JP4587772B2 - 多層プリント配線板 - Google Patents
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Description
本発明は、光通信に使用することができる多層プリント配線板に関する。
近年、高速インターネット網の整備に伴い、光通信は、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソコン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士の通信、端末機器内での通信にも使用することが提案されている。
基幹網においては、情報量の増大に伴い、交換機、ルータ等のスイッチング装置の高速化が進行しているため、例えば、ブックシェルフ型のバックプレーンボードにおいて、ドータボードとスイッチングボードとの間での信号伝送を光通信により行うことが検討されており、光コネクタを用いた光ファイバにより光通信が検討されている（特許文献１参照）。
また、端末機器に光トランシーバを配設し、光ファイバにより光通信を行うことも検討されている。
特開平１１−１１３０３３号公報
基幹網においては、情報量の増大に伴い、交換機、ルータ等のスイッチング装置の高速化が進行しているため、例えば、ブックシェルフ型のバックプレーンボードにおいて、ドータボードとスイッチングボードとの間での信号伝送を光通信により行うことが検討されており、光コネクタを用いた光ファイバにより光通信が検討されている（特許文献１参照）。
また、端末機器に光トランシーバを配設し、光ファイバにより光通信を行うことも検討されている。
ドータボードや端末機器の内部で使用されるプリント配線板では、スイッチング装置や端末機器の高性能化、小型化を達成すべく、プリント配線板の両面に、電子部品が実装されており、さらに、実装部品点数の増加に伴い、小型化とともに、高密度実装が行われている。
また、上述したように、光ファイバを用いて光通信を行う場合、例えば、ドータボードを構成するプリント配線板では、その端部周辺に光コネクタが実装されることとなり、さらに、この光コネクタは、プリント配線板に実装された光電気変換素子に接続されることとなる。また、光トランシーバも、通常、多層プリント配線板に実装された状態で端末機器に配設されている。
また、上述したように、光ファイバを用いて光通信を行う場合、例えば、ドータボードを構成するプリント配線板では、その端部周辺に光コネクタが実装されることとなり、さらに、この光コネクタは、プリント配線板に実装された光電気変換素子に接続されることとなる。また、光トランシーバも、通常、多層プリント配線板に実装された状態で端末機器に配設されている。
このように、光コネクタおよび光電気変換素子や、光トランシーバもプリント配線板上に搭載する必要が生じており、この場合、プリント配線板上に、新たな搭載スペースを確保する必要があり、プリント配線板が大きくなってしまうとの問題が生じており、さらに、光ファイバとの接続を必要とするため、その搭載位置がプリント配線板の端部周辺に限定されることとなり、その結果、設計の自由度が低下するという問題も生じている。
そこで、本発明者等は、鋭意検討した結果、端末機器等の小型化を図るべく、プリント配線板の小型化を図るとともに、その設計の自由度を向上させるには、光配線が異なる階層に形成された多層プリント配線板を用いればよいことを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の多層プリント配線板は、第一の表面と上記第一の表面の反対側に位置する第二の表面とを備え、少なくとも一層の絶縁層と、導体回路と、異なる階層に位置する複数の光配線とが積層形成されてなる多層プリント配線板であって、
上記複数の光配線は、コアと無機粒子が配合されたクラッドとを有する光導波路からなり、
上記複数の光配線には、上記第一の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第一光配線と、上記第二の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第二光配線とが含まれており、
上記第一の表面及び第二の表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を実装するための半田バンプが形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第一の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第二光配線と光学的に接続する第一光信号通過領域が形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第二の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第一光配線と光学的に接続する第二光信号通過領域が形成されていることを特徴とする。
上記複数の光配線は、コアと無機粒子が配合されたクラッドとを有する光導波路からなり、
上記複数の光配線には、上記第一の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第一光配線と、上記第二の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第二光配線とが含まれており、
上記第一の表面及び第二の表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を実装するための半田バンプが形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第一の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第二光配線と光学的に接続する第一光信号通過領域が形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第二の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第一光配線と光学的に接続する第二光信号通過領域が形成されていることを特徴とする。
本発明の多層プリント配線板においては、上記光信号通過領域が樹脂組成物から構成されていることが望ましい。
本発明の多層プリント配線板では、多層プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、
互いに階層の異なる光配線の、一の光配線の一部と他の一の光配線の一部とが、重なって視認されることが望ましい。
互いに階層の異なる光配線の、一の光配線の一部と他の一の光配線の一部とが、重なって視認されることが望ましい。
本発明の多層プリント配線板では、両表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板が実装されていることが望ましい。
本発明の多層プリント配線板は、上記絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するためのバイアホールが形成されており、
上記バイアホールは、貫通バイアホールおよび／または非貫通バイアホールであることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板では、上記光配線は、コアとクラッドとを有しており、
多層プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、
上記コアと上記非貫通バイアホールの一部とが、重なって視認されることが望ましい。
上記バイアホールは、貫通バイアホールおよび／または非貫通バイアホールであることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板では、上記光配線は、コアとクラッドとを有しており、
多層プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、
上記コアと上記非貫通バイアホールの一部とが、重なって視認されることが望ましい。
本発明の多層プリント配線板では、さらに、上記絶縁層間にも光配線が形成されていることが望ましい。
本発明の多層プリント配線板によれば、多層プリント配線板において、光信号を伝送するための光配線が異なる階層に形成されており、光学部品の実装位置や導体回路の形成位置等を考慮して、光配線の形成位置を適宜選択することができるため、多層プリント配線板の設計の自由度が向上するとともに、多層プリント配線板の小型化を図ることができる。
また、本発明の多層プリント配線板は、高密度配線にも対応し易い、これは、光配線の形成位置や、光学部品の実装位置の自由度が高まることにより、多層プリント配線板の設計においてフリースペースが広くなるからである。そのため、各種光学部品や電子部品の高密度実装も可能となる。
なお、上記フリースペースとは、導体回路を形成したり、ＩＣチップやコンデンサ等の電子部品を実装したりする領域をいう。
また、本発明の多層プリント配線板は、高密度配線にも対応し易い、これは、光配線の形成位置や、光学部品の実装位置の自由度が高まることにより、多層プリント配線板の設計においてフリースペースが広くなるからである。そのため、各種光学部品や電子部品の高密度実装も可能となる。
なお、上記フリースペースとは、導体回路を形成したり、ＩＣチップやコンデンサ等の電子部品を実装したりする領域をいう。
また、本発明の多層プリント配線板において、少なくとも一層の絶縁層を貫通する光信号通過領域が形成され、さらに、上記光信号通過領域の少なくとも一端と、上記光配線とが光学的に接続されている場合には、例えば、上記多層プリント配線板の両面のそれぞれに実装された光学部品間で、上記光信号通過領域を介して光信号の伝送を行うことができる。
なお、本明細書において、光信号通過領域と光配線とが光学的に接続されているとは、両者の間で光信号を伝送することができるように構成されている状態をいい、その具体的な態様については後述する。
なお、本明細書において、光信号通過領域と光配線とが光学的に接続されているとは、両者の間で光信号を伝送することができるように構成されている状態をいい、その具体的な態様については後述する。
さらに、本発明の多層プリント配線板において、光配線が多層プリント配線板の内部に形成されている場合には、多層プリント配線板の難燃化を図りやすく、より信頼性に優れることとなる。
以下、本発明の多層プリント配線板の実施形態について説明する。
本発明の多層プリント配線板は、第一の表面と上記第一の表面の反対側に位置する第二の表面とを備え、少なくとも一層の絶縁層と、導体回路と、異なる階層に位置する複数の光配線とが積層形成されてなる多層プリント配線板であって、
上記複数の光配線は、コアと無機粒子が配合されたクラッドとを有する光導波路からなり、
上記複数の光配線には、上記第一の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第一光配線と、上記第二の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第二光配線とが含まれており、
上記第一の表面及び第二の表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を実装するための半田バンプが形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第一の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第二光配線と光学的に接続する第一光信号通過領域が形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第二の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第一光配線と光学的に接続する第二光信号通過領域が形成されていることを特徴とする。
本発明の多層プリント配線板は、第一の表面と上記第一の表面の反対側に位置する第二の表面とを備え、少なくとも一層の絶縁層と、導体回路と、異なる階層に位置する複数の光配線とが積層形成されてなる多層プリント配線板であって、
上記複数の光配線は、コアと無機粒子が配合されたクラッドとを有する光導波路からなり、
上記複数の光配線には、上記第一の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第一光配線と、上記第二の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第二光配線とが含まれており、
上記第一の表面及び第二の表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を実装するための半田バンプが形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第一の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第二光配線と光学的に接続する第一光信号通過領域が形成されており、
少なくとも一層の上記絶縁層を貫通し、上記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を上記第二の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が上記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が上記第一光配線と光学的に接続する第二光信号通過領域が形成されていることを特徴とする。
本発明の多層プリント配線板では、光配線が、異なる階層に位置するように積層形成されている。
上記光配線が、異なる階層に形成されている態様としては、後に、図面を参照しながら詳細に説明するが、例えば、２つの最外層の絶縁層の両方のさらに外層側に光配線が形成されている態様、２つの最外層の絶縁層のいずれかについて、さらに外層側に一方の光配線が形成されている態様（この場合、他方の光配線は絶縁層間に形成されていることとなる）、絶縁層間にのみ光配線が形成されている態様等が挙げられる。
なお、上記多層プリント配線板においては、上述したように、異なる階層に光配線が形成されていれば、同一階層に複数の光配線が形成されていてもよい。
上記光配線が、異なる階層に形成されている態様としては、後に、図面を参照しながら詳細に説明するが、例えば、２つの最外層の絶縁層の両方のさらに外層側に光配線が形成されている態様、２つの最外層の絶縁層のいずれかについて、さらに外層側に一方の光配線が形成されている態様（この場合、他方の光配線は絶縁層間に形成されていることとなる）、絶縁層間にのみ光配線が形成されている態様等が挙げられる。
なお、上記多層プリント配線板においては、上述したように、異なる階層に光配線が形成されていれば、同一階層に複数の光配線が形成されていてもよい。
上記光配線としては、光導波路、光ファイバシート等が挙げられる。
上記光導波路としては、ポリマー材料等からなる有機系光導波路、石英ガラス、化合物半導体等からなる無機系光導波路等が挙げられる。これらのなかでは、ポリマー材料等からなる有機系光導波路が望ましい。絶縁層との密着性に優れ、加工が容易だからである。
上記ポリマー材料としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。
上記光導波路としては、ポリマー材料等からなる有機系光導波路、石英ガラス、化合物半導体等からなる無機系光導波路等が挙げられる。これらのなかでは、ポリマー材料等からなる有機系光導波路が望ましい。絶縁層との密着性に優れ、加工が容易だからである。
上記ポリマー材料としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。
具体的には、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
また、上記光導波路のコアの厚さは１〜１００μｍが望ましく、その幅は１〜１００μｍが望ましい。上記幅が１μｍ未満では、その形成が容易でないことがあり、一方、上記幅が１００μｍを超えると、多層プリント配線板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがある。
また、上記光導波路のコアの厚さと幅との比は、１：１に近いほうが望ましい。これは、通常、上記受光素子の受光部や上記発光素子の発光部の平面形状が円形状だからである。なお、上記厚さと幅との比は特に限定されるものではなく、通常、約１：２〜約２：１程度であればよい。
また、上記光導波路のコアの厚さと幅との比は、１：１に近いほうが望ましい。これは、通常、上記受光素子の受光部や上記発光素子の発光部の平面形状が円形状だからである。なお、上記厚さと幅との比は特に限定されるものではなく、通常、約１：２〜約２：１程度であればよい。
また、上記光導波路は、マルチモードの光導波路であることが望ましく、上記光導波路が通信波長０．８５μｍでマルチモードの光導波路である場合には、そのコアの厚さおよび幅は２０〜８０μｍであることがより望ましく、５０μｍ程度であることが特に望ましい。
マルチモードの光導波路が望ましいのは、シングルモードの光導波路に比べて、光導波路と光学素子との位置合わせが比較的容易で、また、位置ズレに対する許容値も大きいからである。
マルチモードの光導波路が望ましいのは、シングルモードの光導波路に比べて、光導波路と光学素子との位置合わせが比較的容易で、また、位置ズレに対する許容値も大きいからである。
また、上記光導波路には、粒子が配合されていてもよい。粒子が配合されることにより、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。即ち、光導波路に粒子が配合されていない場合には、光導波路と他の層（例えば、絶縁層等）との熱膨張係数が異なることに起因して光導波路にクラックが発生することがあるが、光導波路に粒子を配合して熱膨張係数を調整することにより、上記他の層との熱膨張係数の差を小さくした場合には、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。
上記粒子としては、例えば、後述する光信号通過領域を構成する樹脂組成物に含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。これらの粒子は、それぞれ単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
上記粒子としては、無機粒子が望ましく、シリカ、チタニアまたはアルミナからなる粒子が望ましい。また、シリカ、チタニアおよびアルミナのうちの少なくとも２種を混合、溶融させて形成した混合組成の粒子も望ましい。
また、上記樹脂粒子等の粒子の形状は特に限定されず、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。
上記粒子としては、無機粒子が望ましく、シリカ、チタニアまたはアルミナからなる粒子が望ましい。また、シリカ、チタニアおよびアルミナのうちの少なくとも２種を混合、溶融させて形成した混合組成の粒子も望ましい。
また、上記樹脂粒子等の粒子の形状は特に限定されず、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。
また、上記粒子の粒子径は、通信波長より短いことが望ましい。粒子径が通信波長より長いと光信号の伝送を阻害することがあるからである。
上記粒子径は、その下限が０．０１μｍで、上限が０．８μｍであることがより望ましい。この範囲を外れる粒子を含んでいると、粒度分布が広くなりすぎて、樹脂組成物中に混合した際に、該樹脂組成物の粘度のバラツキが大きくなり、樹脂組成物を調製する場合の再現性が低くなり、所定の粘度を有する樹脂組成物を調製することが困難になることがあるからである。
上記粒子径は、その下限が０．０１μｍで、上限が０．８μｍであることがより望ましい。この範囲を外れる粒子を含んでいると、粒度分布が広くなりすぎて、樹脂組成物中に混合した際に、該樹脂組成物の粘度のバラツキが大きくなり、樹脂組成物を調製する場合の再現性が低くなり、所定の粘度を有する樹脂組成物を調製することが困難になることがあるからである。
上記粒子径は、その下限が０．１μｍで、その上限が０．８μｍであることがさらに望ましい。この範囲にあると、スピンコート、ロールコート等を用いて樹脂組成物を塗布するの適しており、また、粒子が混合された樹脂組成物を調製する際に、所定の粘度に調製しやすくなる。
上記粒子径は、その下限が０．２μｍで、その上限が０．６μｍであることが特に望ましい。この範囲が、樹脂組成物の塗布、光導波路のコアの形成に特に適している。さらに、形成した光導波路ごとのバラツキ、特に、コアのバラツキが最も小さくなり、多層プリント配線板の特性に特に優れることとなるからである。
また、この範囲の粒子径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒子径の粒子が含まれていてもよい。
上記粒子径は、その下限が０．２μｍで、その上限が０．６μｍであることが特に望ましい。この範囲が、樹脂組成物の塗布、光導波路のコアの形成に特に適している。さらに、形成した光導波路ごとのバラツキ、特に、コアのバラツキが最も小さくなり、多層プリント配線板の特性に特に優れることとなるからである。
また、この範囲の粒子径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒子径の粒子が含まれていてもよい。
上記粒子の配合量は、その望ましい下限が１０重量％であり、より望ましい下限が２０重量％である。一方、上記粒子の望ましい上限は８０重量％であり、より望ましい上限は７０重量％である。粒子の配合量が１０重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が８０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。
また、上記光導波路の形状は特に限定されないが、その形成が容易であることから、フィルム状であってもよい。
また、上記光導波路がコアとクラッドとから構成されているものである場合、上記粒子は、コアとクラッドとの両方に配合されていてもよいが、コアには粒子が配合されておらず、該コアの周囲を覆うクラッドにのみ粒子が配合されていることが望ましい。その理由は以下の通りである。
すなわち、光導波路に粒子を配合する場合、該粒子と光導波路の樹脂成分との密着性によっては、粒子と樹脂成分との界面に空気層が生じてしまうことがあり、この場合には、この空気層により光の屈折方向が変わり、光導波路の伝播損失が大きくなることがあるのに対し、クラッドにのみ粒子が配合を配合した場合には、上述したような粒子を配合することにより、光導波路の伝播損失が大きくなるというような問題が発生することがないとともに、光導波路でクラックが発生しにくくなるとの上述した効果を得ることができるからである。
また、上記光導波路がコアとクラッドとから構成されているものである場合、上記粒子は、コアとクラッドとの両方に配合されていてもよいが、コアには粒子が配合されておらず、該コアの周囲を覆うクラッドにのみ粒子が配合されていることが望ましい。その理由は以下の通りである。
すなわち、光導波路に粒子を配合する場合、該粒子と光導波路の樹脂成分との密着性によっては、粒子と樹脂成分との界面に空気層が生じてしまうことがあり、この場合には、この空気層により光の屈折方向が変わり、光導波路の伝播損失が大きくなることがあるのに対し、クラッドにのみ粒子が配合を配合した場合には、上述したような粒子を配合することにより、光導波路の伝播損失が大きくなるというような問題が発生することがないとともに、光導波路でクラックが発生しにくくなるとの上述した効果を得ることができるからである。
また、上記光ファイバシートとしては、複数の光ファイバが並列に配置され、その周囲が樹脂組成物等からなるカバー樹脂層で覆われフィルム状に成形されたもの等が挙げられる。この場合、光ファイバは、並列にのみ一段で配置されていてもよいし、並列に配置された光ファイバが複数段に組み重ねられていてもよい。
上記光ファイバとしては、特に限定されず、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）、ポリマークラッド光ファイバ（ＰＣＦ）、ハードポリマークラッド光ファイバ（ＨＰＣＦ）、プラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）等が挙げられる。これらのなかでは、厚さを薄くすることができる点から、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）が望ましい。
また、１本の光ファイバのみを周囲を樹脂組成物で覆い、フィルム状に成形したものも上記光ファイバシートとして用いることができる。
上記光ファイバとしては、特に限定されず、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）、ポリマークラッド光ファイバ（ＰＣＦ）、ハードポリマークラッド光ファイバ（ＨＰＣＦ）、プラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）等が挙げられる。これらのなかでは、厚さを薄くすることができる点から、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）が望ましい。
また、１本の光ファイバのみを周囲を樹脂組成物で覆い、フィルム状に成形したものも上記光ファイバシートとして用いることができる。
また、上記光配線には、光路変換ミラーが形成されていることが望ましい。光路変換ミラーを形成することにより、光路を所望の角度に変更することが可能となり、光信号通過領域の端部と光学的に接続することができるからである。この場合、光路変換ミラーは、空気や屈折率の異なる樹脂等と接することとなっていてもよいし、金属蒸着層が形成されていてもよい。上記金属蒸着層としては、例えば、金、銀、白金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、クロム、これらの合金等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、組み合せて用いてもよい。
上記光路変換ミラーの形成は、後述するように、光配線を切削し、さらに必要に応じて、金属蒸着層等を形成することにより行うことができる。また、光配線に光路変換ミラーを形成する代わりに、光配線の端部の先に、光路変換部を有する部材を配置してもよい。
また、上記光路変換ミラーを形成する場合、その形成角度は特に限定されず、光路に応じて適宜選択すればよいが、該光路変換ミラーは、通常、絶縁層に接する面とのなす角度が、４５°または１３５°となるように形成する。特に、上記角度が４５°となるように形成することが望ましく、この場合、その形成が特に容易である。
上記光路変換ミラーの形成は、後述するように、光配線を切削し、さらに必要に応じて、金属蒸着層等を形成することにより行うことができる。また、光配線に光路変換ミラーを形成する代わりに、光配線の端部の先に、光路変換部を有する部材を配置してもよい。
また、上記光路変換ミラーを形成する場合、その形成角度は特に限定されず、光路に応じて適宜選択すればよいが、該光路変換ミラーは、通常、絶縁層に接する面とのなす角度が、４５°または１３５°となるように形成する。特に、上記角度が４５°となるように形成することが望ましく、この場合、その形成が特に容易である。
また、上記多層プリント配線板では、上記光配線について、多層プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、互いに階層の異なる光配線の、一の光配線の一部と他の一の光配線の一部とが、重なって視認されることが望ましい。
光配線がこのような位置に配設されることとなる場合、光配線の設計の位置の自由度が向上することとなるため、光信号を最短距離で伝送することができるように設計することができ、多層プリント配線板内での伝播損失を小さくすることができる。
また、光配線の設計の自由度が向上することにより、多層プリント配線板の小型化、高密度配線を実装することができ、さらには、光学部品や電子部品の表面実装密度も向上することとなる。
なお、一の光配線の一部と他の一の光配線の一部とが、重なって視認される態様としては、両者が、直交、斜めに交差、並行で一部が重なっている等の態様が挙げられる。
光配線がこのような位置に配設されることとなる場合、光配線の設計の位置の自由度が向上することとなるため、光信号を最短距離で伝送することができるように設計することができ、多層プリント配線板内での伝播損失を小さくすることができる。
また、光配線の設計の自由度が向上することにより、多層プリント配線板の小型化、高密度配線を実装することができ、さらには、光学部品や電子部品の表面実装密度も向上することとなる。
なお、一の光配線の一部と他の一の光配線の一部とが、重なって視認される態様としては、両者が、直交、斜めに交差、並行で一部が重なっている等の態様が挙げられる。
本発明の多層プリント配線板においては、少なくとも１つの絶縁層を貫通する光信号通過領域が形成され、上記光信号通過領域の一端と、上記光配線の一端とが光学的に接続されていることが望ましい。
このような光信号通過領域を形成することにより、光配線を異なる階層に位置するように形成する際に、設計の自由度がより向上することとなるからである。
このような光信号通過領域を形成することにより、光配線を異なる階層に位置するように形成する際に、設計の自由度がより向上することとなるからである。
上記光信号通過領域は、空隙のみから構成されていてもよいし、その一部または全部に樹脂組成物が充填されていてもよい。上記光信号通過領域の全部に樹脂組成物が充填されている場合、上記光信号通過領域は、樹脂組成物から構成されていることとなる。
上記樹脂組成物の樹脂成分としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂等が挙げられる。
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
また、上記樹脂組成物には、上記樹脂成分以外に、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより光信号通過領域と、絶縁層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができ、また、粒子の種類によっては難燃性を付与することもできる。
上記粒子としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子等が挙げられる。
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等からなるものが挙げられる。また、少なくとも２種類の無機材料を混合、溶融した混合組成の粒子であってもよい。
上記粒子としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子等が挙げられる。
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等からなるものが挙げられる。また、少なくとも２種類の無機材料を混合、溶融した混合組成の粒子であってもよい。
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなるものが挙げられる。
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていることが望ましい。
また、これらの粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
また、上記粒子の形状、最大長さ、その含有量等も上記光導波路に含まれる粒子と同様であることが望ましい。
また、これらの粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
また、上記粒子の形状、最大長さ、その含有量等も上記光導波路に含まれる粒子と同様であることが望ましい。
また、本発明の多層プリント配線板において、光信号通過領域に樹脂組成物が充填されている場合、この樹脂組成物の伝播光の透過率は、７０％／ｍｍ以上であることが望ましい。上記透過率が７０％／ｍｍ未満では、充分な光信号伝送能を得ることができないことがあるからである。上記透過率は、９０％／ｍｍ以上であることがより望ましい。
なお、本明細書において、樹脂組成物の透過率とは、長さ１ｍｍあたりの伝播光の透過率をいう。また、上記透過率とは、２５〜３０℃で測定した透過率をいう。
なお、本明細書において、樹脂組成物の透過率とは、長さ１ｍｍあたりの伝播光の透過率をいう。また、上記透過率とは、２５〜３０℃で測定した透過率をいう。
また、上記光信号通過領域は、単チャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる形状であってもよいし、マルチチャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる形状であってもよい。
また、上記マルチチャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる光信号通過領域は、全てのチャンネルの光信号を伝送することができる一括貫通孔構造を有していてもよいし、各チャンネルの光信号ごとに伝送することができる個別貫通孔構造を有していてもよい。なお、どちらの場合も、そのチャンネル数は限定されない。
また、一の多層プリント配線板において、一括貫通孔構造の光信号通過領域と個別貫通孔構造の光信号通過領域とが混在していてもよい。
また、上記マルチチャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる光信号通過領域は、全てのチャンネルの光信号を伝送することができる一括貫通孔構造を有していてもよいし、各チャンネルの光信号ごとに伝送することができる個別貫通孔構造を有していてもよい。なお、どちらの場合も、そのチャンネル数は限定されない。
また、一の多層プリント配線板において、一括貫通孔構造の光信号通過領域と個別貫通孔構造の光信号通過領域とが混在していてもよい。
上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
また、上記光信号通過領域の形状が、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状である場合には、その一部に、実際には、光信号通過領域として機能しないダミー円柱が形成されていてもよい。
また、上記光信号通過領域の形状が、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状である場合には、その一部に、実際には、光信号通過領域として機能しないダミー円柱が形成されていてもよい。
また、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の大きさは、縦、横のそれぞれが１００μｍ〜５ｍｍであることが望ましい。また、上記光信号通過領域の形状が円柱である場合は、その径が上記範囲にあることが望ましい。
上記断面の径が１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝播損失の向上はみられず、上記多層プリント配線板の小型化が難しくなる。
上記断面の径が１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝播損失の向上はみられず、上記多層プリント配線板の小型化が難しくなる。
また、上記個別貫通孔構造の各光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
上記個別貫通孔構造の光信号通過領域において、各光信号通過領域の大きさは、その断面の径の下限は１００μｍであることが望ましく、その上限は５００μｍであることが望ましい。上記径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号通過領域に未硬化の樹脂組成物を充填することが困難となることがある。一方、上記径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、多層プリント配線板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
より望ましい径の下限は２５０μｍであり、より望ましい径の上限は３５０μｍである。
なお、上記光信号通過領域の上記基板および上記絶縁層を貫通する部分の断面の径とは、上記光信号通過領域が円柱状の場合にはその断面の直径、楕円柱状の場合にはその断面の長径、四角柱状や多角柱状の場合にはその断面の最も長い部分の長さをいう。また、本発明において、光信号通過領域の断面とは、多層プリント配線板の主面に平行な方向の断面をいう。
より望ましい径の下限は２５０μｍであり、より望ましい径の上限は３５０μｍである。
なお、上記光信号通過領域の上記基板および上記絶縁層を貫通する部分の断面の径とは、上記光信号通過領域が円柱状の場合にはその断面の直径、楕円柱状の場合にはその断面の長径、四角柱状や多角柱状の場合にはその断面の最も長い部分の長さをいう。また、本発明において、光信号通過領域の断面とは、多層プリント配線板の主面に平行な方向の断面をいう。
なお、上記光信号通過領域は、光信号伝送時に、伝送光がその壁面で反射しない大きさで形成することが望ましく、また、そのため、後述するマイクロレンズを配設することにより、光信号通過領域内をコリメート光が伝送するように設計することが望ましい。
上記光信号通過領域の壁面は、樹脂または金属により構成されていてもよい。
ここで、上記光信号通過領域の壁面は、通常、絶縁層が露出しているため、絶縁層と同様の材質で構成されていることとなる。従って、絶縁層が樹脂からなるものである場合に、特に何ら処理を施さなくても、上記光信号通過領域の壁面は、樹脂により構成されていることとなる。
ただし、上記光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよく、この場合には、樹脂層がクラッドとして機能し、上記光信号通過領域の内部に充填される樹脂組成物がコアとして機能するように構成されていることが望ましい。
ここで、上記光信号通過領域の壁面は、通常、絶縁層が露出しているため、絶縁層と同様の材質で構成されていることとなる。従って、絶縁層が樹脂からなるものである場合に、特に何ら処理を施さなくても、上記光信号通過領域の壁面は、樹脂により構成されていることとなる。
ただし、上記光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよく、この場合には、樹脂層がクラッドとして機能し、上記光信号通過領域の内部に充填される樹脂組成物がコアとして機能するように構成されていることが望ましい。
また、上記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている場合、その材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、貴金属等が挙げられる。
また、上記光信号通過領域の壁面が金属により構成されている場合、即ち、光信号通過領域の壁面に金属層が形成されている場合、この金属層は、１層から形成されていてもよいし、２層以上から構成されていてもよい。
また、上記金属層は、場合によっては、バイアホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。
また、上記光信号通過領域の壁面が金属により構成されている場合、即ち、光信号通過領域の壁面に金属層が形成されている場合、この金属層は、１層から形成されていてもよいし、２層以上から構成されていてもよい。
また、上記金属層は、場合によっては、バイアホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。
また、上記光信号通過領域の壁面に樹脂層や金属層を形成する場合、その表面（内部に充填される樹脂組成物と接する面）は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．１〜５μｍの粗化面とすることが望ましい。樹脂組成物との密着性が向上することとなるからである。
なお、上記粗化面は、エッチング処理等により形成すればよい。
なお、上記粗化面は、エッチング処理等により形成すればよい。
一方、上記光信号通過領域の壁面に樹脂層や金属層を形成した場合には、この樹脂層や金属層で光を反射させながら光信号を伝送することができ、この場合には、壁面の表面粗さは小さいことが望ましい。光信号の伝播損失を小さくすることができるからである。
特に、高多層板である場合には、光信号通過領域の長さが長くなるため、光を反射させながら光信号を伝送する方法が有効となる。
特に、高多層板である場合には、光信号通過領域の長さが長くなるため、光を反射させながら光信号を伝送する方法が有効となる。
なお、本発明の多層プリント配線板において、上記光信号通過領域の形状や形成位置やその個数は特に限定されるものではなく、多層プリント配線板の設計、すなわち、光学部品の実装位置、光配線や導体回路の形成位置等を考慮して適宜選択すればよい。
本発明の多層プリント配線板において、光信号通過領域が形成されている場合、該光信号通過領域の光配線と光学的に接続された側と反対側の端部等には、マイクロレンズが配設されていてもよい。上記マイクロレンズは、直接配設されていてもよいし、光学接着剤を介して配設されていてもよい。
マイクロレンズを配設することにより、光信号が、マイクロレンズで集光されることとなり、より確実に光信号を伝送することが可能となるからである。
マイクロレンズを配設することにより、光信号が、マイクロレンズで集光されることとなり、より確実に光信号を伝送することが可能となるからである。
上記マイクロレンズとしては特に限定されず、光学レンズに使用されているものが挙げられ、その材質の具体例としては、光学ガラス、光学レンズ用樹脂等が挙げられる。上記光学レンズ用樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の上記光信号通過領域に充填する樹脂組成物として説明したポリマー材料と同様の材料等が挙げられる。
また、上記マイクロレンズの形状としては、例えば、片面にのみ凸面を有する凸形状レンズ等が挙げられ、この場合、上記レンズの凸面の曲率半径は、光信号通過領域の設計等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、焦点距離を長くする必要があるときには、曲率半径を大きくすることが望ましく、焦点距離を短くする必要があるときには、曲率半径を小さくすることが望ましい。
なお、上記マイクロレンズの形状は、凸形状レンズに限定されるわけではなく、光信号を所望の方向に集光することができる形状であればよい。
なお、上記マイクロレンズの形状は、凸形状レンズに限定されるわけではなく、光信号を所望の方向に集光することができる形状であればよい。
上記マイクロレンズは、その通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ以上であることが望ましい。
通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％／ｍｍ以上であることがより望ましい。
通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％／ｍｍ以上であることがより望ましい。
また、上記マイクロレンズには、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。
粒子を含ませることにより、マイクロレンズの強度が向上し、形状がより確実に維持されることとなるとともに、上記基板や絶縁層等との間で熱膨張係数を整合させることができ、熱膨張係数の差に起因したクラック等がより発生しにくくなるからである。
粒子を含ませることにより、マイクロレンズの強度が向上し、形状がより確実に維持されることとなるとともに、上記基板や絶縁層等との間で熱膨張係数を整合させることができ、熱膨張係数の差に起因したクラック等がより発生しにくくなるからである。
上記マイクロレンズに粒子が含まれている場合、該マイクロレンズの樹脂成分の屈折率と、上記粒子の屈折率とは同程度であることが望ましい。そのため、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率の異なる２種類以上の粒子を混ぜ合わせて、粒子の屈折率が樹脂成分の屈折率と同程度になるようにしたものであることが望ましい。
具体的には、例えば、樹脂成分が屈折率１．５３のエポキシ樹脂である場合、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率が１．４６のシリカ粒子と屈折率が２．６５のチタニア粒子とを混ぜ合わせて、溶解して粒子としたもの等が望ましい。
なお、粒子を混ぜ合わせる方法としては、混練する方法、２種類以上の粒子を溶かして混ぜ合わせた後、粒子状にする方法等が挙げられる。
なお、上記粒子の具体例としては、上記光信号通過領域に配合される粒子と同様のもの等が挙げられる。
具体的には、例えば、樹脂成分が屈折率１．５３のエポキシ樹脂である場合、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率が１．４６のシリカ粒子と屈折率が２．６５のチタニア粒子とを混ぜ合わせて、溶解して粒子としたもの等が望ましい。
なお、粒子を混ぜ合わせる方法としては、混練する方法、２種類以上の粒子を溶かして混ぜ合わせた後、粒子状にする方法等が挙げられる。
なお、上記粒子の具体例としては、上記光信号通過領域に配合される粒子と同様のもの等が挙げられる。
上記粒子の粒子径は特に限定されないが、その上限は０．８μｍ、その下限は０．０１μｍが望ましい。
上記マイクロレンズは、通常、インクジェット装置やディスペンサーを用いて配設されることとなるが、インクジェット装置の塗布ノズルの内径や、ディスペンサーのノズル内径寸法は、２０μｍが現在の最小寸法であり、粒子径が上記範囲にある場合には、ノズルが詰まることなく、塗布することができるからである。
また、上記粒子径の下限は０．１μｍであることがより望ましい。
上記粒子径が、この範囲にあることはインクジェット装置やディスペンサー等による塗布での粘度の安定性や、塗布量のバラツキの観点からより望ましいからである。
上記マイクロレンズは、通常、インクジェット装置やディスペンサーを用いて配設されることとなるが、インクジェット装置の塗布ノズルの内径や、ディスペンサーのノズル内径寸法は、２０μｍが現在の最小寸法であり、粒子径が上記範囲にある場合には、ノズルが詰まることなく、塗布することができるからである。
また、上記粒子径の下限は０．１μｍであることがより望ましい。
上記粒子径が、この範囲にあることはインクジェット装置やディスペンサー等による塗布での粘度の安定性や、塗布量のバラツキの観点からより望ましいからである。
上記マイクロレンズに含まれる粒子の配合量の望ましい下限は５重量％であり、より望ましい下限は１０重量％である。一方、上記粒子の配合量の望ましい上限は６０重量％であり、より望ましい上限は５０重量％である。粒子の配合量が５重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が６０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。
なお、本発明の多層プリント配線板がマルチチャンネルの光配線を有しており、この多層プリント配線板にマイクロレンズが配設されている場合には、該マイクロレンズは、互いに独立したマイクロレンズであってもよいし、複数のレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイであってもよい。
上記マイクロレンズは、上述したように、直接配設されていてもよいし、光学接着剤を介して配設されていてもよいが直接配設されていることが望ましい。
上記光学接着剤としては特に限定されず、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、シリコーン樹脂系等の光学接着剤を用いることができる。
上記光学接着剤の特性は、粘度：０．２〜１．０Ｐａ・ｓ、屈折率：１．４〜１．６、光透過率：８０％／ｍｍ以上、熱膨張係数（ＣＴＥ）：４．０×１０−５〜９．０×１０−５（／℃）であることが望ましい。
また、上記光学接着剤の厚さは、５０μｍ以下であることが望ましい。
上記光学接着剤としては特に限定されず、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、シリコーン樹脂系等の光学接着剤を用いることができる。
上記光学接着剤の特性は、粘度：０．２〜１．０Ｐａ・ｓ、屈折率：１．４〜１．６、光透過率：８０％／ｍｍ以上、熱膨張係数（ＣＴＥ）：４．０×１０−５〜９．０×１０−５（／℃）であることが望ましい。
また、上記光学接着剤の厚さは、５０μｍ以下であることが望ましい。
また、上記マイクロレンズが配設される場合、その配設領域には、表面処理が施されていてもよい。
インクジョット装置等でマイクロレンズを形成するための樹脂を塗布した際に、ソルダーレジスト層を形成するまでの工程条件のバラツキや放置時間に起因するマイクロレンズを配設する部位の濡れ性のバラツキにより、マイクロレンズの形状、特にサグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、撥水コート剤による表面処理等を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができる。
インクジョット装置等でマイクロレンズを形成するための樹脂を塗布した際に、ソルダーレジスト層を形成するまでの工程条件のバラツキや放置時間に起因するマイクロレンズを配設する部位の濡れ性のバラツキにより、マイクロレンズの形状、特にサグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、撥水コート剤による表面処理等を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができる。
上記表面処理としては、例えば、フッ素系ポリマーコーティング剤（表面張力１０〜１２ｍＮ／ｍ）等の撥水コート剤による処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理、Ｏ２プラズマによる親水処理等が挙げられる。
また、上記マイクロレンズは、レンズマーカを介して配設されていてもよい。
上記レンズマーカとしては、例えば、特開２００２−３３１５３２号公報に開示されたもの等が挙げられる。
また、レンズマーカが形成されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施されたレンズマーカに配設されていることが望ましい。
レンズマーカ表面が汚れていた場合、マイクロレンズの形成に用いる樹脂組成物（レンズ用樹脂組成物）が均一に広がらず、所望の形状のマイクロレンズを形成することができない原因になることがあるが、上述した撥水処理や親水処理を施すことにより、レンズマーカ表面の汚れを除去することができ、上記レンズ用樹脂組成物をレンズマーカ上に均一に広げることができるからである。
さらには、レンズマーカには、撥水処理よりも親水処理が施されていることが望ましい。
親水処理が施されている場合、レンズマーカ上にマイクロレンズを配設する際に滴下したレンズ用樹脂組成物が、レンズマーカ上の全体に広がりやすく、また、レンズマーカの外周でその樹脂の広がりが確実に停止するため、表面張力により所定の形状のマイクロレンズを形成するのに適しているからである。
上記レンズマーカとしては、例えば、特開２００２−３３１５３２号公報に開示されたもの等が挙げられる。
また、レンズマーカが形成されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施されたレンズマーカに配設されていることが望ましい。
レンズマーカ表面が汚れていた場合、マイクロレンズの形成に用いる樹脂組成物（レンズ用樹脂組成物）が均一に広がらず、所望の形状のマイクロレンズを形成することができない原因になることがあるが、上述した撥水処理や親水処理を施すことにより、レンズマーカ表面の汚れを除去することができ、上記レンズ用樹脂組成物をレンズマーカ上に均一に広げることができるからである。
さらには、レンズマーカには、撥水処理よりも親水処理が施されていることが望ましい。
親水処理が施されている場合、レンズマーカ上にマイクロレンズを配設する際に滴下したレンズ用樹脂組成物が、レンズマーカ上の全体に広がりやすく、また、レンズマーカの外周でその樹脂の広がりが確実に停止するため、表面張力により所定の形状のマイクロレンズを形成するのに適しているからである。
本発明の多層プリント配線板では、両表面のそれぞれに独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板（以下、光学素子実装パッケージ基板ともいう）が実装されていることが望ましい。
ここで、「両表面のそれぞれに独立して」とは、上述した実施形態では、多層プリント配線板の表面に、光学素子のみ、光学素子実装パッケージ基板のみ、光学素子と光学素子実装パッケージ基板の両者が実装されていることとなるが、この際、多層プリント配線板の一方の表面と他方の表面とに必ずしも同一のものが実装されている必要がなく、例えば、一方の表面には光学素子が実装され、他方の表面には光学素子実装パッケージ基板が実装されている等であってもよいことを意味する。勿論、両表面に同一のものが実装されていてもよい。
ここで、「両表面のそれぞれに独立して」とは、上述した実施形態では、多層プリント配線板の表面に、光学素子のみ、光学素子実装パッケージ基板のみ、光学素子と光学素子実装パッケージ基板の両者が実装されていることとなるが、この際、多層プリント配線板の一方の表面と他方の表面とに必ずしも同一のものが実装されている必要がなく、例えば、一方の表面には光学素子が実装され、他方の表面には光学素子実装パッケージ基板が実装されている等であってもよいことを意味する。勿論、両表面に同一のものが実装されていてもよい。
上記光学素子としては、例えば、受光素子や発光素子等が挙げられる。
これらは、上記多層プリント配線板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記多層プリント配線板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、インフラ型または酸化狭窄型のＶＣＳＥＬ（面発光半導体レーザ）等が挙げられる。
これらは、上記多層プリント配線板の構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
これらは、上記多層プリント配線板の構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
これらは、通信波長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
これらは、通信波長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
また、受光素子や発光素子等の光学素子は、マルチチャンネルの光学素子であってもよく、そのチャンネル数は特に限定されない。なお、光学素子がマルチチャンネルを有するアレイ素子である場合、受光部や発光部が直線上に配置されたアレイ素子であってもよいし、２次元に配置されたアレイ素子であってもよい。
また、上記光学素子は、フリップチップボンディングにより実装されるものでもよく、ワイヤボンディングにより実装されるものでもよい。
上記光学素子実装パッケージ基板としては、上述した光学素子が実装されたパッケージ基板を用いることができる。
また、上記光学素子は、フリップチップボンディングにより実装されるものでもよく、ワイヤボンディングにより実装されるものでもよい。
上記光学素子実装パッケージ基板としては、上述した光学素子が実装されたパッケージ基板を用いることができる。
また、上記光学素子や、上記光学素子実装パッケージ基板が実装された場合、これらにはアンダーフィルが充填されてもよい。
上記アンダーフィルの材料としては特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂とを含む樹脂複合体等を用いることができる。また、市販のアンダーフィル用樹脂を用いることもできる。
上記アンダーフィルの材料としては特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂とを含む樹脂複合体等を用いることができる。また、市販のアンダーフィル用樹脂を用いることもできる。
また、上記アンダーフィルは、その通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ以上であることが望ましい。通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％／ｍｍ以上であることがより望ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
また、上記アンダーフィルには、粒子が含まれていてもよい。粒子が含まれている場合、その配合量によって熱膨張係数を調整することができるため、アンダーフィルとパッケージ基板や光学素子との間で熱膨張係数の整合を図ることができる。
上記粒子の具体例として、上述した光信号通過領域に含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。
上記粒子の具体例として、上述した光信号通過領域に含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。
また、上記粒子が上記アンダーフィルに含まれている場合、該粒子の配合量の下限は２０重量％が望ましく、上限は７０重量％が望ましい。通常、この範囲であれば、パッケージ基板や光学素子の熱膨張係数と整合させるのに適しているとともに、充填時に必要な流動性も有することとなるからである。
より望ましい下限は３０重量％であり、より望ましい上限は６０重量％である。
より望ましい下限は３０重量％であり、より望ましい上限は６０重量％である。
また、上記多層プリント配線板では、絶縁層と導体回路とが積層されているが、さらに、上記絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するためのバイアホールとして、貫通バイアホールや非貫通バイアホールが形成されていることが望ましい。
貫通バイアホールを形成した場合には、光配線が多層プリント配線板の内層（絶縁層間）に形成されている場合であっても、簡単な構造で、かつ、一括に各層の導体回路間を接続することができる。
また、非貫通バイアホールを形成する場合には、バイアホール径を小さくすることができるため、多層プリント配線板の高密度配線に適している。
なお、非貫通バイアホールや貫通バイアホールは、その一方または両方を多層プリント配線板の設計に応じて形成すればよく、これらを形成することにより、光配線が内層にあっても導体回路の設計の自由度を向上させることができ、高密度配線を達成することができる。
貫通バイアホールを形成した場合には、光配線が多層プリント配線板の内層（絶縁層間）に形成されている場合であっても、簡単な構造で、かつ、一括に各層の導体回路間を接続することができる。
また、非貫通バイアホールを形成する場合には、バイアホール径を小さくすることができるため、多層プリント配線板の高密度配線に適している。
なお、非貫通バイアホールや貫通バイアホールは、その一方または両方を多層プリント配線板の設計に応じて形成すればよく、これらを形成することにより、光配線が内層にあっても導体回路の設計の自由度を向上させることができ、高密度配線を達成することができる。
また，上記非貫通バイアホールが形成されており、上記光配線がコアとクラッドとを有している場合には、多層プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、上記コアと上記非貫通バイアホールの一部とが、重なって視認されることが望ましい。
この場合、光配線を非貫通バイアホールが形成されていない箇所を迂回させて配線する必要がなく、非貫通バイアホールが形成されていない層に光配線を形成することができるため、光配線と導体回路とを高密度で配線するのに適していることとなる。
なお、この場合、上記コアと上記非貫通バイアホールとの上下関係は問わない。
この場合、光配線を非貫通バイアホールが形成されていない箇所を迂回させて配線する必要がなく、非貫通バイアホールが形成されていない層に光配線を形成することができるため、光配線と導体回路とを高密度で配線するのに適していることとなる。
なお、この場合、上記コアと上記非貫通バイアホールとの上下関係は問わない。
本発明の多層プリント配線板では、上記光配線が異なる階層に位置するように形成されているが、具体的には、
２つの最外層の絶縁層のうち、一方または両方の絶縁層のさらに外層側に、光配線が形成されていることが望ましく、さらに、上記絶縁層間にも光配線が形成されていることが望ましい。
また、上記絶縁層間にのみ光配線が形成されていることも望ましい。
２つの最外層の絶縁層のうち、一方または両方の絶縁層のさらに外層側に、光配線が形成されていることが望ましく、さらに、上記絶縁層間にも光配線が形成されていることが望ましい。
また、上記絶縁層間にのみ光配線が形成されていることも望ましい。
従って、本発明の多層プリント配線板の望ましい実施形態は、
（１）両最外層の絶縁層上に光配線が形成された形態、（２）片面最外層の絶縁層と内層の絶縁層上とに光配線が形成された形態、（３）両最外層の絶縁層上と内層の絶縁層上に光配線が形成された形態、（４）内層の絶縁層上であって、階層の異なる絶縁層上に光配線が形成された形態が挙げられる。
以下、これらの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（１）両最外層の絶縁層上に光配線が形成された形態、（２）片面最外層の絶縁層と内層の絶縁層上とに光配線が形成された形態、（３）両最外層の絶縁層上と内層の絶縁層上に光配線が形成された形態、（４）内層の絶縁層上であって、階層の異なる絶縁層上に光配線が形成された形態が挙げられる。
以下、これらの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の多層プリント配線板の具体的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の多層プリント配線板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図１は、本発明の多層プリント配線板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、多層プリント配線板１００は、基板１２１（絶縁層）の両面に導体回路１２５と絶縁層１２２とが積層形成され、基板１２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１２２を挟んだ導体回路間は、非貫通バイアホール１２７により電気的に接続されている。
また、この多層プリント配線板１００では、その両面に絶縁層１２２が形成された基板１２１を貫通する光信号通過領域１４２が形成されており、光信号通過領域１４２内には樹脂組成物１４７が充填されている。従って、多層プリント配線板１００に実装された光学素子１３８、１３９を介した入出力光信号は、光信号通過領域１４２を介して伝送されることとなる。
多層プリント配線板１００では、その一の面では、最外層全体にコア１５１とクラッド１５２ａ、１５２ｂとからなる光導波路１５０が形成されるともに受光素子１３８が実装されており、また、他の面では、最外層全体に光導波路１５０が形成されるとともに発光素子１３９が実装されている。さらに、これらの光導波路および光学素子（発光素子または受光素子）のうち基板を介した光導波路と光学素子とは、その内部に樹脂組成物が充填された光信号通過領域１４２とを介して光信号の伝送を行うことができる位置に、それぞれ、形成、実装されている。
なお、光導波路１５０には、光路変換ミラー１５３が形成されており、この光路変換ミラー１５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、この光路変換ミラー１５３は、光導波路１５０の絶縁層に接する面とのなす角が４５°である。
なお、光導波路１５０には、光路変換ミラー１５３が形成されており、この光路変換ミラー１５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、この光路変換ミラー１５３は、光導波路１５０の絶縁層に接する面とのなす角が４５°である。
また、光学素子１３８、１３９は、半田接続部を介して多層プリント配線板の表面に実装されている。光導波路１５０は、下部クラッド１５２ａおよびコア１５１が最外層の絶縁層上の所定の位置に形成され、さらに、上部クラッド１５２ｂが、コアおよび下部クラッドに加えて、最外層の導体回路および絶縁層を覆うように形成されており、この上部クラッド１５２ｂがいわゆるソルダーレジスト層としての役割を果たしている。
なお、下部クラッド１５２ａの厚さは、最外層の導体回路の厚さよりも厚くなっている。
なお、下部クラッド１５２ａの厚さは、最外層の導体回路の厚さよりも厚くなっている。
さらに、多層プリント配線板１００の最外層には、半田バンプ１３７が形成されており、この半田バンプ１３７により、ＩＣチップ、各種電子部品（例えば、コンデンサ等）、外部基板等と多層プリント配線板１００とを電気的に接続することができる。
本発明の多層プリント配線板の実施形態は、図１に示した実施形態に限定されるわけではなく、例えば、図２に示したような実施形態であってもよい。
図２（ａ）は、本発明の多層プリント配線板の別の実施形態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の別の実施形態の部分拡大断面図である。
図２（ａ）は、本発明の多層プリント配線板の別の実施形態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の別の実施形態の部分拡大断面図である。
図２に示す多層プリント配線板２００では、樹脂組成物２４２ａおよびと導体層２４５とから構成される光信号通過領域２４２のそれぞれの光学素子２３８、２３９側の端部に、マイクロレンズ２４９が直接配設されている。
このように、マイクロレンズを配設することにより、光信号の伝播損失を抑えることができる。
また、多層プリント配線板２００では、最外層全体が、下部クラッド２５２ａ、コア２５１および上部クラッド２５２ｂからなる光導波路２５０により覆われており、その一部（光信号通過領域２５２の真上または真下）に、金属蒸着層からなる光路変換ミラー２５３が形成されている。
このように、マイクロレンズを配設することにより、光信号の伝播損失を抑えることができる。
また、多層プリント配線板２００では、最外層全体が、下部クラッド２５２ａ、コア２５１および上部クラッド２５２ｂからなる光導波路２５０により覆われており、その一部（光信号通過領域２５２の真上または真下）に、金属蒸着層からなる光路変換ミラー２５３が形成されている。
多層プリント配線板２００の実施形態は、光信号通過領域２４２の全体に樹脂組成物２４７が充填されており、光信号通過領域２４２の端部にマイクロレンズ２４９を配設されていること、および、最外層に形成された光導波路２５０の形態が若干異なること以外は、図１に示した多層プリント配線板１００の実施形態と同一である。
なお、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する場合、該マイクロレンズは、上記多層プリント配線板に形成された全ての光信号通過領域の端部に形成されていてもよいし、上記多層プリント配線板に形成された光信号通過領域のうちの一部の端部にのみ形成されていてもよい。
また、上記マイクロレンズが形成される光信号通過領域の端部には、親水処理や撥水処理等の表面処理が施されていてもよい。
上記マイクロレンズの配設位置は、光信号通過領域の端部に限定されるわけではなく、光信号通過領域の内部であってもよい。
また、マイクロレンズを配設する場合、発光素子２３９と対向する側に配設されたマイクロレンズは、発光素子に対向する側と反対側の光導波路のコアに焦点が合うように設計することが望ましく、また受光素子２３８と対向する側に配設されたマイクロレンズは光導波路から伝送されてきた光をコリメート光にするように設計されていることが望ましい。
また、上記マイクロレンズが形成される光信号通過領域の端部には、親水処理や撥水処理等の表面処理が施されていてもよい。
上記マイクロレンズの配設位置は、光信号通過領域の端部に限定されるわけではなく、光信号通過領域の内部であってもよい。
また、マイクロレンズを配設する場合、発光素子２３９と対向する側に配設されたマイクロレンズは、発光素子に対向する側と反対側の光導波路のコアに焦点が合うように設計することが望ましく、また受光素子２３８と対向する側に配設されたマイクロレンズは光導波路から伝送されてきた光をコリメート光にするように設計されていることが望ましい。
また、多層プリント配線板の最外層（図中Ａに示す領域参照）の態様は、（ｂ）、（ｃ）に示すような態様であってもよい。
即ち、（ｂ）に示すように、コア１２５１とクラッド１２５２とからなる光導波路１２５０上に、ソルダーレジスト層１２３４と、導体回路やパッドが積層形成され、そこに半田バンプ１２３７が形成された態様であってもよい。この場合、絶縁層１２２２上に形成された最外層の導体回路１２２５と、光導波路１２５０上に形成された導体回路（パッド）１２２５ｂとは、非貫通バイアホール１２２７ｂにより接続されている。
なお、非非貫通バイアホール１２２７ｂの形成は、例えば、光導波路１２５０にレーザ処理で穴あけを行い、この穴内を含む光導波路の表面に無電解めっき、スパッタリング等により薄膜導体層を形成し、さらに、めっきレジストの形成、電解めっき、および、めっきレジストとめっきレジスト下の薄膜導体層との除去を行うことにより形成すればよい。
即ち、（ｂ）に示すように、コア１２５１とクラッド１２５２とからなる光導波路１２５０上に、ソルダーレジスト層１２３４と、導体回路やパッドが積層形成され、そこに半田バンプ１２３７が形成された態様であってもよい。この場合、絶縁層１２２２上に形成された最外層の導体回路１２２５と、光導波路１２５０上に形成された導体回路（パッド）１２２５ｂとは、非貫通バイアホール１２２７ｂにより接続されている。
なお、非非貫通バイアホール１２２７ｂの形成は、例えば、光導波路１２５０にレーザ処理で穴あけを行い、この穴内を含む光導波路の表面に無電解めっき、スパッタリング等により薄膜導体層を形成し、さらに、めっきレジストの形成、電解めっき、および、めっきレジストとめっきレジスト下の薄膜導体層との除去を行うことにより形成すればよい。
また、（ｃ）に示すように、下部クラッド２２５２ａとコア２２５１とが形成された後、その上に導体回路（パッド）２２２５ｂが形成され、さらに、ソルダーレジスト層として機能する上部クラッド２２５２ｂが積層された形態であって、上部クラッド２２５２ｂに半田バンプ２２３７が形成された形態であってもよい。この場合も、絶縁層２２２２上に形成された最外層の導体回路２２２５と、コア２２５１上に形成された導体回路（パッド）２２２５ｂとは、非貫通バイアホール２２２７ｂにより接続されている。
また、（ｃ）に示したような実施形態において、上部クラッド上に、さらにソルダーレジスト層が形成されていてもよい。
また、（ｃ）に示したような実施形態において、上部クラッド上に、さらにソルダーレジスト層が形成されていてもよい。
また、本発明の多層プリント配線板の実施形態は、図３、４に示したような実施形態であってもよい。
図３、４は、それぞれ本発明の多層プリント配線板の別の実施形態を模式的に示す断面図である。
図３、４は、それぞれ本発明の多層プリント配線板の別の実施形態を模式的に示す断面図である。
図３は、本発明の多層プリント配線板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、多層プリント配線板３００は、基板（絶縁層）３２１の両面に導体回路３２５と絶縁層３２２とが順次積層形成され、基板（絶縁層）３２１を挟んだ導体回路同士、および、絶縁層３２２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、非貫通バイアホール３２７により電気的に接続されている。
また、両面の最外層の絶縁層３２２上には、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層３３４が形成されており、このソルダーレジスト層３３４上の一部には、光導波路フィルムを透明なＵＶ硬化性エポキシ樹脂で接着固定することにより光導波路３５０ａ、３５０ｂが形成されており、この光導波路３５０ａ、３５０ｂは、それぞれ、コア３５１と下部クラッド３５２ａと上部クラッド３５２ｂとから構成されている。また、光導波路３５０ａ、３５０ｂのそれぞれの両端には、絶縁層の光導波路と接する面とのなす角が４５°の光路変換ミラー３５３が形成されており、この光路変換ミラー３５３には、金属蒸着層が形成されている。
このように多層プリント配線板３００では、異なる階層、すなわち、基板３２１を挟んだ両側のソルダーレジスト層３３４上のそれぞれに光導波路３５０ａ、３５０ｂが形成されている。
なお、本明細書において、ソルダーレジスト層が透明であるとは、光信号の透過率が６０％／３０ｍｍであることをいう。
図３に示すように、多層プリント配線板３００は、基板（絶縁層）３２１の両面に導体回路３２５と絶縁層３２２とが順次積層形成され、基板（絶縁層）３２１を挟んだ導体回路同士、および、絶縁層３２２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、非貫通バイアホール３２７により電気的に接続されている。
また、両面の最外層の絶縁層３２２上には、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層３３４が形成されており、このソルダーレジスト層３３４上の一部には、光導波路フィルムを透明なＵＶ硬化性エポキシ樹脂で接着固定することにより光導波路３５０ａ、３５０ｂが形成されており、この光導波路３５０ａ、３５０ｂは、それぞれ、コア３５１と下部クラッド３５２ａと上部クラッド３５２ｂとから構成されている。また、光導波路３５０ａ、３５０ｂのそれぞれの両端には、絶縁層の光導波路と接する面とのなす角が４５°の光路変換ミラー３５３が形成されており、この光路変換ミラー３５３には、金属蒸着層が形成されている。
このように多層プリント配線板３００では、異なる階層、すなわち、基板３２１を挟んだ両側のソルダーレジスト層３３４上のそれぞれに光導波路３５０ａ、３５０ｂが形成されている。
なお、本明細書において、ソルダーレジスト層が透明であるとは、光信号の透過率が６０％／３０ｍｍであることをいう。
さらに、多層プリント配線板３００においては、基板３２１、絶縁層３２２およびソルダーレジスト層３３４を貫通する光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄが形成されており、この光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄのそれぞれの一端と、光導波路３５０ａ、３５０ｂの端部とは、光学的に接続されている。具体的には、図示したように、光信号通過領域３４２ａ、３４２ｂの下端の直下に、両端の光路変換ミラー３５３のそれぞれが配設されるように光導波路３５０ａが形成され、光信号通過領域３４２ｃ、３４２ｄの上端の直上に、両端の光路変換ミラー３５３のそれぞれが配設されるように光導波路３５０ｂが形成されている。
また、この光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄの内部の一部には、樹脂組成物３４７が充填されている。
また、この光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄの内部の一部には、樹脂組成物３４７が充填されている。
また、多層プリント配線板３００の最外層には、受光素子３３８ａ、３３８ｂおよび発光素子３３９ａ、３３９ｂが半田接続部３４３を介して実装されており、これらは、受光部１３３８ａ、１３３８ｂおよび発光部１３３９ａ、１３３９ｂが、それぞれ光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄとの間で光信号を伝送することができる位置に実装されている。
さらに、片面のソルダーレジスト層３３４には、半田パッドを介して半田バンプ３３７が形成されている。従って、多層プリント配線板３００では、この半田バンプ３３７を介して、ＣＰＵ等の各種電子部品を実装することができる。さらには、この半田バンプを介して、ＩＣチップ実装用基板やその他の外部基板等との接続を行うこともできる。
なお、多層プリント配線板３００においては、片側のソルダーレジスト層にのみ半田バンプが形成されているが、本発明の多層プリント配線板においては、両側のソルダーレジスト層のそれぞれに半田バンプが形成されていてもよい。
また、ソルダーレジスト層３３４の光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄを構成する部分には開口が形成されているが、この部分はソルダーレジスト層で覆われていてもよい。ソルダーレジスト層が透明だからである。
さらに、片面のソルダーレジスト層３３４には、半田パッドを介して半田バンプ３３７が形成されている。従って、多層プリント配線板３００では、この半田バンプ３３７を介して、ＣＰＵ等の各種電子部品を実装することができる。さらには、この半田バンプを介して、ＩＣチップ実装用基板やその他の外部基板等との接続を行うこともできる。
なお、多層プリント配線板３００においては、片側のソルダーレジスト層にのみ半田バンプが形成されているが、本発明の多層プリント配線板においては、両側のソルダーレジスト層のそれぞれに半田バンプが形成されていてもよい。
また、ソルダーレジスト層３３４の光信号通過領域３４２ａ〜３４２ｄを構成する部分には開口が形成されているが、この部分はソルダーレジスト層で覆われていてもよい。ソルダーレジスト層が透明だからである。
このような構成からなる多層プリント配線板３００では、多層プリント配線板３００内での信号伝送、すなわち、受光素子と発光素子との間での信号伝送を光信号通過領域、および、光導波路およびソルダーレジスト層を介して光信号により行うことができる。具体的には、発光素子３３９ａ（発光部１３３９ａ）から発信した光信号を、光信号通過領域３４２ｂ、ソルダーレジスト層３３４、光導波路３５０ａおよび光信号通過領域３４２ａを介して受光素子３３８ａ（受光部１３３８ａ）に伝送することができ、発光素子３３９ｂ（発光部１３３９ｂ）から発信した光信号を、光信号通過領域３４２ｄ、ソルダーレジスト層３３４、光導波路３５０ｂおよび光信号通過領域３４２ｃを介して受光素子３３８ｂ（受光部１３３８ｂ）に伝送することができる。
また、多層プリント配線板３００では、光信号の伝送を行うとともに、導体回路、バイアホールを介して、電気信号の伝送も行うことができる。
また、多層プリント配線板３００では、光信号の伝送を行うとともに、導体回路、バイアホールを介して、電気信号の伝送も行うことができる。
次に、図４に示す実施形態の多層プリント配線板について説明する。
図４に示す多層プリント配線板４００は、基板（絶縁層）４２１の両面に導体回路４２５と絶縁層４２２とが順次積層形成され、基板４２１を挟んだ導体回路同士、および、絶縁層４２２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、非貫通バイアホール４２７により電気的に接続されている。
図４に示す多層プリント配線板４００は、基板（絶縁層）４２１の両面に導体回路４２５と絶縁層４２２とが順次積層形成され、基板４２１を挟んだ導体回路同士、および、絶縁層４２２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、非貫通バイアホール４２７により電気的に接続されている。
両面の最外層の絶縁層４２２上の一部には、光導波路４５０ａ、４５０ｂが形成されており、この光導波路４５０ａ、４５０ｂは、それぞれ、コア４５１と下部クラッド４５２ａと上部クラッド４５２ｂとから構成されている。また、光導波路４５０ａ、４５０ｂ上であって、光信号通過領域４４２ａ〜４４２ｃのいずれかと光学的に接続される部分には、９０°Ｖ字状の光路変換ミラー４５３が形成されている。なお、光路変換ミラー４５３には、金属蒸着層が形成されている。
このように多層プリント配線板４００では、異なる階層に光導波路が形成されている。
このように多層プリント配線板４００では、異なる階層に光導波路が形成されている。
さらに、多層プリント配線板４００においては、基板４２１および絶縁層４２２を貫通する光信号通過領域４４２ｂと、基板４２１、絶縁層４２２および片側のソルダーレジスト層４３４を貫通する光信号通過領域４４２ａ、４４２ｃとが形成されている。
このような光信号通過領域のうち、光信号通過領域４４２は、その両端のそれぞれが、光導波路４５０ａ、４５０ｂのいずれかと光学的に接続されており、光信号通過領域４４２ａは、その一端が光導波路４５０ａと光学的に接続されており、光信号通過領域４４２ｃは、その一端が光導波路４５０ｃと光学的に接続されている。
すなわち、光信号通過領域４４２ａ、４４２ｂの下端の直下に、光路変換ミラー４５３のそれぞれが配設されるように光導波路４５０ａが形成され、光信号通過領域４４２ｂ、４４２ｃの上端の直上に、光路変換ミラー４５３のそれぞれが配設されるように光導波路４５０ｂが形成されている。
また、この光信号通過領域４４２ａ〜４４２ｃは、その内部の一部または全部に樹脂組成物４４７が充填されている。
このような光信号通過領域のうち、光信号通過領域４４２は、その両端のそれぞれが、光導波路４５０ａ、４５０ｂのいずれかと光学的に接続されており、光信号通過領域４４２ａは、その一端が光導波路４５０ａと光学的に接続されており、光信号通過領域４４２ｃは、その一端が光導波路４５０ｃと光学的に接続されている。
すなわち、光信号通過領域４４２ａ、４４２ｂの下端の直下に、光路変換ミラー４５３のそれぞれが配設されるように光導波路４５０ａが形成され、光信号通過領域４４２ｂ、４４２ｃの上端の直上に、光路変換ミラー４５３のそれぞれが配設されるように光導波路４５０ｂが形成されている。
また、この光信号通過領域４４２ａ〜４４２ｃは、その内部の一部または全部に樹脂組成物４４７が充填されている。
また、多層プリント配線板４００の最外層には、受光素子４３８および発光素子４３９が半田接続部４４３を介して実装されており、これらはそれぞれ光信号通過領域４４２ａおよび４４２ｃとの間で光信号を伝送することができる位置に実装されている。
さらに、多層プリント配線板４００の両最外層には、ソルダーレジスト層４３４が形成されており、片面のソルダーレジスト層４３４には、半田パッドを介して半田バンプ４３７が形成されている。従って、多層プリント配線板４００では、この半田バンプ４３７を介して、ＣＰＵ等の各種電子部品を実装することができる。さらには、この半田バンプを介して、ＩＣチップ実装用基板やその他の外部基板との接続等を行うこともできる。
さらに、多層プリント配線板４００の両最外層には、ソルダーレジスト層４３４が形成されており、片面のソルダーレジスト層４３４には、半田パッドを介して半田バンプ４３７が形成されている。従って、多層プリント配線板４００では、この半田バンプ４３７を介して、ＣＰＵ等の各種電子部品を実装することができる。さらには、この半田バンプを介して、ＩＣチップ実装用基板やその他の外部基板との接続等を行うこともできる。
このような構成からなる多層プリント配線板４００では、多層プリント配線板４００内での信号伝送、すなわち、受光素子と発光素子との間での信号伝送を光信号通過領域および光導波路を介して光信号により行うことができる。具体的には、発光素子４３９から発信した光信号を、光信号通過領域４４２ｃ、光導波路４５０ｂ、光信号通過領域４４２ｂ、光導波路４５０ａおよび光信号通過領域４４２ａを介して受光素子４３８に伝送することができる。
また、多層プリント配線板４００では、光信号の伝送を行うとともに、導体回路、バイアホールを介して、電気信号の伝送も行うことができる。
また、多層プリント配線板４００では、光信号の伝送を行うとともに、導体回路、バイアホールを介して、電気信号の伝送も行うことができる。
また、図1〜４に示したように、本発明の多層プリント配線板においては、ソルダーレジスト層が形成されていてもよい。なお、このソルダーレジスト層は、本明細書にいう絶縁層には含まないこととする。
図１〜４に示した実施形態は、上記（１）の実施形態、即ち、両最外層の絶縁層上に光配線が形成された形態であるが、上述したように、本発明の多層プリント配線板の実施形態はこのような形態に限定されるわけではなく、図５〜図８に示したような実施形態であってもよい。
図５は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示すように、多層プリント配線板５００では、その両面に導体回路５２５が形成された基板（絶縁層）５２１ａ、その両面に導体回路５２５が形成され、さらに片面に光導波路５５０ａが形成された基板（絶縁層）５２１ｂ、および、その両面に導体回路５２５が形成され、さらに片面に光導波路５５０ｂが形成された基板（絶縁層）５２１ｃについて、基板５２１ａを中心に、この基板５２１ａを挟むように基板５２１ｂ、５２１ｃが接着性絶縁材料からなる絶縁層５２２を介して積層形成されている。ここで、基板５２１ｂ、５２１ｃのそれぞれは、光導波路が基板５２１ａ側を向くように積層されている。
また、光導波路５５０ａ、５５０ｂはともに、下部クラッド５５２ａ、コア５５１および上部クラッド５５２ｂから構成されている。
図５に示すように、多層プリント配線板５００では、その両面に導体回路５２５が形成された基板（絶縁層）５２１ａ、その両面に導体回路５２５が形成され、さらに片面に光導波路５５０ａが形成された基板（絶縁層）５２１ｂ、および、その両面に導体回路５２５が形成され、さらに片面に光導波路５５０ｂが形成された基板（絶縁層）５２１ｃについて、基板５２１ａを中心に、この基板５２１ａを挟むように基板５２１ｂ、５２１ｃが接着性絶縁材料からなる絶縁層５２２を介して積層形成されている。ここで、基板５２１ｂ、５２１ｃのそれぞれは、光導波路が基板５２１ａ側を向くように積層されている。
また、光導波路５５０ａ、５５０ｂはともに、下部クラッド５５２ａ、コア５５１および上部クラッド５５２ｂから構成されている。
また、多層プリント配線板５００では、各基板５２１ａ〜５２１ｃを挟んだ導体回路間は、非貫通バイアホール５２７により接続されており、基板全体および絶縁層５２２を挟んだ導体回路間、即ち、基板５２１ｂ、５２１ｃのそれぞれの外層側（光導波路が形成された側と反対側）に形成された導体回路間は貫通バイアホール５２９により接続されている。
また、基板５２１ｂ、５２１ｃのそれぞれには、光信号通過領域５４２ａ〜５４２ｄが形成されており、各光信号通過領域５４２ａ〜５４２ｄの一端は、光導波路５５０ａ、５５０ｂのいずれかと光学的に接続されている。従って、光導波路５５０ａ、５５０ｂのそれぞれには、各光信号通過領域５４２ａ〜５４２ｄに対応する位置に光路変換ミラー５５３が形成されている。そして、光路変換ミラー５５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、基板５２１ｂ、５２１ｃのそれぞれには、光信号通過領域５４２ａ〜５４２ｄが形成されており、各光信号通過領域５４２ａ〜５４２ｄの一端は、光導波路５５０ａ、５５０ｂのいずれかと光学的に接続されている。従って、光導波路５５０ａ、５５０ｂのそれぞれには、各光信号通過領域５４２ａ〜５４２ｄに対応する位置に光路変換ミラー５５３が形成されている。そして、光路変換ミラー５５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、基板５２１ｂ、５２１ｃのそれぞれの外層側には、ソルダーレジスト層５３４が形成されており、さらに、受光素子５３８ａ、５３８ｂおよび発光素子５３９ａ、５３９ｂがそれぞれ実装されている。また、ソルダーレジスト層５３４には、半田バンプ５３７が形成されており、この半田バンプを介して各種電子部品を実装することができる。
このような構成からなる多層プリント配線板５００では、発光素子５３９ａ（発光部１５３９ａ）からの光信号が、光信号通過領域５４２ｂ、光導波路５５０ａ、光信号通過領域５４２ａを介して、受光素子５３８ａ（受光部１５３８ａ）に伝送されることとなり、発光素子５３９ｂ（発光部２５３９ａ）からの光信号が、光信号通過領域５４２ｄ、光導波路５５０ｂ、光信号通過領域５４２ｃを介して、受光素子５３８ｂ（受光部２５３８ａ）に伝送されることとなる。
また、本発明の多層プリント配線板は、図６に示したような実施形態であってもよい。
図６は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図６に示すように、多層プリント配線板６００では、その両面に導体回路６２５が形成された基板（絶縁層）６２１ａ、６２１ｂ、および、コア６５１ａ、６５１ｂとクラッド６５２ａ、６５２ｂ、６５２ｃとが交互に位置するように積層された光導波路フィルム６５０について、光導波路フィルム６５０を挟むように基板６２１ａ、６２１ｂが接着性絶縁材料からなる絶縁層６２２を介して積層形成されている。
図６は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図６に示すように、多層プリント配線板６００では、その両面に導体回路６２５が形成された基板（絶縁層）６２１ａ、６２１ｂ、および、コア６５１ａ、６５１ｂとクラッド６５２ａ、６５２ｂ、６５２ｃとが交互に位置するように積層された光導波路フィルム６５０について、光導波路フィルム６５０を挟むように基板６２１ａ、６２１ｂが接着性絶縁材料からなる絶縁層６２２を介して積層形成されている。
また、多層プリント配線板６００では、各基板６２１ａ、６２１ｂを挟んだ導体回路間がは、非貫通バイアホール６２７により接続されている。
また、基板６２１ａ、６２１ｂのそれぞれには、光信号通過領域６４２ａ、６４２ｂが形成されており、各光信号通過領域６４２ａ、６４２ｂの一端は、絶縁層６２２を介して、光導波路フィルム６５０と光学的に接続されている。従って、絶縁層６２２は、伝送光に対して透明な接着性絶縁材料を用いて形成されている。また、光導波路フィルム６５０には、各光信号通過領域６４２ａ、６４２ｂに対応する位置に光路変換ミラー６５３ａ、６５３ｂが形成されている。そして、光路変換ミラーには、金属蒸着層が形成されている。
また、基板６２１ａ、６２１ｂのそれぞれには、光信号通過領域６４２ａ、６４２ｂが形成されており、各光信号通過領域６４２ａ、６４２ｂの一端は、絶縁層６２２を介して、光導波路フィルム６５０と光学的に接続されている。従って、絶縁層６２２は、伝送光に対して透明な接着性絶縁材料を用いて形成されている。また、光導波路フィルム６５０には、各光信号通過領域６４２ａ、６４２ｂに対応する位置に光路変換ミラー６５３ａ、６５３ｂが形成されている。そして、光路変換ミラーには、金属蒸着層が形成されている。
また、基板６２１ａ、６２１ｂのそれぞれの外層側には、ソルダーレジスト層６３４が形成されており、さらに、受光素子６３８および発光素子６３９がそれぞれ実装されている。また、ソルダーレジスト層６３４には、半田バンプ６３７が形成されており、この半田バンプを介して各種電子部品を実装することができる。
さらに、図示はしていないが、基板６２１ａ、６２１ｂ、光導波路フィルム６５０および絶縁層６２２を挟んだ導体回路間、即ち、基板６２１ａ、６２１ｂのそれぞれの外層側に形成された導体回路間は貫通バイアホール（図示せず）により接続されている。
さらに、図示はしていないが、基板６２１ａ、６２１ｂ、光導波路フィルム６５０および絶縁層６２２を挟んだ導体回路間、即ち、基板６２１ａ、６２１ｂのそれぞれの外層側に形成された導体回路間は貫通バイアホール（図示せず）により接続されている。
このような構成からなる多層プリント配線板６００では、発光素子６３９（発光部６３９ａ）からの光信号が、光信号通過領域６４２ｂ、絶縁層６２２および光導波路フィルム６５０を介して多層プリント配線板６００外へ伝送されることとなり、また、多層プリント配線板６００外から伝送されてきた光信号が、光導波路フィルム６５０、絶縁層６２２および光信号通過領域６４２ａを介して、受光素子６３８（受光部６３８ａ）に伝送されることとなる。
また、本発明の多層プリント配線板は、図７に示したような実施形態であってもよい。
図７は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示すように、多層プリント配線板７００では、その両面に導体回路７２５が形成され、さらに片面に光導波路７５０ａが形成された基板（絶縁層）７２１ａ、および、その両面に導体回路７２５が形成され、さらに片面に光導波路７５０ｂが形成された基板（絶縁層）７２１ｂについて、両者のそれぞれに形成された光導波路７５０ａ、７５０ｂが対向するように、接着性絶縁材料からなる絶縁層７２２を介して張り合わされている。
また、光導波路７５０ａ、７５０ｂはともに、下部クラッド７５２ａ、コア７５１および上部クラッド７５２ｂから構成されている。
図７は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示すように、多層プリント配線板７００では、その両面に導体回路７２５が形成され、さらに片面に光導波路７５０ａが形成された基板（絶縁層）７２１ａ、および、その両面に導体回路７２５が形成され、さらに片面に光導波路７５０ｂが形成された基板（絶縁層）７２１ｂについて、両者のそれぞれに形成された光導波路７５０ａ、７５０ｂが対向するように、接着性絶縁材料からなる絶縁層７２２を介して張り合わされている。
また、光導波路７５０ａ、７５０ｂはともに、下部クラッド７５２ａ、コア７５１および上部クラッド７５２ｂから構成されている。
また、多層プリント配線板７００では、各基板７２１ａ、７２１ｂを挟んだ導体回路間は、非貫通バイアホール７２７により接続されており、基板全体および絶縁層７２２を挟んだ導体回路間、即ち、基板７２１ａ、７２１ｂのそれぞれの外層側（光導波路が形成された側と反対側）に形成された導体回路間は貫通バイアホール７２９により接続されている。
また、基板７２１ａ、７２１ｂのそれぞれには、光信号通過領域７４２ａ〜７４２ｄが形成されており、各光信号通過領域７４２ａ〜７４２ｄの一端は、光導波路７５０ａ、７５０ｂのいずれかと光学的に接続されている。従って、光導波路７５０ａ、７５０ｂのそれぞれには、各光信号通過領域７４２ａ〜７４２ｄに対応する位置に光路変換ミラー７５３が形成されている。そして、光路変換ミラー７５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、基板７２１ａ、７２１ｂのそれぞれには、光信号通過領域７４２ａ〜７４２ｄが形成されており、各光信号通過領域７４２ａ〜７４２ｄの一端は、光導波路７５０ａ、７５０ｂのいずれかと光学的に接続されている。従って、光導波路７５０ａ、７５０ｂのそれぞれには、各光信号通過領域７４２ａ〜７４２ｄに対応する位置に光路変換ミラー７５３が形成されている。そして、光路変換ミラー７５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、基板７２１ａ、７２１ｂのそれぞれの外層側には、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層７３４が形成されており、さらに、受光素子７３８ａ、７３８ｂ、７３８ｃおよび発光素子７３９ａ、７３９ｂ、７３９ｃがそれぞれ半田接続部を介して実装されている。また、ソルダーレジスト層７３４には、半田バンプ７３７が形成されており、この半田バンプを介して各種電子部品を実装することができる。
このような構成からなる多層プリント配線板７００では、発光素子７３９ａ（発光部１７３９ａ）からの光信号が、ソルダーレジスト層７３４、光信号通過領域７４２ｂ、光導波路７５０ａ、光信号通過領域７４２ａおよびソルダーレジスト層７３４を介して、受光素子７３８ａ（受光部１７３８ａ）に伝送されることとなり、発光素子７３９ｂ（発光部２７３９ａ）からの光信号が、ソルダーレジスト層７３４、光信号通過領域７４２ｄ、光導波路７５０ｂ、光信号通過領域７４２ｃおよびソルダーレジスト層７３４介して、受光素子７３８ｂ（受光部２７３８ａ）に伝送されることとなる。
また、発光素子７３９ｃからの光信号は、光導波路７５０ｄを介して外部基板に伝送されることなり、基板外部からの光信号は、光導波路７５０ｃを介して、受光素子７３８ｃに伝送されることとなる。
また、発光素子７３９ｃからの光信号は、光導波路７５０ｄを介して外部基板に伝送されることなり、基板外部からの光信号は、光導波路７５０ｃを介して、受光素子７３８ｃに伝送されることとなる。
また、本発明の多層プリント配線板は、図８に示したような実施形態であってもよい。
図８は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図８に示した多層プリント配線板８００は、図７に示した多層プリント配線板７００と略同様の構造を有しており、異なるのは、基板（絶縁層）８２１ａ、８２１ｂのそれぞれの外層側に形成された導体回路間を接続する態様である。従って、多層プリント配線板８００については、この点のみを説明し、その他の態様については、その説明を省略することとする。
図８は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
図８に示した多層プリント配線板８００は、図７に示した多層プリント配線板７００と略同様の構造を有しており、異なるのは、基板（絶縁層）８２１ａ、８２１ｂのそれぞれの外層側に形成された導体回路間を接続する態様である。従って、多層プリント配線板８００については、この点のみを説明し、その他の態様については、その説明を省略することとする。
即ち、多層プリント配線板７００では、最外層の導体回路間が貫通バイアホール７２９により接続されていたのに対し、多層プリント配線板８００では、貫通バイアホールが形成されておらず、最外層の導体回路間を接続するために、複数の非貫通バイアホール８２７同士を接続することにより、最外層の導体回路間を電気的に接続している。
図５〜８に示した実施形態は、上記（４）の実施形態、即ち、内層の絶縁層上であって、階層の異なる絶縁層上に光配線が形成された形態であるが、本発明の多層プリント配線板の実施形態はこのような形態に限定されるわけではなく、図９、１０に示したような実施形態であってもよい。
図９は、本発明の多層プリント配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図９に示すように、多層プリント配線板９００では、その両面に導体回路９２５が形成された基板（絶縁層）９２１ａ、９２１ｂ、および、光ファイバ９６１の周囲がカバー樹脂層９６２で被覆された光ファイバシート９６０について、光ファイバシート９６０を挟むように基板９２１ａ、９２１ｂが接着性絶縁材料からなる絶縁層９２２を介して積層形成されている。
図９に示すように、多層プリント配線板９００では、その両面に導体回路９２５が形成された基板（絶縁層）９２１ａ、９２１ｂ、および、光ファイバ９６１の周囲がカバー樹脂層９６２で被覆された光ファイバシート９６０について、光ファイバシート９６０を挟むように基板９２１ａ、９２１ｂが接着性絶縁材料からなる絶縁層９２２を介して積層形成されている。
また、多層プリント配線板９００では、各基板９２１ａ、９２１ｂを挟んだ導体回路間がは、非貫通バイアホール９２７により接続されており、基板全体、光ファイバシート９６０および絶縁層９２２を挟んだ導体回路間、即ち、基板９２１ａ、９２１ｂのそれぞれの外層側（光ファイバシートが形成された側と反対側）に形成された導体回路間は貫通バイアホール９２９により接続されている。
また、基板９２１ａ、９２１ｂのそれぞれには、光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂが形成されており、各光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂの一端は、絶縁層６２２を介して、光ファイバシート９６０と光学的に接続されている。従って、絶縁層９２２は、伝送光に対して透明な接着性絶縁材料を用いて形成されている。また、光ファイバシート９６０には、各光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂに対応する位置に光路変換ミラー９６３ａ、９６３ｂが形成されている。そして、光路変換ミラーには、金属蒸着層が形成されている。
また、基板９２１ａ、９２１ｂのそれぞれには、光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂが形成されており、各光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂの一端は、絶縁層６２２を介して、光ファイバシート９６０と光学的に接続されている。従って、絶縁層９２２は、伝送光に対して透明な接着性絶縁材料を用いて形成されている。また、光ファイバシート９６０には、各光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂに対応する位置に光路変換ミラー９６３ａ、９６３ｂが形成されている。そして、光路変換ミラーには、金属蒸着層が形成されている。
また、基板９２１ａ、９２１ｂのそれぞれの外層側には、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層９３４が形成されており、さらに、受光素子９３８ａおよび発光素子９３９がそれぞれ実装されている。
さらに、基板９２１ｂ側の最外層では、ソルダーレジスト層９３４上にコア９５１とクラッド９５２とからなり、光路変換ミラー９５３が形成された光導波路９５０が形成されており、この光導波路９５０と光学的に接続された光信号通過領域９４２ｃが、基板９２１ａ、９２１ｂ、光ファイバシート９６０および絶縁層９２２を貫通するように形成されている。そして、光導波路９５０が形成された側と反対側の最外層には、受光素子９３８ｂが実装されている。
さらに、基板９２１ｂ側の最外層では、ソルダーレジスト層９３４上にコア９５１とクラッド９５２とからなり、光路変換ミラー９５３が形成された光導波路９５０が形成されており、この光導波路９５０と光学的に接続された光信号通過領域９４２ｃが、基板９２１ａ、９２１ｂ、光ファイバシート９６０および絶縁層９２２を貫通するように形成されている。そして、光導波路９５０が形成された側と反対側の最外層には、受光素子９３８ｂが実装されている。
また、ソルダーレジスト層９３４には、半田バンプ９３７が形成されており、この半田バンプを介して各種電子部品を実装することができる。
このような構成からなる多層プリント配線板９００では、発光素子９３９（発光部９３９ａ）からの光信号が、ソルダーレジスト層９３４、光信号通過領域９４２ｂ、絶縁層９２２、光ファイバシート９６０、絶縁層９２２、光信号通過領域９４２ａ、ソルダーレジスト層９３４を介して受光素子９３８ａ（受光部１９３８ａ）に伝送されることとなる。
また、多層プリント配線板９００外から伝送された光信号は、光導波路９５０、ソルダーレジスト層９３４、光信号通過領域９４２ｃおよびソルダーレジスト層９３４を介して受光素子９３８ｂ（受光部２９３８ａ）に伝送されることとなる。
また、多層プリント配線板９００外から伝送された光信号は、光導波路９５０、ソルダーレジスト層９３４、光信号通過領域９４２ｃおよびソルダーレジスト層９３４を介して受光素子９３８ｂ（受光部２９３８ａ）に伝送されることとなる。
図１０は、本発明の多層プリント配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図１０に示すように、多層プリント配線板１０００では、その両面に導体回路１０２５と光導波路１０５０ｂ、１０５０ｃが形成された基板（絶縁層）１０２１ａ、その両面に導体回路１０２５が形成された基板（絶縁層）１０２１ｂ、１０２１ｃについて、基板１０２１ａを中心に、この基板１０２１ａを挟むように基板１０２１ｂ、１０２１ｃが接着性絶縁材料からなる絶縁層１０２２を介して積層形成されている。
また、光導波路１０５０ｂ、１０５０ｃはともに、クラッド１０５２およびコア１０５１
から構成されている。
また、基板１０２１ｂに外層側に形成されたソルダーレジスト層１０３４上には、光導波路１０５０ａが形成されている。
図１０に示すように、多層プリント配線板１０００では、その両面に導体回路１０２５と光導波路１０５０ｂ、１０５０ｃが形成された基板（絶縁層）１０２１ａ、その両面に導体回路１０２５が形成された基板（絶縁層）１０２１ｂ、１０２１ｃについて、基板１０２１ａを中心に、この基板１０２１ａを挟むように基板１０２１ｂ、１０２１ｃが接着性絶縁材料からなる絶縁層１０２２を介して積層形成されている。
また、光導波路１０５０ｂ、１０５０ｃはともに、クラッド１０５２およびコア１０５１
から構成されている。
また、基板１０２１ｂに外層側に形成されたソルダーレジスト層１０３４上には、光導波路１０５０ａが形成されている。
また、多層プリント配線板１０００では、各基板１０２１ａ〜１０２１ｃを挟んだ導体回路間は、非貫通バイアホール１０２７により接続されており、基板全体および絶縁層１０２２を挟んだ導体回路間、即ち、基板１０２１ｂ、１０２１ｃのそれぞれの外層側（光導波路が形成された側と反対側）に形成された導体回路間は貫通バイアホール１０２９により接続されている。
また、基板１０２１ａ〜１０２１ｃを貫通する光信号通過領域１０４２ａ、１０４２ｂ、基板１０２１ａ、１０２１ｂを貫通する光信号通過領域１０４２ｃ、１０４２ｄ、および、基板１０２１ａ、１０２１ｃを貫通する光信号通過領域１０４２ｅ、１０４２ｆが形成されており、各光信号通過領域１０４２ａ〜１０４２ｆの一端は、光導波路１０５０ａ〜１０５０ｃのいずれかと光学的に接続されている。従って、光導波路１０５０ａ〜１０５０ｃのそれぞれには、各光信号通過領域１０４２ａ〜１０４２ｆに対応する位置に光路変換ミラー１０５３が形成されている。そして、光路変換ミラー１０５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、基板１０２１ａ〜１０２１ｃを貫通する光信号通過領域１０４２ａ、１０４２ｂ、基板１０２１ａ、１０２１ｂを貫通する光信号通過領域１０４２ｃ、１０４２ｄ、および、基板１０２１ａ、１０２１ｃを貫通する光信号通過領域１０４２ｅ、１０４２ｆが形成されており、各光信号通過領域１０４２ａ〜１０４２ｆの一端は、光導波路１０５０ａ〜１０５０ｃのいずれかと光学的に接続されている。従って、光導波路１０５０ａ〜１０５０ｃのそれぞれには、各光信号通過領域１０４２ａ〜１０４２ｆに対応する位置に光路変換ミラー１０５３が形成されている。そして、光路変換ミラー１０５３には、金属蒸着層が形成されている。
また、基板１０２１ｂ、１０２１ｃのそれぞれの外層側には、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層１０３４が形成されており、さらに、受光素子１０３８ａ〜１０３８ｃおよび発光素子１０３９ａ〜１０３９ｃがそれぞれ実装されている。また、ソルダーレジスト層１０３４には、半田バンプ１０３７が形成されており、この半田バンプを介して各種電子部品等を実装することができる。
このような構成からなる多層プリント配線板１０００では、発光素子１０３９ａからの光信号が、ソルダーレジスト層１０３４、光信号通過領域１０４２ｂ、ソルダーレジスト層１０３４、光導波路１０５０ａ、ソルダーレジスト層１０３４、光信号通過領域１０４２ａおよびソルダーレジスト層１０３４を介して、受光素子１０３８ａに伝送されることとなり、発光素子１０３９ｂおよび１０３９ｃからの光信号も、それぞれ、光信号通過領域、光導波路、ソルダーレジスト層等を介して、受光素子１０３８ｂ、１０３８ｃに伝送されることとなる。
図９、１０に示した実施形態は、上記（２）の実施形態、即ち、片面最外層の絶縁層と内層の絶縁層上とに光配線が形成された形態を有するものである。
また、図９、１０に示した実施形態においては、基板の片面の最外層のみならず、基板の両面の最外層に光導波路が形成されていてもよく、この場合、上記（３）の実施形態、即ち、両最外層の絶縁層上と内層の絶縁層上に光配線が形成された形態を有することとなる。
また、図９、１０に示した実施形態においては、基板の片面の最外層のみならず、基板の両面の最外層に光導波路が形成されていてもよく、この場合、上記（３）の実施形態、即ち、両最外層の絶縁層上と内層の絶縁層上に光配線が形成された形態を有することとなる。
また、図1〜１０に示した実施形態においては、光配線として光導波路に代えて光ファイバシートが形成されていてもよく、その逆に、光ファイバシートに代えて光導波路が形成されていてもよい。
また、図1〜１０に示した多層プリント配線板では、光学素子が直接実装されているが、光学素子に代えて、光学素子が実装されたパッケージ基板（図３８参照）が実装されていてもよい。
また、図1〜１０に示した多層プリント配線板では、光学素子が直接実装されているが、光学素子に代えて、光学素子が実装されたパッケージ基板（図３８参照）が実装されていてもよい。
次に、本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
本発明の多層プリント配線板を製造する方法は、大きく２種類の方法に分けることができ、その一つは、ベースとなる絶縁層（基板）を出発材料とし、その両面に順次、導体回路、絶縁層および光配設を積層形成していく方法（以下、第一の製造方法という）であり、他の一つは、ベースとなる絶縁層（基板）の片面または両面に、必要に応じて導体回路、絶縁層および光配線を積層したものを、必要枚数用意し、これらを接着性絶縁材料を介して圧着する方法（以下、第二の製造方法という）である。
また、両者を比較した場合、第一の製造方法は、多層プリント配線板の最外層に光配線を形成する方法として適しており、第二の製造方法、多層プリント配線板の内層に光配線を形成する方法として適している。
本発明の多層プリント配線板を製造する方法は、大きく２種類の方法に分けることができ、その一つは、ベースとなる絶縁層（基板）を出発材料とし、その両面に順次、導体回路、絶縁層および光配設を積層形成していく方法（以下、第一の製造方法という）であり、他の一つは、ベースとなる絶縁層（基板）の片面または両面に、必要に応じて導体回路、絶縁層および光配線を積層したものを、必要枚数用意し、これらを接着性絶縁材料を介して圧着する方法（以下、第二の製造方法という）である。
また、両者を比較した場合、第一の製造方法は、多層プリント配線板の最外層に光配線を形成する方法として適しており、第二の製造方法、多層プリント配線板の内層に光配線を形成する方法として適している。
まず、第一の製造方法について工程順に説明する。
（１）絶縁性基板（ベースとなる絶縁層）を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等の樹脂基板、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板、シリコン基板、ガラス基板等が挙げられる。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間を接続するための非貫通バイアホールを形成してもよい。また、導体回路を形成した後には、必要に応じて、導体回路の表面にエッチング処理等により粗化面を形成してもよい。
上記非貫通バイアホールは、上記絶縁性基板にドリル等で穴あけを行い、その壁面にめっき処理を施すことにより形成することができる。
（１）絶縁性基板（ベースとなる絶縁層）を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等の樹脂基板、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板、シリコン基板、ガラス基板等が挙げられる。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間を接続するための非貫通バイアホールを形成してもよい。また、導体回路を形成した後には、必要に応じて、導体回路の表面にエッチング処理等により粗化面を形成してもよい。
上記非貫通バイアホールは、上記絶縁性基板にドリル等で穴あけを行い、その壁面にめっき処理を施すことにより形成することができる。
（２）次に、導体回路を形成した基板上に、バイアホール用開口を有する絶縁層を形成する。
上記絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体等を用いて形成すればよい。
具体的には、まず、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより樹脂層を形成し、その後、必要に応じて、硬化処理を施すとともに、レーザ処理や露光現像処理によりバイアホール用開口を形成することにより絶縁層を形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。
上記絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体等を用いて形成すればよい。
具体的には、まず、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより樹脂層を形成し、その後、必要に応じて、硬化処理を施すとともに、レーザ処理や露光現像処理によりバイアホール用開口を形成することにより絶縁層を形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
また、上記樹脂複合体の具体的な組み合わせとしては、例えば、フェノール樹脂／ポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂／ポリスルフォン、エポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂／フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えば、アクリル樹脂／フェノキシ樹脂、エポキシ基の一部をアクリル化したエポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン等が挙げられる。
また、上記樹脂複合体における熱硬化性樹脂や感光性樹脂と熱可塑性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保することができるからである。
また、上記絶縁層は、２層以上の異なる樹脂層から構成されていてもよい。
また、上記絶縁層は、２層以上の異なる樹脂層から構成されていてもよい。
また、上記絶縁層は、粗化面形成用樹脂組成物を用いて形成してもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。バイアホール用開口を形成した後、必要に応じて、デスミア処理を施してもよい。
また、この工程では、必要に応じて、全ての絶縁層を貫通するバイアホール用開口を形成してもよい。
また、この工程では、必要に応じて、全ての絶縁層を貫通するバイアホール用開口を形成してもよい。
（３）次に、必要に応じて、バイアホール用開口の内壁を含む絶縁層の表面に導体回路を形成する。
まず、セミアディティブ法による導体回路の形成方法を説明する。
具体的には、まず、絶縁層の表面に、無電解めっきやスパッタリング等により薄膜導体層を形成し、次いで、その表面の一部にめっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。次に、めっきレジストと、該めっきレジスト下の薄膜導体層とを除去し、導体回路を形成する。
まず、セミアディティブ法による導体回路の形成方法を説明する。
具体的には、まず、絶縁層の表面に、無電解めっきやスパッタリング等により薄膜導体層を形成し、次いで、その表面の一部にめっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。次に、めっきレジストと、該めっきレジスト下の薄膜導体層とを除去し、導体回路を形成する。
上記薄膜導体層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
また、上記薄膜導体層の厚さは、０．１〜２．０μｍが望ましい。
また、上記薄膜導体層形成前には、絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。
また、上記薄膜導体層の厚さは、０．１〜２．０μｍが望ましい。
また、上記薄膜導体層形成前には、絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
また、上記電解めっき層の厚さは５〜２０μｍが望ましい。上記電解めっき層を形成するための電解めっきとしては、銅めっきが望ましい。
また、上記電解めっき層の厚さは５〜２０μｍが望ましい。上記電解めっき層を形成するための電解めっきとしては、銅めっきが望ましい。
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行えばよい。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
また、上記導体回路は、サブトラクティブ法により形成してもよい。
この場合は、絶縁層の表面に、無電解めっきやスパッタリング等により薄膜導体層を形成し、次いで、必要に応じて、電解めっき等により、導体層の厚付けを行う。
その後、導体層の表面の一部にエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部に導体層を除去することより導体回路を形成する。
なお、電解めっきやエッチング等は、例えば、セミアディティブ法で用いた方法と同様の方法を用いることができる。
この場合は、絶縁層の表面に、無電解めっきやスパッタリング等により薄膜導体層を形成し、次いで、必要に応じて、電解めっき等により、導体層の厚付けを行う。
その後、導体層の表面の一部にエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部に導体層を除去することより導体回路を形成する。
なお、電解めっきやエッチング等は、例えば、セミアディティブ法で用いた方法と同様の方法を用いることができる。
（４）さらに、上記（３）の導体回路を形成する工程を行った場合には、上記（２）の工程を繰り返し行い、絶縁層を積層形成する。
その後、必要に応じて、（３）および（２）の工程を繰り返すことにより、導体回路と絶縁層とを積層形成してもよい。
その後、必要に応じて、（３）および（２）の工程を繰り返すことにより、導体回路と絶縁層とを積層形成してもよい。
（５）次に、最外層の絶縁層上に導体回路を形成するとともに、絶縁層を貫通する光信号通過領域を形成する。
ここで、光信号通過領域は、その端部が、最外層の絶縁層の表面よりも突出するように形成してもよい。
また、この工程で、光信号通過領域を形成する際には、光信号通過領域の壁面に金属層を形成してもよい。金属層を形成することなく、光路用貫通孔の壁面に必要に応じてデスミア処理を施した後、光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填した場合には、樹脂組成物にボイドが発生するおそれがあるが、上記金属層を形成することにより、ボイドが発生するおそれが少なくなる。
また、上記金属層を形成した場合、その表面には、粗化処理を施すことが望ましく、その場合、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍ程度であることが望ましい。粗化処理を施すことにより、樹脂組成物との密着性が向上することとなるからである。
また、光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよい。
ここで、光信号通過領域は、その端部が、最外層の絶縁層の表面よりも突出するように形成してもよい。
また、この工程で、光信号通過領域を形成する際には、光信号通過領域の壁面に金属層を形成してもよい。金属層を形成することなく、光路用貫通孔の壁面に必要に応じてデスミア処理を施した後、光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填した場合には、樹脂組成物にボイドが発生するおそれがあるが、上記金属層を形成することにより、ボイドが発生するおそれが少なくなる。
また、上記金属層を形成した場合、その表面には、粗化処理を施すことが望ましく、その場合、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍ程度であることが望ましい。粗化処理を施すことにより、樹脂組成物との密着性が向上することとなるからである。
また、光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよい。
具体的には、例えば、下記（ａ）〜（ｄ）の工程を行うことにより、導体回路と光信号通過領域とを形成することができる。
（ａ）まず、最外層の絶縁層上に、上記（３）の工程で用いた方法と同様の方法を用いて、薄膜導体層を形成し、次いで、必要に応じて、電解めっき等により、導体層の厚付けを行う。
（ａ）まず、最外層の絶縁層上に、上記（３）の工程で用いた方法と同様の方法を用いて、薄膜導体層を形成し、次いで、必要に応じて、電解めっき等により、導体層の厚付けを行う。
（ｂ）次に、基板、絶縁層および導体層を貫通するように、光路用貫通孔を形成する。
上記光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やルータ加工、レーザ処理等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、上記バイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記ドリル加工においては、多層配線板の認識マークを読み、加工位置を補正してドリル加工を行う認識マークの認識機能付き装置を用いることが望ましい。
ここでは、設計に応じて、一括貫通孔構造や個別貫通孔構造の光信号通過領域に対応した光路用貫通孔を形成する。
上記光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やルータ加工、レーザ処理等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、上記バイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記ドリル加工においては、多層配線板の認識マークを読み、加工位置を補正してドリル加工を行う認識マークの認識機能付き装置を用いることが望ましい。
ここでは、設計に応じて、一括貫通孔構造や個別貫通孔構造の光信号通過領域に対応した光路用貫通孔を形成する。
また、この工程において、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合、形成する円柱の個数は、奇数個であることが望ましく、また、隣り合わない円柱を先に形成し、その後、隣り合わない円柱同士の間に、側面の一部が繋がった円柱を形成することが望ましい。
側面の一部が繋がった、隣り合う円柱を連続して形成しようとすると、ドリルの先端が既に形成された円柱の方向へ逃げようとしてドリルの先端ふれが発生し、ドリル加工時の精度が低下することがあるからである。
側面の一部が繋がった、隣り合う円柱を連続して形成しようとすると、ドリルの先端が既に形成された円柱の方向へ逃げようとしてドリルの先端ふれが発生し、ドリル加工時の精度が低下することがあるからである。
また、光路用貫通孔を形成した後、必要に応じて、光路用貫通孔の壁面にデスミア処理を行ってもよい。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。なお、上記デスミア処理を行うことにより、光路用貫通孔内の樹脂残り、バリ等を除去することができ、完成した光信号通過領域における壁面での光の乱反射に起因した光信号の伝播損失の増加を防止することができる。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。なお、上記デスミア処理を行うことにより、光路用貫通孔内の樹脂残り、バリ等を除去することができ、完成した光信号通過領域における壁面での光の乱反射に起因した光信号の伝播損失の増加を防止することができる。
また、光路用貫通孔形成後、下記の工程で未硬化の樹脂組成物を充填する前に、必要に応じて、光路用貫通孔の壁面を粗化面とする粗化面形成工程を行ってもよい。樹脂組成物との密着性の向上を図ることができるからである。
上記粗化面の形成は、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の酸；クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸塩等の酸化剤等により行うことができる。また、プラズマ処理やコロナ処理等により行うこともできる。
上記粗化面の形成は、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の酸；クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸塩等の酸化剤等により行うことができる。また、プラズマ処理やコロナ処理等により行うこともできる。
（ｃ）次に、光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填する。
光路用貫通孔内に、未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、その端部が最外層の絶縁層の表面よりも突出している光信号通過領域を形成することができる。
具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
光路用貫通孔内に、未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、その端部が最外層の絶縁層の表面よりも突出している光信号通過領域を形成することができる。
具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
（ｄ）次に、導体層上にエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部分の導体層を除去することにより、導体回路をすることができる。
ここで、エッチング処理は、上記（３）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。
ここで、エッチング処理は、上記（３）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。
また、上記（ａ）〜（ｄ）の方法に代えて、下記の方法を用いてもよい。
すなわち、上記（ａ）の工程において、薄膜導体層を形成した後、導体層の圧付けを行うことなく、上記(ｃ)の工程までを行い、上記（ｄ）の工程において、薄膜導体層上にめっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に、電解めっき層を形成し、その後、電解めっき層の除去と、このめっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うことにより、導体回路と光信号通過領域とを形成してもよい。
すなわち、上記（ａ）の工程において、薄膜導体層を形成した後、導体層の圧付けを行うことなく、上記(ｃ)の工程までを行い、上記（ｄ）の工程において、薄膜導体層上にめっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に、電解めっき層を形成し、その後、電解めっき層の除去と、このめっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うことにより、導体回路と光信号通過領域とを形成してもよい。
また、その他の方法として、例えば、上記（ａ）および（ｄ）の工程を先に行うことにより、最外層の導体回路を形成した後、上記（ｂ）、（ｃ）の工程、即ち、光路用貫通孔を形成した後、樹脂組成物を充填する工程を行うことにより、光信号通過領域を形成してもよい。
（６）次に、絶縁層上の設計に応じた所定の位置（絶縁層上の一部であってもよいし、全部であってもよい）に、光導波路や、光導波路フィルム、光ファイバシート等の光配線を形成する。
なお、上記光配線は、後述する工程で、必要に応じて形成するソルダーレジスト層上に形成してよい。
上記光配線として光導波路を形成する場合であって、上記光導波路の形成を、その材料に石英ガラス等の無機材料を用いて行う場合には、予め、所定の形状に成形しておいた光導波路を光学接着剤を介して取り付けることにより行うことができる。
また、上記無機材料からなる光導波路は、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の無機材料を液相エピタキシヤル法、化学堆積法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシヤル法等により成膜させることにより形成することができる。
なお、上記光配線は、後述する工程で、必要に応じて形成するソルダーレジスト層上に形成してよい。
上記光配線として光導波路を形成する場合であって、上記光導波路の形成を、その材料に石英ガラス等の無機材料を用いて行う場合には、予め、所定の形状に成形しておいた光導波路を光学接着剤を介して取り付けることにより行うことができる。
また、上記無機材料からなる光導波路は、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の無機材料を液相エピタキシヤル法、化学堆積法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシヤル法等により成膜させることにより形成することができる。
また、ポリマー材料からなる光導波路を形成する方法としては、（１）予めガラス基板、シリコン基板、樹脂基板上等にフィルム状に成形しておいた光導波路フィルムを絶縁層上に張り付ける方法や、（２）絶縁層上に下部クラッド、コア、上部クラッドを順次積層形成していくことにより、上記絶縁層等上に直接光導波路を形成する方法等が挙げられる。
なお、光導波路の形成方法としては、ガラス基板等上に光導波路を形成する場合も、絶縁層等上に光導波路を形成する場合も同様の方法を用いて行うことができる。
なお、光導波路フィルムを形成する場合は、ガラス基板等にシリコン樹脂等の離形材を塗布しておいてもよい。また、光導波路フィルムは、形成後、フッ酸溶液等により剥離することができる。
なお、光導波路の形成方法としては、ガラス基板等上に光導波路を形成する場合も、絶縁層等上に光導波路を形成する場合も同様の方法を用いて行うことができる。
なお、光導波路フィルムを形成する場合は、ガラス基板等にシリコン樹脂等の離形材を塗布しておいてもよい。また、光導波路フィルムは、形成後、フッ酸溶液等により剥離することができる。
具体的には、反応性イオンエッチングを用いた方法、露光現像法、金型形成法、レジスト形成法、これらを組み合わせた方法等を用いることができる。
上記反応性イオンエッチングを用いた方法では、（ｉ）まず、ガラス基板や絶縁層等（以下、単にガラス基板等という）の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂層とする。（iii）次に、上記コア形成用樹脂層上に、マスク形成用の樹脂層を形成し、次いで、このマスク形成用の樹脂層に露光現像処理を施すことにより、コア形成用樹脂層上にマスク（エッチングレジスト）を形成する。
（iv）次に、コア形成用樹脂層に反応性イオンエッチングを施すことにより、マスク非形成部分のコア形成用樹脂層を除去し、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この反応性イオンエッチングを用いた方法は、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
上記反応性イオンエッチングを用いた方法では、（ｉ）まず、ガラス基板や絶縁層等（以下、単にガラス基板等という）の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂層とする。（iii）次に、上記コア形成用樹脂層上に、マスク形成用の樹脂層を形成し、次いで、このマスク形成用の樹脂層に露光現像処理を施すことにより、コア形成用樹脂層上にマスク（エッチングレジスト）を形成する。
（iv）次に、コア形成用樹脂層に反応性イオンエッチングを施すことにより、マスク非形成部分のコア形成用樹脂層を除去し、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この反応性イオンエッチングを用いた方法は、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
また、露光現像法では、（ｉ）まず、ガラス基板等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、半硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂組成物の層を形成する。
（iii）次に、上記コア形成用樹脂組成物の層上に、コア形成部分に対応したパターンが描画されたマスクを載置し、その後、露光現像処理を施すことにより、下部クラッド上にコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この露光現像法は、工程数が少ないため、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、また、加熱工程が少ないため、光導波路に応力が発生しにくい。
（iii）次に、上記コア形成用樹脂組成物の層上に、コア形成部分に対応したパターンが描画されたマスクを載置し、その後、露光現像処理を施すことにより、下部クラッド上にコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この露光現像法は、工程数が少ないため、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、また、加熱工程が少ないため、光導波路に応力が発生しにくい。
また、上記金型形成法では、（ｉ）まず、ガラス基板等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成する。（iii）さらに、上記溝内にコア用樹脂組成物を印刷により充填し、その後、硬化処理を施すことによりコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この金型形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
この金型形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
また、上記レジスト形成法では、（ｉ）まず、ガラス基板等の上に下部クラッドを形成し、（ii）さらに、この下部クラッド上にレジスト用樹脂組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより、上記下部クラッド上のコア非形成部分に、コア形成用レジスト形成する。
（iii）次に、下部クラッド上のレジスト非形成部分にコア用樹脂組成物の塗布し、（iv）さらに、コア用樹脂組成物を硬化した後、上記コア形成用レジストを剥離することにより、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
このレジスト形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
（iii）次に、下部クラッド上のレジスト非形成部分にコア用樹脂組成物の塗布し、（iv）さらに、コア用樹脂組成物を硬化した後、上記コア形成用レジストを剥離することにより、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
このレジスト形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
これらの方法を用いてポリマー材料からなる光導波路を形成する場合において、コアに粒子が配合された光導波路を形成する場合には、露光現像法に比べて、金型形成法が望ましい。その理由は以下のとおりである。
すなわち、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成し、その後、この溝内にコアを形成する金型形成法でコアを形成した場合には、コアに配合される粒子は全部、コア中に入ってしまうこととなるため、コアの表面は平坦で光信号の伝送性に優れるのに対し、露光現像法でコアを形成した場合には、現像後のコアにおいて、コア表面から粒子の一部が突出していたり、コア表面に粒子がとれた窪みが形成されていたりして、コアの表面に凹凸が形成されることがあり、この凹凸によって光が所望の方向に反射しなくなり、その結果、光信号の伝送性が低下することがあるからである。
すなわち、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成し、その後、この溝内にコアを形成する金型形成法でコアを形成した場合には、コアに配合される粒子は全部、コア中に入ってしまうこととなるため、コアの表面は平坦で光信号の伝送性に優れるのに対し、露光現像法でコアを形成した場合には、現像後のコアにおいて、コア表面から粒子の一部が突出していたり、コア表面に粒子がとれた窪みが形成されていたりして、コアの表面に凹凸が形成されることがあり、この凹凸によって光が所望の方向に反射しなくなり、その結果、光信号の伝送性が低下することがあるからである。
また、ここまで説明した光導波路の形成方法では、コア用樹脂組成物と、クラッド用樹脂組成物として別々の樹脂組成物を用意して光導波路を形成しているが、例えば、クラッド用樹脂組成物のみを用意し、フェムト秒レーザ等の単パルスレーザや露光により、クラッド用樹脂組成物の屈折率を変化させてコアを形成するフォトブリーチング法により光導波路を形成してもよい。
また、光導波路を直接形成する場合において、導体回路上に光導波路を形成する場合には、下部クラッドを形成する際に、導体回路の厚さよりも厚くなるように形成することが望ましい。光導波路にうねり等が生じることを回避することができるからである。
また、下部クラッドの形成に際して、クラッド用樹脂組成物をスピンコータで塗布する場合には、塗布量を多くして、回転速度の調整を行うことにより、導体回路間に充分に樹脂組成物を供給し、表面の平坦な下部クラッドを形成することができる。
また、下部クラッドを形成時には、クラッド用樹脂組成物を塗布後、フィルムを載置し、さらに平板を介して圧力を付加する等の平坦化処理を施してもよい。
なお、光導波路用樹脂組成物（クラッド用樹脂組成物、コア用樹脂組成物）の塗布は、スピンコータ以外に、ロールコータ、バーコータ、カーテンコータ等を用いることができる。
また、下部クラッドの形成に際して、クラッド用樹脂組成物をスピンコータで塗布する場合には、塗布量を多くして、回転速度の調整を行うことにより、導体回路間に充分に樹脂組成物を供給し、表面の平坦な下部クラッドを形成することができる。
また、下部クラッドを形成時には、クラッド用樹脂組成物を塗布後、フィルムを載置し、さらに平板を介して圧力を付加する等の平坦化処理を施してもよい。
なお、光導波路用樹脂組成物（クラッド用樹脂組成物、コア用樹脂組成物）の塗布は、スピンコータ以外に、ロールコータ、バーコータ、カーテンコータ等を用いることができる。
また、光配線として、光ファイバシートを形成する場合には、予め作製しておいて光ファイバシートを接着材等を介して、所定の位置に張り付ければよい。
また、光ファイバシートは、ポリイミド樹脂等からなるベースフィルム（カバー樹脂層）上に、必要本数の光ファイバを光ファイバ布線装置を用いて布線した後、その周囲をポリイミド樹脂等からなる保護フィルム（カバー樹脂層）で被覆することにより形成することができる。なお、市販の光ファイバシートを用いることもできる。
また、光ファイバシートは、ポリイミド樹脂等からなるベースフィルム（カバー樹脂層）上に、必要本数の光ファイバを光ファイバ布線装置を用いて布線した後、その周囲をポリイミド樹脂等からなる保護フィルム（カバー樹脂層）で被覆することにより形成することができる。なお、市販の光ファイバシートを用いることもできる。
また、光配線を光導波路フィルムや光ファイバシートを用いて形成する場合、これらは、シート状であるため光軸合わせが難しい。そのため、上記光導波路フィルムや光ファイバシートを張り付ける絶縁層としては、リジッドな材質からなるものを選択し、光導波路フィルム等が折れ曲がらないようにすることが望ましい。位置合わせが容易になるからである。
また、上記光配線には、通常、光路変換ミラーを形成する。
上記光路変換ミラーは、光配線を絶縁層上に取り付ける前に形成しておいてもよいし、絶縁層上に取り付けた後に形成してもよいが、該光配線を絶縁層上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラーを形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うことができ、また、作業時に多層プリント配線板を構成する他の部材、基板や導体回路、絶縁層等に傷を付けたり、これらを破損させたりするおそれがないからである。ただし、絶縁層上に取り付けた後に形成したほうが精度は向上する。
上記光路変換ミラーを形成する方法としては特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることができる。具体的には、先端がＶ形９０°のダイヤモンドソーや刃物、ブレードによる機械加工、反応性イオンエッチングによる加工、レーザアブレーション等を用いることができる。また、光導波路フィルム等の両端に光路変換ミラーを形成する場合には、該光導波路フィルム等を研磨機の冶具に固定し、両端を研磨することにより光路変換ミラーを形成してもよい。
また、光路変換ミラーを形成する代わりに光路変換部材を埋め込んでもよい。
また、光導波路に９０度光路変換ミラーを形成する場合には、下部クラッドの基板または絶縁層と接する面と、光路変換面とのなす角は、４５度であってもよいし、１３５度であってもよい。
上記光路変換ミラーは、光配線を絶縁層上に取り付ける前に形成しておいてもよいし、絶縁層上に取り付けた後に形成してもよいが、該光配線を絶縁層上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラーを形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うことができ、また、作業時に多層プリント配線板を構成する他の部材、基板や導体回路、絶縁層等に傷を付けたり、これらを破損させたりするおそれがないからである。ただし、絶縁層上に取り付けた後に形成したほうが精度は向上する。
上記光路変換ミラーを形成する方法としては特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることができる。具体的には、先端がＶ形９０°のダイヤモンドソーや刃物、ブレードによる機械加工、反応性イオンエッチングによる加工、レーザアブレーション等を用いることができる。また、光導波路フィルム等の両端に光路変換ミラーを形成する場合には、該光導波路フィルム等を研磨機の冶具に固定し、両端を研磨することにより光路変換ミラーを形成してもよい。
また、光路変換ミラーを形成する代わりに光路変換部材を埋め込んでもよい。
また、光導波路に９０度光路変換ミラーを形成する場合には、下部クラッドの基板または絶縁層と接する面と、光路変換面とのなす角は、４５度であってもよいし、１３５度であってもよい。
（７）次に、必要に応じて、最外層にソルダーレジスト層を形成する。
上記ソルダーレジスト層は、未硬化のソルダーレジスト組成物を塗布した後、硬化処理を施したり、上記ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを圧着し、さらに必要に応じて、硬化処理を施したりすることにより形成することができる。
上記ソルダーレジスト層は、未硬化のソルダーレジスト組成物を塗布した後、硬化処理を施したり、上記ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを圧着し、さらに必要に応じて、硬化処理を施したりすることにより形成することができる。
また、この工程では、ソルダーレジスト層として、透過率の高くないソルダーレジスト層を形成する場合には、ソルダーレジスト層の形成と同時に、光信号通過領域として機能することができる光路用開口を形成する。なお、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層を形成する場合には、光路用開口を形成する必要はない。
上記光路用開口は、例えば、上記ソルダーレジスト組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
また、光路用開口の形成と同時に半田バンプ形成用開口（ＩＣチップや光学素子を実装するための開口）を形成してもよい。勿論、光路用開口と半田バンプ形成用開口とは別々に形成してもよい。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、光路用開口や半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
また、この工程で形成した光路用開口内には、光路用貫通孔内に充填した樹脂組成物と同様の樹脂組成物を充填してもよい。
上記光路用開口は、例えば、上記ソルダーレジスト組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
また、光路用開口の形成と同時に半田バンプ形成用開口（ＩＣチップや光学素子を実装するための開口）を形成してもよい。勿論、光路用開口と半田バンプ形成用開口とは別々に形成してもよい。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、光路用開口や半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
また、この工程で形成した光路用開口内には、光路用貫通孔内に充填した樹脂組成物と同様の樹脂組成物を充填してもよい。
（８）次に、必要に応じて、光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する。
なお、マイクロレンズの配設は、上記ソルダーレジスト層として透明ソルダーレジスト層を形成した場合には、そのソルダーレジスト層上に配設すればよい。
なお、マイクロレンズの配設は、上記ソルダーレジスト層として透明ソルダーレジスト層を形成した場合には、そのソルダーレジスト層上に配設すればよい。
また、マイクロレンズを配設する場合には、予め、マイクロレンズを配設する部位に撥水コート材による処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理、Ｏ２プラズマによる親水処理等の表面処理を施しておいてもよい。上記マイクロレンズを配設する部位の濡れ性によっては、マイクロレンズの形状、特に、サグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、表面処理を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができる。
上記表面処理の具体的な方法について簡単に説明しておく。
上記撥水コート剤による処理を行う場合には、まず、マイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次にスプレー塗布やスピンコータでの塗布により撥水コート剤を塗布し、その後、撥水コート剤を自然乾燥させ、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。なお、撥水コート剤層の厚さは、通常、１μｍ程度である。ここでは、メッシュ版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
なお、撥水コート剤による処理を行う場合には、マスクを用いることなく、ソルダーレジスト層全体に撥水コート剤による処理を施してもよい。
上記撥水コート剤による処理を行う場合には、まず、マイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次にスプレー塗布やスピンコータでの塗布により撥水コート剤を塗布し、その後、撥水コート剤を自然乾燥させ、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。なお、撥水コート剤層の厚さは、通常、１μｍ程度である。ここでは、メッシュ版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
なお、撥水コート剤による処理を行う場合には、マスクを用いることなく、ソルダーレジスト層全体に撥水コート剤による処理を施してもよい。
また、上記ＣＦ４プラズマによる撥水処理を行う場合には、まず、ソルダーレジスト層上のマイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、ＣＦ４プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。ここでは、レジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記Ｏ２プラズマによる親水処理を行う場合には、まず、ソルダーレジスト層上のマイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、Ｏ２プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。ここでは、メタル版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記撥水処理（撥水コート剤による処理含む）と親水処理とを組み合わせて行うことが望ましい。
また、上記Ｏ２プラズマによる親水処理を行う場合には、まず、ソルダーレジスト層上のマイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、Ｏ２プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。ここでは、メタル版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記撥水処理（撥水コート剤による処理含む）と親水処理とを組み合わせて行うことが望ましい。
また、上記マイクロレンズは、直接配設してもよく、また、光学接着剤を介して配設してもよい。さらには、レンズマーカを介して配設してもよい。そして、レンズマーカを介して配設する場合には、このレンズマーカのマイクロレンズを配設する部位に表面処理を施しておいてもよい。
上記ソルダーレジスト層上にマイクロレンズを直接配設する方法としては、例えば、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下し、この滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施す方法が挙げられる。
上記方法において、未硬化の光学レンズ用樹脂をソルダーレジスト層上に適量滴下する際には、ディスペンサー、インクジェット、マイクロピペット、マイクロシリンジ等の装置を用いることができる。また、このような装置を用いてソルダーレジスト層上に滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂は、その表面張力により球形になろうとするため、上記ソルダーレジスト層上で半球状となり、その後、半球状の未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施すことで、ソルダーレジスト層上に半球状のマイクロレンズを形成することができるのである。
なお、このようにして形成するマイクロレンズの直径や曲面の形状等は、ソルダーレジスト層と未硬化の光学レンズ用樹脂との濡れ性を考慮しながら、適宜未硬化の光学レンズ用樹脂の粘度等を調整することで制御することができる。
上記ソルダーレジスト層上にマイクロレンズを直接配設する方法としては、例えば、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下し、この滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施す方法が挙げられる。
上記方法において、未硬化の光学レンズ用樹脂をソルダーレジスト層上に適量滴下する際には、ディスペンサー、インクジェット、マイクロピペット、マイクロシリンジ等の装置を用いることができる。また、このような装置を用いてソルダーレジスト層上に滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂は、その表面張力により球形になろうとするため、上記ソルダーレジスト層上で半球状となり、その後、半球状の未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施すことで、ソルダーレジスト層上に半球状のマイクロレンズを形成することができるのである。
なお、このようにして形成するマイクロレンズの直径や曲面の形状等は、ソルダーレジスト層と未硬化の光学レンズ用樹脂との濡れ性を考慮しながら、適宜未硬化の光学レンズ用樹脂の粘度等を調整することで制御することができる。
（９）次に、下記の方法を用いて半田パッドや半田バンプの形成を行い、さらに、必要に応じて、光学素子等の実装を行う。
すなわち、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
なお、半田パッドの形成は、上記マイクロレンズ配設工程の前に行うこととしてもよい。
すなわち、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
なお、半田パッドの形成は、上記マイクロレンズ配設工程の前に行うこととしてもよい。
さらに、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。また、半田バンプに代えて金バンプを形成してもよい。
さらに、ソルダーレジスト層に光学素子（受光素子や発光素子）等を実装する。光学素子等の実装は、例えば、上記半田バンプを介して行うことができる。また、例えば、上記半田バンプを形成する際に、半田ペーストを充填した時点で、光学素子を取り付けておき、リフローと同時に光学素子の実装を行ってもよい。また、ここで用いる半田の組成は特に限定されず、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ等どのような組成であってもよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
さらに、ソルダーレジスト層に光学素子（受光素子や発光素子）等を実装する。光学素子等の実装は、例えば、上記半田バンプを介して行うことができる。また、例えば、上記半田バンプを形成する際に、半田ペーストを充填した時点で、光学素子を取り付けておき、リフローと同時に光学素子の実装を行ってもよい。また、ここで用いる半田の組成は特に限定されず、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ等どのような組成であってもよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
また、光学素子等を実装した場合には、必要に応じて、この光学素子等にアンダーフィルを充填する。なお、アンダーフィルの充填方法としては、従来公知の方法を用いることができる。
このような工程を経ることにより、本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
このような工程を経ることにより、本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
次に、第二の製造方法について説明する。
（１）まず、第一の製造方法の（１）の工程と同様、絶縁性基板（ベースとなる絶縁層）を出発材料として、この絶縁性基板上に導体回路や、ベタの導体層を形成する。ここでは、絶縁性基板の一方の面に導体回路を形成し、他方の面にベタの導体層を形成してもよい。
（１）まず、第一の製造方法の（１）の工程と同様、絶縁性基板（ベースとなる絶縁層）を出発材料として、この絶縁性基板上に導体回路や、ベタの導体層を形成する。ここでは、絶縁性基板の一方の面に導体回路を形成し、他方の面にベタの導体層を形成してもよい。
（２）次に、上記（１）の工程で導体回路やベタの導体層を形成した絶縁性基板上に絶縁層や光配線を積層形成する。
ここで、絶縁層の形成は、第一の製造方法の（２）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。また、上記絶縁層を形成した場合には、さらに、第一の製造方法の（３）の工程と同様の方法により導体回路を積層形成するとともに、バイアホールを形成することが望ましい。
また、光配線の形成は、第一の製造方法の（６）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。また、上記光配線を形成する場合には、必要に応じて、絶縁性基板に光信号通過領域を形成してもよい。
さらに、絶縁層の形成と光配線の形成との両者を行ってもよく、この場合、その形成順序は問わない。また、この場合、上記（５）の工程と同様の方法を用いて光信号通過領域を形成してもよい。
なお、この（１）、（２）の工程では、絶縁性基板の両面に絶縁層や光配線を積層形成した配線板を必要枚数形成する。
ここで、絶縁層の形成は、第一の製造方法の（２）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。また、上記絶縁層を形成した場合には、さらに、第一の製造方法の（３）の工程と同様の方法により導体回路を積層形成するとともに、バイアホールを形成することが望ましい。
また、光配線の形成は、第一の製造方法の（６）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。また、上記光配線を形成する場合には、必要に応じて、絶縁性基板に光信号通過領域を形成してもよい。
さらに、絶縁層の形成と光配線の形成との両者を行ってもよく、この場合、その形成順序は問わない。また、この場合、上記（５）の工程と同様の方法を用いて光信号通過領域を形成してもよい。
なお、この（１）、（２）の工程では、絶縁性基板の両面に絶縁層や光配線を積層形成した配線板を必要枚数形成する。
（３）上記（１）、（２）の工程を経て形成した配線板を、例えば、２枚用意し、この配線板により、接着性絶縁材料を挟み、ピンラミネーション方式またはマスラミネーション方式で位置合わせを行い、これらをプレスすることにより、絶縁層と接着性絶縁材料とを一体化させる。
上記接着性絶縁材料としては、例えば、プリプレグ、不織布プリプレグ、接着フィルム等のシート状材料、液状樹脂組成物等が挙げられる。また、上記接着性絶縁材料の材質としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂等が挙げられる。
また、上記絶縁層が樹脂材料からなるあるものである場合には、絶縁層の材料となる樹脂と接着性絶縁材料の材料となる樹脂とは同一であることが望ましい。
また、シート状材料を用いる場合、プレス前には、２枚の配線板間に介在させておくだけでもよいし、片方の配線板に予め圧着しておいてもよいし、両方の配線板のそれぞれに予め圧着しておいてもよい。なお、両方の配線板に圧着しておく場合には、２枚のシート材料を使用することとなる。
また、樹脂液状樹脂組成物を使用する場合は、予め、一方または両方の配線板に塗布し、Ｂステージ状態まで硬化させた後、プレスしてもよいし、一方または両方の配線板に塗布した状態でプレスしてもよい。また、上記液状樹脂組成物には粒子が配合されていてもよい。
また、上記絶縁層が樹脂材料からなるあるものである場合には、絶縁層の材料となる樹脂と接着性絶縁材料の材料となる樹脂とは同一であることが望ましい。
また、シート状材料を用いる場合、プレス前には、２枚の配線板間に介在させておくだけでもよいし、片方の配線板に予め圧着しておいてもよいし、両方の配線板のそれぞれに予め圧着しておいてもよい。なお、両方の配線板に圧着しておく場合には、２枚のシート材料を使用することとなる。
また、樹脂液状樹脂組成物を使用する場合は、予め、一方または両方の配線板に塗布し、Ｂステージ状態まで硬化させた後、プレスしてもよいし、一方または両方の配線板に塗布した状態でプレスしてもよい。また、上記液状樹脂組成物には粒子が配合されていてもよい。
上記プリプレグ等の接着性絶縁材料は、光信号通過領域の一部を構成することとなる場合があり、その場合は、厚さ３０μｍにおける透過率が６０％以上であることが望ましい。
透過率が６０％／３０μｍである場合には、プリプレグ等に起因する伝播損失は２．０ｄＢであり、８０％／３０μｍである場合には、伝播損失は０．８ｄＢ程度であり、９０％／３０μｍである場合には、伝播損失は０．４ｄＢ程度であり、この程度の損失であれば光信号を伝送することができる。なお、透過率は伝送距離に応じて選択してもよい。
透過率が６０％／３０μｍである場合には、プリプレグ等に起因する伝播損失は２．０ｄＢであり、８０％／３０μｍである場合には、伝播損失は０．８ｄＢ程度であり、９０％／３０μｍである場合には、伝播損失は０．４ｄＢ程度であり、この程度の損失であれば光信号を伝送することができる。なお、透過率は伝送距離に応じて選択してもよい。
また、上記接着性絶縁材料としては、光導波路の形成に用いる樹脂と同様の樹脂等の透過率が高い、透明樹脂を用いることもできる。
このような透過率の高い樹脂、具体的には、透過率が７０％／１ｍｍの樹脂を３０μｍの厚さで用いた場合、その伝播損失は０．０５ｄＢ程度、透過率が９０％／１ｍｍの樹脂を３０μｍの厚さで用いた場合、その伝播損失は０．０１ｄＢ程度と極めて小さくすることができる。
このような透過率の高い樹脂、具体的には、透過率が７０％／１ｍｍの樹脂を３０μｍの厚さで用いた場合、その伝播損失は０．０５ｄＢ程度、透過率が９０％／１ｍｍの樹脂を３０μｍの厚さで用いた場合、その伝播損失は０．０１ｄＢ程度と極めて小さくすることができる。
また、上記接着性絶縁材料からなる絶縁層を貫通するように、光信号通過領域が形成されることとなる場合、光路用貫通孔内に充填する樹脂組成物と、接着性絶縁材料との屈折率は同一であることが望ましい。両者の界面で、反射や屈折等が発生しないからである。
上記プレスは、ピンラミネーション方式またはマスラミネーション方式で位置合わせをした後、積層し、熱板（ＳＵＳ板等）で挟み、加熱および加圧することにより行うことができる。また、上記プレスは、真空下で行ってもよい。
また、上述した方法でプレスを行う場合、最外層（熱板と接することとなる面）は、ベタの導体層で構成されていることが望ましい。例えば、最外層が導体回路が形成されている場合、熱板から伝わる圧力が不均一となり（導体回路形成領域に伝わる圧力が、非形成領域に比べて大きくなる）、その結果、各層を構成する導体回路、絶縁層、光配線にうねりが発生してしまうことがある。特に、光配線にうねりが発生した場合には、伝播損失が増大する原因となり、また、不均一な圧力は、光配線の位置ズレの原因ともなる。
また、上述した方法でプレスを行う場合、最外層（熱板と接することとなる面）は、ベタの導体層で構成されていることが望ましい。例えば、最外層が導体回路が形成されている場合、熱板から伝わる圧力が不均一となり（導体回路形成領域に伝わる圧力が、非形成領域に比べて大きくなる）、その結果、各層を構成する導体回路、絶縁層、光配線にうねりが発生してしまうことがある。特に、光配線にうねりが発生した場合には、伝播損失が増大する原因となり、また、不均一な圧力は、光配線の位置ズレの原因ともなる。
上記プレスの条件としては、例えば、圧力が２０〜５０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４０分間以上で、トータルプレス時間が１５０分間等が挙げられる。
また、この工程において、配線板と接着性絶縁材料とを積層プレスする場合には、３枚以上の配線板を用意し、それぞれの配線板の間に接着性絶縁材料を挟んで、プレスしてもよい。
また、この工程において、配線板と接着性絶縁材料とを積層プレスする場合には、３枚以上の配線板を用意し、それぞれの配線板の間に接着性絶縁材料を挟んで、プレスしてもよい。
また、工程では、配線板および接着性絶縁材料の他に、予め、フィルム状に作成しておいた光配線を準備し、例えば、これらを配線板、接着性絶縁材料、光配線、接着性絶縁材料、配線板の順序で積層し、プレスしてもよい。
なお、この工程で、積層する部材としては、片面プリプレグ付き銅箔等も用いることができる。
なお、この工程で、積層する部材としては、片面プリプレグ付き銅箔等も用いることができる。
（４）次に、必要に応じて、絶縁層全体を貫通するバイアホール（貫通バイアホール）を形成する。
上記貫通バイアホールの形成は、例えば、絶縁層全体を貫通する貫通孔をドリル加工等により形成し、その後、この貫通孔の壁面にめっき等により導体層を形成することにより形成することができる。
また、この工程では、絶縁層全体を貫通する光信号通過領域を形成してもよく、また、この場合、最外層に光配線を形成することが望ましい。
上記貫通バイアホールの形成は、例えば、絶縁層全体を貫通する貫通孔をドリル加工等により形成し、その後、この貫通孔の壁面にめっき等により導体層を形成することにより形成することができる。
また、この工程では、絶縁層全体を貫通する光信号通過領域を形成してもよく、また、この場合、最外層に光配線を形成することが望ましい。
また、絶縁層全体を挟んだ導体回路間は、図８に示したように、複数の非貫通バイアホールにより接続されていてもよい。
このような非貫通バイアホールの形成は、例えば、内層に形成された一つの導体回路に向かって、積層された絶縁層の両面からレーザ加工により非貫通孔を形成し（この場合、それぞれの非貫通孔は、上記した導体回路の両面を底とする有低孔となる）、その後、非貫通孔の壁面（内部全体であってもよい）にめっき等により導体層を形成することにより行うことができる。
このような非貫通バイアホールの形成は、例えば、内層に形成された一つの導体回路に向かって、積層された絶縁層の両面からレーザ加工により非貫通孔を形成し（この場合、それぞれの非貫通孔は、上記した導体回路の両面を底とする有低孔となる）、その後、非貫通孔の壁面（内部全体であってもよい）にめっき等により導体層を形成することにより行うことができる。
また、本工程では、貫通バイアホールを形成した後、再度、上記（２）の工程、即ち、絶縁層や導体回路の積層工程や、光配線の積層工程を１回または複数回繰り返してもよい。
（５）次に、必要に応じて、第一の製造方法の（７）〜（９）と同様の方法を用いて、ソルダーレジスト層の形成、マイクロレンズの配設、半田バンプの形成や光学素子の実装等を行う。
このような工程を経ることによっても、本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
このような工程を経ることによっても、本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
なお、第一および第二の製造方法では、絶縁層および導体回路の形成工程をセミアディティブ法を中心に説明したが、その他、フルアディティブ法、ＲＣＣ法、ビアシートラミネート法、バンプシートラミネート法等で形成してもよい。
また、第一および第二の製造方法では、非貫通バイアホールをフォトバイアホールやレーザバイアホールとして説明したが、上記非貫通バイアホールの形状は、コンフォーマルバイアホールや、フィールドバイアホール、スタッドバイアホール等特に限定されない。
また、第一および第二の製造方法では、非貫通バイアホールをフォトバイアホールやレーザバイアホールとして説明したが、上記非貫通バイアホールの形状は、コンフォーマルバイアホールや、フィールドバイアホール、スタッドバイアホール等特に限定されない。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコーン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
（実施例１）
Ａ．絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコーン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
Ｃ．多層プリント配線板の作製
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板（絶縁層）２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１１（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板２１の両面に導体回路２５と非貫通バイアホール２７とを形成した。
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板（絶縁層）２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１１（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板２１の両面に導体回路２５と非貫通バイアホール２７とを形成した。
（２）非貫通バイアホール２７と導体回路２５とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、非貫通バイアホール２７を含む導体回路２５の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図１１（ｂ）参照）。
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、非貫通バイアホール２７内および基板２１上の導体回路非形成部と導体回路２５の外縁部とに樹脂充填材３０′の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いて非貫通バイアホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図１１（ｃ）参照）。
すなわち、まず、スキージを用いて非貫通バイアホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図１１（ｃ）参照）。
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路２５の表面や非貫通バイアホール２７のランド表面に樹脂充填材３０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層３０を形成した。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層３０を形成した。
このようにして、非貫通バイアホール２７や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材層３０の表層部および導体回路２５の表面を平坦化し、樹脂充填材層３０と導体回路２５の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、非貫通バイアホール２７の内壁面と樹脂充填材３０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１１（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２５の表面とが同一平面となる。
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路２５の表面と非貫通バイアホール２７のランド表面とをエッチングすることにより、導体回路２５の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて張り付けることにより絶縁層２２を形成した（図１２（ａ）参照）。
すなわち、絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
すなわち、絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
（７）次に、絶縁層２２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図１２（ｂ）参照）。
（８）バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図１２（ｃ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト２３を設けた（図１２（ｄ）参照）。
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、電解銅めっき膜３３を形成した（図１３（ａ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ２
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ２
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
（１３）さらに、めっきレジスト２３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２と電解銅めっき膜３３とからなる導体回路２５（非貫通バイアホール２７を含む）を形成した（図１３（ｂ）参照）。
（１４）次に、上記（６）〜（８）の工程を繰り返すことにより、バイアホール用開口を有し、その表面に粗化面が形成された（図示せず）が形成された絶縁層２２を積層形成した（図１３（ｃ）参照）。
（１５）さらに、上記（９）〜（１３）の工程を繰り返すことにより、導体回路２５（非貫通バイアホール２７）を絶縁層２２上に形成した。
次に、直径３９５μｍのドリルを用いて、ルータ加工を行うことにより、基板２１および絶縁層２２を貫通する光路用貫通孔４６を形成し、さらに、光路用貫通孔４６の壁面にデスミア処理を施した（図１４（ａ）〜図１５（ａ）参照）。
次に、直径３９５μｍのドリルを用いて、ルータ加工を行うことにより、基板２１および絶縁層２２を貫通する光路用貫通孔４６を形成し、さらに、光路用貫通孔４６の壁面にデスミア処理を施した（図１４（ａ）〜図１５（ａ）参照）。
（１６）次に、スキージを用いて、光路用貫通孔４６内にエポキシ樹脂を含む未硬化の樹脂組成物を充填し、乾燥させた後、バフ研磨によりその表層を平坦化した。さらに、硬化処理を施すことにより、光路用貫通孔４６内に樹脂組成物４７が充填された多層配線板を得た（図１５（ｂ）参照）。
（１７）次に、最外層の絶縁層上に下記の方法で光導波路を形成した。なお、光導波路としては、４つのコアが並列に配設された４チャンネルの光導波路５０を形成した。
コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）を２５重量％添加して透過率を８１％、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）を２５重量％添加して透過率を８１％、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
次に、基板２１の所定の位置にクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、厚さ５０μｍの下部クラッドを形成した。ここでは、下部クラッドは、導体回路２５の厚さよりも厚くなるように形成している。
次に、下部クラッド５２上に、コア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア５１を形成した。
次に、下部クラッド５２上に、コア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア５１を形成した。
次に、下部クラッド５２およびコア５１の積層体の所定の位置（光信号通過領域に対応する位置）に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、加工により露出した面にＡｕ／Ｃｒ 蒸着膜を形成し、９０度光路変換ミラーとした。
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア５１上を含む基板の最外層全体に上部クラッド層５１を形成し、光導波路５０とした（図１６（ａ）参照）。
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア５１上を含む基板の最外層全体に上部クラッド層５１を形成し、光導波路５０とした（図１６（ａ）参照）。
（１８）次いで、半田バンプ形成用開口（光学部品実装用開口を含む）のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを上部クラッド層５１に密着させて、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行うことにより、半田バンプ形成用開口（光学部品実装用開口を含む）４３を形成した（図１６（ｂ）参照）。
（１９）次に、最外層に上記クラッド層を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口（光学部品実装用開口を含む）４３に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド３６とした。
（２０）次に、上部クラッド５２上であって、光信号通過領域４２の端部に相当する位置に、インクジエット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズ４９を配設した。
すなわち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調整した後、この樹脂をインクジェット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度８ｃｐｓに調整し、その後、上部クラッド上の所定の位置に塗布し、ＵＶ硬化させることにより、直径２２０μｍの凸状レンズを配設した。
なお、マイクロレンズのサグ高さは、後工程を経て、受光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、伝送光をコリメート光とできる形状で、発光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、その焦点が光導波路のコアと一致する形状で形成した。
すなわち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調整した後、この樹脂をインクジェット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度８ｃｐｓに調整し、その後、上部クラッド上の所定の位置に塗布し、ＵＶ硬化させることにより、直径２２０μｍの凸状レンズを配設した。
なお、マイクロレンズのサグ高さは、後工程を経て、受光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、伝送光をコリメート光とできる形状で、発光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、その焦点が光導波路のコアと一致する形状で形成した。
（２１）次に、半田バンプ形成用開口（光学部品実装用開口を含む）４３に半田ペースト（Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５）を印刷し、半田バンプ３７を形成した（図１７（ａ）参照）。
次に、半田バンプを介して、受光素子３８としてＰＤが実装されたパッケージ基板、および、発光素子３９としてＶＣＳＥＬが実装されたパッケージ基板を実装し、多層プリント配線板とした。
次に、半田バンプを介して、受光素子３８としてＰＤが実装されたパッケージ基板、および、発光素子３９としてＶＣＳＥＬが実装されたパッケージ基板を実装し、多層プリント配線板とした。
なお、パッケージ基板としては、基板１１２１上に導体回路１１２５と絶縁層１１２２とが積層形成され、内部に樹脂組成物１１４７が充填された一括貫通孔構造の光信号通過領域１１４２が形成され、さらに、光信号通過領域の多層プリント配線板側の端部にマイクロレンズ１１４９が配設されたものを用いた（図３８（ａ）参照）。
なお、図中１１３４はソルダーレジスト層、１１３８は光学素子、１１４４半田接続部である。
なお、図中１１３４はソルダーレジスト層、１１３８は光学素子、１１４４半田接続部である。
（実施例２）
１．配線板Ａの作製
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１００２１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされ、表面導体層１００２８が形成されている銅張積層板を出発材料とした（図１８（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、さらに穴１０００９内に樹脂組成物１００３０を充填することにより、その壁面に非貫通バイアホールを構成する導体層１００２７′を形成した（図１８（ｂ）（ｃ）参照）。
１．配線板Ａの作製
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１００２１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされ、表面導体層１００２８が形成されている銅張積層板を出発材料とした（図１８（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、さらに穴１０００９内に樹脂組成物１００３０を充填することにより、その壁面に非貫通バイアホールを構成する導体層１００２７′を形成した（図１８（ｂ）（ｃ）参照）。
なお、樹脂組成物としては、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒子径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度を２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓに調整したものを用いた。また、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
（２）次に、ルータ加工により、基板１００２１、表面導体層１００２８を貫通し光路用貫通孔１００１６を形成し、さらに、光路用貫通孔１００１６の壁面にデスミア処理を施した（図１８（ｄ）参照）。ここでは、一括貫通孔構造の光路用貫通孔が形成されることとなる。
（３）次に、樹脂を印刷機の穴埋めマスク上に載せて、スクリーン印刷を行うことにより光路用貫通孔１００１６内に樹脂組成物を充填した後、１２０℃で１時間および１５０℃で１時間の条件で硬化処理を施し、その後、光路用貫通孔１００１６内から飛び出している樹脂を、♯３０００研磨紙を用いて研磨し、さらに、０．０５μｍのアルミナ粒子を用いて研磨して表面を平坦化した。ここでは、樹脂組成物１００４７からなる光信号通過領域の端部と、表面導体層１００２８とが同一平面を構成するように、研磨処理を施した（図１８（ｅ）参照）ここでは、ここでは、光路用貫通孔内に充填した樹脂組成物を研磨する際に、同時に上記（１）の工程で、穴１０００９内に充填した樹脂組成物の穴内から飛び出している樹脂も研磨した。なお、（１）の工程で樹脂組成物を充填した段階で研磨しておいてもよい。
この工程で樹脂組成物としては、エポキシ樹脂（透過率９１％、ＣＴＥ８２ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを４０重量％添加して、透過率８２％、ＣＴＥ４２ｐｐｍとし、粘度を２０００００ｃｐｓに調整したをものを用いた。
この工程で樹脂組成物としては、エポキシ樹脂（透過率９１％、ＣＴＥ８２ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを４０重量％添加して、透過率８２％、ＣＴＥ４２ｐｐｍとし、粘度を２０００００ｃｐｓに調整したをものを用いた。
（４）次に、一方の表面導体層（図中、下側）上の一部にエッチングレジスト１０００３を形成し（図１８（ｆ）参照）、エッチング処理を施すことにより、基板の片面に導体回路１００２５を形成した（図１９（ａ）参照）。
（５）次に、導体回路１００２５を形成した側に、下記の方法で光導波路１００５０を積層形成した。なお、光導波路としては、４つのコアが並列に配設された４チャンネルの光導波路１００５０を形成した。
まず、コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）を２５重量％添加して透過率を８１％、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
まず、コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）を２５重量％添加して透過率を８１％、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
次に、基板１００２１の導体回路１００２５を形成した側に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、厚さ５０μｍの下部クラッド１００５２を形成した。ここで、下部クラッドは、導体回路１００２５の厚さよりも厚くなるように形成した。
次に、下部クラッド１００５２上に、スピンコータ（１２００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてコア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア１００５１を形成した。
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア上での厚さが５０μｍの上部クラッドを形成し、コア１００５１とクラッド１００５２とからなる光導波路１００５０とした。
その後、光導波路１００５０上であって、光信号通過領域に対応する部分に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、加工により露出した面にＡｕ／Ｃｒ蒸着膜を形成し、９０度光路変換ミラー１００５３とした（図１９（ｂ）参照）。
このような工程を経ることにより、配線板Ａを完成した。
次に、下部クラッド１００５２上に、スピンコータ（１２００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてコア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア１００５１を形成した。
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア上での厚さが５０μｍの上部クラッドを形成し、コア１００５１とクラッド１００５２とからなる光導波路１００５０とした。
その後、光導波路１００５０上であって、光信号通過領域に対応する部分に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、加工により露出した面にＡｕ／Ｃｒ蒸着膜を形成し、９０度光路変換ミラー１００５３とした（図１９（ｂ）参照）。
このような工程を経ることにより、配線板Ａを完成した。
２．多層プリント配線板の作製
（６）次に、上記配線板Ａを２枚と、厚さ８０μｍの高Ｔｇエポキシ製プレプレグ（日立化成社製、ＭＣＬ−Ｅ−６７９）１枚とを用意し、このプリプレグ１００２２の両側に配線板Ａを、光導波路１００５０が内側に位置するようにピンラミネーション方式で位置合わせをしながら積層した後、圧力が３０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４５分間で、トータルプレス時間が１５０分間の条件でプレスした（図２０（ａ）参照）。なお、配線板Ａには、ガイド穴（図示せず）を予め空けておいた。
（６）次に、上記配線板Ａを２枚と、厚さ８０μｍの高Ｔｇエポキシ製プレプレグ（日立化成社製、ＭＣＬ−Ｅ−６７９）１枚とを用意し、このプリプレグ１００２２の両側に配線板Ａを、光導波路１００５０が内側に位置するようにピンラミネーション方式で位置合わせをしながら積層した後、圧力が３０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４５分間で、トータルプレス時間が１５０分間の条件でプレスした（図２０（ａ）参照）。なお、配線板Ａには、ガイド穴（図示せず）を予め空けておいた。
（７）次に、上記（６）の工程で形成した積層板全体を貫通する貫通孔１００１９をドリル加工により形成し（図２０（ｂ）参照）、この貫通孔１００１９の壁面に導体層１００２９′を形成した。
導体層１００２９′は、貫通孔１００１９の壁面にパラジウム触媒を付与した後、基板表面にマスクを形成し、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬することにより、無電解めっき銅めっき膜形成し、その後、下記の組成の電解銅めっき膜で厚付けを行うことにより形成した（図２１（ａ）参照）。
導体層１００２９′は、貫通孔１００１９の壁面にパラジウム触媒を付与した後、基板表面にマスクを形成し、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬することにより、無電解めっき銅めっき膜形成し、その後、下記の組成の電解銅めっき膜で厚付けを行うことにより形成した（図２１（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ２
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ２
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
（８）次に、壁面に導体層１００２９′を形成した貫通孔１００１９内に、樹脂組成物１００３０を充填した（図２１（ｂ）参照）。
（９）次に、積層板全体を貫通する貫通孔１００４６をドリル加工により形成し（図２２（ａ）参照）、この貫通孔１００４６内に、樹脂組成物１００４７を充填した（図２２（ｂ）参照）。なお、この樹脂組成物が充填された貫通孔は、光信号通過領域として機能することとなる。
また、樹脂組成物１００４７としては、上記（３）の工程で充填した樹脂組成物と同様のものを用いた。
また、樹脂組成物１００４７としては、上記（３）の工程で充填した樹脂組成物と同様のものを用いた。
（１０）次に、積層板表面の導体層（配線板Ａに形成した表面導体層１００２８）上に、エッチングレジスト１０００３を形成し（図２３（ａ）参照）、その後、エッチング処理を施すことにより最外層の導体回路１００２５を形成した（図２３（ｂ）参照）。
また、この工程では、同時に貫通バイアホール１００２９が形成されることとなる。
また、この工程では、同時に貫通バイアホール１００２９が形成されることとなる。
（１１）次に、最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成した。
上記ソルダーレジスト組成物としては、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学社製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したものを用いた。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
上記ソルダーレジスト組成物としては、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学社製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したものを用いた。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
（１２）次いで、半田バンプ形成用開口のパターン、および、光導波路形成領域が描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを透明ソルダーレジスト組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、半田バンプ形成用開口を形成するとともに、光導波路形成領域が露出したソルダーレジスト組成物の層とした。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、光導波路形成領域が露出したソルダーレジスト層１００３４を形成した（図２４（ａ）参照）。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、光導波路形成領域が露出したソルダーレジスト層１００３４を形成した（図２４（ａ）参照）。
（１３）次に、ソルダーレジスト層１００３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド１００３６とした。
（１４）次に、最外層の所定の位置に、光導波路１００５０ｃ、１００５０ｄを形成した（図２４（ｂ）参照）。なお、光導波路の形成は、上記（５）の工程で用いた方法と同様の方法により行った。
（１５）次に、ソルダーレジスト層１００３４上であって、光信号通過領域１００４２の端部に相当する位置に、インクジエット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズ１００４９を配設した。
すなわち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調整した後、この樹脂をインクジェット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度８ｃｐｓに調整し、その後、上部クラッド上の所定の位置に塗布し、ＵＶ硬化させることにより、直径２２０μｍの凸状レンズを配設した。
なお、マイクロレンズのサグ高さは、後工程を経て、受光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、伝送光をコリメート光とできる形状で、発光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、その焦点が光導波路のコアと一致する形状で形成した。
すなわち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調整した後、この樹脂をインクジェット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度８ｃｐｓに調整し、その後、上部クラッド上の所定の位置に塗布し、ＵＶ硬化させることにより、直径２２０μｍの凸状レンズを配設した。
なお、マイクロレンズのサグ高さは、後工程を経て、受光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、伝送光をコリメート光とできる形状で、発光素子を実装したパッケージ基板に対向することとなる側では、その焦点が光導波路のコアと一致する形状で形成した。
（１６）次に、ソルダーレジスト層１００３４に形成した半田バンプ形成用開口に半田ペースト（Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５）を印刷し、半田バンプ１００３７を形成した（図２４（ｂ）参照）。
次に、半田バンプを介して、受光素子としてＰＤが実装されたパッケージ基板、および、発光素子としてＶＣＳＥＬが実装されたパッケージ基板を実装し、多層プリント配線板とした。なお、パッケージ基板としては、実施例１で使用したものと同様のものを用いた。
次に、半田バンプを介して、受光素子としてＰＤが実装されたパッケージ基板、および、発光素子としてＶＣＳＥＬが実装されたパッケージ基板を実装し、多層プリント配線板とした。なお、パッケージ基板としては、実施例１で使用したものと同様のものを用いた。
（実施例３）
１．配線板Ａの作製
（１）実施例２と同様にして、配線板Ａを作製した。
１．配線板Ａの作製
（１）実施例２と同様にして、配線板Ａを作製した。
２．配線板Ｂの作製
（２）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１００２１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされ、表面導体層１００２８が形成されている銅張積層板を出発材料とした（図２５（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、さらに穴１０００９内に樹脂組成物を充填することにより、その壁面に非貫通バイアホールを構成する導体層１００２７′を形成した（図２５（ｂ）（ｃ）参照）。
なお、樹脂組成物としては、配線板Ａの作製で用いたものと同様のものを使用した。
（２）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１００２１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされ、表面導体層１００２８が形成されている銅張積層板を出発材料とした（図２５（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、さらに穴１０００９内に樹脂組成物を充填することにより、その壁面に非貫通バイアホールを構成する導体層１００２７′を形成した（図２５（ｂ）（ｃ）参照）。
なお、樹脂組成物としては、配線板Ａの作製で用いたものと同様のものを使用した。
（３）次に、表面導体層１００２８上にエッチングレジスト１０００３を形成し（図２５（ｄ）参照）、エッチング処理を施すことにより、基板の両面に導体回路１００２５を形成した（図２５（ｅ）参照）。
３．多層プリント配線板の作製方法
（４）次に、上記配線板Ａを２枚、上記配線板Ｂを１枚、および、厚さ８０μｍのエポキシ製ガラス不織布プレプレグ（日立化成社製、ＡＳ−５０００ＧＰ）２枚を用意し、上記配線板Ｂ１枚を中心にして、この両面にプリプレグ１００２２を介して、配線板Ａを光導波路１００５０が内側に位置するように配置し、ピンラミネーション方式で位置合わせをしながら積層した。その後、圧力が３０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４５分間で、トータルプレス時間が１５０分間の条件でプレスした（図２６（ａ）参照）。なお、配線板Ａ、Ｂには、ガイド穴（図示せず）を予め空けておいた。
（４）次に、上記配線板Ａを２枚、上記配線板Ｂを１枚、および、厚さ８０μｍのエポキシ製ガラス不織布プレプレグ（日立化成社製、ＡＳ−５０００ＧＰ）２枚を用意し、上記配線板Ｂ１枚を中心にして、この両面にプリプレグ１００２２を介して、配線板Ａを光導波路１００５０が内側に位置するように配置し、ピンラミネーション方式で位置合わせをしながら積層した。その後、圧力が３０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４５分間で、トータルプレス時間が１５０分間の条件でプレスした（図２６（ａ）参照）。なお、配線板Ａ、Ｂには、ガイド穴（図示せず）を予め空けておいた。
（５）次に、上記（６）の工程で形成した積層板全体を貫通する貫通孔１００１９をドリル加工により形成し（図２６（ｂ）参照）、この貫通孔１００１９の壁面に導体層１００２９′を形成した。
導体層１００２９′は、貫通孔１００１９の壁面にパラジウム触媒を付与した後、基板表面にマスクを形成し、無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬することにより、無電解めっき銅めっき膜形成し、その後、電解銅めっき膜で厚付けを行うことにより形成した。
なお、無電解銅めっきおよび電解銅めっきは、実施例２の（７）の条件と同様の条件で行った。
導体層１００２９′は、貫通孔１００１９の壁面にパラジウム触媒を付与した後、基板表面にマスクを形成し、無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬することにより、無電解めっき銅めっき膜形成し、その後、電解銅めっき膜で厚付けを行うことにより形成した。
なお、無電解銅めっきおよび電解銅めっきは、実施例２の（７）の条件と同様の条件で行った。
（６）次に、壁面に導体層１００２９′を形成した貫通孔１００１９内に、樹脂組成物１００３０を充填した（図２７（ａ）参照）。
（７）次に、積層板表面の導体層（配線板Ａに形成した表面導体層１００２８）上に、エッチングレジスト（図示せず）を形成し、その後、エッチング処理すを施ことにより最外層の導体回路１００２５（非貫通孔バイアホール１００２７、貫通バイアホール１００２９を含む）を形成した（図２７（ｂ）参照）。
（８）次に、最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成した。
上記ソルダーレジスト組成物としては、実施例２で使用したものと同様のものを用いた。
上記ソルダーレジスト組成物としては、実施例２で使用したものと同様のものを用いた。
（９）次いで、半田バンプ形成用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを透明ソルダーレジスト組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、半田バンプ形成用開口を形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層１００３４を形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層１００３４を形成した。
（１０）次に、実施例１の（１３）の工程と同様にして半田パッド１００３６とした。
（１１）さらに、実施例１の（１５）（１６）の工程と同様にして、マイクロレンズ１００４９の配設、および、半田バンプ１００３７の形成を行い、さらにパッケージ基板を実装して多層プリント配線板を製造した（図２８参照）。
（１１）さらに、実施例１の（１５）（１６）の工程と同様にして、マイクロレンズ１００４９の配設、および、半田バンプ１００３７の形成を行い、さらにパッケージ基板を実装して多層プリント配線板を製造した（図２８参照）。
（実施例４）
１．配線板Ｃの作製
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１００２１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされ、表面導体層１００２８が形成されている銅張積層板を出発材料として、実施例２の（１）〜（３）の工程と同様の方法を用いて、所定の位置に樹脂組成物１００４７から構成される光信号通過領域１００４２を形成した。（図２９（ａ）〜３０（ｂ）参照）。
１．配線板Ｃの作製
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１００２１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされ、表面導体層１００２８が形成されている銅張積層板を出発材料として、実施例２の（１）〜（３）の工程と同様の方法を用いて、所定の位置に樹脂組成物１００４７から構成される光信号通過領域１００４２を形成した。（図２９（ａ）〜３０（ｂ）参照）。
（２）次に、両側の表面導体層１００２８上の一部とにエッチングレジスト１０００３を形成し、エッチング処理を施すことにより、基板の両面に導体回路１００２５と非貫通バイアホール１００２７を形成した（図３０（ｃ）参照）。
（３）次に、実施例２の（５）の工程と同様の方法を用いて、所定の位置に光路変換ミラーを有する光導波路１００５０が形成された配線板Ｃを製造した（図３０（ｄ）参照）。
２．配線板Ｄの作製
（４）実施例３の（２）、（３）の工程と同様の方法を用いて、樹脂組成物１００４７が充填された光信号通過領域１００４２が形成された配線板Ｄの作製を作成した。
なお、ここでは、実施例３の（３）と同様の工程により、導体回路を形成する際に、基板に片面にのみ導体回路１００２５を形成し、他方の面は、ベタの導体回路（表面導体層１００２８）のままにしておいた（図３１（ａ）〜３２（ｂ）参照）。
（４）実施例３の（２）、（３）の工程と同様の方法を用いて、樹脂組成物１００４７が充填された光信号通過領域１００４２が形成された配線板Ｄの作製を作成した。
なお、ここでは、実施例３の（３）と同様の工程により、導体回路を形成する際に、基板に片面にのみ導体回路１００２５を形成し、他方の面は、ベタの導体回路（表面導体層１００２８）のままにしておいた（図３１（ａ）〜３２（ｂ）参照）。
３．配線板Ｅの作製
（５）実施例３の（２）、（３）の工程と同様の方法を用いて、樹脂組成物１００４７が充填された光信号通過領域１００４２が形成された配線板Ｅの作製を作成した。
なお、ここでは、実施例３の（３）と同様の工程により、導体回路を形成する際に、基板に片面にのみ導体回路１００２５を形成し、他方の面は、ベタの導体回路（表面導体層１００２８）のままにしておいた（図３３（ａ）〜３４（ｂ）参照）。
（５）実施例３の（２）、（３）の工程と同様の方法を用いて、樹脂組成物１００４７が充填された光信号通過領域１００４２が形成された配線板Ｅの作製を作成した。
なお、ここでは、実施例３の（３）と同様の工程により、導体回路を形成する際に、基板に片面にのみ導体回路１００２５を形成し、他方の面は、ベタの導体回路（表面導体層１００２８）のままにしておいた（図３３（ａ）〜３４（ｂ）参照）。
４．多層プリント配線板の作製方法
（６）次に、上記配線板Ｃ〜Ｅを１枚ずつ、および、厚さ８０μｍの下記の方法で作製した接着性絶縁フィルム２枚を用意し、上記配線板Ｃを中心にして、この両面にプリプレグ１００２２を介して、配線板Ｄ、Ｅを光導波路１００５０が内側に位置するように配置し、ピンラミネーション方式で位置合わせをしながら積層した。その後、圧力が３０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４５分間で、トータルプレス時間が１５０分間の条件でプレスした（図３５（ａ）参照）。
（６）次に、上記配線板Ｃ〜Ｅを１枚ずつ、および、厚さ８０μｍの下記の方法で作製した接着性絶縁フィルム２枚を用意し、上記配線板Ｃを中心にして、この両面にプリプレグ１００２２を介して、配線板Ｄ、Ｅを光導波路１００５０が内側に位置するように配置し、ピンラミネーション方式で位置合わせをしながら積層した。その後、圧力が３０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４５分間で、トータルプレス時間が１５０分間の条件でプレスした（図３５（ａ）参照）。
接着性絶縁フィルムの作製は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、Ｅ−１００１）４０重量部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、Ｅ−１５４）６０重量部、イミダゾール型硬化剤（四国化成社製、２ＰＨＺ）５重量部およびブチルセロソルブアセテート７５重量部に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）３０重量部を添加し、３本ローラで攪拌した。
その後、この樹脂組成物を基材上にスピンコータで塗布し、ＵＶ照射で仮硬化させることより、接着性絶縁フィルムを作製した。なお、接着性絶縁フィルムは、屈折率１．５８、８５０ｎｍ光の透過率９７％／３７μｍである。
その後、この樹脂組成物を基材上にスピンコータで塗布し、ＵＶ照射で仮硬化させることより、接着性絶縁フィルムを作製した。なお、接着性絶縁フィルムは、屈折率１．５８、８５０ｎｍ光の透過率９７％／３７μｍである。
（７）次に、上記（６）の工程で形成した積層板全体を貫通する貫通孔１００１９をドリル加工により形成し（図３５（ｂ）参照）、この貫通孔１００１９の壁面に導体層１００２９′を形成した。
導体層１００２９′は、実施例３の（５）の工程と同様の方法で形成した。
導体層１００２９′は、実施例３の（５）の工程と同様の方法で形成した。
（８）次に、壁面に導体層１００２９′を形成した貫通孔１００１９内に、樹脂組成物１００３０を充填した（図３６（ａ）参照）。
（９）次に、積層板表面の導体層（配線板Ａに形成した表面導体層１００２８）上に、エッチングレジスト（図示せず）を形成し、その後、エッチング処理を施すことにより最外層の導体回路１００２５（非貫通孔バイアホール１００２７、貫通バイアホール１００２９を含む）を形成した（図３６（ｂ）参照）。
（１０）次に、実施例３の（８）〜（１１）の工程と同様の処理を行い、さらにソルダーレジスト層上の所定の位置に光導波路１００５０を形成することにより、半田バンプ１００３７を有するソルダーレジスト層１００３４が形成され、パッケージ基板が実装された多層プリント配線板を製造した（図３７（ａ）、（ｂ）参照）。
実施例１〜４に係る多層プリント配線板では、光信号通過領域の大きさは、伝送光が、その壁面に当たることなく伝送することができる大きさで設計した。すなわち、多層プリント配線板の厚さ（光信号通過領域の長さ）とマイクロレンズを配設することを考慮して、設計した。
このようにして得られた実施例１〜４の多層プリント配線板について、発光素子と受光素子との間での光信号の伝送性を評価したところ、全ての実施例について、２．５Ｇｂｐｓで光伝送行うことができることが明らかとなった。
なお、光信号の伝送性の評価は、下記の方法を用いて行った。
すなわち、パッケージ基板にＩＣチップを実施しておき、テスト用コネクタにパルスジェネレータで、２．５Ｇｂｐｓの電気信号を入力し、ドライバーＩＣを経由して、ＶＣＳＥＬで発光させ、多層プリント配線板に光信号を伝送し、さらに、多層プリント配線板（光信号通過領域および光配線）を介して伝送されてきた光信号をＰＤで受光して電気信号に変換し、アンプＩＣを経由して、テスト用コネクタから電気信号を取り出し、オシロスコープによって、光信号伝送が正常に行うことができたかをアイパターンで判断した。
なお、試験用サンプルとしては，２枚の多層プリント配線板を用意した。
なお、光信号の伝送性の評価は、下記の方法を用いて行った。
すなわち、パッケージ基板にＩＣチップを実施しておき、テスト用コネクタにパルスジェネレータで、２．５Ｇｂｐｓの電気信号を入力し、ドライバーＩＣを経由して、ＶＣＳＥＬで発光させ、多層プリント配線板に光信号を伝送し、さらに、多層プリント配線板（光信号通過領域および光配線）を介して伝送されてきた光信号をＰＤで受光して電気信号に変換し、アンプＩＣを経由して、テスト用コネクタから電気信号を取り出し、オシロスコープによって、光信号伝送が正常に行うことができたかをアイパターンで判断した。
なお、試験用サンプルとしては，２枚の多層プリント配線板を用意した。
１００ 多層プリント配線板
１２１ 基板（絶縁層）
１２２ 絶縁層
１２５ 導体回路
１２７ 非貫通バイアホール
１２９ 貫通バイアホール
１３４ ソルダーレジスト層
１３７ 半田バンプ
１５０ 光導波路
１５３ 光路変換ミラー
１３８ 受光素子
１３９ 発光素子
１４２ 光信号通過領域
１２１ 基板（絶縁層）
１２２ 絶縁層
１２５ 導体回路
１２７ 非貫通バイアホール
１２９ 貫通バイアホール
１３４ ソルダーレジスト層
１３７ 半田バンプ
１５０ 光導波路
１５３ 光路変換ミラー
１３８ 受光素子
１３９ 発光素子
１４２ 光信号通過領域
Claims (11)
- 第一の表面と前記第一の表面の反対側に位置する第二の表面とを備え、少なくとも一層の絶縁層と、導体回路と、異なる階層に位置する複数の光配線とが積層形成されてなる多層プリント配線板であって、
前記複数の光配線は、コアと無機粒子が配合されたクラッドとを有する光導波路からなり、
前記複数の光配線には、前記第一の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第一光配線と、前記第二の表面側に位置する最外層の絶縁層のさらに外層側に形成された第二光配線とが含まれており、
前記第一の表面及び第二の表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を実装するための半田バンプが形成されており、
少なくとも一層の前記絶縁層を貫通し、前記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を前記第一の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が前記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が前記第二光配線と光学的に接続する第一光信号通過領域が形成されており、
少なくとも一層の前記絶縁層を貫通し、前記光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板を前記第二の表面の半田バンプに実装した際に、その一端が前記光学素子と光学的に接続するとともに、その他端が前記第一光配線と光学的に接続する第二光信号通過領域が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 前記無機粒子の粒子径は、０．０１〜０．８μｍである請求項１に記載の多層プリント配線板。
- 前記無機粒子の配合量は、１０〜８０重量％である請求項１又は２に記載の多層プリント配線板。
- 前記第一の表面側又は第二の表面側に位置する最外層の絶縁層と、前記第一光配線又は第二光配線との間には、最外層の導体回路が形成されており、
前記第一光配線上又は第二光配線上には、導体回路からなるパッドが形成されており、
前記パッド上には、ソルダーレジスト層が形成されており、
前記最外層の導体回路と前記パッドとが、非貫通バイアホールにより接続している請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板。 - 前記第一の表面側又は第二の表面側に位置する最外層の絶縁層と、前記第一光配線又は第二光配線との間には、最外層の導体回路が形成されており、
前記第一光配線又は第二光配線のコア上には、導体回路からなるパッドが形成されており、
前記パッド上には、上部クラッドが形成されており、
前記最外層の導体回路と前記パッドとが、非貫通バイアホールにより接続している請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板。 - 多層プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、
互いに階層の異なる光配線の、一の光配線の一部と他の一の光配線の一部とが、重なって視認される請求項１〜５のいずれかに記載の多層プリント配線板。 - 両表面にそれぞれ独立して、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板が実装された請求項１〜６のいずれかに記載の多層プリント配線板。
- 前記絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するためのバイアホールが形成されており、
前記バイアホールは、貫通バイアホールおよび／または非貫通バイアホールである請求項１〜７のいずれかに記載の多層プリント配線板。 - 前記プリント配線板を一の主面に垂直な方向に透視した際に、
前記コアと前記非貫通バイアホールの一部とが、重なって視認される請求項８に記載の多層プリント配線板。 - さらに、前記絶縁層間にも光配線が形成されている請求項１〜９のいずれかに記載の多層プリント配線板。
- 前記光信号通過領域が樹脂組成物から構成されている請求項１〜１０のいずれかに記載の多層プリント配線板。
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