３６ｂと同軸に設けられている。一実施形態では、上述のロータリーコネクタ５４内には軸受５５が設けられており、当該軸受５５は第２筒状部３６ｃの外周面に沿って設けられている。この軸受５５は、第２筒状部３６ｃを介して第２の軸部３６を支持している。上述した軸受５３は第２の軸部３６の上側部分を支持しているのに対して、軸受５５は第２の軸部３６の下側部分を支持している。このように二つの軸受５３及び軸受５５によって、第２の軸部３６がその上側部分及び下側部分の双方において支持されるので、第２の軸部３６を第２軸線ＡＸ２中心に安定して回転させることが可能である。
第２筒状部３６ｃには、伝熱ガス供給用のガスラインが形成されている。このガスラインは、スイベルジョイントといった回転継手を介して配管６６に接続されている。配管６６は、容器４０の内部空間から第１の軸部５０の内孔を通ってチャンバ本体１２の外部まで延びている。この配管６６は、チャンバ本体１２の外部において伝熱ガスのソース６８（図１参照）に接続されている。
第３筒状部３６ｄは、第２筒状部３６ｃの外側において当該第２筒状部３６ｃと同軸に設けられている。この第３筒状部３６ｄには、冷媒流路３４ｆに冷媒を供給する得ための冷媒供給ライン、及び冷媒流路３４ｆに供給された冷媒を回収する冷媒回収ラインが形成されている。冷媒供給ラインは、スイベルジョイントといった回転継手７０を介して配管７２に接続されている。また、冷媒回収ラインは回転継手７０を介して配管７４に接続されている。配管７２及び配管７４は、容器４０の内部空間から第１の軸部５０の内孔を通ってチャンバ本体１２の外部まで延びている。配管７２及び配管７４は、チャンバ本体１２の外部において、チラーユニット７６（図１参照）に接続されている。
このように、第１の軸部５０の内孔には、種々の電気系統用の配線、伝熱ガス用の配管、及び、冷媒用の配管が通されている。例えば、第１の軸部５０の内孔には、第２の駆動装置７８に電気的に接続される複数の配線が更に通されている。第２の駆動装置７８に電力を供給するための配線は、第１の軸部５０の内孔を通ってチャンバ本体１２の外部まで引き出され、チャンバ本体１２の外部に設けられたモータ用電源に接続される。
この支持構造体１８は、大気圧に維持可能な容器４０の内部空間に多様な機構を設けることが可能である。また、支持構造体１８は、当該内部空間に収めた機構とチャンバ本体１２の外部に設けた電源、ガスソース、チラーユニット等の装置とを接続するための配線及び配管をチャンバ本体１２の外部まで引き出すことが可能であるように構成されている。なお、上述した配線及び配管に加えて、チャンバ本体１２の外部に設けられたヒータ電源と吸着部３３に設けられたヒータとを接続する配線が、容器４０の内部空間からチャンバ本体１２の外部まで第１の軸部５０の内孔を介して引き出されていてもよい。
以下、プラズマ処理装置１０の保守方法について説明する。図８は、静電チャックに対して底蓋を上方に位置させた状態の支持構造体１８を示す図である。この保守方法では、支持構造体１８の内部の部品の交換といった保守を行うために、静電チャック３２に対して底蓋４３を上方に位置させるよう、第１の駆動装置２４によって支持構造体１８が第１軸線ＡＸ１中心に回転される。また、チャンバ本体１２の上側部分１２ａが中間部分１２ｂから取り外される。
図９は、底蓋を取り外した状態の支持構造体を示す図である。本保守方法では、次いで、図９に示すように、底蓋４３が容器本体４１から取り外される。しかる後に、容器４０内に収容されている部品の交換といった保守が行われる。このように、支持構造体１８をチャンバ本体１２内に配置した状態で、支持構造体１８の容器４０内に収容されている部品に容易にアクセスすることが可能である。故に、支持構造体１８を構成する部品の保守が容易である。
図１０は、静電チャックを取り外した状態の支持構造体を示す図である。本保守方法では、静電チャック３２の交換といった保守のために、静電チャック３２が底蓋４３に対して上方に位置し、且つ、チャンバ本体１２の上側部分１２ａが中間部分１２ｂから取り外された状態が形成される。次いで、固定具によるベース部材３５に対する静電チャック３２の固定が解除される。そして、図１０に示すように、静電チャック３２がベース部材から取り外される。このように、チャンバＳ内に支持構造体１８を配置した状態で、静電チャック３２の交換といった保守を容易に行うことが可能である。
図１１は、プッシャーピンが抜き取られた状態の支持構造体を示す図である。本保守方法では、プッシャーピン９１の交換といった保守のために、静電チャック３２が底蓋４３に対して上方に位置し、且つ、チャンバ本体１２の上側部分１２ａが中間部分１２ｂから取り外された状態が形成される。また、プッシャーピン９１の上端が静電チャック３２の上面よりも上方に位置するよう（図５に示す状態を参照）、第３の駆動装置９２によってプッシャーピン９１が移動される。そして、図１１に示すように、プッシャーピン９１が対応のホルダ９３から上方に抜き取られる。そして、抜き取られた後に修理されたプッシャーピン９１又は別のプッシャーピン９１の基端部がホルダ９３に嵌め込まれる。このように、プッシャーピン９１の上端を静電チャック３２の上面よりも上方に位置させた状態で、ホルダ９３からプッシャーピンを容易に抜き取ることができる。したがって、プッシャーピン９１の交換といった保守を容易に行うことができる。
１０…プラズマ処理装置、１２…チャンバ本体、１４…ガス供給部、１６…プラズマ源、１８…支持構造体、２０…排気装置、２４…第１の駆動装置、３０…保持部、３０ａ…固定具、３０ｐ…保護部材、３１…固定具、３１ａ…第１の柱状体、３１ｂ…第２の柱状体、３１ｃ…第１の孔、３１ｄ…第２の孔、３２…静電チャック、３３…吸着部、３４…下部電極、３５…ベース部材、３６…第２の軸部、４０…容器、４１…容器本体、４３…底蓋、４３ａ…上端部、４３ｂ…下端部、５０…第１の軸部、５２…磁性流体シール、５４…ロータリーコネクタ、６０…配線、６２…電源、６４…配線、６６…配管、６８…伝熱ガスのソース、７０…回転継手、７２…配管、７４…配管、７６…チラーユニット、７８…第２の駆動装置、８０…プーリ、８２…伝導ベルト、９１…プッシャーピン、９２…第３の駆動装置、９３…ホルダ、９４…貫通孔、１５０Ａ，１５０Ｂ…高周波電源、ＡＸ１…第１軸線、ＡＸ２…第２軸線、Ｃｎｔ…制御部、Ｓ…チャンバ、Ｗ…被加工物。

Claims (9)

  1. 被加工物に対するプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置であって、
    チャンバを提供するチャンバ本体と、
    前記チャンバにガスを供給するガス供給部と、
    前記チャンバを減圧する排気装置と、
    前記チャンバ内のガスを励起させるプラズマ源と、
    前記チャンバ内において前記被加工物を支持する支持構造体と、
    前記チャンバ内において、鉛直方向に直交する方向に延びる第１軸線周りに前記支持構造体を回転させるよう構成された第１の駆動装置と、
    を備え、
    前記支持構造体は、
    被加工物を保持する静電チャックを含み、前記第１軸線に直交する第２軸線周りに回転可能に設けられた保持部と、
    前記保持部の下側に設けられた容器と、
    シール部材と、
    前記容器内に設けられており、前記保持部を前記第２軸線周りに回転させるよう構成された第２の駆動装置と、
    前記静電チャックの電極に電気的に接続されたロータリーコネクタと、
    を有し、
    前記保持部は、前記静電チャックから前記容器内まで前記第２軸線に沿って延びる軸部を有し、
    前記容器は、
    筒状の容器本体と、
    前記容器本体の下側開口を閉じる底蓋であり、前記容器本体に対して取り外し可能に構成された該底蓋と、
    を有し、
    前記シール部材は、前記容器と前記保持部の前記軸部との間に介在し、前記容器内の空間を前記チャンバから分離する、
    プラズマ処理装置。
  2. 前記排気装置は、前記底蓋の下方において、前記チャンバ本体に接続されており、
    前記底蓋は、前記容器本体に接続される上端部、及び、前記第２軸線が延びる方向において前記上端部よりも前記容器本体から離れた下端部を含み、
    前記上端部よりも前記下端部の側において、前記第２軸線に直交する任意の方向における前記底蓋の幅が、該任意の方向における前記上端部の幅よりも狭くなっている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記上端部と前記下端部との間において、前記底蓋の前記幅は、単調に減少している、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記保持部は、
    前記静電チャックと前記容器本体との間に介在する絶縁性のベース部材と、
    前記静電チャックを前記ベース部材に対して取り外し可能に固定するための固定具と、を更に有する、
    請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記ベース部材及び前記静電チャックには、該ベース部材の下面から前記静電チャックの内部まで延びる複数の第１の孔が形成されており、
    前記静電チャックには、該静電チャックの外周面から延びて前記複数の第１の孔にそれぞれ接続する複数の第２の孔が形成されており、
    前記固定具は、
    前記複数の第１の孔に挿入される複数の第１の柱状体と、
    前記複数の第２の孔に挿入され、前記複数の第１の柱状体のそれぞれに形成された孔に挿入される複数の第２の柱状体と、
    を含む、
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記保持部には、前記第２軸線が延びる方向に沿って延びる複数の貫通孔が形成されており、
    前記支持構造体は、
    前記複数の貫通孔にそれぞれ挿入可能に設けられた複数のプッシャーピンと、
    前記容器内に設けられた複数の第３の駆動装置であり、前記複数のプッシャーピンの上端の位置を前記静電チャックの上面よりも上方の位置と前記容器内の位置との間で変化させるために該複数のプッシャーピンを個別に移動させるよう構成された、該複数の第３の駆動装置と、
    各々が筒状をなし、前記複数の第３の駆動装置にそれぞれ取り付けられた複数のホルダであり、それらの内孔に前記複数のプッシャーピンの基端部がそれぞれ嵌め込まれた、該複数のホルダと、
    を更に有する、
    請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記支持構造体は、前記静電チャックの上面の外縁部及び前記静電チャックの外周面を覆う絶縁性の保護部材を更に有する、請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記支持構造体は、前記第１軸線に沿って前記チャンバ本体の内部から該チャンバ本体の外部まで延び、該チャンバ本体の外部において前記第１の駆動装置に結合された中空の別の軸部を更に有し、
    前記別の軸部の内孔には前記ロータリーコネクタ及び前記第２の駆動装置に電気的に接続される複数の配線が通されている、
    請求項１〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記第２軸線に沿って延びる前記軸部は、前記第２の駆動装置に連結されており、
    前記シール部材は、磁性流体シールである、
    請求項１〜８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
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