JP4673131B2 - アミン化合物、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、新規のアミン化合物、該アミン化合物を含有する電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

近年、複写機やプリンターなどの電子写真装置には、有機の電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体（有機電子写真感光体）が広く用いられている。

電子写真感光体の電位特性（感度や残留電位など）は、感光層に用いる材料の種類に依存する。例えば、電荷発生物質に関しては電荷発生効率に優れる材料を選択し、また、電荷輸送物質に関しては電荷発生物質からの電荷注入効率に優れ、さらに感光層内における電荷移動度の大きい材料を選択することが、電子写真感光体の電位特性の向上につながる。

電子写真感光体全体の電荷移動度を大きくする手法としては、電荷輸送物質としてトリアリールアミン構造のような電荷移動度の大きい構造を有する化合物を選択すること、および、感光層中の電荷輸送物質の比率（以下「濃度」ともいう。）を高めることが挙げられる。

電荷輸送物質の電荷移動度および電荷移動度の濃度依存性は、使用する電荷輸送物質の構造によって異なることが知られている。したがって、電荷移動度が高く、電荷移動度の濃度依存性が大きく、さらには溶解性が十分な電荷輸送物質を採用すれば、電子写真感光体全体の電荷移動度を大きくすることができる。

電荷移動度が比較的高い電荷輸送物質の１つとして、２つのトリアリールアミン構造を有するビストリアリールアミン化合物が知られている（特開昭５１−０９３２２４号公報：特許文献１）。

ところが、ビストリアリールアミン化合物の中には、電荷移動度や電荷移動度の濃度依存性が小さく、感光層中の濃度を高めても高電荷移動度が達成されない材料や、溶解性が不十分で、感光層中の濃度を上げることができず、高電荷移動度が達成されない材料がある。

例えば、特開２００３−１４６９５０号公報（特許文献２）には、構造の一部にビフェニル構造を導入したビストリアリールアミン化合物が開示されているが、これに開示された化合物は溶解性が不十分で、感光層中の濃度を上げることができず、高電荷移動度を達成することができない。

また、特開昭５２−００４２４２号公報（特許文献３）には、トリアリールアミン構造同士を酸素原子または特定のアルキレン基で結んだ構造のビストリアリールアミン化合物が開示されており、特開平０２−１９０８６４号公報（特許文献４）には、トリアリールアミン構造同士を特定のアルキレン基で結んだ構造のビストリアリールアミン化合物が開示されており、特開平０５−１１９４８９号公報（特許文献５）や特開平０８−０９５２７０号公報（特許文献６）には、トリアリールアミン構造同士を−酸素原子−２価の炭化水素基−酸素原子−で結んだ構造のビストリアリールアミン化合物が開示されているが、これらに開示された化合物は溶解性が不十分で、感光層中の濃度を上げることができず、高電荷移動度を達成することができない上に、耐析出性も不十分である。特開２００５−０１０２５７号公報（特許文献７）にも、トリアリールアミン構造同士を特定のアルキレン基で結んだ構造のビストリアリールアミン化合物が開示されているが、なお溶解性が不十分である。

また、特開平１１−０３５５３２号公報（特許文献８）には、トリアリールアミン構造同士をアリーレン基またはアルケニレン基で結んだ、あるいは、基を介さずに直接結んだ（単結合）、かつ、側鎖の基が置換もしくは無置換のフルオレニル基である構造のビストリアリールアミン化合物が開示されているが、これに開示された化合物は溶解性が不十分で、感光層中の濃度を上げることができず、高電荷移動度を達成することができない上に、９位が無置換のフルオレニル基は酸化劣化を受けやすく、耐久安定性が不十分である。

また、特開２００４−１６８７２６号公報（特許文献９）には、側鎖に３環以上が縮合してなる複素環を有するビストリアリールアミン化合物が開示されているが、これに開示された化合物は溶解性が不十分で、感光層中の濃度を上げることができず、高電荷移動度を達成することができない。また、９位が無置換のフルオレニル基が置換基として開示されているが、この骨格は酸化劣化を受けやすく、耐久安定性が不十分である。

特に、昨今の電子写真装置の高速化（プロセススピ−ドの高速化）に伴い、電子写真感光体全体の高電荷移動度化がさらに重要になってきている。また、電子写真装置の高速化は、繰り返し使用によって電子写真感光体の電位特性の不安定化を引き起こし、ひいては出力画像の不安定化を引き起こしがちであるため、繰り返し使用した際の電位特性の安定性がより高い電子写真感光体が求められている。
特開昭５１−０９３２２４号公報 特開２００３−１４６９５０号公報 特開昭５２−００４２４２号公報 特開平０２−１９０８６４号公報 特開平０５−１１９４８９号公報 特開平０８−０９５２７０号公報 特開２００５−０１０２５７号公報 特開平１１−０３５５３２号公報 特開２００４−１６８７２６号公報

本発明の目的は、高電荷移動度を示し、かつ、十分な溶解性・耐析出性を有するアミン化合物（ビストリアリールアミン化合物）を提供することにある。

また、本発明の目的は、上記アミン化合物を用いた電子写真感光体であって、高電荷移動度が達成され、電位特性に優れた電子写真感光体を提供することにある。

また、本発明の目的は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

本発明は、下記式（１）で示される構造を有することを特徴とするアミン化合物である。

（式（１）中、Ａ^１１およびＡ^１２は、フェニレン基を示す。Ａ^１３〜Ａ^１６は、それぞれ独立に、トリル基、キシリル基、または、９，９−ジメチルフルオレニル基を示すが、Ａ^１３〜Ａ^１６のうち１つまたは２つは、９，９−ジメチルフルオレニル基である。Ｘ^１１は、シクロヘキシリデン基、エチリデン基、１−フェニルエチリデン基、または、２，２−ジメチルプロピリデン基を示す。）

また、本発明は、支持体ならびに該支持体上に設けられた電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、該電荷輸送物質の少なくとも１種が上記アミン化合物であることを特徴とする電子写真感光体である。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。

また、本発明は、上記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。

本発明によれば、高電荷移動度を示し、かつ、十分な溶解性・耐析出性を有するアミン化合物（ビストリアリールアミン化合物）を提供することができる。

また、本発明によれば、上記アミン化合物を用いた電子写真感光体であって、高電荷移動度が達成され、電位特性に優れた電子写真感光体を提供することができる。

また、本発明によれば、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

本発明のアミン化合物のうち、まず、下記式（１）で示される構造を有するアミン化合物について説明する。

上記式（１）中のＡ^１１およびＡ^１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリーレン基を示す。

上記アリーレン基としては、例えば、フェニレン基やナフタレン基などが挙げられる。

上記アリーレン基が有してもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基）などのアルキル基や、フェニル基などのアリール基などが挙げられる。ただし、アミン化合物の溶解性の観点からは、上記アリーレン基は無置換であることが好ましい。

また、アミン化合物の溶解性の観点からは、Ａ^１１およびＡ^１２のうち少なくとも一方は置換もしくは無置換のフェニレン基であることが好ましい。

上記式（１）中のＡ^１３〜Ａ^１６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジアルキルフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、または、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基を示し、ただし、Ａ^１３〜Ａ^１６のうち少なくとも１つは、置換もしくは無置換の９，９−ジアルキルフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、または、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基である。９，９−ジアルキルフルオレニル基としては、例えば、９，９−ジメチルフルオレニル基や９，９−ジエチルフルオレニル基などが挙げられる。なお、本発明においては、９，９−ジアルキルフルオレニル基の「ジアルキル」には、２つのアルキル基が結合して形成されるシクロアルキリデン基も含まれ、そのような９，９−ジアルキルフルオレニル基の例としては、９，９−シクロヘキシリデンフルオレニル基などが挙げられる。

上記フェニル基が有してもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基）などのアルキル基や、フェニル基などのアリール基などが挙げられる。アミン化合物の耐析出性および電荷移動度の観点からは、また、電子写真感光体に用いた際の電位安定性の観点からは、上記フェニル基はメチル基を有するフェニル基が好ましい。また、メチル基を有するフェニル基の中でも、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基がより好ましい。

上記９，９−ジアルキルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基およびジベンゾチオフェニル基が有してもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基）などのアルキル基や、フェニル基などのアリール基などが挙げられる。ただし、溶解性の観点からは、上記９，９−ジアルキルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基およびジベンゾチオフェニル基は無置換であることが好ましい。

また、アミン化合物の溶解性、耐析出性および電荷移動度の観点からは、また、電子写真感光体に用いた際の電位特性の観点からは、Ａ^１３〜Ａ^１６のうち少なくとも１つが９，９−ジメチルフルオレニル基であることが好ましく、特にはＡ^１３およびＡ^１５が９，９−ジメチルフルオレニル基であることがより好ましい。

上記式（１）中のＸ^１１は、酸素原子、置換もしくは無置換の２価の飽和炭化水素基、または、酸素原子１つ以上と置換もしくは無置換の２価の飽和炭化水素基１つ以上とを組み合わせてなる２価の基を示す。

上記２価の飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基などのアルキレン基や、エチリデン基、シクロヘキシリデン基などのアルキリデン基が挙げられる。

また、アミン化合物の溶解性および耐析出性の観点からは、Ｘ^１１は、下記式（２）で示される構造を有する２価の基、下記式（３）で示される構造を有する２価の基、または、下記式（４）で示される構造を有する２価の基であることが好ましい。

上記式（２）中、Ｒ^２１およびＲ^２２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアリール基を示す、あるいは、Ｒ^２１とＲ^２２とが結合して形成される環状の２価の基を示す。

上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基）などが挙げられる。上記アリール基としては、フェニル基などが挙げられる。上記Ｒ^２１とＲ^２２とが結合して形成される環状の２価の基としては、シクロヘキシリデン基などのシクロアルキリデン基などが挙げられる。

上記式（３）中、Ｒ^３１は、置換もしくは無置換の２価の飽和炭化水素基を示す。

上記２価の飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基などのアルキレン基や、エチリデン基、シクロヘキシリデン基などのアルキリデン基が挙げられる。

上記式（４）中、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の２価の飽和炭化水素基を示す。

上記２価の飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基などのアルキレン基や、エチリデン基、シクロヘキシリデン基などのアルキリデン基が挙げられる。

また、アミン化合物の溶解性、耐析出性および電荷移動度の観点からは、また、電子写真感光体に用いた際の電位特性の観点からは、上記式（１）で示される構造が、下記式（５）で示される構造であることがより好ましい。

上記式（５）中、Ｒ^５１およびＲ^５２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアリール基を示す、あるいは、Ｒ^５１とＲ^５２とが結合して形成される環状の２価の基を示す。Ｒ^５３〜Ｒ^５６は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換もしくは無置換のアルキル基を示す。

上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基）などが挙げられる。上記アリール基としては、フェニル基などが挙げられる。上記Ｒ^５１とＲ^５２とが結合して形成される環状の２価の基としては、シクロヘキシリデン基などのシクロアルキリデン基などが挙げられる。

以下に、上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物の具体例を示すが、本発明は、これら具体例に限定されるものではない。

これらの中でも、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−５）、（１−６）、（１−７）、（１−８）、（１−９）、（１−１２）、（１−１４）、（１−１５）、（１−１９）、（１−２０）および（１−２１）が好ましく、特には（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−５）、（１−９）、（１−１４）、および（１−１５）がより好ましく、さらには高い電荷移動度ならびに優れた溶解性、耐析出性および電位安定性という観点から、（１−１）、（１−２）および（１−３）がより一層好ましい。

次に、下記式（９）で示される構造を有するアミン化合物について説明する。

上記式（９）中、Ａ^９１およびＡ^９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリーレン基を示す。Ｒ^９１およびＲ^９２は、それぞれ独立に、メチル基、または、エチル基を示す。

上記アリーレン基としては、例えば、フェニレン基やナフタレン基などが挙げられる。

上記アリーレン基が有してもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基）などのアルキル基や、フェニル基などのアリール基などが挙げられる。ただし、アミン化合物の溶解性の観点からは、Ｒ^９１およびＲ^９２の少なくとも一方は、無置換のアリーレン基であることが好ましく、特には無置換のフェニレン基であることがより好ましく、さらには無置換のｐ−フェニレン基であることがより一層好ましい。

Ｒ^９１およびＲ^９２は、上記のとおり、それぞれ独立に、メチル基またはエチル基を示し、その置換位置としては、２位置換、３位置換および４位置換が挙げられるが、アミン化合物の溶解性および耐析出性の観点からは、３位置換（３−メチル基、３−エチル基）が好ましい。

以下に、上記式（９）で示される構造を有するアミン化合物の具体例を示すが、本発明は、これら具体例に限定されるものではない。

上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物および上記式（９）で示される構造を有するアミン化合物が溶解性および耐析出性に優れる理由の詳細は不明であるが、本発明者らは、上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物および上記式（９）で示される構造を有するアミン化合物は分子間の相互作用が小さい化合物であるからではないかと推測している。

また、上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物および上記式（９）で示される構造を有するアミン化合物が電荷移動度に優れる理由の詳細もまた不明であるが、本発明者らは、アミン化合物分子内の中心構造と側鎖との相互作用によって、電荷の移動がスムーズになっているからではないかと推測している。

本発明のアミン化合物は、電子写真感光体の電荷輸送物質として用いることができる。

上述のとおり、本発明の電子写真感光体は、支持体および該支持体上に設けられた感光層を有する電子写真感光体であって、該感光層が上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物を含有する電子写真感光体である。

感光層は、電荷輸送物質と電荷発生物質を同一の層に含有する単層型感光層であっても、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型（機能分離型）感光層であってもよいが、電子写真特性の観点からは積層型感光層が好ましい。また、積層型感光層には、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した順層型感光層と、支持体側から電荷輸送層、電荷発生層の順に積層した逆層型感光層があるが、電子写真特性の観点からは順層型感光層が好ましい。また、電荷発生層を積層構造としてもよく、また、電荷輸送層を積層構成としてもよい。

感光層が複数の層から構成された層である場合、本発明のアミン化合物は、感光層を構成する層のうち少なくとも１層に含有されていればよい。

支持体としては、導電性を有していればよく（導電性支持体）、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属製（合金製）の支持体を用いることができる。また、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム−酸化スズ合金などを真空蒸着によって被膜形成した層を有する上記金属製支持体やプラスチック製支持体を用いることもできる。また、カーボンブラック、酸化スズ粒子、酸化チタン粒子、銀粒子などの導電性粒子を適当な結着樹脂と共にプラスチックや紙に含浸した支持体や、導電性結着樹脂を有するプラスチック製の支持体などを用いることもできる。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状などが挙げられるが、円筒状が好ましい。

また、支持体の表面は、レーザー光などの散乱による干渉縞の防止などを目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理などを施してもよい。

支持体と感光層（電荷発生層、電荷輸送層）または後述の中間層との間には、レーザー光などの散乱による干渉縞の防止や、支持体の傷の被覆を目的とした導電層を設けてもよい。

導電層は、カーボンブラック、金属粒子、金属酸化物粒子などの導電性粒子を結着樹脂に分散させて形成することができる。

導電層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることがより好ましい。

また、支持体または導電層と感光層（電荷発生層、電荷輸送層）との間には、バリア機能や接着機能を有する中間層を設けてもよい。中間層は、感光層の接着性改良、塗工性改良、支持体からの電荷注入性改良、感光層の電気的破壊に対する保護などのために形成される。

中間層は、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エチルセルロース樹脂、エチレン−アクリル酸コポリマー、エポキシ樹脂、カゼイン樹脂、シリコーン樹脂、ゼラチン樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、ブチラール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ユリア樹脂などの樹脂や、酸化アルミニウムなどの材料を用いて形成することができる。

中間層の膜厚は０．０５〜５μｍであることが好ましく、特には０．３〜１μｍであることがより好ましい。

本発明の電子写真感光体に用いられる電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料や、金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリレン顔料や、アンスラキノン、ピレンキノン、ジベンズピレンキノンなどの多環キノン顔料や、スクワリリウム色素や、ピリリウム塩およびチアピリリウム塩や、トリフェニルメタン色素や、セレン、セレン−テルル、アモルファスシリコンなどの無機物質や、キナクリドン顔料や、アズレニウム塩顔料や、キノシアニンなどのシアニン染料や、アントアントロン顔料や、ピラントロン顔料や、キサンテン色素や、キノンイミン色素や、スチリル色素や、硫化カドミウムや、酸化亜鉛などが挙げられる。これら電荷発生物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。

また、これら電荷発生物質の中でも、感度の観点から、フタロシアニン顔料やアゾ顔料が好ましい。

また、フタロシアニン顔料の中でも、電位特性の安定性の観点から、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましく、特にはＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニンがより好ましい。

また、アゾ顔料の中でも、電位特性の安定性の観点から、ジスアゾ顔料が好ましく、特には下記式（１０）で示される構造を有するアゾ顔料がより好ましい。

上記式（１０）中、Ａ^１０１は、下記式（１０Ａ−１）で示される構造を有する基、下記式（１０Ａ−２）で示される構造を有する基、下記式（１０Ａ−３）で示される構造を有する基、または、下記式（１０Ａ−４）で示される構造を有する基を示す。

Ａｒ^１０１およびＡｒ^１０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基を示す。ｍおよびｎは、それぞれ独立に、１または２である。

上記式（１０）中のＡｒ^１０１およびＡｒ^１０１のフェニル基が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメチルオキシなどのアルコキシ基や、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのアルキルアミノ基や、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基などのアリールアミノ基や、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子や、ヒドロキシ基や、ニトロ基や、シアノ基や、アセチル基や、ベンゾイル基や、トリフルオロメチルなどのハロメチル基などが挙げられる。

感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、スチレン−ブタジエンコポリマー、ナイロン、フェノール樹脂、ブチラール樹脂、ベンザール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂などが挙げられる。特には、ブチラール樹脂などが好ましい。これらは単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。

電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂および溶剤と共に分散して得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。分散方法としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機などを用いた方法が挙げられる。電荷発生物質と結着樹脂との割合は、０．３：１〜１：１（質量比）の範囲が好ましい。

電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、使用する結着樹脂や電荷発生物質の溶解性や分散安定性から選択されるが、有機溶剤としてはアルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚は５μｍ以下であることが好ましく、特には０．１〜２μｍであることがより好ましい。

また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。

本発明の電子写真感光体に用いられる電荷輸送物質の少なくとも１種は、本発明のアミン化合物、すなわち上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物または上記式（９）で示される構造を有するアミン化合物である。本発明のアミン化合物は１種だけ用いてもよいし、２種以上併用してもよい。また、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明のアミン化合物以外の電荷輸送物質を併用してもよい。

本発明のアミン化合物以外の電荷輸送物質としては、本発明のアミン化合物以外のトリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリールメタン化合物、ブタジエン化合物などが挙げられる。これらの中でも、本発明のアミン化合物以外のトリアリールアミン化合物が、特には下記式（１１）で示される構造を有するアミン化合物（ビストリアリールアミン化合物）が、本発明のアミン化合物と併用する電荷輸送物質として好ましい。

上記式（１１）中、Ｒ^１１１およびＲ^１１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアリール基を示す、あるいは、Ｒ^５１とＲ^５２とが結合して形成される環状の２価の基を示す。Ｒ^１１３〜Ｒ^１２０は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、または、フェニル基を示す。ただし、上記式（１１）で示される構造が上記式（２）で示される構造である場合を除く。

以下に、本発明のアミン化合物と併用することができる電荷輸送物質の具体例を示すが、本発明は、これら具体例に限定されるものではない。

これらの中でも、（１１−１）、（１１−４）、（１１−６）、（１１−７）が好ましい。

感光層（電荷輸送層）に本発明のアミン化合物とそれ以外の電荷輸送物質とを併せて含有させる場合、本発明のアミン化合物の割合は、感光層（電荷輸送層）中の電荷輸送物質全質量に対して２０質量％以上であることが好ましい。

感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂などが挙げられる。特には、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂などが好ましい。これらは単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。

電荷輸送層は、電荷輸送物質と結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。電荷輸送物質と結着樹脂との割合は、０．３：１〜１０：１（質量比）の範囲が好ましい。また、クラックを防ぐ観点から、乾燥温度は６０〜１５０℃が好ましく、特には６０℃〜１３０℃がより好ましい。

電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、プロパノール、ブタノールなどのアルコール（特に炭素原子数３以上のアルコール）、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル、クロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン原子で置換された炭化水素などが用いられる。

また、電荷輸送層を積層構成とする場合は、電子写真感光体の支持体側の電荷輸送層を上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物を含有する電荷輸送層とし、電子写真感光体の表面側の電荷輸送層については、電子写真感光体の機械的強度を高めるために、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送物質を重合および／または架橋させることによって硬化させてなる層とすることが好ましい。連鎖重合性官能基としては、例えば、アクリル基、アルコキシシリル基、エポキシ基などが挙げられる。連鎖重合性官能基を有する電荷輸送物質を重合および／または架橋させるためには、熱、光、電子線などを用いることができる。

電子写真感光体の感光層が積層型感光層であって、積層型感光層を構成する電荷輸送層が１層である場合、その電荷輸送層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には８〜３０μｍであることがより好ましい。

電子写真感光体の感光層が積層型感光層であって、積層型感光層を構成する電荷輸送層が１層である場合、その電荷輸送層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には８〜３０μｍであることがより好ましい。

また、電荷輸送層には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。

感光層が単層型感光層である場合、該単層型感光層は、上記電荷発生物質および上記電荷輸送物質を上記結着樹脂および上記溶剤と共に分散して得られる単層型感光層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。

また、感光層上には、該感光層を保護することを目的とした保護層を設けてもよい。保護層は、上述した各種結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる保護層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。また、結着樹脂のモノマー・オリゴマーを溶剤に溶解させることによって得られる保護層用塗布液を塗布し、これを硬化および／または乾燥させることによって保護層を形成してもよい。硬化には、光、熱または放射線（電子線など）を用いることができる。

保護層の結着樹脂としては、上記の各種樹脂を用いることができる。

保護層の膜厚は０．５〜１０μｍであることが好ましく、特には１〜５μｍであることが好ましい。

また、保護層には、導電性粒子などを必要に応じて添加することもできる。

上記各層の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法などの塗布方法を用いることができる。

また、電子写真感光体の最表面の層（表面層）には、シリコンオイル、ワックス、ポリテトラフルオロエチレン粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子などの潤滑剤を含有させてもよい。

図１に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。

図１において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。

回転駆動される電子写真感光体１の表面は、帯電手段（一次帯電手段：帯電ローラーなど）３により、正または負の所定電位に均一に帯電され、次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送された転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。

なお、本発明において、Ｘ線回折の測定は、ＣｕＫα線を用いて次の条件で行った。

使用測定機：マック・サイエンス社製、全自動Ｘ線回折装置ＭＸＰ１８
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：２ｄｅｇ．／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２０ｄｅｇ．
スタート角度（２θ）：５ｄｅｇ．
ストップ角度（２θ）：４０ｄｅｇ．
ダイバージェンススリット：０．５ｄｅｇ．
スキャッタリングスリット：０．５ｄｅｇ．
レシービングスリット：０．３ｄｅｇ．
湾曲モノクロメーター使用

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。また、上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−５）、（１−９）、（１−１０）、（１−１９）、（１−２２）、（１−２３）で示される構造を有するアミン化合物を用いていない実施例は参考例である。

（合成例１）
上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物を以下のとおりにして合成した。

・工程１
１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン１２５ｇ（４７０ｍｍｏｌ）、４−メチルブロモベンゼン５００ｇ（３．４ｍｏｌ）、酢酸パラジウム５．３ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）およびナトリウム−ｔ−ブトキシド５００ｇ（５．２ｍｏｌ）を混合し、ｏ−キシレン７００ｍｌ中で攪拌しながら１１３℃まで昇温させ、反応終了後に濾過し、活性白土処理を行って残留物を得た。この残留物をシリカゲルカラムクロマトにてトルエン／ｎ−へキサン＝１／２で展開させて精製を行い、粗中間体を得た。さらに、アセトン／ｎ−へキサン＝１／１０の比率の溶剤３３０ｍｌを用いて再結晶化を行い、中間体である下記式（Ｉｎｔ−１）で示される構造を有する化合物（１，１−ビス（４−（４−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン）を得た。収量１２０ｇ、収率５７％であった。

・工程２
１，１−ビス（４−（４−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン５７ｇ（１２７．６ｍｍｏｌ）、９，９−ジメチル−２−ヨードフルオレン１０２ｇ（３１８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム４４ｇ（３１８．８ｍｍｏｌ）および銅触媒２５ｇ（３９３．７ｍｍｏｌ）を混合し、ｏ−ジクロロベンゼン３００ｍｌ中で攪拌しながら１９５℃まで昇温させて還流した。８時間反応させた後、銅触媒を１５ｇ追加し、さらに１６時間反応させた。反応終了後、トルエン４００ｍｌを加えて熱時濾過し、洗浄した後、溶剤を減圧留去した。得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトにてトルエン／ｎ−へキサン＝１／２で展開させて精製を行い、粗生成物を得た。さらに、ジメチルホルムアミド／アセトン／メタノール＝１２０ｇ／１２０ｇ／４０ｇの混合溶剤を用いて加熱溶解後、冷却し、再結晶化させた。この再結晶化を２回繰り返し、生成物である上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物を得た。収量８０ｇ、収率７５．４％、ＨＰＬＣ純度９９．６％であった。

得られた上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルを図２に、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３に示す。

測定装置および条件は以下のとおりである。

・ＮＭＲ
測定装置：ＦＴ ＮＭＲ装置 ＪＮＭ−ＥＸ４００（日本電子（株）製）
測定周波数：４００ＭＨｚ
パルス条件：５．０μＳ
データポイント：３２７６８
周波数範囲：１０５００Ｈｚ
積算回数：１００回
測定温度：２５℃
測定用サンプル：測定試料５０ｍｇを直径５ｍｍのサンプルチューブに入れ、溶媒としてＣＤＣｌ３（ＴＭＳ０．０５％）を添加することによって調製した。

・ＩＲ
測定装置：ＦＴ−ＩＲ４２０（日本分光（株）製）
分解能：４ｃｍ^−１
積算回数：１６回
測定用サンプル：測定試料５ｍｇをＫＢｒに混合することによって調製した。

^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルより得られたＣＤＣｌ３中ＴＭＳ基準の化学シフト（ｐｐｍ）を以下に示す。

７．６０（ｄ）：２．０Ｈ，
７．５３（ｄ）：２．０Ｈ，
７．３６（ｄ）：２．０Ｈ，
７．２９（ｔｄ）：１．７Ｈ，
７．２１〜７．２５（ｍ）：３．０Ｈ，
７．１２〜７．１５（ｍ）：５．７Ｈ，
６．９８〜７．０６（ｍ）：１４．０Ｈ，
２．３２（ｓ）：５．５Ｈ，
２．２３（ｓ）：３．４Ｈ，
１．５４〜１．５８（ｍ）：１０．７Ｈ，
１．３９（ｓ）：１２．６Ｈ
（合成例２）
上記式（１−２）で示される構造を有するアミン化合物を以下のとおりにして合成した。

・工程１
合成例１の工程１において、４−メチルブロモベンゼン５００ｇを３−メチルブロモベンゼン５００ｇ（３．４ｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１の工程１と同様の操作を行い、中間体である下記式（Ｉｎｔ−２）で示される構造を有する化合物（１，１−ビス（４−（３−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン）を得た。収量１１０ｇ、収率５２％であった。

・工程２
合成例１の工程２において、１，１−ビス（４−（４−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン５７ｇを１，１−ビス（４−（３−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン６１ｇ（１２８．６ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１の工程２と同様の操作を行い、生成物である上記式（１−２）で示される構造を有するアミン化合物を得た。収量７５ｇ、収率６７．９％、ＨＰＬＣ純度９９．４％であった。

得られた上記式（１−２）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルを図４に、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図５に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルより得られたＣＤＣｌ３中ＴＭＳ基準の化学シフト（ｐｐｍ）を以下に示す。

７．６２（ｄ）：２．０Ｈ，
７．５６（ｄ）：２．０Ｈ，
７．３７（ｄ）：２．０Ｈ，
７．２３〜７．３２（ｍ）：７．０Ｈ，
７．１１〜７．１９（ｍ）：８．８Ｈ，
６．９９〜７．０３（ｍ）：５．８Ｈ，
６．９６（ｓ）：１．８Ｈ，
６．９２（ｄ）：１．８Ｈ，
６．８２（ｄ）：２．０Ｈ，
２．２５（ｓ）：９．４Ｈ，
１．５４〜１．５９（ｍ）：５．４Ｈ，
１．４０（ｓ）：１２．２Ｈ
（合成例３）
上記式（１−３）で示される構造を有するアミン化合物を以下のとおりにして合成した。

・工程１
合成例１の工程１において、４−メチルブロモベンゼン１２５ｇを３，４−ジメチルブロモベンゼン６２６ｇ（３．４ｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１の工程１と同様の操作を行い、中間体である下記式（Ｉｎｔ−３）で示される構造を有する化合物（１，１−ビス（４−（３，４−キシリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン）を得た。収量１２０ｇ、収率５４％であった。

・工程２
合成例１の工程２において、１，１−ビス（４−（４−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン５７ｇを１，１−ビス（４−（３，４−キシリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン６１ｇ（１２８．６ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１の工程２と同様の操作を行い、生成物である上記式（１−３）で示される構造を有するアミン化合物を得た。収量７０ｇ、収率６４％で、ＨＰＬＣ純度９９．４％であった。

得られた上記式（１−３）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルを図６に、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルより得られたＣＤＣｌ３中ＴＭＳ基準の化学シフト（ｐｐｍ）を以下に示す。

７．６０（ｄ）：２．０Ｈ，
７．５３（ｄ）：２．０Ｈ，
７．３６（ｄ）：２．０Ｈ，
７．２１〜７．３０（ｍ）：５．３Ｈ，
７．１２〜７．１６（ｍ）：６．１Ｈ，
６．９４〜７．０３（ｍ）：１０．６Ｈ，
６．８７（ｄ）：１．９Ｈ，
２．１８〜２．２３（ｍ）：１８．６Ｈ，
１．５４〜１．５７（ｍ）：９．８Ｈ，
１．３９（ｓ）：１２．９Ｈ
上記３種の化合物以外の上記式（１）で示される構造を有するアミン化合物も、それぞれの構造に対応する構造の原料を用いることによって、合成例１〜３と同様にして合成することができる。

（合成例４）
上記式（９−１）で示される構造を有するアミン化合物を以下のとおりにして合成した。

・工程１
１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン１００ｇ（３７６ｍｍｏｌ）をトルエン１０００ｍｌ中で攪拌しながら、無水酢酸１４０ｇ（１．１ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、１１０℃まで昇温させて還流し、反応終了後に濾過し、トルエン洗浄を行い、下記式（Ｉｎｔ−４）で示される構造を有する化合物（１，１−ビス（４−アセチルアミノフェニル）シクロヘキサン）を得た。収量９０ｇ、収率６９％、ＨＰＬＣ純度８１％であった。

・工程２
１，１−ビス（４−アセチルアミノフェニル）シクロヘキサン７０ｇ（２００ｍｍｏｌ）、３−ヨードトルエン１４０ｇ（６４２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム５５ｇ（３９８ｍｍｏｌ）および銅触媒３８ｇ（５９８ｍｍｏｌ）を混合し、ｏ−ジクロロベンゼン２５０ｍｌ中で攪拌しながら１９０℃まで昇温させて還流した。１２時間反応させた。反応終了後、トルエン４００ｍｌを加えて熱時濾過し、洗浄した後、溶剤を減圧留去し、下記式（Ｉｎｔ−５）で示される構造を有する化合物を得た。収量１１３ｇ、収率１０７％（残留ｏ−ジクロロベンゼン含む）、ＨＰＬＣ純度９２．６％であった。

・工程３
上記式（Ｉｎｔ−５）で示される構造を有する化合物９８ｇ（１８５ｍｍｏｌ）とナトリウムメチラート８５ｇ（１．５７ｍｏｌ）と水９．３ｇ（５２０ｍｍｏｌ）とを混合し、メチルセロソルブ５００ｍｌ中で攪拌しながら、１１０℃まで昇温させて５時間還流し、反応終了後、水１．８ｌ中に流し入れ、洗浄し、分液ロートで抽出し、抽出液にトルエンを加え、再抽出した。この処理を３回繰り返し、その後、溶剤を減圧留去し、下記式（Ｉｎｔ−６）で示される構造を有する化合物を得た。収量７６ｇ、収率８５．１％、ＨＰＬＣ純度９２．０％であった。

・工程４
上記式（Ｉｎｔ−６）で示される構造を有する化合物２３ｇ（５１ｍｍｏｌ）、３、４−ジメチルヨードベンゼン２９ｇ（１２５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１９ｇ（１２８ｍｍｏｌ）および銅触媒１１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を混合し、ｏ−ジクロロベンゼン８５ｍｌ中で攪拌しながら１９０℃まで昇温させて還流した。１２時間反応させた。反応終了後、トルエン２００ｍｌを加えて熱時濾過し、洗浄した後、溶剤を減圧留去した。得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトにてトルエン／ｎ−へキサン＝１／３で展開させて精製を行い、粗生成物を得た。さらに、トルエン／ｎ−へキサンの混合溶剤を用いて加熱溶解後、冷却し、再結晶化させた。この再結晶化を２回繰り返し、生成物である上記式（９−１）で示される構造を有するアミン化合物を得た。収量２３ｇ、収率６９．０％、ＨＰＬＣ純度９８．１％であった。

得られた上記式（９−１）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルを図８に、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図９に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルより得られたＣＤＣｌ３中ＴＭＳ基準の化学シフト（ｐｐｍ）を以下に示す。

７．２５（ｄ）：０．６８Ｈ，
７．０７〜７．１０（ｍ）：３．１４Ｈ，
６．９９〜７．０１（ｄ）：１．１２Ｈ，
６．８７〜６．９３（ｍ）：４．１０Ｈ，
６．８１〜６．８４（ｍ）：２．１３Ｈ，
６．７５〜６．７７（ｄ）：１．００Ｈ，
２．２１〜２．２４（ｍ）：８．２８Ｈ，
２．１７（ｓ）：３．３８Ｈ，
１．５４（ｓ）：４．２４Ｈ
（合成例５）
上記式（９−２）で示される構造を有するアミン化合物を以下のとおりにして合成した。

・工程１
合成例４の工程１と同様にして１，１−ビス（４−アセチルアミノフェニル）シクロヘキサンを得た。

・工程２
合成例４の工程２において、３−ヨードトルエン１４０ｇを３、４−ジメチルヨードベンゼン１４９ｇ（６４２ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例４の工程２と同様の操作を行い、中間体である下記式（Ｉｎｔ−７）で示される構造を有する化合物を得た。収量１２０ｇ、収率１０７％（残留ｏ−ジクロロベンゼン含む）、ＨＰＬＣ純度８４．５％であった。

・工程３
合成例４の工程３において、上記式（Ｉｎｔ−７）で示される構造を有する化合物１０２ｇ（１８５ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例４の工程と同様の操作を行い、中間体である上記式（Ｉｎｔ−３）で示される構造を有する化合物を得た。収量８１ｇ、収率７９．５％、ＨＰＬＣ純度８１．８％であった。

・工程４
上記式（Ｉｎｔ−３）で示される構造を有する化合物２４ｇ（５１ｍｍｏｌ）、３−ブロモエチルベンゼン２９．６ｇ（１２８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．４ｇ（５．９ｍｍｏｌ）およびナトリウム−ｔ−ブトキシド１２５ｇ（１．３ｍｏｌ）を混合し、ｏ−キシレン２００ｍｌ中で攪拌しながら１１３℃まで昇温させ、反応終了後に濾過し、活性白土処理を行って残留物を得た。

この残留物をシリカゲルカラムクロマトにてトルエン／ｎ−へキサン＝１／２で展開させて精製を行い、粗中間体を得た。さらに、アセトン／ｎ−へキサンの混合溶剤を用いて再結晶化を行い、上記式（９−２）で示される構造を有するアミン化合物を得た。収量２０ｇ、収率６０．６％、ＨＰＬＣ純度９７．２％であった。

得られた上記式（９−２）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルを図１０に、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１１に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルより得られたＣＤＣｌ３中ＴＭＳ基準の化学シフト（ｐｐｍ）を以下に示す。

７．２４（ｓ）：０．５Ｈ，
７．０８〜７．１３（ｍ）：３．７９Ｈ，
６．９８〜７．００（ｄ）：１．２９Ｈ，
６．８９〜６．９４（ｍ）：４．９８Ｈ，
６．７８〜６．８４（ｍ）：３．７７Ｈ，
２．５０〜２．５６（ｍ）：２．４６Ｈ，
２．１６〜２．２１（ｄ）：１０．０Ｈ，
１．５５（ｓ）：４．４１Ｈ，
１．１４〜１．１８（ｔ）：３．７７Ｈ
上記２種の化合物以外の上記式（９）で示される構造を有するアミン化合物も、それぞれの構造に対応する構造の原料を用いることによって、合成例４および５と同様にして合成することができる。

（実施例１−１）
上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物７５部およびポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱ガス化学（株）製）７５部を、クロロベンゼン５００部／メチラール１００部の混合溶剤に溶解させ、これを塗布液１とした。

塗布液１を用いて、上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物の溶解性および耐析出性について評価した。

まず、塗布液１を調製後、室温にて８時間攪拌後、上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物の溶解性を目視にて評価した。

また、塗布液１が均一な液になってから、室温に放置し、１日後、３日後、２ヶ月後の塗布液１を目視し、塗布液１中での上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物の析出の有無を評価した（耐析出性の評価）。評価結果は、均一な液であればＡとし、一部析出が発生している場合はＢとし、析出が発生して完全に不均一な溶液となっている場合はＣとした。

評価結果を表１に示す。

（実施例１−２〜１−７１、比較例１−１〜１−１５）
実施例１−１において、塗布液に使用するアミン化合物の種類およびその量［部］を表１〜５に示すとおりにした以外は、実施例１−１と同様にして塗布液を調製し、評価した。評価結果を表１〜５に示す。

なお、表５中、（Ｃ−１）〜（Ｃ−１５）は、順に、下記式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１５）で示される構造を有するアミン化合物を意味する。

なお、塗布液Ｃ１３には、一部溶解しなかった上記式（Ｃ−１）で示される構造を有するアミン化合物が存在した。

（実施例２−１）
直径３０ｍｍ、長さ３５７．５ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体とした。

次に、このアルミニウムシリンダーに対して、湿式（液体）ホーニング装置を用いて、湿式ホーニング処理を行った。湿式ホーニング処理後のアルミニウムシリンダーの表面粗さは、ＲｍａｘＤ＝１．１μｍ、Ｒｚ＝０．３μｍ、Ｒａ＝０．１μｍ、Ｓｍ＝５８μｍであった。なお、研磨材としては、球状アルミナビーズ（商品名：ＣＢ−Ａ３０Ｓ、昭和電工（株）製、平均粒径：３０μｍ）を用いた。

次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン３部および共重合ナイロン３部をメタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、中間層用塗布液を調製した。

この中間層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、これを１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの中間層を形成した。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン４部を、シクロヘキサノン１００部にポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１．積水化学工業（株）製）２部を溶解させた液に加え、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２３±３℃雰囲気下１時間分散し、分散後、酢酸エチル１００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を中間層上に浸漬塗布し、これを１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２２μｍの電荷発生層を形成した。

次に、液が均一になってから１日放置した後の上記塗布液１を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを１時間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。

このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体１とする）。

（実施例２−２〜２−７１、比較例２−１〜２−１５）
実施例２−１において、電荷輸送層を形成する際に用いた塗布液１を表６に示すとおりにした以外は、実施例２−１と同様にして電子写真感光体を作製した（順に電子写真感光体２〜７１、Ｃ１〜Ｃ１５とする）。

（評価Ｉ）
・電荷移動度の評価
電子写真感光体１〜７１およびＣ１〜Ｃ１５の電荷移動度（モビリティー）を測定した。

評価方法は、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）を用いて、初期電位減衰カーブから電荷移動度を算出した。

測定結果を表６に示す。なお、表６に記載の電荷移動度は電界強度が２．５×１０^５［Ｖ／ｃｍ］のときの値である。

・耐析出性の評価
電子写真感光体１〜７１およびＣ１〜Ｃ１５をそれぞれ３０分間室温で放置し、その後、電子写真感光体１〜７１およびＣ１〜Ｃ１５それぞれにキヤノン（株）製複写機ＧＰ２１５用のギアおよびフランジを取り付け、それぞれ同複写機用のプロセスカートリッジに装着した。

これらプロセスカートリッジをそれぞれ４５℃／９０％ＲＨの環境下で保管し、１０日後、１ヶ月後、２ヶ月後に室温に戻し、それぞれキヤノン（株）複写機ＧＰ２１５に装着して画像を出力し、アミン化合物の析出に由来する欠陥が出力画像にあるか否かを目視により観察した。また、画像を出力する前に、アミン化合物の析出に由来する欠陥が電子写真感光体の表面にあるか否かも目視により観察した。

なお、画像出力時の環境は２５℃／５５％ＲＨであり、また、画像出力に用いたキヤノン（株）複写機ＧＰ２１５は、露光手段を発振波長４０７ｎｍの半導体レーザー（露出力５ｍＷのＧａＮ系チップ、ビームスポット径３０μｍ、日亜化学工業（株）製）に変更した改造機である。

評価結果は、電子写真感光体の表面に目視によって確認できる欠陥（析出）はなく、出力画像にも欠陥（黒ポチ）が発生しない場合をＡとし、電子写真感光体の表面に目視によって確認できる欠陥はないが、出力画像には欠陥がわずかに発生する場合をＢとし、出力画像だけでなく、電子写真感光体の表面にも目視によって確認できる欠陥がある場合をＣとした。

評価結果を表７に示す。

・初期電位と電位変動の測定Ｉ
電子写真感光体１〜７１およびＣ１〜Ｃ１５の２３℃／５％ＲＨ環境下における初期電位と繰り返し使用による電位変動を次のように測定した。

すなわち、図１２で示す構成のジェンテック（株）製ドラム試験機ＳＹＮＴＨＩＡ９０に電子写真感光体１〜７１およびＣ１〜Ｃ１５をそれぞれ装着し、初期の露光時の電位（明部電位）Ｖｌおよび残留電位Ｖｒを測定した後、帯電−露光−（電位測定）−前露光を５００回繰り返し、繰り返し後の明部電位Ｖｌ’および残留電位Ｖｒ’を測定した。そして、繰り返し後の明部電位Ｖｌ’と初期の明部電位Ｖｌとの差を明部電位変動量ΔＶｌ（＝｜Ｖｌ’｜−｜Ｖｌ｜）とし、繰り返し後の残留電位Ｖｒ’と初期の残留電位Ｖｒとの差を残留電位変動量ΔＶｒ（＝｜Ｖｒ’｜−｜Ｖｒ｜）とした。なお、ドラム試験機のプロセススピードは９４ｍｍ／ｓとした。また、帯電にはスコロトロンを使用し、帯電電位（暗部電位）Ｖｄが−７００Ｖとなるようにスコロトロンのグリッド電圧を調整した。また、露光には水銀灯を使用して波長４０４．７ｎｍの輝線を用い、電子写真感光体１の明部電位Ｖｌが−２００Ｖとなるように露光強度を調整し、この露光強度にて、電子写真感光体２〜７１およびＣ１〜Ｃ１５の明部電位を測定した。また、前露光には豆電球アレイに赤色フィルターをかませたものを使用して波長６７６ｎｍの光を用いた。

図１２において、８０１は電子写真感光体であり、８０３は帯電器（スコロトロン）であり、８０４は露光器（水銀灯）であり、８０５１は電位測定用のプローブであり、８０５２は電位計であり、８０６は前露光器（豆電球アレイに赤色フィルターをかませたもの）である。

測定結果を表８および９に示す。

・初期電位と電位変動の測定ＩＩ
ジェンテック（株）製ドラム試験機ＳＹＮＴＨＩＡ９０のプロセススピードを９４ｍｍ／ｓから２６４ｍｍ／ｓに変更した以外は、上記「初期電位と電位変動の測定Ｉ」と同様にして、電子写真感光体１〜７１およびＣ１〜Ｃ１５の２３℃／５％ＲＨ環境下における初期電位と繰り返し使用による電位変動を測定した。

測定結果を表１０および１１に示す。

（実施例３−１）
実施例２−１と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、下記式で示される構造を有する化合物（連鎖重合性官能基であるアクリル基を有する電荷輸送物質）４５部、

ポリテトラフルオロエチレン粒子（商品名：ルブロンＬ２、ダイキン（株）製）１０部およびｎ−プロパノール５５部を超高圧分散機で分散混合することによって、保護層（第２電荷輸送層）用塗布液を調製した。

この保護層（第２電荷輸送層）用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布し、これを５分間５０℃で乾燥させ、乾燥後、加速電圧１５０ｋＶ、吸収線量１．５Ｍｒａｄの条件で電子線を照射することによって硬化させることによって、膜厚が５μｍの保護層（第２電荷輸送層）を形成した。引き続き、保護層（第２電荷輸送層）が１２０℃になる条件で３分間加熱処理を行った。電子線の照射から３分間の加熱処理までの酸素濃度は２０ｐｐｍであった。

次に、大気中において、保護層（第２電荷輸送層）が１００℃になる条件で１時間加熱処理を行った。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７２とする）。

（実施例３−２）
実施例２−２と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７３とする）。

（実施例３−３）
実施例２−３と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７４とする）。

（実施例３−４）
実施例２−２６と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７５とする）。

（実施例３−５）
実施例２−２７と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７６とする）。

（実施例３−６）
実施例２−２８と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７７とする）。

（比較例３−１）
比較例２−１と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体Ｃ１６とする）。

（比較例３−２）
比較例２―８と同様にして、支持体上に中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は２０μｍから１５μｍに変更した。

次に、実施例３−１と同様にして電荷輸送層上に保護層（第２電荷輸送層）を形成した。

このようにして、保護層（第２電荷輸送層）が表面層である電子写真感光体を作製した（電子写真感光体Ｃ１７とする）。

（評価ＩＩ）
・初期電位と電位変動の測定
上記「初期電位と電位変動の測定ＩＩ」と同様にして、電子写真感光体７２〜７７ならびにＣ１６およびＣ１７の２３℃／５％ＲＨ環境下における初期電位と繰り返し使用による電位変動を測定した。

測定結果を表１２に示す。

（実施例３−７）
実施例３−１において、電荷発生層を以下のように形成した以外は、実施例３−１と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７８とする）。

すなわち、下記式で示される構造を有するアゾ顔料４部

をシクロヘキサノン２１５部に加え、直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２０℃の雰囲気下で２０時間分散した。

この分散液に、シクロヘキサノン４５部にポリ（ビニル・アセテート−コ−ビニル・アルコール−コ−ビニルベンザール）（ベンザール化度８０ｍｏｌ％、重量平均分子量８３０００）５部を溶解させた液を加え、さらに上記サンドミル装置で２０℃の雰囲気下で２０時間分散し、分散後、メチルエチルケトン３２５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を中間層上に浸漬塗布し、これを１０分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．３μｍの電荷発生層を形成した。

（実施例３−８）
実施例３−２において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、実施例３−２と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体７９とする）。

（実施例３−９）
実施例３−３において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、実施例３−３と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８０とする）。

（実施例３−１０）
実施例３−４において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、実施例３−４と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８１とする）。

（実施例３−１１）
実施例３−５において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、実施例３−５と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８２とする）。

（実施例３−１２）
実施例３−６において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、実施例３−６と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８３とする）。

（実施例３−１３）
実施例３−７において、電荷輸送層を実施例２−５の電子写真感光体５の電荷輸送層と同様にして形成した（ただし、膜厚は１５μｍに変更）以外は、実施例３−７と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８４とする）。

（実施例３−１４）
実施例３−７において、電荷輸送層を実施例２−３８の電子写真感光体３８の電荷輸送層と同様にして形成した（ただし、膜厚は１５μｍに変更）以外は、実施例３−７と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８５とする）。

（実施例３−１５）
実施例３−７において、電荷輸送層を実施例２−３９の電子写真感光体３９の電荷輸送層と同様にして形成した（ただし、膜厚は１５μｍに変更）以外は、実施例３−７と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８６とする）。

（実施例３−１６）
実施例３−７において、電荷輸送層を実施例２−４０の電子写真感光体４０の電荷輸送層と同様にして形成した（ただし、膜厚は１５μｍに変更）以外は、実施例３−７と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体８７とする）。

（比較例３−３）
比較例３−１において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、比較例３−１と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体Ｃ１８とする）。

（比較例３−４）
比較例３−２において、電荷発生層を実施例３−７の電子写真感光体７８の電荷発生層と同様にして形成した以外は、比較例３−２と同様にして電子写真感光体を作製した（電子写真感光体Ｃ１９とする）。

（評価ＩＩＩ）
・初期電位と電位変動の測定
上記「初期電位と電位変動の測定ＩＩ」と同様にして、電子写真感光体７８〜８７ならびにＣ１８およびＣ１９の２３℃／５％ＲＨ環境下における初期電位と繰り返し使用による電位変動を測定した。ただし、評価の際、前露光を豆電球アレイに赤色フィルターをかませたもの（波長６７６ｎｍの光）からＬＥＤ（波長４７０ｎｍの光）に変更した。

測定結果を表１３に示す。

・出力画像の評価
電子写真感光体７８〜８７ならびにＣ１８およびＣ１９それぞれにキヤノン（株）製複写機ＧＰ２１５用のギアおよびフランジを取り付け、それぞれ同複写機用のプロセスカートリッジに装着した。

これらプロセスカートリッジをそれぞれキヤノン（株）複写機ＧＰ２１５に装着して画像を出力し、初期および１００００枚出力後の電子写真感光体の表面のトナー像を評価した。具体的には、ドット再現性と線画像再現性を観察した。初期および１００００枚出力後に、トナーを平均粒径５μｍの磁性トナーにして孤立ドットおよび線画像を電子写真感光体の表面に形成させ、これらを光学顕微鏡で観察した。

なお、画像出力時の環境は２３℃／５％ＲＨであり、また、画像出力に用いたキヤノン（株）複写機ＧＰ２１５は、露光手段を発振波長４０７ｎｍの半導体レーザー（露出力５ｍＷのＧａＮ系チップ、ビームスポット径３０μｍ、日亜化学工業（株）製）に変更した改造機である。また、画像出力のモードは、プリント１枚ごとに１回停止する間欠モードとした。

評価結果は、以下のとおりである。

ドット再現性
Ａ：飛び散りが非常に少なく、ドットが鮮明
Ｂ：やや飛び散りが見られるが、ドットはほぼ鮮明
Ｃ：飛び散りによりドットがやや不鮮明
Ｄ：飛び散りが多く、ドットが不鮮明
線画質
Ａ：線がシャープ
Ｂ：一部境界領域がはっきりしない部分があるが、線はほぼ鮮明
Ｃ：線がやや不鮮明
Ｄ：線が不鮮明
評価結果を表１４に示す。

本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルである。 上記式（１−１）で示される構造を有するアミン化合物の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。 上記式（１−２）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルである。 上記式（１−２）で示される構造を有するアミン化合物の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。 上記式（１−３）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルである。 上記式（１−３）で示される構造を有するアミン化合物の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。 上記式（９−１）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルである。 上記式（９−１）で示される構造を有するアミン化合物の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。 上記式（９−２）で示される構造を有するアミン化合物のＩＲスペクトルである。 上記式（９−２）で示される構造を有するアミン化合物の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。 実施例で用いたドラム試験機の概略構成を示す図である。

符号の説明

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ クリーニング手段
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
Ｐ 転写材
８０１ 電子写真感光体
８０３ 帯電器
８０４ 露光器
８０５１ 電位測定用のプローブ
８０５２ 電位計
８０６ 前露光器

Claims (9)

1. 下記式（１）で示される構造を有することを特徴とするアミン化合物。
   

   

   
   （式（１）中、Ａ^１１およびＡ^１２は、フェニレン基を示す。Ａ^１３〜Ａ^１６は、それぞれ独立に、トリル基、キシリル基、または、９，９−ジメチルフルオレニル基を示すが、Ａ^１３〜Ａ^１６のうち１つまたは２つは、９，９−ジメチルフルオレニル基である。Ｘ^１１は、シクロヘキシリデン基、エチリデン基、１−フェニルエチリデン基、または、２，２−ジメチルプロピリデン基を示す。）
2. 前記式（１）中のＡ^１３およびＡ^１５が、９，９−ジメチルフルオレニル基である請求項１に記載のアミン化合物。
3. 前記式（１）で示される構造が、下記式（６）で示される構造、下記式（７）で示される構造または下記式（８）で示される構造である請求項２に記載のアミン化合物。
   

   
4. 前記式（１）で示される構造が、前記式（６）で示される構造である請求項３に記載のアミン化合物。
5. 支持体ならびに該支持体上に設けられた電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、該電荷輸送物質の少なくとも１種が請求項１〜４のいずれかに記載のアミン化合物であることを特徴とする電子写真感光体。
6. 前記感光層が、前記電荷発生物質を含有する電荷発生層および該電荷発生層上に設けられた前記電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を有する請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記電荷発生物質の少なくとも１種が、ヒドロキシガリウムフタロシアニンである請求項５または６に記載の電子写真感光体。
8. 請求項５〜７のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
9. 請求項５〜７のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。

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