TWI669768B - Gas supply mechanism and semiconductor manufacturing device - Google Patents

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Abstract

提供一種氣體供給機構，係可讓處理空間之壓力早期地穩定，且具有高耐久性。
一面相中，係提供一種用以將氣體供給至半導體製造裝置的氣體供給機構。該氣體供給機構係具備有：配管，係連接氣體源與半導體製造裝置；以及閥體，係設置於配管途中。閥體係具有：板體，係可以延伸於板厚方向之軸線為中心來加以旋轉；以及外殼，係以收納板體之方式來沿著板體而非接觸地設置於該板體之外殼，並與配管一同地提供氣體供給路徑。板體係形成有以軸線為中心來延伸且在與氣體供給路徑交叉之圓周上的位置中貫穿該板體之貫穿孔。

Description

氣體供給機構及半導體製造裝置
本發明之實施形態係關於一種氣體供給機構及半導體製造裝置。
在半導體元件之製造中，為了在被處理體形成微細圖案，便會對被處理基體進行所謂成膜以及蝕刻的各種處理。如此般之處理會藉由例如在處理容器內生成氣體之電漿，而將被處理體暴露於該電漿來加以進行。近年來，形成於被處理體之圖案有微細化之傾向，伴隨於此，便要求有更加精密的加工技術。為了形成此般微細圖案，已知有一種交互地供給相異種類之氣體，而在被處理體形成圖案之技術。
例如，專利文獻1係記載有藉由交互地反覆供給沉積性氣體而生成該氣體之電漿的工序以及供給蝕刻氣體而生成該氣體之電漿的工序，來在被處理體形成深孔。為了進行此般處理，專利文獻1所記載的裝置係具備有氣體供給源、噴淋頭以及第1及第2氣體供給管路。第1氣體供給管路會將從氣體供給源所供給之蝕刻氣體導入至形成於噴淋頭內部之氣體擴散室。又，第2氣體供給管路會將從氣體供給源所供給之沉積性氣體導入至氣體擴散室。各第1氣體供給管路及第2氣體供給管路係設置有切換氣體相對於氣體擴散室之供給及供給的停止之閥體。
專利文獻1所記載之裝置會在將噴淋頭所供給之氣體從蝕刻氣體切換為沉積性氣體前，會在關閉第2氣體供給管路之閥體的狀態下，將沉積性氣體供給至該第2氣體供給管路。藉此，便可使得第2氣體供給管路之內部壓力在上游側較閥體要高。其結果，便會在第2氣體供給管路內部(上游側內部)與氣體擴散室內部之間產生壓力差。然後，在將噴淋頭所供給之氣 體從蝕刻氣體切換為沉積性氣體時，藉由開啟第2氣體供給管路之閥體，來讓沉積性氣體快速地流入至氣體擴散室。又，在將噴淋頭所供給之氣體從沉積性氣體切換為蝕刻氣體前，會在關閉第1氣體供給管路之閥體的狀態下，將蝕刻性氣體供給至該第1氣體供給管路。藉此，便可使得第1氣體供給管路之內部壓力在上游側較閥體要高。然後，在將噴淋頭所供給之氣體從沉積性氣體切換為蝕刻氣體時，藉由開啟第1氣體供給管路之閥體，來讓蝕刻氣體快速地流入至氣體擴散室。如此般，專利文獻1所記載之裝置會藉由讓氣體供給管路內之氣體快速地流入至擴散室，來嘗試讓生成沉積性氣體之電漿的工序與生成蝕刻氣體之電漿的工序之切換時間短縮化。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2013-197183號公報
為了縮短氣體的切換時間，便需要讓處理被處理體之處理空間的壓力早期地穩定。然而，如專利文獻1所記載之裝置，在氣體供給管路內部與噴淋頭之擴散室內部之間產生壓力差的情況，會難以讓處理容器之內部空間早期地穩定。以下，便參照圖15來說明其理由。
圖15係顯示使用與專利文獻1相同之電漿處理裝置，來將氣體供給至處理空間時的處理空間中氣體壓力的時間變化之圖表。圖15(a)係顯示在氣體供給管路與擴散室之間設有壓力差後，將氣體供給至處理空間的條件下之處理空間內氣體壓力的時間變化。在此條件下，如圖15(a)所示，在氣體供給的初期，處理空間內的氣體壓力雖會急遽地上升，但在之後，處理空間之氣體壓力卻會超過目標壓力(圖15(a)之範例係140mTorr)。亦即，在氣體供給管路與擴散室之間產生壓力差時，由於氣體供給管路內之氣體會因其壓力差而朝向處理空間過剩地噴出，故會在氣體壓力控制產生過衝(overshoot)。如此般產生過衝時，則處理容器內之氣體會被排出而到讓氣體壓力穩定為目標值為止便需要較長的時間。因此，便難以將處理空間之氣體壓力到穩定為止的時間短縮化。
另一方面，發明者發現到藉由高速地切換閥體之開閉並將氣體供給至處理容器內，便可讓處理空間之壓力早期地穩定為目標壓力。圖15(b)係顯 示在讓氣體供給管路與擴散室之間產生壓力差，且高速地切換閥體之開閉並將氣體供給至處理空間的條件下的處理空間之氣體壓力時間變化。在此條件下，如圖15(b)所示，確認了可防止過衝產生，其結果，便可讓處理空間之氣體壓力早期地穩定。
由上述結果，即便在專利文獻1所記載之裝置中，若是進行讓氣體供給管路之閥體高速地開閉，並將氣體供給至處理容器內之控制的話，便應可縮短氣體的切換時間。然而，一般的隔膜式之閥體耐久性較低，且在以高頻率來進行開閉時，會因接點部之磨耗等而在短期間內破損。從而，專利文獻1所記載之裝置中，在進行以高頻率來開閉閥體般之控制時，會有裝置的運作效率下降之虞。
因此，本技術領域便要求能提供一種可讓處理空間之壓力早期地穩定並且具有高耐久性之氣體供給機構及半導體製造裝置。
一態樣中，係提供一種用以將氣體供給至半導體製造裝置的氣體供給機構。該氣體供給機構係具備有：配管，係連接氣體源與半導體製造裝置；以及閥體，係設置於配管途中，閥體係具有：板體，係可以延伸於板厚方向之軸線為中心來加以旋轉；以及外殼，係以收納板體之方式來沿著板體而非接觸地設置於該板體之外殼，並與配管一同地提供氣體供給路徑，板體係形成有以軸線為中心來延伸且在與氣體供給路徑交叉之圓周上的位置中貫穿該板體之貫穿孔。
由於一態樣相關之氣體供給機構係可在板體之貫穿孔位於氣體供給路徑上時，讓氣體透過貫穿孔來通過閥體，故會使得氣體供給路徑之導通率增加。另一方面，在貫穿孔不位於氣體供給路徑上時，由於板體會阻礙氣體之流動，故會使得氣體供給路徑之導通率下降。亦即，本氣體供給機構會對應於貫穿孔相對於氣體供給路徑之位置的變化，來改變氣體供給路徑之導通率。從而，該氣體供給機構係藉由讓該板體旋轉來產生與讓閥體高速地開閉相同的機能。因此，根據相關之氣體供給機構，便可讓半導體製 造裝置之處理空間壓力早期地穩定。進一步地，由於該板體會相對於外殼而以非接觸來加以設置，故具有高耐久性。
一實施形態中，亦可進一步地具備有讓板體旋轉之驅動部以及為了控制板體之旋轉角度而控制驅動部的控制部。又，一實施形態中，驅動部係含有讓板體旋轉之馬達，馬達亦可具有在軸線上延伸並連結於板體之輸出軸。根據相關構成，由於可以高速來讓板體旋轉，故可讓半導體製造裝置之處理空間壓力早期地穩定。
一實施形態中，驅動部係具有筒狀固定子以及在固定子內側設置為與該固定子同軸之筒狀旋轉子，板體係設置於旋轉子之內孔中，且亦可連結於該旋轉子。根據相關構成，由於無須從外殼外部將馬達之輸出軸插入至外殼內，故可提升外殼之密閉性。
一實施形態中，相對於軸線而正交方向之貫穿孔的寬度亦可相對於軸線而在周圍方向中改變。根據此構成，便可讓通過閥體之氣體流量時效性地改變。
可提供一種可讓處理空間之壓力早期地穩定，並具有高耐久性之氣體供給機構及半導體製造裝置。
1A、1B‧‧‧氣體供給機構
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
34a、34b‧‧‧氣體噴出孔
38a‧‧‧第1氣體擴散室
40a‧‧‧第2氣體擴散室
38b、40b‧‧‧氣體流通孔
42‧‧‧第1配管
44‧‧‧第2配管
60、80‧‧‧外殼
62、82、92、100、120、130‧‧‧板體
64、84、94、102、112、122、132‧‧‧貫穿孔
65‧‧‧主控制部
66‧‧‧輸出軸
67‧‧‧氣體控制部
69‧‧‧馬達控制部
70‧‧‧旋轉子
72‧‧‧固定子
80a‧‧‧凹部
104、106‧‧‧突出部
Cnt‧‧‧控制部
M1、M2‧‧‧馬達
MM‧‧‧中空馬達
S‧‧‧處理空間
VL1‧‧‧第1閥體
VL2‧‧‧第2閥體
VL3、VL4、VL5‧‧‧閥體
W‧‧‧被處理體
Z‧‧‧軸線
圖1係概略性地顯示一實施形態相關之電漿處理裝置的剖面圖。
圖2之(a)係設定為第1動作模式之閥體的剖面圖，(b)係(a)所表示之板體的俯視圖。
圖3之(a)係設定為第2動作模式之閥體的剖面圖，(b)係(a)所表示之板體的俯視圖。
圖4之(a)係設定為第3動作模式之閥體的剖面圖，(b)係(a)所表示之板體的俯視圖。
圖5係顯示與板體同一平面上的流道之剖面積以及供給至處理空間的氣體流量之時間變化的圖式。
圖6係顯示使用一實施形態相關之氣體供給機構的氣體供給方法之流程圖。
圖7係概略地顯示另一實施形態相關之閥體的剖面圖。
圖8係概略地顯示又一實施形態相關之閥體的剖面圖。
圖9係第1板體及第2板體之俯視圖。
圖10係概略地顯示又一實施形態相關之閥體的剖面圖。
圖11之(a)係顯示板體之變形例的俯視圖，(b)係顯示與板體同一平面上的流道之剖面積以及供給至處理空間之氣體流量的時間變化之圖式。
圖12之(a)係顯示板體之另一變形例的俯視圖，(b)係顯示與板體同一平面上的流道之剖面積以及供給至處理空間之氣體流量的時間變化之圖式。
圖13之(a)係顯示板體之又一變形例的俯視圖，(b)係顯示與板體同一平面上的流道之剖面積以及供給至處理空間之氣體流量的時間變化之圖式。
圖14之(a)係顯示板體之又一變形例的圖式，(b)係顯示與板體同一平面上的流道之剖面積以及供給至處理空間之氣體流量的時間變化之圖式。
圖15係顯示處理空間之氣體壓力的時間變化之圖式。
以下，便參照圖式就各實施形態來詳細地說明。另外，各圖式中對相同或相當之部分係附加相同符號。
圖1係概略地顯示一實施形態相關之半導體製造裝置的圖式。圖1係概略地顯示為半導體製造裝置之一範例的電漿處理裝置10之剖面構造。電漿處理裝置10係電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置，並具備有略圓筒狀之處理容器12。處理容器12係例如由其表面經陽極氧化處理之鋁所構成。該處理容器12係保全接地。
處理容器12側壁係設置有被處理體W之搬出入口12g。該搬出入口12g可藉由閘閥54來加以開閉。又，處理容器12之側壁上端係以從該側壁朝上方延伸的方式來搭載有接地導體12a。接地導體12a係具有略圓筒形狀。
處理容器12底部上係配置有由絕緣材料所構成之圓筒狀支撐部14。該支撐部14會在其內壁面中支撐下部電極16。下部電極16係例如由所謂鋁之金屬所構成，並具有略圓盤形狀。
下部電極16係透過匹配器MU1來連接有第1高頻電源HFS。第1高頻電源HFS係產生電漿生成用之高頻電力的電源，並產生27~100MHz之頻率，在一範例中為40MHz的高頻電力。匹配器MU1係具有用以匹配第1高頻電源HFS之輸出阻抗與負載側(下部電極16側)之輸入阻抗的電路。
又，下部電極16係透過匹配器MU2來連接有第2高頻電源LFS。第2高頻電源LFS係會產生用以將離子吸引至被處理體W的高頻電力(高頻偏壓電力)，而將該高頻偏壓電力供給至下部電極16。高頻偏壓電力之頻率係400kHz~13.56MHz範圍內之頻率，在一範例中為3MHz。匹配器MU2係具有用以匹配第2高頻電源LFS之輸出阻抗與負載側(下部電極16側)之輸入阻抗的電路。
下部電極16上係設置有靜電夾具18。靜電夾具18係與下部電極16一同地構成用以支撐被處理體W之載置台。靜電夾具18係具有將為導電膜之電極20配置於一對絕緣層或絕緣板間的構造。電極20係電性連接有直流電源22。該靜電夾具18可藉由來自直流電源22之直流電壓所產生的庫倫力等的靜電力來將被處理體W吸附保持。
在下部電極16上面的靜電夾具18周圍係配置有聚焦環FR。聚焦環FR係為了提升蝕刻均勻性而加以設置。聚焦環FR係由根據被蝕刻層之材料所適當選擇的材料所構成，例如可由矽或石英所構成。
下部電極16內部係設置有冷媒室24。冷媒室24係從設置於外部之冷卻單元透過配管26a、26b來循環供給有既定溫度之冷媒，例如冷卻水。如此般藉由控制所循環之冷媒的溫度，便可控制靜電夾具18上所載置的被處理體W的溫度。
又，電漿處理裝置10係設置有氣體供給管路28。氣體供給管路28會將來自導熱氣體供給機構之導熱氣體，例如He氣體供給至靜電夾具18上面與被處理體W內面之間。
一實施形態中，電漿處理裝置10係可進一步地具備有沉積遮蔽體46。沉積遮蔽體46會沿著處理容器12內壁而裝卸自如地設置。沉積遮蔽體46亦設置於支撐部14之外周。該沉積遮蔽體46係防止讓蝕刻副產物(沉積)附著於處理容器12者，且可藉由於鋁材披覆Y2O3等的陶瓷來加以構成。
又，處理容器12內壁係設置有導電性構件(GND塊體)56。導電性構件56係在高度方向中以位於略相同於被處理體W的高度之方式來安裝在處理容器12內壁。該導電性構件56係DC性地連接於大地，並產生防止異常放電效果。
又，處理容器12之底部側中，係在支撐部14與處理容器12內壁之間設置有排氣板48。排氣板48係可藉由例如於鋁材披覆Y2O3等的陶瓷來加以構成。該排氣板48下方中，處理容器12係設置有排氣口12e。排氣口12e係透過排氣管52來連接有排氣裝置50。排氣裝置50係具有渦輪分子馬達等之真空泵，並可將處理容器12內減壓至所欲真空度。
又，電漿處理裝置10係進一步地具備有上部電極30。上部電極30會在下部電極16上方中與該下部電極16對向配置。下部電極16與上部電極30會互相地設置為略平行。該等上部電極30與下部電極16之間係區劃有用以對被處理體W進行電漿蝕刻之處理空間S。
上部電極30會透過絕緣性遮蔽構件32來被處理容器12上部所支撐。上部電極30可包含電極板34及電極支撐體36。電極板34會面向處理空間S，並區劃出複數氣體噴出孔34a及複數氣體噴出孔34b。該電極板34可由焦耳熱較少之低阻抗的導電體或半導體所構成。
電極支撐體36係裝卸自如地支撐電極板34者，並可由例如所謂鋁的導電性材料所構成。該電極支撐體36可具有水冷構造。又，電極支撐體36內部係設置有第1氣體擴散室38a及第2氣體擴散室40a。從第1氣體擴散室38a會朝下方延伸有連通至氣體噴出孔34a的複數氣體流通孔38b。又，從第2氣體擴散室40a會朝下方延伸有連通於氣體噴出孔34b的複數氣體流通孔40b。
第1氣體擴散室38a係透過第1氣體供給機構1A及第1流量控制器FC1來連接有第1氣體源GS1。第1氣體源GS1係例如用以蝕刻被處理體W之第1氣體的氣體源。第1流量控制器FC1係在其上游側連接於第1氣體源GS1，其下游側係連接於第1氣體供給機構1A。第1流量控制器FC1會控制來自第1氣體源GS1的第1氣體相對於第1氣體供給機構1A的第1 配管42的供給及供給之停止，又，構成為控制第1配管42所供給之第1氣體流量。該第1流量控制器FC1可包含閥體及質流控制器。
又，第2氣體擴散室40a係透過第2氣體供給機構1B及第2流量控制器FC2來連接有第2氣體源GS2。第2氣體源GS2係例如對被處理體W表面具有沉積性之第2氣體的氣體源。第2流量控制器FC2係在其上游側連接於第2氣體源GS2，其下游側係連接於第2氣體供給機構1B。第2流量控制器FC2會控制來自第2氣體源GS2的第2氣體相對於第2氣體供給機構1B的第2配管44的供給及供給之停止，又，構成為控制第2配管44所供給之第2氣體流量。該第2流量控制器FC2可包含閥體及質流控制器。
第1流量控制器FC1及第2流量控制器FC2係連接有氣體控制部67。氣體控制部67係將控制訊號分別傳送至第1流量控制器FC1及第2流量控制器FC2，以控制第1流量控制器FC1及第2流量控制器FC2。具體而言，氣體控制部67會藉由對第1流量控制器FC1傳送控制訊號，來控制來自第1氣體源GS1的第1氣體之供給及供給之停止，及控制第1氣體之流量。又，氣體控制部67會藉由對第2流量控制器FC2傳送控制訊號，來控制來自第2氣體源GS2的第2氣體之供給及供給之停止，及控制第2氣體之流量。
以下，便參照圖1至4，就第1氣體供給機構1A及第2氣體供給機構1B來加以說明。第1氣體供給機構1A係具有第1配管42及第1閥體VL1。第2氣體供給機構1B係具有第2配管44及第2閥體VL2。
第1配管42會連接第1氣體源GS1與第1氣體擴散室38a。具體而言，第1配管42會連接於第1流量控制器FC1的下游側，且連接於第1氣體擴散室38a的上游側。又，第2配管44會連接第2氣體源GS2與第2氣體擴散室40a。具體而言，第2配管44會連接於第2流量控制器FC2的下游側，且連接於第2氣體擴散室40a的上游側。第1配管42及第2配管44的途中會分別設置有第1閥體VL1及第2閥體VL2。第1閥體VL1係具有增減第1配管42所提供之第1氣體供給路徑的導通率之機能，第2閥體VL2係具有增減第2配管44所提供之第2氣體供給路徑的導通率之機能。
圖2(a)係概略地顯示第1閥體VL1的剖面圖。如圖2(a)所示，第1閥體VL1係具有外殼60及板體62，且設置於第1配管42途中。如圖2(a)所示，第1配管42係具有設置於較外殼60要靠上游側之上游部42a以及設置於較外殼要靠下游側之下游部42b。外殼60會連接於該等上游部42a以及下游部42b。該外殼60會區劃出連續於第1配管42所提供之第1氣體供給路徑43的內部空間，且在上游部42a與下游部42b之間部分地提供第1氣體供給路徑43。
又，外殼60會將板體62收納在其內部空間，並沿著板體62來相對於該板體62而非接觸地加以設置。另外，外殼60亦可相對於板體62而介設0.5mm以下的間隙。藉由將外殼60內壁與板體62之間的間隙成為0.5mm以下，便可抑制從第1配管42之上游部42a供給至外殼60內的氣體不透過後述貫穿孔64而流入至下游部42b。
圖2(b)係板體62之俯視圖。板體62係具有圓盤形狀，並構成為可以延伸於板厚方向的軸線Z為中心來旋轉。該板體62如圖2(a)、(b)所示，係形成有貫穿孔64。貫穿孔64會形成於圓周C上的位置。圓周C係以軸線Z為中心來延伸，且與氣體供給路徑43交叉之圓周。亦即，藉由板體62於軸線Z中心的旋轉，便可調整貫穿孔64相對於第1氣體供給路徑43的相對位置。
一實施形態中，貫穿孔64係具有以直徑d來劃定的圓形平面形狀。貫穿孔64之直徑d與第1氣體供給路徑43之直徑D的關係係可任意設定。例如，在貫穿孔64之直徑d為第1氣體供給路徑43之直徑D以上的情況，第1閥體VL1係不會讓第1氣體供給路徑43之導通率下降，而可將流通於第1氣體供給路徑43之第1氣體供給至第1氣體擴散室38a。另一方面，在貫穿孔64之直徑d較第1氣體供給路徑43之直徑D要小的情況，第1閥體VL1便可具有作為讓第1氣體供給路徑43之導通率下降的節流閥的機能。
又，板體62係連接有作為讓該板體62旋轉之驅動部的馬達M1。馬達M1係具有輸出軸66。輸出軸66係在軸線Z上延伸。亦即，輸出軸66之中心軸線會與軸線Z一致。該輸出軸66會貫穿外殼60而連結於板體62。 亦即，輸出軸66會以讓板體62中心位於其中心軸線上的方式來連結於板體62。該輸出軸66與外殼60之間亦可設置有密封材。藉此來提升外殼60之氣密性。
馬達M1係連接有馬達控制部69。馬達M1可藉由來自馬達控制部69之控制訊號來控制板體62的旋轉角度及旋轉。馬達控制部69會藉由控制第1閥體VL1的馬達M1，便可將第1閥體VL1的動作模式切換為第1~第4動作模式中任一者的動作模式。另外，第1~第3模式係將板體62之旋轉角度，控制為在各模式下固定旋轉角度的模式，第4模式係以固定角速度來讓板體62旋轉的模式。以下，便就第1~第4模式來詳細地說明。
[第1動作模式]
首先，參照圖2(a)、(b)，就第1動作模式來加以說明。第1動作模式係馬達控制部69會控制馬達M1，並以第1氣體供給路徑43之導通率成為第1~第3動作模式中最高的方式來設定板體62之旋轉角度的動作模式。如圖2(a)、(b)所示，此第1動作模式會以從軸線Z方向來觀察時，貫穿孔64與第1氣體供給路徑43的重疊面積為最大的方式來旋轉板體62，而將該板體62之旋轉角度設定為第1旋轉角度θ1。圖2(a)及(b)所示的範例中，係以貫穿孔64之中心軸線與第1氣體供給路徑43之中心軸線一致的方式來將板體62之旋轉角度設定為第1旋轉角度θ1。另外，所謂旋轉角度係貫穿孔64之中心軸線與軸線Z連結的線段與相對於軸線Z而延伸於放射方向的基準線RL所構成的角度，且為相對於軸線Z而以順時針方向為正向的角度。
如圖2(a)、(b)所示，第1動作模式中，從軸線Z方向來觀察的貫穿孔64與第1氣體供給路徑43的重疊面積(同圖中，以參考符號OP所表示之陰影區域面積)為最大，而大部分流通於第1配管42的氣體會通過板體62之貫穿孔64。然後，通過貫穿孔64之氣體會透過第1氣體擴散室38a、氣體流通孔38b、氣體噴出孔34a來供給至處理空間S。
[第2動作模式]
接著，參照圖3，就第2動作模式來加以說明。圖3(a)係顯示設定為第2動作模式之第1閥體VL1的剖面圖，圖3(b)係圖3(a)之板體62的俯視圖。第2動作模式係馬達控制部69會控制馬達M1，並以第1氣體供給路徑43 之導通率成為第1~第3動作模式中最低的方式來設定板體62之旋轉角度的動作模式。此第2動作模式中，貫穿孔64會被配置於從第1氣體供給路徑43遠離的位置。
第2動作模式中，係旋轉板體62而將該板體62之旋轉角度設定為第2旋轉角度θ2。例如，第2旋轉角度θ2係相對於第1旋轉角度θ1而在周圍方向轉180度之角度，且為將貫穿孔64配置於從第1氣體供給路徑43最遠離的位置之板體62的旋轉角度。
如圖3(a)、(b)所示，由於第2動作模式中，貫穿孔64會被配置於從第1氣體供給路徑43遠離的位置，故從軸線Z方向來觀察時，貫穿孔64與第1氣體供給路徑43不會重疊。亦即，第2動作模式中，板體62會介設在第1氣體供給路徑43上。從而，第2動作模式中，第1氣體供給路徑43中的氣體流動會被遮蔽。因此，此第2動作模式會使得第1氣體供給路徑43的導通率變低。
另外，在將第1閥體VL1設定為第2動作模式時，於第1氣體流到該第1閥體VL1上游側後，該第1氣體便會滯留於第1配管42之上游部42a。其結果，便會使得上游部42a之內部壓力提高。從而，在將第1閥體VL1設定為第2動作模式時，第1配管42的上游部42a與處理空間S之間便會產生壓力差。
[第3動作模式]
接著，便參照圖4，就第3動作模式來加以說明。圖4(a)係顯示設定為第3動作模式之第1閘閥VL1的剖面圖，圖4(b)係圖4(a)之板體62的俯視圖。第3動作模式係馬達控制部69會控制馬達M1，並以讓氣體供給路徑43之導通率成為較第1動作模式要低，較第2動作模式要高的方式來設定板體62之旋轉角度的動作模式。此第3動作模式中，係以僅貫穿孔64之一部分會位於第1氣體供給路徑43上的方式來將板體62之旋轉角度設定為第3旋轉角度θ3。
具體而言，如圖4(a)、(b)所示，第3動作模式中，第1氣體供給路徑43會因板體62而被部分遮蔽。從而，從軸線Z方向來觀察時，貫穿孔64與第1氣體供給路徑43之重疊面積(同圖中，以參考符號OP所表示之陰影 區域面積)會較第1動作模式中之重疊面積(圖2(a)、(b)中，以參考符號OP所表示之陰影區域面積)要小。從而，第3動作模式中的第1氣體供給路徑43之導通率會較第1動作模式要低。
[第4動作模式]
第4動作模式係馬達控制部69會控制馬達M1，並以固定角速度來讓板體62旋轉的模式。第4動作模式中，係貫穿孔64會以固定週期來位於第1氣體供給路徑43上。藉此，第1氣體供給路徑43之導通率便會週期性地改變。因此，第4動作模式便會將氣體間歇性地供給至處理空間S。另外，供給氣體之時間間隔係可藉由讓板體62之旋轉速度改變來加以調整。以下，便舉個具體範例，就在馬達控制部69會以固定角速度來讓第1閥體VL1之板體62旋轉時，透過第1配管42來供給至處理空間S的氣體流量之時間變化來加以說明。
圖5係顯示在以固定角速度來讓板體62旋轉時的板體62相同平面上之第1氣體供給路徑43的剖面積以及供給至處理空間S的氣體流量之時間變化。另外，第1配管42係從第1氣體源GS1供給有第1氣體，貫穿孔64之直徑d會與第1配管42的氣體供給路徑43之直徑D相同。
在以固定角速度來旋轉板體62時，板體62之貫穿孔64會以固定時間間隔來通過第1氣體供給路徑43上。從而，如圖5所示，與板體62相同平面上的流道之剖面積便會在貫穿孔64被配置於氣體供給路徑43上時增加，而在貫穿孔64未被配置於氣體供給路徑43上時減少。其結果，便會使得第1氣體供給配管之導通率週期性地增減。如圖5所示，伴隨於此，第1氣體便會被間歇性地供給至處理空間S。
以上，便已就第1閥體VL1及其構成要素及第1~第4動作模式來加以說明。與該第1閥體VL1同樣地，第2閥體VL2亦具有外殼60、板體62以及馬達M1。又，第2閥體VL2亦可藉由馬達控制部69而控制該第2閥體VL2之馬達M1來以第1~第4動作模式進行動作，而可調整第2配管44所提供之第2氣體供給路徑的導通率。
回到圖1之說明，電漿處理裝置10可進一步地具備有主控制部65。該主控制部65係具備有處理器、記憶部、輸入裝置、顯示裝置等的電腦。該 主控制部65中，操作者為了管理電漿處理裝置10而可使用輸入裝置來進行指令的輸入操作等，又，可藉由顯示裝置來將電漿處理裝置10之運作狀況可視化而加以顯示。又，主控制部65係可依照記憶部所記憶之配方，來總括控制電漿處理裝置10之各部。例如，主控制部65會以連動第1流量控制器FC1、第2流量控制器FC2、第1閥體VL1以及第2閥體VL2而加以動作的方式來控制氣體控制部67及馬達控制部69。另外，關於第1流量控制器FC1、第2流量控制器FC2、第1閥體VL1以及第2閥體VL2的連動中之控制流程係與後述一實施形態之氣體供給方法的說明一同地詳細說明。
該電漿處理裝置10中，係從第1氣體源GS1將第1氣體透過第1氣體供給機構1A來供給至處理容器12內。又，從第2氣體源GS2將第2氣體透過第2氣體供給機構1B來供給至處理容器12內。第1氣體與第2氣體可交互地供給至處理容器12內。然後，藉由將電漿生成用高頻電力施予至下部電極16，便可在下部電極16與上部電極30之間產生高頻電場。藉由此高頻電場，來生成供給至處理空間S內之氣體的電漿。藉此，便會以氣體之電漿來處理被處理體W。
又，上述第1氣體供給機構1A及第2氣體供給機構1B可藉由改變板體62之旋轉角度，來分別讓第1閥體VL1及第2閥體VL2的導通率增減。進一步地，在讓板體62旋轉的情況，第1閥體VL1及第2閥體VL2會產生與讓閥體高速地開閉相同之機能。從而，根據第1氣體供給機構1A及第2氣體供給機構1B，便可讓處理空間S的壓力早期地穩定。進一步地，第1氣體供給機構1A及第2氣體供給機構1B中，板體62會相對於外殼60而以非接觸來加以設置。從而，便可提高第1氣體供給機構1A及第2氣體供給機構1B的耐久性。
接著，便就使用圖1之電漿處理裝置10的氣體供給方法來加以說明。圖6係顯示一實施形態之氣體供給方法MT的流程圖。該方法MT會將第1氣體及第2氣體分別透過第1氣體供給機構1A及第2氣體供給機構1B來交互地供給至處理容器12內。
方法MT會先進行工序ST1。該工序ST1會將第1氣體供給至處理容器12內，並且停止供給第2氣體。因此，主控制部65會將控制訊號傳送至氣體控制部67。氣體控制部67會在接收此控制訊號時，以將第1氣體供給至第1配管42之方式來控制第1流量控制器FC1，並且以停止第2氣體相對於第2配管44之供給的方式來控制第2流量控制器FC2。
又，工序ST1中主控制部65亦會將控制訊號傳送至馬達控制部69。馬達控制部69會在接收此控制訊號時，以第1閥體VL1之板體62會成為第1旋轉角度θ1的方式來控制第1閥體VL1之馬達M1。進一步地，馬達控制部69會以第2閥體VL2之板體62會成為第2旋轉角度θ2的方式來控制第2閥體VL2之馬達M1。亦即，馬達控制部69會將第1閥體VL1設定為第1動作模式，將第2閥體VL2設定為第2動作模式。
藉由如上述般的控制，工序ST1便會從第1氣體源GS1來將第1氣體供給至第1配管42。然後，在該第1氣體通過第1閥體VL1，而在第1氣體擴散室38a內擴散後，會被供給至處理容器12內。另一方面，來自第2氣體源GS2的第2氣體會藉由第2流量控制器FC2來停止供給。然後，使用供給至處理容器12內之第1氣體來處理被處理體W。例如，在處理容器12內生成第1氣體之電漿，而蝕刻被處理體W。
方法MT會接著進行工序ST2。工序ST2中，主控制部65會將控制訊號傳送至氣體控制部67。氣體控制部67會在接收此控制訊號時，以將第2氣體供給至第2配管44的方式來控制第2流量控制器FC2。此時，由於第2閥體VL2會在工序ST1中被設定為第2動作模式，故來自第2氣體源GS2的第2氣體會被留在第2配管44之上游部44a內。因此，工序ST2會使得第2配管44之上游部44a的內部壓力提高。
接著，進行工序ST3。工序ST3會將對處理容器12所供給之氣體從第1氣體切換為第2氣體。因此，主控制部65會將控制訊號傳送至氣體控制部67。氣體控制部67會在接收此控制訊號時，以停止第1氣體相對於第1配管42之供給的方式來控制第1流量控制器FC1。又，氣體控制部67會以將第2氣體供給至第2配管44的方式來控制第2流量控制器FC2。
又，工序ST3中主控制部65亦會將控制訊號傳送至馬達控制部69。馬達控制部69會在接收此控制訊號時，以第1閥體VL1之板體62的旋轉角度會成為θ2的方式來控制第1閥體VL1的馬達M1。進一步地，馬達控制部69會以固定角速度來旋轉第2閥體VL2之板體62的方式來控制第2閥體VL2的馬達M1。亦即，馬達控制部69會將第1閥體VL1設定為第2動作模式，將第2閥體VL2之動作模式設定為第4動作模式。
藉由如此般的控制，工序ST3便會藉由第1流量控制器FC1及第1閥體VL1來停止朝處理容器12內供給第1氣體。另一方面，由於第2氣體供給路徑之導通率會週期性地改變，故來自第2氣體源GS2的第2氣體便會間歇性地供給至處理容器12內。在此，由於工序ST2中，第2配管44之上游部44a與處理空間S之間係產生有壓力差，故藉由將第2氣體間歇性地供給至處理容器12內，便可在短時間內穩定處理容器12內之氣體壓力。
接著，進行工序ST4。工序ST4會例如在工序ST3中使得處理容器12內之第2氣體壓力穩定後再進行。該工序ST4中，主控制部65會將控制訊號傳送至馬達控制部69。馬達控制部69會在接收此控制訊號時，以第2閥體VL2之板體62會成為第1旋轉角度θ1的方式來控制第2閥體VL2之馬達M1。藉此，便會將來自第2氣體源GS2的第2氣體連續地供給至處理容器12內。另外，工序ST4中，為了調整供給至處理容器12內之第2氣體流量，亦可將第2閥體VL2之板體設定為第3旋轉角θ3。
接著，進行工序ST5。工序ST5會判斷是否滿足結束條件。是否滿足結束條件可藉由例如供給至處理空間S的氣體之切換次數是否達到預設次數來加以判斷。在工序ST5中判斷為滿足結束條件的情況，便結束方法MT。另一方面，在工序ST5中判斷為未滿足結束條件的情況，則進行工序ST6。
工序ST6會從主控制部65將控制訊號傳送至氣體控制部67。氣體控制部67會在接收此控制訊號時，以將第1氣體供給至第1配管42的方式來控制第1流量控制器FC1。此時，由於工序ST3中第1閥體VL1會被設定為第2動作模式，故來自第1氣體源GS1的第1氣體便會被留在第1配管42之上游部42a內。因此，工序ST6會使得第1配管42之上游部42a的內部壓力提高。
接著，進行工序ST7。工序ST7會將供給至處理容器12內之氣體從第2氣體切換為第1氣體。因此，主控制部65會將控制訊號傳送至氣體控制部67。氣體控制部67會在接收此控制訊號時，以將第1氣體供給至第1配管42的方式來控制第1流量控制器FC1。又氣體控制部67會以停止第2氣體相對於第2配管44之供給的方式來控制第2流量控制器FC2。
進一步地，工序ST7中，主控制部65亦會將控制訊號傳送至馬達控制部69。馬達控制部69會在接收此控制訊號時，以固定角速度來旋轉第1閥體VL1之板體62的方式來控制第1閥體VL1之馬達M1。又，馬達控制部69會以第2閥體VL2之板體62會成為第2旋轉角度θ2的方式來控制第2閥體VL2之馬達M1。亦即，馬達控制部69會將第1閥體VL1之動作模式設定為第4動作模式，將第2閥體VL2設定為第2動作模式。
藉由如此般的控制，工序ST7便會藉由第2流量控制器FC2及第2閥體VL2來停止朝處理容器12內供給第2氣體。另一方面，由於第1氣體供給路徑之導通率會週期性地改變，故來自第1氣體源GS1之第1氣體便會間歇性地供給至處理容器12內。在此，由於在工序ST6中，第1配管42之上游部42a與處理空間S之間係產生有壓力差，故藉由將第1氣體間歇性地供給至處理容器12內，便可在短時間穩定處理容器12內之氣體壓力。
接著，進行工序ST8。工序ST8會在例如工序ST7中，處理容器12內之第1氣體壓力穩定後再進行。該工序ST8中，主控制部65會將控制訊號傳送至馬達控制部69。馬達控制部69會在接收此控制訊號時，以第1閥體VL1之板體62會成為第1旋轉角度θ1的方式來控制第1閥體VL1之馬達M1。藉此，來自第1氣體源GS1的第1氣體便會連續地被供給至處理容器12內。另外，工序ST8為了調整供給至處理容器12內之第1氣體流量，亦可將第1閥體VL1之板體設定為第3旋轉角度θ3。在該工序ST8之後，則再次進行工序ST1。
如上述，方法MT會將第1氣體及第2氣體交互地供給至處理容器12內。在將供給至處理容器12內之氣體從第1氣體切換為第2氣體後，而讓第2配管44內部與處理容器12內部之間產生壓力差後，將第2氣體間歇性地供給至處理容器12內。相反地，在將供給至處理容器12內之氣體從 第2氣體切換為第1氣體後，而讓第1配管42內部與處理容器12內之間產生壓力差後，將第1氣體間歇性地供給至處理容器12內。從而，在切換所供給之氣體時，便可讓處理容器12內之氣體壓力早期地穩定。從而，由於根據方法MT，便可縮短氣體切換所需要的時間，故可提升被處理體W之處理產率。
另外，上述第1閥體VL1及第2閥體VL2並不限於上述形態。以下，便就另一實施形態相關之閥體來加以說明。
圖7係概略地顯示另一實施形態相關之閥體的剖面圖。圖7所示之閥體VL3係在使用中空馬達來作為讓板體62繞軸線Z旋轉的馬達的點上，與上述第1閥體VL1及第2閥體VL2有所差異。
閥體VL3係具備有中空馬達MM來取代馬達M1。中空馬達MM係具有以軸線Z為中心軸線的筒狀固定子72以及在固定子72內側設置為與固定子72同軸之筒狀旋轉子70。旋轉子70及固定子72會以包圍第1配管42之方式來加以配置。該閥體VL3中，板體62會設置於旋轉子70之內孔中，並連結於旋轉子70。板體62會藉由旋轉子70會繞軸線Z旋轉，來與旋轉子70一同地以軸線Z為中心旋轉。
與上述馬達M1同樣地，中空馬達MM係連接有馬達控制部69。中空馬達MM係可藉由來自馬達控制部69之控制訊號來控制板體62之旋轉角度。馬達控制部69係可藉由控制閥體VL3之中空馬達MM，來將閥體VL3切換為上述第1~第4動作模式中任一者的動作模式。
相關閥體VL3會與上述第1閥體VL1及第2閥體VL2同樣地具有增減氣體供給路徑之導通率的機能。進一步地，由於閥體VL3不須將馬達之輸出軸插入至外殼內，故可提升密閉性。
接著，便就又一實施形態相關之閥體來加以說明。
圖8係概略地顯示又一實施形態相關之閥體VL4的剖面圖。圖8所示之閥體VL4係在外殼內部設置有複數板體的點上，與上述之第1閥體VL1及第2閥體VL2有所差異。
閥體VL4中，係在外殼60內部設置有第1板體82及第2板體92。參照圖9，就第1板體82及第2板體92來加以說明。
圖9(a)係第1板體82之俯視圖，圖9(b)係第2板體92之俯視圖。第1板體82係形成有以軸線Z為中心來延伸，且在沿著與氣體供給路徑43交叉之圓周C的位置中貫穿第1板體82之複數貫穿孔84。該等複數貫穿孔84會成為互相同徑之圓形。又，如圖8所示，第1板體82係連接有馬達M1。馬達M1之輸出軸係在軸線Z上延伸，並以貫穿外殼60而與第1板體82之旋轉中心軸線一致的方式來加以連結。
另一方面，第2板體92係形成有以軸線Z為中心來延伸，且在沿著與氣體供給路徑43交叉之圓周C的位置中貫穿第2板體92之複數貫穿孔94。該等複數貫穿孔94雖都會成為圓形，但具有互相相異之徑。如圖8所示，第2板體92係連接有馬達M2。馬達M2之輸出軸係在軸線Z上延伸，並以貫穿外殼60而與第2板體92之旋轉中心軸線一致的方式來加以連結。
又，如圖8所示，第1板體82及第2板體92之間係設置有沿著第1板體82及第2板體92來延伸的分隔板60a。該分隔板60a係在氣體供給路徑43上的位置形成有開口60b。
各馬達M1、M2係連接有馬達控制部69。馬達M1、M2可藉由來自馬達控制部69之控制訊號來控制板體62的旋轉角度。馬達控制部69係可藉由控制閥體VL4之馬達M1、M2，來將閥體VL4切換為上述第1~第3動作模式中任一者的動作模式。
又，馬達控制部69係可以將第1板體82及第2板體92旋轉於相同方向或相反方向的方式來控制馬達M1及馬達M2。在如此般地控制的情況，便會在第1板體82之貫穿孔84及第2板體92之貫穿孔94兩者位於氣體供給路徑43上時，讓該氣體供給路徑43之導通率成為最大，而將來自氣體源之氣體供給至處理空間S。
與第1閥體VL1及第2閥體VL2同樣地，此般之閥體VL4係具有增減氣體供給路徑43之導通率的機能。進一步地，由於閥體VL4中，係在第1板體82及第2板體92上形成有所差異之形狀或是徑的貫穿孔，故可精密地控制供給至處理空間S之氣體流量的時間變化。
進一步地，閥體VL4中，若是讓第1板體82及第2板體92旋轉於相反方向的方式來加以控制的話，便可讓氣體供給路徑43之導通率高速地改 變。又，亦可將閥體VL4之馬達M1為高速地旋轉的高旋轉馬達，而將馬達M2為可高精度地控制位置的高分解能馬達。如此般的構成中，係藉由例如利用高旋轉馬達以高速來讓第1板體82旋轉，並以高分解能馬達來調整第2板體92之相同平面上的流道剖面積，便可讓導通率高速地改變，並高精度地調整供給至處理空間S的氣體流量。另外，亦可將馬達M1為高分解能馬達，將馬達M2為高旋轉馬達。
接著，便就又一實施形態相關之閥體來加以說明。
圖10係概略地顯示又一實施形態相關之閥體VL5的剖面圖。圖10所示之閥體VL5係在為了抑制流通於第1配管42之上游部42a的氣體透過外殼與板體間的間隙來流到第1配管42之下游部42b，而具有曲徑構造的點上，與上述第1閥體VL1及第2閥體VL2有所差異。
閥體VL5係具備有板體100來取代板體62。板體100係形成有以軸線Z為中心來延伸，且在與氣體供給路徑交叉之圓周上的位置貫穿板體100之貫穿孔102。又，板體100係設置有突出於板厚方向的突出部104、106。突出部104、106會成為以軸線Z為中心之同軸環狀。突出部104會設置於較貫穿孔102要靠板體100之徑向外側，突出部106會設置於較貫穿孔102要靠板體100之徑向內側。
又，閥體VL5係具備有外殼80來取代外殼60。外殼80係在面對突出部104、106的位置中，分別形成有沿著板厚方向來延伸的凹部80a、80b。凹部80a、80b會成為以軸線Z為中心之同軸環狀。該等凹部80a、80b係分別插入有突出部104、106。
與第1閥體VL1及第2閥體VL2同樣地，該閥體VL5係具有增減氣體供給路徑之導通率的機能。進一步地，由於閥體VL5係在外殼80與板體100的間隙具有彎曲複數次的曲徑構造，故可提高外殼80與板體100之間的導通率。其結果，便可抑制流通於第1配管42之上游部42a的氣體透過外殼與板體之間的間隙而流入至第1配管42之下游部42b側。另外，一實施形態中，亦可在外殼側形成朝向板體突出之突出部，而在板體形成插入有該突出部之凹部。如此般之構成亦可提高外殼與板體間之導通率。
以上，雖已就各實施形態來加以說明，但並不限於上述實施形態而可構成為各種變形態樣。例如，上述實施形態中，雖然形成於板體之貫穿孔會成為圓形平面形狀，但貫穿孔之平面形狀並不限定於圓形。例如，相對於軸線Z而正交的方向中之貫穿孔的寬度亦可相對於軸線Z而在周圍方向中來改變。以下，便顯示具體範例來加以說明。
圖11(a)係顯示板體之變形例的俯視圖。圖11(a)所示之板體110係形成有正交於軸線Z之方向的寬度會從開口部分之端部慢慢朝向中央部分變寬般的略新月狀之貫穿孔112。在讓該板體110旋轉的情況，與板體110相同平面上的流道剖面積之時間變化會變緩。從而，藉由使用該板體110，便可如圖11(b)，讓供給至處理空間S的氣體流量緩慢地改變。
接著，就板體之另一變形例來加以說明。圖12(a)係顯示板體之另一變形例的俯視圖。圖12(a)所示之板體120係形成有相對於軸線Z而正交的方向之寬度會在板體120之周圍方向側的一邊端部為最寬，而隨著朝向另邊端部則寬度慢慢變窄般的貫穿孔122。在讓該板體120旋轉的情況，如圖12(b)所示，與板體120相同平面上的流道剖面積的時間變化會變大。從而，藉由使用該板體120，便可讓供給至處理空間S的氣體流量急遽地改變。
接著，便就板體之又一變形例來加以說明。圖13(a)係顯示板體之又一變形例的俯視圖。圖13(a)所示之板體130係形成有相對於軸線Z而正交之方向的寬度會沿著板體130之周圍方向，以大、中、小的順序來階段性地改變的貫穿孔132。在讓板體130在殼體內旋轉的情況，如圖13(b)所示，與板體130相同平面上的流道剖面積會階段性地改變。藉此，便可讓供給至處理空間S的氣體流量階段性地改變。特別是，如圖13(b)所示，藉由以大、中、小的順序來改變供給至處理空間S的氣體流量，便可略固定地保持處理空間S的氣體壓力。
接著，便就板體之又一變形例來加以說明。圖14(a)係顯示板體之又一變形例的俯視圖。圖14(a)所示之板體140係形成有相對於軸線Z而正交之方向的寬度會沿著板體140之周圍方向固定的貫穿孔142。在讓該板體140旋轉的情況，如圖14(b)所示，在貫穿孔142與氣體供給路徑交叉的期間，與板體140相同平面上的流道剖面積會保持固定。根據此般之板體140，藉 由調整沿著貫穿孔142之周圍方向的寬度，便可調整氣體之供給及停止供給的佔空比(停止供給氣體相對於氣體供給時間之時間比)。具體而言，沿著貫穿孔132之周圍方向的寬度越大，則佔空比會越大。
又，上述實施形態中，雖可將各實施形態之氣體供給機構適用在電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置，但氣體供給機構所適用的對象並不限於電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。例如，亦可適用於使用微波之電漿處理裝置、感應耦合型電漿處理裝置、熱處理裝置等的半導體製造裝置。
進一步地，圖1所示之電漿處理裝置10雖在電極支撐體36形成有第1氣體擴散室38a及第2氣體擴散室40a，但亦可在電極支撐體36形成單一氣體擴散室。此般形態中，亦可為第1配管42及第2配管44會在氣體擴散室與閥體之間互相合流，而將合流後之氣體供給管連接於氣體擴散室的構造。
又，上述各實施形態可在不矛盾的範圍內互相組合。

Claims (7)

  1. 一種氣體供給機構，係用以將氣體供給至半導體製造裝置之氣體供給機構，具備有：配管，係連接氣體源與該半導體製造裝置；以及閥體，係設置於該配管途中；該閥體係具有：板體，係可以延伸於板厚方向之軸線為中心來加以旋轉；以及外殼，係以收納該板體之方式來沿著該板體而非接觸地設置於該板體的外殼，且與該配管一同地提供氣體供給路徑；該板體係形成有以該軸線為中心來延伸且在與該氣體供給路徑交叉的圓周上之位置中貫穿該板體的貫穿孔；進一步地具備有：驅動部，係讓該板體旋轉；控制部，係為了控制該板體之旋轉角度而控制該驅動部；該驅動部係具有：筒狀固定子；以及筒狀旋轉子，係在該固定子之內側設置為與該固定子同軸；該板體係設置於該旋轉子之內孔中，並連結於該旋轉子。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體供給機構，其中該驅動部係含有讓該板體旋轉之馬達；該馬達係具有在該軸線上延伸並連結於該板體之輸出軸。
  3. 如申請專利範圍第1之氣體供給機構，其中相對於該軸線而正交之方向中的該貫穿孔之寬度會相對於該軸線而在周圍方向改變。
  4. 如申請專利範圍第2之氣體供給機構，其中相對於該軸線而正交之方向中的該貫穿孔之寬度會相對於該軸線而在周圍方向改變。
  5. 一種氣體供給機構，係用以將氣體供給至半導體製造裝置之氣體供給機構，具備有：配管，係連接氣體源與該半導體製造裝置；以及閥體，係設置於該配管途中；該閥體係具有：板體，係可以延伸於板厚方向之軸線為中心來加以旋轉；以及外殼，係以收納該板體之方式來沿著該板體而非接觸地設置於該板體的外殼，且與該配管一同地提供氣體供給路徑；該板體係形成有以該軸線為中心來延伸且在與該氣體供給路徑交叉的圓周上之位置中貫穿該板體的貫穿孔；該板體係形成有成為以該軸線為中心之環狀，並朝向該軸線方向來突出的複數突出部；該外殼係形成有成為以該軸線為中心之環狀，並朝向該軸線方向來凹陷的複數凹部；該複數突出部係設置於較該貫穿孔要靠該板體之徑向內側及外側，且會被分別插入至該複數凹部內。
  6. 一種氣體供給機構，係用以將氣體供給至半導體製造裝置之氣體供給機構，具備有：配管，係連接氣體源與該半導體製造裝置；以及閥體，係設置於該配管途中；該閥體係具有：板體，係可以延伸於板厚方向之軸線為中心來加以旋轉；以及外殼，係以收納該板體之方式來沿著該板體而非接觸地設置於該板體的外殼，且與該配管一同地提供氣體供給路徑；該板體係形成有以該軸線為中心來延伸且在與該氣體供給路徑交叉的圓周上之位置中貫穿該板體的貫穿孔；該板體係形成有成為以該軸線為中心之環狀，並朝向該軸線方向來凹陷的複數凹部；該外殼係形成有成為以該軸線為中心之環狀，並朝向該軸線方向來突出的複數突出部；該複數凹部係設置於較該貫穿孔要靠該板體之徑向內側及外側；該複數突出部係被分別插入至該複數凹部內。
  7. 一種半導體製造裝置，係具備有如申請專利範圍第1至6項中任一項的氣體供給機構。
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