JP4584879B2 - フッ素との反応によって揮発性フッ化物を低温で形成している酸化物からなるガラス組成物及びその用途 - Google Patents

フッ素との反応によって揮発性フッ化物を低温で形成している酸化物からなるガラス組成物及びその用途 Download PDF

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Description

この発明は揮発性フッ化物を低温で形成している酸化物からなる新規ガラス組成物及び微細構造構築法におけるその用途に関する。
今日、常時増大する小型化の分野として、微細光学素子の開発は強く検討される開発分野である。中間生成物構築用の可能性ある技術が反応性イオンエッチング(RIE)である。この場合、例えばウエハなどの二酸化ケイ素の本体内で、望ましい微細構造がマスク技術によりプラズマ放電反応器で作られる。
SiO微細構造構築の場合には、凝集状態のため物品上で凝縮しない揮発性フッ化珪素が、例えばCFあるいは他のフッ素含有ガスの使用で生成される。SiOは多くの良好な特性を有するガラスであり、更に、種々の形状で得ることができる。従って、SiOは、この方法に適した材料である。しかし、現在、SiOはこの微細構造構築法にとって塊形態で利用できる唯一の材料である。1つの成分として、該SiOは、多くの要求を完全には実現することができない。1つの重要な欠点は、例えば、SiOが非常に高温で(Ts=1,723℃)でのみ溶融し、従ってその製造に高いコストを要することである。ある種の形状は冷間再処理の高価な方法で実現することが可能である。更に、0.5ppm/KのSiOの低熱膨張係数は、そのSiOが他の材料、例えば、ガラスのウエハや半導体材料のウエハが結合され、それで共に処理される必要がある所謂「ウエハレベルのアセンブリ」内の半導体などの他の材料と結合する必要がある場合、欠点である。
最後に、SiOガラスの低屈折率が、高い数値の口径を備えたレンズを製造する必要がある場合に、欠点である。
この場合、半導体材料の値の範囲内の膨張係数すなわち、約2〜5ppm/Kを有し、適切な屈折率を有し、そして更に種々要求された形状で製造できるガラスが好ましいだろう。
形状、膨張係数、屈折率に関する要求を満たす一連の市販ガラスがあるが、それらのガラスが、RIEとも呼ばれる反応性イオンエッチングの使用により、形成後、構築される本体に直ちに凝縮する固体フッ化物を形成する欠点を有する。このことは、周期表の殆どの元素が室温で固体フッ化物を形成するため、公知塊状ガラスの全て、SiOを除いて、当てはまる。例えばDuran(登録商標)などのホウ珪酸ガラスが、その膨張係数が3.3ppm/Kのため、平坦ガラスとして利用でき、Siとよく結合できるが、この場合、Al,Na,Kの酸化物がFとの反応時に固体フッ化物を生成するため、RIE法の使用で発生した微細構造が低品質であるという欠点がある。RIE法とスパッタリングによって組み合わされたエッチングでこの欠点を解消する研究がある(E.MetwalliC.P.Pantano、ガラスの反応性イオンエッチング:組成物依存、Nucl.Instr.Meth.Phys.Res.B207(2003)21−27)、しかしこの研究は高価で望ましくなく、更に光学特性を備えた微細構造をこれで殆ど製造することができない。更に、達成できるエッチング速度はSiOの値の半分以上に低下し、そのため該方法の経済的望ましさが著しく低い。
同様に、文献(非結晶性固体の雑誌、342、(2004年)、110−115)での他の報告が、反応性イオンエッチング(RIE)時に、RIEによるアルカリあるいはアルカリ土類−含有ガラス又はガラスセラミックを微細構築しようとする必要があるときに、非常に複雑なプロセスが生じ、対処される必要があることを示している。
技術水準として(Electrochem.Soc.,138巻、9号、2836〜2838頁、1991年9月)、SiO、GeO、B、及びPを含有するガラス系が公知である。それらガラス系は、すなわちSiOの再流動温度より著しく低い再流動温度を有するガラスの要求のために再流動プロセスの形態での微細結合技術において使用できる。しかし、これらのガラスは少なくとも71モル%のSiOを含有し、800℃より高いガラス転移温度(Tg)が特徴である。これらのガラスの処理温度が上記文献には言及されていないが、そのガラス全てが1,400℃より明らかに高い処理温度を有することが確実に推測され、従って大きな従来の溶融ユニットでは溶融できない。
従って、微細構造構築時、特に反応性イオンエッチングの方法時に有利に挙動するガラス系を提供する必要性がある。この場合、このガラスは、フッ素との低温での反応時に、揮発性フッ化物が発生するような構成を有する必要がある。本発明では、用語「低温」で、例えばSiFあるいはBFのような酸化物から生成されたフッ化物が25℃の温度で揮発することを意味している。更に、このガラスは他の要件を満たす必要がある。該ガラスをタンクあるいは坩堝などの公知の溶融ユニットで溶融できること、そのため、該溶融温度を1,600〜1,700℃の範囲にする必要があり、それによって、ガラスをSiOの溶融温度(約2,500℃)よりかなり下にする必要があることが重要である。更に、これらガラスを種々の要求形状で製造可能にする必要があり、また、可能であれば半導体材料に匹敵する膨張係数を有する必要がある。更に可能なら、できるだけ高い屈折率と、SiOのアッベ(Abbe)数(すなわち68)とは異なるアッベ数が望ましい。
この目的は、主にB,Si,P,Ge,As,W,Yb及びLuの酸化物、好ましくはB,Si,P,Ge,As及びWの酸化物のみ、そして最も好ましくはB,Si,P及びGeの酸化物のみを含む本発明に係るガラスによって解決される。
本発明に係るSiOの反応性イオンエッチングのエッチング率より高い反応性イオンエッチングのエッチング率を有する微細構造素子用ガラスは以下の成分(モル%でのデータ)からなっている:
SiO 50〜65
GeO 5〜25
10〜18
10〜18
WO 0〜5
As 0〜5
Yb
Lu
好ましい実施形態は以下の4つの成分(モル%でのデータ)からなる:
SiO 50〜65
GeO 3〜30
10〜18
10〜18
用語「からなる」は、清澄剤の残り、あるいは原料の不純物などの通常の不純物が該組成物中に含有してもよいとするものである。
高い含有量のSiOは、ガラスが、非常に粘性が高くなり、従来のユニットでこれ以上溶融不可能なため、望ましくはない。本発明に係るガラスはSiOが40〜70モル%、好ましくは50〜70モル%、更に好ましくは60〜70モル%を含有している。40〜65モル%、好ましくは50〜65モル%、更に好ましくは60〜65モル%の含有量を備えた実施形態も可能である。
及びPの双方は、ガラスの粘度を下げる成分であり、その双方がまたガラスの化学的安定性を下げることも考慮する必要がある。化学的安定性を下げる効果は、双方の酸化物が、この発明の好ましい実施形態である略同じモル部でガラス内に存在する場合に、緩和することができる。双方の酸化物の各々5モル%部が、SiOガラスの粘度を十分下げるために必要であるが、他方で、各々20モル%部は、それを越えると、化学的安定性が大きく損なわれ、処理法及び浄化法が最早可能でないため、超えるべきではない。
は5〜20モル%、好ましくは10〜20モル%、更に好ましくは15モル%の量で存在している。また、Pは5〜20モル%、好ましくは10〜20モル%、更に好ましくは15モル%の量で存在している。
また、GeOは、ガラスの粘度を下げる成分であるが、コストを考慮してこのGeOを当業者はできるだけ少しの量で使用するだろう。この成分は0〜30モル%、3〜30モル%、7〜30モル%の量でガラスに存在することができる。この成分はガラス内に0〜20モル%、3〜20モル%、7〜20モル%の量で存在することもできる。GeOの0〜10モル%、3〜10モル%及び7〜10モル%の量の範囲も可能である。
Asは清澄剤として使用することができるが、この物質が有毒であることが公知であるため、好適にはAsを除外する必要がある。
WOはガラス成分として光学ガラスで公知である。しかし、好ましい実施形態では、このガラスが酸化状態の変化で望まないのに着色されてしまうためガラスには含有されない。
Yb及びLuは、少量部で、特にガラスを特定のガラス機能を満たす必要があるときに使用することができる。これらの酸化物の量は、0〜5モル%、1〜5モル%あるいは3〜5モル%とすることができ、これらの量において、上限5モル%を上記所定の範囲のまま4モル%としてもよい。
本発明に係るガラスは従来の溶融ユニットで有利に溶融することができる。これは、ガラスが10dPasの粘度を有する所謂、処理温度Vを特徴とするからである。本発明によれば、1,000℃〜1,400℃の値がここでは達成されるが、SiOの処理温度は約2,350℃にもなる。
本発明に係るガラスの処理温度(V)は1,000〜1,400℃、好ましくは1,050〜1,350℃、最も好ましくは、1,100〜1,300℃の範囲にある。
ガラスの処理性の更に重要なパラメータはガラス転移温度Tgである。この温度Tgは粘性と弾性を合わせ持つ過冷溶融物が、弾性で従って固体のガラスに変化することを特徴とする。ガラスグループ内で、V及びTgが互いに強く相互関連している。本ガラスグループでは、1400℃以下のVの処理温度の要件は、700℃以下のガラス転移温度の要件に略対応している。
本発明に係るガラスの膨張係数は、3〜6ppm/K、好ましくは4〜5.5ppm/K、最も好ましくは4.3〜5.3ppm/Kの範囲にある。
本発明に係るガラスの屈折率は、1.48〜1.55、好ましくは1.495〜1.525の範囲にある。
本発明に係るガラスのアッベ数は好適にも58〜66の範囲にある。約61のアッベ数と約0.53のPGF値(この値は可視スペクトル領域での屈折率のばらつきを特徴付ける)を有するガラスが異常な光学状態を有することは公知である。従って、同時に、それらのガラスは通常の画像用光学素子のガラスとして十分に使用することができる。
本発明に係るガラスは、微細構造を特に反応性イオンエッチングを使用するような方法で形成する製造方法での優れたやり方で使用することができる。本発明に係るガラスは、SiOより高いRIEエッチング速度を有し、すなわち、プラズマガスとしてCFとSFをそれぞれ使用した場合に該エッチング速度がそれぞれ2倍、3倍高かった。
微細構造構築用技術は少量のガラスが一般的に対象となるため、容易に溶融できて安定であり、そのために多くの形成方法で処理できる本発明に係るガラスの技術的利点が注目の的になり、高価な開始用成分の酸化ゲルマニウムのコストを完全に補償する。
製造例
以下の方法により、以下のガラス1〜8を製造した。なお、ガラス2〜4,8は本発明の実施例であり、ガラス1,5〜7は参考例である。各ガラスをガスオーブン内で1/2リットルの溶融体積の石英坩堝で1,550〜1,700℃の温度で溶融し、続いてPt(白金)坩堝内に注型した。このPt坩堝内で、ガラスを同じ温度か少し高い温度で1〜2時間清澄し、続いて、該ガラスを同じ温度か少し低い温度で約1/2時間攪拌した。粘性ガラスの場合、坩堝を滴下のため約1,700℃の高温オーブン内に更に4〜8時間入れた。続いて、ガラスを金属金型に注入し、600〜730℃の温度に予備加熱したオーブン内に入れ、中に1/2時間配置したままにし、続いてゆっくり冷却した。
とPは容易に揮発する成分である。またGeOはSiOより容易に蒸発する。以下の実施例では、組成物の総合値がモル%で示される。溶融後、開始用組成物はより多くのSiOを含有する組成物に変わっている。

成分 ガラス ガラス ガラス ガラス ガラス ガラス ガラス ガラス
1 2 3 4 5 6 7 8
SiO 40 50 60 60 50 70 60 60
GeO 30 20 10 20 30 0 0 7
15 15 15 10 10 15 15 15
15 15 15 10 10 15 15 15
WO0 0 0 0 0 0 10 0
As0 0 0 0 0 0 0 3
以下の表では、上記ガラスの特性がまとめられている。ここでは、アルファはppm/Kで示す膨張係数であり、SRは光学ガラス用の規格ISO8424により測定された酸安定度であり、nは屈折率である。

Va Tg Alpha SR 屈折率(n) アッベ数
ガラス1 1024 592 5.49 4 1.536 59.6
ガラス2 1130 626 4.98 4 1.518 62.6
ガラス3 1203 661 4.62 3 1.506 65.3
ガラス4 1331 640 4.49 3 1.507 62.2
ガラス5 1239 599 4.96 4 1.524 58.8
ガラス6 nm* 702 4.04 2 nm* nm*
ガラス7 nm* 657 4.03 nm* nm* nm*
ガラス8 1162 641 4.65 3 1.511 63.2
nm*は測定されていないことを意味する。
またVaとTgは共に(℃)で示す。
特に、高処理温度を有するガラスは1/2リットルだけの体積の坩堝で適度な均質性で製造することができる。従って、所定の特性値は高度な標準偏差を有することができ、その他の点は一般的である。特に、これは光学定数、屈折率及びアッベ数に当てはまる。
これらのガラスの値は、本発明に係るガラスが低い処理温度及び/又はガラス転移温度の所望の特性を満たし、従って従来の溶融ユニットでの製造を容易にすることを示している。膨張係数、屈折率及びアッベ数などの他の特性に関する要件は十分満たしている。特に、本発明に係るガラスの膨張係数はSiOの膨張係数よりSiに非常に近い。更に、本発明に係るガラスの屈折率及びアッベ数はSiOのそれらとは明らかに異なるため、それらガラスをSiOに対し相補的方法で画像用光学素子に有利に使用することができる。

Claims (5)

  1. 以下の成分(モル%で)
    SiO 50〜65
    GeO 5〜25
    10〜18
    10〜18
    WO 0〜5
    As 0〜5
    Yb
    Lu
    からなり、SiOの反応性イオンエッチングのエッチング率より高い反応性イオンエッチングのエッチング率を有する微細構造素子用ガラス。
  2. 酸化タングステン及び酸化砒素が含有されていない、請求項1に記載のガラス。
  3. 以下の成分(モル%で)
    SiO 57〜63
    GeO 5〜12
    12〜17
    12〜17
    からなる、請求項1又は2のいずれか1項に記載のガラス。
  4. 以下の工程、すなわち、
    −耐火煉瓦を有する従来のタンクであるいは白金(Pt)又は白金/ロジウム(Rh)坩堝で均質なガラスを溶融する工程と、
    −注型、ロール圧延、引き上げ、あるいはフロート法による平坦ガラスの形成工程と、
    −ガラス未加工形態をウエハに冷間仕上げする工程を有する、請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載のガラスの製造方法。
  5. マイクロアレー、フレネルレンズ、マイクロウエハ、又はマイクロレンズウエハへの、請求項1ないし請求項のいずれか一項に係るガラスの使用。
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