JP2883328B2 - 磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスク - Google Patents
磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスクInfo
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
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- C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- Glass Compositions (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】コンピューター等に用いられ
る磁気情報記憶媒体の中で、いわゆるハードディスクや
リムーバブルディスクと磁気ヘッドとの稼働時の間隔、
すなわちフライングハイトの量（以下「磁気ヘッド浮上
量」という）を測定する際に、磁気ディスクの代用とし
て用いられる透明模擬ディスク基板用ガラスに関する。
る磁気情報記憶媒体の中で、いわゆるハードディスクや
リムーバブルディスクと磁気ヘッドとの稼働時の間隔、
すなわちフライングハイトの量（以下「磁気ヘッド浮上
量」という）を測定する際に、磁気ディスクの代用とし
て用いられる透明模擬ディスク基板用ガラスに関する。
【０００２】近年半導体業界では、ハードディスク用磁
気ディスクの記録密度が急速に高まりつつあるが、記録
密度の向上により、ハードディスクドライブ装置の磁気
ヘッドと磁気ディスクとの距離、すなわち磁気ヘッド浮
上量を小さくする必要があり、近年では磁気ヘッド浮上
量は約２５〜５０ｎｍにまで近づきつつある。それに伴
い各磁気ディスクメーカー、またはハードディスクドラ
イブ装置メーカーでは、磁気ヘッドの浮上試験におい
て、磁気ディスクの代用として透明模擬ディスクを使用
し、入射光の干渉等から磁気ヘッド浮上量の測定を行っ
ている。この透明模擬ディスクは単なるガラスや石英ガ
ラス製の基板本体だけであるため、非常に高抵抗であ
り、帯電しやすい。
気ディスクの記録密度が急速に高まりつつあるが、記録
密度の向上により、ハードディスクドライブ装置の磁気
ヘッドと磁気ディスクとの距離、すなわち磁気ヘッド浮
上量を小さくする必要があり、近年では磁気ヘッド浮上
量は約２５〜５０ｎｍにまで近づきつつある。それに伴
い各磁気ディスクメーカー、またはハードディスクドラ
イブ装置メーカーでは、磁気ヘッドの浮上試験におい
て、磁気ディスクの代用として透明模擬ディスクを使用
し、入射光の干渉等から磁気ヘッド浮上量の測定を行っ
ている。この透明模擬ディスクは単なるガラスや石英ガ
ラス製の基板本体だけであるため、非常に高抵抗であ
り、帯電しやすい。
【０００３】この帯電が大きくなると、次式に示すよう
に、 Ｆ＝ｋ×ｑ1×ｑ2／ｒ2 Ｆ：クーロン力，ｋ：比例定数，ｑ１，ｑ２：帯電電荷
量，ｒ：距離 磁気ヘッドと模擬ディスク間に働くクーロン力（この場
合は引力）が増加し、このクーロン力により、磁気ヘッ
ド浮上量の測定誤差を生じたり、更に帯電量が増加する
と、ヘッドクラッシュを生じやすくなる。そして浮上試
験中に、磁気ヘッドが透明模擬ディスク基板に接触する
と、帯電電荷が電流となって、磁気ヘッド側へ流れ、こ
の電流によるジュール熱等により、磁気ヘッドを破損し
てしまうため、浮上試験ができなくなり、問題となって
いる。
に、 Ｆ＝ｋ×ｑ1×ｑ2／ｒ2 Ｆ：クーロン力，ｋ：比例定数，ｑ１，ｑ２：帯電電荷
量，ｒ：距離 磁気ヘッドと模擬ディスク間に働くクーロン力（この場
合は引力）が増加し、このクーロン力により、磁気ヘッ
ド浮上量の測定誤差を生じたり、更に帯電量が増加する
と、ヘッドクラッシュを生じやすくなる。そして浮上試
験中に、磁気ヘッドが透明模擬ディスク基板に接触する
と、帯電電荷が電流となって、磁気ヘッド側へ流れ、こ
の電流によるジュール熱等により、磁気ヘッドを破損し
てしまうため、浮上試験ができなくなり、問題となって
いる。
【０００４】特に近年は記録媒体の高密度化傾向に伴っ
て、磁気ヘッド゛浮上量が低減されつつあるが、上記の
式により磁気ヘッドと模擬ディスク間に働くクーロン力
は距離の２乗に反比例の関係にあることから、帯電電荷
のクーロン力による、ヘッド浮上量の測定誤差やヘッド
クラッシュを生じやすい傾向となるため、これらの帯電
電荷の低減が大きな課題となっている。
て、磁気ヘッド゛浮上量が低減されつつあるが、上記の
式により磁気ヘッドと模擬ディスク間に働くクーロン力
は距離の２乗に反比例の関係にあることから、帯電電荷
のクーロン力による、ヘッド浮上量の測定誤差やヘッド
クラッシュを生じやすい傾向となるため、これらの帯電
電荷の低減が大きな課題となっている。
【０００５】例えば、特開平３−３１７７に記載されて
いる従来の装置は、紫外光あるいは可視光を使用して磁
気ヘッド浮上量の測定を行っているが、透明模擬ディス
クの電気抵抗率が約１０15〜１０16Ωcmあるいはそれ以
上であるため、透明模擬ディスク上に帯電を生じ、この
帯電電荷の放電によって、浮上試験用磁気ヘッドの破損
を生じている。しかも、磁気ヘッド浮上量が小さくなる
につれて、放電する電圧が低くなるため、破損頻度が増
える傾向となっている。このような問題は、従来の透明
模擬ディスクが非常に高い電気抵抗値を有していること
に起因している。
いる従来の装置は、紫外光あるいは可視光を使用して磁
気ヘッド浮上量の測定を行っているが、透明模擬ディス
クの電気抵抗率が約１０15〜１０16Ωcmあるいはそれ以
上であるため、透明模擬ディスク上に帯電を生じ、この
帯電電荷の放電によって、浮上試験用磁気ヘッドの破損
を生じている。しかも、磁気ヘッド浮上量が小さくなる
につれて、放電する電圧が低くなるため、破損頻度が増
える傾向となっている。このような問題は、従来の透明
模擬ディスクが非常に高い電気抵抗値を有していること
に起因している。
【０００６】また、ディスク表面の電気抵抗を低減すべ
く、ＣＶＤ法，ＰＶＤ法，スパッタ法，真空蒸着法等の
薄膜作成技術を用いて、ディスク表面に導電性薄膜を形
成する方法が考案されている。この導電性薄膜をアース
することにより、帯電電荷の蓄積を抑え、接触時の電流
による浮上試験用磁気ヘッドの破損を減らすことがで
き、更にディスク上への塵や埃の蓄積を防止する効果も
ある。しかし、この方法では、薄膜により光の透過率が
低下すること、更に薄膜とガラスの界面が光学的な影響
を及ぼしてしまうことによって、測定に誤差を生じ易
く、さらに磁気ヘッドの接触などにより、薄膜が剥離す
るおそれもある。
く、ＣＶＤ法，ＰＶＤ法，スパッタ法，真空蒸着法等の
薄膜作成技術を用いて、ディスク表面に導電性薄膜を形
成する方法が考案されている。この導電性薄膜をアース
することにより、帯電電荷の蓄積を抑え、接触時の電流
による浮上試験用磁気ヘッドの破損を減らすことがで
き、更にディスク上への塵や埃の蓄積を防止する効果も
ある。しかし、この方法では、薄膜により光の透過率が
低下すること、更に薄膜とガラスの界面が光学的な影響
を及ぼしてしまうことによって、測定に誤差を生じ易
く、さらに磁気ヘッドの接触などにより、薄膜が剥離す
るおそれもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、磁気
ヘッド浮上量測定用透明模擬ディスクに導電性を持たせ
ることにより、ディスク上に塵，埃等の静電付着を防止
しすると共に、磁気ヘッドの接触時に、帯電電荷の電流
によって生じるヘッド破損を防止し、また光学的にも従
来の透明模擬ディスク（導電性薄膜を有しないもの）と
同等の透過性および均質性を有する、耐摩耗性の高い、
ガラスもしくは透明結晶化ガラス製模擬ディスクを得る
ことにある。
ヘッド浮上量測定用透明模擬ディスクに導電性を持たせ
ることにより、ディスク上に塵，埃等の静電付着を防止
しすると共に、磁気ヘッドの接触時に、帯電電荷の電流
によって生じるヘッド破損を防止し、また光学的にも従
来の透明模擬ディスク（導電性薄膜を有しないもの）と
同等の透過性および均質性を有する、耐摩耗性の高い、
ガラスもしくは透明結晶化ガラス製模擬ディスクを得る
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者は鋭意試験研究を行った結果、電気抵抗率
が１０8〜１０14Ωcmであり、摩耗度が９０以下のＳｉ
Ｏ2−Ｒ2Ｏ系ガラスもしくは結晶化ガラスからなる、透
明模擬ディスクを用いることによって、従来の方法で問
題となっていた諸点を解決できることを見いだし、本発
明に至った。
め、本発明者は鋭意試験研究を行った結果、電気抵抗率
が１０8〜１０14Ωcmであり、摩耗度が９０以下のＳｉ
Ｏ2−Ｒ2Ｏ系ガラスもしくは結晶化ガラスからなる、透
明模擬ディスクを用いることによって、従来の方法で問
題となっていた諸点を解決できることを見いだし、本発
明に至った。
【０００９】すなわち、請求項１に記載の発明は、Ｓｉ
Ｏ2−Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）系ガラスまたは結晶
化ガラスにおいて、１０8〜１０14Ωcmの電気抵抗率を
有し、摩耗度が９０以下であるガラスまたは結晶化ガラ
スからなる、磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスクであ
る。
Ｏ2−Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）系ガラスまたは結晶
化ガラスにおいて、１０8〜１０14Ωcmの電気抵抗率を
有し、摩耗度が９０以下であるガラスまたは結晶化ガラ
スからなる、磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスクであ
る。
【００１０】請求項２に記載の発明は、重量％で、 ＳｉＯ2 ４０〜８５％ Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ） ２〜３０％ Ｐ2Ｏ5 ０〜１５％ Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3 ０〜３５％ Ｒ’Ｏ（Ｒ’＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｐｂ） ０〜３５％ ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０〜１０％ Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜 ２％ Ｌａ2Ｏ3＋Ｙ2Ｏ3＋Ｇｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ3 ０〜１０％ からなり、１０8〜１０14Ωcmの電気抵抗率を有し、摩
耗度が９０以下であるガラスからなる磁気ヘッド浮上量
測定用模擬ディスクである。
耗度が９０以下であるガラスからなる磁気ヘッド浮上量
測定用模擬ディスクである。
【００１１】請求項３に記載の発明は、重量％で、 ＳｉＯ2 ４８〜６５％ Ｐ2Ｏ5 ０〜１５％ 但し、ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5 ５０〜７０％ Ａｌ2Ｏ3 １５〜３０％ Ｌｉ2Ｏ ２〜１０％ ＭｇＯ ０〜 ８％ ＺｎＯ ０〜 ８％ ＣａＯ ０〜 ８％ ＢａＯ ０〜 ７％ ＴｉＯ2 ０〜 ７％ ＺｒＯ2 ０〜 ７％ 但し、ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０．５〜１０％ Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜 ２％ からなり、１０8〜１０13Ωcmの電気抵抗率を有し、摩
耗度が７５以下である透明結晶化ガラスからなる磁気ヘ
ッド浮上量測定用模擬ディスクである。
耗度が７５以下である透明結晶化ガラスからなる磁気ヘ
ッド浮上量測定用模擬ディスクである。
【００１２】請求項４に記載の発明は、上記の組成のガ
ラス原料を溶融，成形および徐冷後、核形成工程を６５
０〜７５０℃，結晶化工程を７５０〜８５０℃にて熱処
理することにより得られる透明結晶化ガラスからなり、
１０8〜１０13Ωcmの電気抵抗率を有し、摩耗度が７５
以下であることを特徴とする、請求項３に記載の磁気ヘ
ッド浮上量測定用模擬ディスクである。
ラス原料を溶融，成形および徐冷後、核形成工程を６５
０〜７５０℃，結晶化工程を７５０〜８５０℃にて熱処
理することにより得られる透明結晶化ガラスからなり、
１０8〜１０13Ωcmの電気抵抗率を有し、摩耗度が７５
以下であることを特徴とする、請求項３に記載の磁気ヘ
ッド浮上量測定用模擬ディスクである。
【００１３】以下に本発明に係る模擬ディスクに使用す
るガラスまたは結晶化ガラスの特性についての限定理由
について述べる。本発明の模擬ディスクに使用する原料
は、ＳｉＯ2−Ｒ2Ｏ系のガラスもしくは結晶化ガラスで
ある。ＳｉＯ2系ガラスは、強度が高く、耐摩耗性や化
学的安定性や耐久性が高く、本発明の目的に用いるガラ
ス基板として、機械的要素は十分備えている。しかしこ
れだけでは電気抵抗が高く、本発明の課題を解決するに
は至らない。そこで上記機械的要素は必要十分でありな
がらも、電気抵抗を下げるべく、Ｒ2Ｏ成分を添加した
系とした。Ｒ2Ｏ、すなわちアルカリ成分はガラスの電
気抵抗を低減させる効果を持っているが、混合アルカリ
効果を防ぐため、なるべく単一のアルカリ成分を多く
し、電気抵抗を低減させている。
るガラスまたは結晶化ガラスの特性についての限定理由
について述べる。本発明の模擬ディスクに使用する原料
は、ＳｉＯ2−Ｒ2Ｏ系のガラスもしくは結晶化ガラスで
ある。ＳｉＯ2系ガラスは、強度が高く、耐摩耗性や化
学的安定性や耐久性が高く、本発明の目的に用いるガラ
ス基板として、機械的要素は十分備えている。しかしこ
れだけでは電気抵抗が高く、本発明の課題を解決するに
は至らない。そこで上記機械的要素は必要十分でありな
がらも、電気抵抗を下げるべく、Ｒ2Ｏ成分を添加した
系とした。Ｒ2Ｏ、すなわちアルカリ成分はガラスの電
気抵抗を低減させる効果を持っているが、混合アルカリ
効果を防ぐため、なるべく単一のアルカリ成分を多く
し、電気抵抗を低減させている。
【００１４】電気抵抗率については、１０8〜１０14Ωc
mの範囲内にあることが必要である。電気抵抗率をこの
ように限定した理由は、電気抵抗率が１０14Ωcmより高
くなると、前述のような帯電電荷による磁気ヘッドの破
損を生じ、また１０8Ωcmより小さくすると、ガラス中
にアルカリ元素を多量に含有させなければならず、ガラ
スの強度，耐久性，耐摩耗性，化学的安定性が著しく低
下してしまう。好ましい範囲は１０8〜１０13Ωcmであ
り、更に好ましい範囲は１０8〜１０12Ωcmである。
mの範囲内にあることが必要である。電気抵抗率をこの
ように限定した理由は、電気抵抗率が１０14Ωcmより高
くなると、前述のような帯電電荷による磁気ヘッドの破
損を生じ、また１０8Ωcmより小さくすると、ガラス中
にアルカリ元素を多量に含有させなければならず、ガラ
スの強度，耐久性，耐摩耗性，化学的安定性が著しく低
下してしまう。好ましい範囲は１０8〜１０13Ωcmであ
り、更に好ましい範囲は１０8〜１０12Ωcmである。
【００１５】摩耗度については、９０より高いとヘッド
の接触による摩耗を生じた時、表面が削れてしまい、測
定をしていくに伴って、基板表面の平坦性の低下や、研
磨粉の発生による測定誤差の拡大を生じる。好ましい範
囲は７５以下であり、更に好ましい範囲は７０以下であ
る。
の接触による摩耗を生じた時、表面が削れてしまい、測
定をしていくに伴って、基板表面の平坦性の低下や、研
磨粉の発生による測定誤差の拡大を生じる。好ましい範
囲は７５以下であり、更に好ましい範囲は７０以下であ
る。
【００１６】請求項２に記載の模擬ディスクに使用する
ガラスの組成を限定した理由は以下の通りである。
ガラスの組成を限定した理由は以下の通りである。
【００１７】ＳｉＯ2成分は本発明の主成分であるが、
その量が４０％未満では、ガラス化が困難となり、また
８５％を越えるとガラスの溶融および清澄が困難とな
り、光学的な均質性，耐久性，化学的安定性，耐摩耗性
の低下，機械的強度の低下を招く。好ましくは４８〜８
０％であり、更に好ましくは、４８〜７０％である。
その量が４０％未満では、ガラス化が困難となり、また
８５％を越えるとガラスの溶融および清澄が困難とな
り、光学的な均質性，耐久性，化学的安定性，耐摩耗性
の低下，機械的強度の低下を招く。好ましくは４８〜８
０％であり、更に好ましくは、４８〜７０％である。
【００１８】Ｒ2Ｏ成分は前述のように、電気抵抗率を
下げる効果がある。特にＬｉ，Ｎａ，Ｋはその効果が高
く、この中でもＬｉが最もその効果が著しい。これらの
含有量が２％未満では、所望の電気抵抗率が得られず、
３０％を越えると化学的耐久性，耐摩耗性，機械的強度
が著しく低下する。好ましくはＬｉ2Ｏ＝０〜１５％，
Ｎａ2Ｏ＝０〜３０％，Ｋ2Ｏ＝０〜３０％，但しＬｉ2
Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＝２〜３０％であり、更に好ましく
は、Ｌｉ2Ｏ＝０〜１５％，Ｎａ2Ｏ＝０〜３０％，Ｋ2
Ｏ＝０〜３０％，但しＬｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＝５〜
３０％である。
下げる効果がある。特にＬｉ，Ｎａ，Ｋはその効果が高
く、この中でもＬｉが最もその効果が著しい。これらの
含有量が２％未満では、所望の電気抵抗率が得られず、
３０％を越えると化学的耐久性，耐摩耗性，機械的強度
が著しく低下する。好ましくはＬｉ2Ｏ＝０〜１５％，
Ｎａ2Ｏ＝０〜３０％，Ｋ2Ｏ＝０〜３０％，但しＬｉ2
Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＝２〜３０％であり、更に好ましく
は、Ｌｉ2Ｏ＝０〜１５％，Ｎａ2Ｏ＝０〜３０％，Ｋ2
Ｏ＝０〜３０％，但しＬｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＝５〜
３０％である。
【００１９】Ｂ2Ｏ3はガラスの編目構造を形成する役割
と、熱膨張率を低減させる効果を有し、Ａｌ2Ｏ3は失透
を抑制し、化学的耐久性や機械的強度や耐摩耗性の向上
をもたらす効果を有する。
と、熱膨張率を低減させる効果を有し、Ａｌ2Ｏ3は失透
を抑制し、化学的耐久性や機械的強度や耐摩耗性の向上
をもたらす効果を有する。
【００２０】これら２成分は、求めるガラスの特性(透
過率，熱膨張率，機械的強度等)によって選択される
が、Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3＝０〜３５％の範囲内で用いられ
る。この２成分が３５％を越えると、耐失透性が低下す
る。また、Ｂ2Ｏ3は２０％を越えると化学的耐久性の低
下が、Ａｌ2Ｏ3は３０％を越えると電気抵抗率が増大す
る傾向が認められるため、好ましくは、Ｂ2Ｏ3＝０〜２
０％、Ａｌ2Ｏ3＝０〜３０％、但しＢ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3＝
２〜３５％であり、更に好ましくは、Ｂ2Ｏ3＝０〜２０
％、Ａｌ2Ｏ3＝０〜３０％、但しＢ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3＝２
〜３０％である。
過率，熱膨張率，機械的強度等)によって選択される
が、Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3＝０〜３５％の範囲内で用いられ
る。この２成分が３５％を越えると、耐失透性が低下す
る。また、Ｂ2Ｏ3は２０％を越えると化学的耐久性の低
下が、Ａｌ2Ｏ3は３０％を越えると電気抵抗率が増大す
る傾向が認められるため、好ましくは、Ｂ2Ｏ3＝０〜２
０％、Ａｌ2Ｏ3＝０〜３０％、但しＢ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3＝
２〜３５％であり、更に好ましくは、Ｂ2Ｏ3＝０〜２０
％、Ａｌ2Ｏ3＝０〜３０％、但しＢ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3＝２
〜３０％である。
【００２１】Ｒ’Ｏ（但し、Ｒ’＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂａ，Ｚｎ，Ｐｂ）はガラスの耐失透性を向上させる効
果を有するために添加しうるが、その量が３５％を越え
ると、化学的耐久性の低下や溶融性が低下し、更に耐失
透性についても、過剰状態のため低下する。
Ｂａ，Ｚｎ，Ｐｂ）はガラスの耐失透性を向上させる効
果を有するために添加しうるが、その量が３５％を越え
ると、化学的耐久性の低下や溶融性が低下し、更に耐失
透性についても、過剰状態のため低下する。
【００２２】これらＲ’Ｏ：６成分は、求めるガラスの
特性によって選択されるが、それぞれ単独では、ＭｇＯ
は、耐失透性の向上効果を有するものであるが、１０％
を越えると、逆に失透性が低下する傾向が認められるた
め、１０％以下が好ましい。ＺｎＯはガラスの熱膨張率
を低下させ、化学的耐久性を向上させる効果を有する
が、３０％を越えると、耐失透性が低下する傾向が認め
られるため、３０％以下が好ましい。特に好ましくは８
％以下である。ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯもＺｎＯと同様
の効果および傾向であり、上記各成分はそれぞれ３０％
以下が望ましい。ＰｂＯは溶融性改善の効果を有する
が、他成分によってその効果を補うことが可能である。
以上のことから、この６成分全体としての望ましい範囲
は３５％以下であり、好ましくはＭｇＯ＝１０％以下，
ＣａＯ＝３０％以下，ＳｒＯ＝３０％以下，ＢａＯ＝３
０％以下，ＺｎＯ＝３０％以下，但し、Ｒ’Ｏとして３
５％以下、更に好ましい範囲はＭｇＯ＝８％以下，Ｃａ
Ｏ＝２０％以下，ＳｒＯ＝２０％以下，ＢａＯ＝２０％
以下，ＺｎＯ＝２０％以下、但し、Ｒ’Ｏとして３０％
以下である。
特性によって選択されるが、それぞれ単独では、ＭｇＯ
は、耐失透性の向上効果を有するものであるが、１０％
を越えると、逆に失透性が低下する傾向が認められるた
め、１０％以下が好ましい。ＺｎＯはガラスの熱膨張率
を低下させ、化学的耐久性を向上させる効果を有する
が、３０％を越えると、耐失透性が低下する傾向が認め
られるため、３０％以下が好ましい。特に好ましくは８
％以下である。ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯもＺｎＯと同様
の効果および傾向であり、上記各成分はそれぞれ３０％
以下が望ましい。ＰｂＯは溶融性改善の効果を有する
が、他成分によってその効果を補うことが可能である。
以上のことから、この６成分全体としての望ましい範囲
は３５％以下であり、好ましくはＭｇＯ＝１０％以下，
ＣａＯ＝３０％以下，ＳｒＯ＝３０％以下，ＢａＯ＝３
０％以下，ＺｎＯ＝３０％以下，但し、Ｒ’Ｏとして３
５％以下、更に好ましい範囲はＭｇＯ＝８％以下，Ｃａ
Ｏ＝２０％以下，ＳｒＯ＝２０％以下，ＢａＯ＝２０％
以下，ＺｎＯ＝２０％以下、但し、Ｒ’Ｏとして３０％
以下である。
【００２３】Ｐ2Ｏ5はＢ2Ｏ3と同様に、ガラスの編目構
造を形成する役割や、ガラスの清澄を向上させる効果を
有するが、１５％を越えると、透過性が著しく低下す
る。好ましくは、１０％以下であり、更に好ましくは７
％以下である。
造を形成する役割や、ガラスの清澄を向上させる効果を
有するが、１５％を越えると、透過性が著しく低下す
る。好ましくは、１０％以下であり、更に好ましくは７
％以下である。
【００２４】ＴｉＯ2は熱膨張率を低下させる成分であ
り、ＺｒＯ2は機械的強度を向上させる成分であるが、
この２成分の合計が１０％を越えると、ガラス化が困難
となる。好ましくは、この２成分の合計が８％以下であ
り、更に好ましくは、ＴｉＯ2が６％以下、ＺｒＯ2が６
％以下、但しこの２成分の合計が８％以下である。
り、ＺｒＯ2は機械的強度を向上させる成分であるが、
この２成分の合計が１０％を越えると、ガラス化が困難
となる。好ましくは、この２成分の合計が８％以下であ
り、更に好ましくは、ＴｉＯ2が６％以下、ＺｒＯ2が６
％以下、但しこの２成分の合計が８％以下である。
【００２５】Ａｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3は共に溶融の際に
清澄剤として添加し得るが、その量は２％以下で十分で
ある。
清澄剤として添加し得るが、その量は２％以下で十分で
ある。
【００２６】Ｌａ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3の
各成分は化学的耐久性を向上させる成分であるが、１０
％を越えると、耐失透性が急激に低下する。好ましくは
８％以下、更に好ましくは６％以下の範囲である。
各成分は化学的耐久性を向上させる成分であるが、１０
％を越えると、耐失透性が急激に低下する。好ましくは
８％以下、更に好ましくは６％以下の範囲である。
【００２７】請求項３に記載の模擬ディスクに使用する
透明結晶化ガラスの組成を限定した理由は以下の通りで
ある。
透明結晶化ガラスの組成を限定した理由は以下の通りで
ある。
【００２８】ＳｉＯ2成分は前述のガラスの場合と同様
に本発明の主成分であるが、その量が４８％未満では、
得られる結晶化ガラスの結晶粒径が粗大化し、透過性が
低下する。また、６５％を越えると溶融時の清澄が困難
となり、光学的均質性が低下する。好ましい範囲は、５
０〜６３％であり、更に好ましい範囲は５３〜６０％で
ある。
に本発明の主成分であるが、その量が４８％未満では、
得られる結晶化ガラスの結晶粒径が粗大化し、透過性が
低下する。また、６５％を越えると溶融時の清澄が困難
となり、光学的均質性が低下する。好ましい範囲は、５
０〜６３％であり、更に好ましい範囲は５３〜６０％で
ある。
【００２９】Ｐ2Ｏ5は、ガラスの清澄を向上させる効果
を有するが、１５％を越えると、結晶化ガラスの結晶粒
径が粗大化し、透過性が著しく低下する。好まし範囲は
１０％以下である。
を有するが、１５％を越えると、結晶化ガラスの結晶粒
径が粗大化し、透過性が著しく低下する。好まし範囲は
１０％以下である。
【００３０】また、上記効果を向上させるには、ＳｉＯ
2とＰ2Ｏ5の合計量は５０〜７０％であることが望まし
く、更に好ましくは５５〜７０％である。
2とＰ2Ｏ5の合計量は５０〜７０％であることが望まし
く、更に好ましくは５５〜７０％である。
【００３１】Ａｌ2Ｏ3は失透を抑制すると共に、化学的
耐久性や機械的強度を向上させる効果、更に、摩耗度を
低減する効果を有している。この量が１５％以下ではそ
の効果が得られず、３０％以上では所望の電気抵抗率が
得られない。好ましい範囲は２０〜２８％であり、更に
好ましい範囲は２０〜２５％である。
耐久性や機械的強度を向上させる効果、更に、摩耗度を
低減する効果を有している。この量が１５％以下ではそ
の効果が得られず、３０％以上では所望の電気抵抗率が
得られない。好ましい範囲は２０〜２８％であり、更に
好ましい範囲は２０〜２５％である。
【００３２】Ｌｉ2Ｏは、前述のガラスの場合の効果と
同様に、電気抵抗率を低下させる効果を有すると共に、
β-石英またはβ-石英固溶体結晶の構成要素であり、２
％未満では所望の電気抵抗率が得られず、１０％を越え
ると、結晶粒径が粗大化し、透過性が著しく低下する。
好ましい範囲は２〜８％であり、更に好ましい範囲は３
〜７％である。
同様に、電気抵抗率を低下させる効果を有すると共に、
β-石英またはβ-石英固溶体結晶の構成要素であり、２
％未満では所望の電気抵抗率が得られず、１０％を越え
ると、結晶粒径が粗大化し、透過性が著しく低下する。
好ましい範囲は２〜８％であり、更に好ましい範囲は３
〜７％である。
【００３３】ＭｇＯは耐失透性の向上と透過性の向上を
もたらす効果を有するために添加しうるが、８％を越え
ると、所望の結晶粒が析出し難くなる。好ましい範囲は
６％以下、更に好ましい範囲は、５％以下である。
もたらす効果を有するために添加しうるが、８％を越え
ると、所望の結晶粒が析出し難くなる。好ましい範囲は
６％以下、更に好ましい範囲は、５％以下である。
【００３４】ＺｎＯは所望の結晶粒を得るために添加し
うるが、８％を越えると、所望の結晶粒が得られず、更
に耐失透性が急激に低下する。好ましい範囲は６％以下
であり、更に好ましい範囲は５％以下である。
うるが、８％を越えると、所望の結晶粒が得られず、更
に耐失透性が急激に低下する。好ましい範囲は６％以下
であり、更に好ましい範囲は５％以下である。
【００３５】ＣａＯ，ＢａＯの２成分は、結晶化ガラス
中に析出した結晶相以外のガラスマトリックスの成分微
調整成分として重要である。しかし、ＣａＯが５％を越
えると、また、ＢａＯが７％を越えると、いずれも耐失
透性が低下する。ＢａＯについては、溶融性の悪化もも
たらす。好ましい範囲はＣａＯ＝０．２〜４．５％，Ｂ
ａＯ＝０．２〜６％であり、更に好ましい範囲は、Ｃａ
Ｏ＝０．５〜４％、ＢａＯ＝０．５〜５％である。
中に析出した結晶相以外のガラスマトリックスの成分微
調整成分として重要である。しかし、ＣａＯが５％を越
えると、また、ＢａＯが７％を越えると、いずれも耐失
透性が低下する。ＢａＯについては、溶融性の悪化もも
たらす。好ましい範囲はＣａＯ＝０．２〜４．５％，Ｂ
ａＯ＝０．２〜６％であり、更に好ましい範囲は、Ｃａ
Ｏ＝０．５〜４％、ＢａＯ＝０．５〜５％である。
【００３６】ＴｉＯ2，ＺｒＯ2は、いずれも結晶の核形
成剤として機能するので、少なくともその１種を添加す
ることが不可欠である。更にＴｉＯ2については、熱膨
張率を低下させる効果を有し、ＺｒＯ2は機械的強度を
向上させる効果を有する。しかし、これら成分がそれぞ
れ７％を越えると、結晶化ガラスの透過性および耐失透
性が著しく低下する。好ましい範囲は双方ともそれぞれ
０．５〜６％、更に好ましい範囲は同様に０．５〜５％
である。
成剤として機能するので、少なくともその１種を添加す
ることが不可欠である。更にＴｉＯ2については、熱膨
張率を低下させる効果を有し、ＺｒＯ2は機械的強度を
向上させる効果を有する。しかし、これら成分がそれぞ
れ７％を越えると、結晶化ガラスの透過性および耐失透
性が著しく低下する。好ましい範囲は双方ともそれぞれ
０．５〜６％、更に好ましい範囲は同様に０．５〜５％
である。
【００３７】Ａｓ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3はガラス溶融時の清澄
剤として添加し得るが、これらの１種または２種の合計
量は２％で十分である。
剤として添加し得るが、これらの１種または２種の合計
量は２％で十分である。
【００３８】熱処理は、ガラス中に結晶粒を析出させる
ことにより、機械的強度を向上させるという目的のため
に行う。一方、析出した結晶粒の粒径が大きいものであ
ると透明性を実現できない。（十分な透明性のために
は、析出結晶粒径が３００Å以下であることが望まし
い。）したがって、前記の適切な組成範囲を有する原ガ
ラスを、適切な温度のもとで核形成工程と結晶化工程を
行うことによって、所望の結晶粒を析出させた後、所望
の結晶粒径まで成長させなければならない。このため、
熱処理温度の管理は十分に行わなければならない。核形
成温度が６５０℃未満および７５０℃を越えると、所望
の結晶核が得られず、所望の機械的強度が得られない。
結晶化工程については、７５０℃未満では所望の結晶粒
径に成長させることができず、８５０℃を越えると、結
晶成長速度が速く且つ不均一になるため、透過性および
機械的強度の低下を招く。好ましくは、核形成工程＝６
８０〜７５０℃、結晶化工程＝７８０〜８５０℃であ
る。
ことにより、機械的強度を向上させるという目的のため
に行う。一方、析出した結晶粒の粒径が大きいものであ
ると透明性を実現できない。（十分な透明性のために
は、析出結晶粒径が３００Å以下であることが望まし
い。）したがって、前記の適切な組成範囲を有する原ガ
ラスを、適切な温度のもとで核形成工程と結晶化工程を
行うことによって、所望の結晶粒を析出させた後、所望
の結晶粒径まで成長させなければならない。このため、
熱処理温度の管理は十分に行わなければならない。核形
成温度が６５０℃未満および７５０℃を越えると、所望
の結晶核が得られず、所望の機械的強度が得られない。
結晶化工程については、７５０℃未満では所望の結晶粒
径に成長させることができず、８５０℃を越えると、結
晶成長速度が速く且つ不均一になるため、透過性および
機械的強度の低下を招く。好ましくは、核形成工程＝６
８０〜７５０℃、結晶化工程＝７８０〜８５０℃であ
る。
【００３９】
【発明の実施の形態】本発明による磁気ヘッド浮上量測
定用ガラスおよび結晶化ガラス製模擬ディスクに係る実
施例について、比較例と共に説明する。表１〜６は、本
発明による磁気ヘッド浮上量測定用ガラスおよび結晶化
ガラス製模擬ディスクの実施例組成（No.１〜４３)と、
前記従来の模擬ディスクの比較例についての、組成，電
気抵抗率，摩耗度，破損頻度を示したものである。
定用ガラスおよび結晶化ガラス製模擬ディスクに係る実
施例について、比較例と共に説明する。表１〜６は、本
発明による磁気ヘッド浮上量測定用ガラスおよび結晶化
ガラス製模擬ディスクの実施例組成（No.１〜４３)と、
前記従来の模擬ディスクの比較例についての、組成，電
気抵抗率，摩耗度，破損頻度を示したものである。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】
【表５】
【００４５】
【表６】
【００４６】[実施例１〜２２]表１〜３は、本発明の請
求項２に係る、磁気ヘッド浮上量測定用ガラス製透明模
擬ディスクに関するものである。各種ガラス原料をガラ
スとした時に表のような組成となるよう秤量し、一般的
なガラス製造で行われる工程、いわゆる、溶融・清澄・
撹拌・成形を経た後、磁気ヘッド浮上量測定用ディスク
とすべく研磨を行う。このようにして得られた磁気ヘッ
ド浮上量測定用ディスクを、磁気ヘッド浮上量測定装置
に装着して、破損頻度を測定し、その度合いを○×（○
は比較例よりも破損頻度が少ない、×は比較例と破損頻
度が同等であることを表す）にて示した。また、電気抵
抗率についてはＪＩＳ−Ｋ６９１１にて測定し、摩耗度
については、日本光学硝子工業会規格の光学ガラスの摩
耗度の測定方法（ＪＯＧＩＳ １０−１９９４）にて測
定したものである。
求項２に係る、磁気ヘッド浮上量測定用ガラス製透明模
擬ディスクに関するものである。各種ガラス原料をガラ
スとした時に表のような組成となるよう秤量し、一般的
なガラス製造で行われる工程、いわゆる、溶融・清澄・
撹拌・成形を経た後、磁気ヘッド浮上量測定用ディスク
とすべく研磨を行う。このようにして得られた磁気ヘッ
ド浮上量測定用ディスクを、磁気ヘッド浮上量測定装置
に装着して、破損頻度を測定し、その度合いを○×（○
は比較例よりも破損頻度が少ない、×は比較例と破損頻
度が同等であることを表す）にて示した。また、電気抵
抗率についてはＪＩＳ−Ｋ６９１１にて測定し、摩耗度
については、日本光学硝子工業会規格の光学ガラスの摩
耗度の測定方法（ＪＯＧＩＳ １０−１９９４）にて測
定したものである。
【００４７】[実施例２３〜４３]表４〜６は本発明の請
求項３に係る、磁気ヘッド浮上量測定用結晶化ガラス製
透明模擬ディスクに関するものである。各種ガラス原料
を、結晶化ガラスとした時に表のような組成となるよう
秤量し、一般的なガラス製造で行われる工程、いわゆ
る、溶融・清澄・撹拌・成形・熱処理を経た後、磁気ヘ
ッド浮上量測定用ディスクとすべく研磨を行う。尚、熱
処理工程については、核形成温度６６０℃で４０時間保
持した後、結晶化温度７６０℃で４０時間保持する。こ
のようにして得られた磁気ヘッド浮上量測定用ディスク
を、磁気ヘッド浮上量測定装置に装着し、実施例１〜２
２と同様な方法により破損頻度を測定し、その度合いを
○×にて示した。また、電気抵抗率についてはＪＩＳ−
Ｋ６９１１にて測定し、摩耗度については日本光学硝子
工業会規格の光学ガラスの摩耗度の測定方法（ＪＯＧＩ
Ｓ １０−１９９４）にて測定したものである。
求項３に係る、磁気ヘッド浮上量測定用結晶化ガラス製
透明模擬ディスクに関するものである。各種ガラス原料
を、結晶化ガラスとした時に表のような組成となるよう
秤量し、一般的なガラス製造で行われる工程、いわゆ
る、溶融・清澄・撹拌・成形・熱処理を経た後、磁気ヘ
ッド浮上量測定用ディスクとすべく研磨を行う。尚、熱
処理工程については、核形成温度６６０℃で４０時間保
持した後、結晶化温度７６０℃で４０時間保持する。こ
のようにして得られた磁気ヘッド浮上量測定用ディスク
を、磁気ヘッド浮上量測定装置に装着し、実施例１〜２
２と同様な方法により破損頻度を測定し、その度合いを
○×にて示した。また、電気抵抗率についてはＪＩＳ−
Ｋ６９１１にて測定し、摩耗度については日本光学硝子
工業会規格の光学ガラスの摩耗度の測定方法（ＪＯＧＩ
Ｓ １０−１９９４）にて測定したものである。
【００４８】[比較例１および２]特開平３−３１７７号
公報に係る透明ガラスディスク（電気抵抗率＝１０15Ω
cm）および石英製ガラスディスク（電気抵抗率＝１０19
Ωcm）を作製し、実施例１と同様な試験および測定を行
った。
公報に係る透明ガラスディスク（電気抵抗率＝１０15Ω
cm）および石英製ガラスディスク（電気抵抗率＝１０19
Ωcm）を作製し、実施例１と同様な試験および測定を行
った。
【００４９】表１〜６から明らかなように、本発明によ
る磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスクは、いずれも電
気抵抗率が従来の模擬ディスクより約３〜５桁ほど小さ
い。更に摩耗度も従来品より小さく、石英ガラスに近
い、あるいは石英ガラスより小さい値であり、また破損
頻度についても、本発明によるディスクの方が破損が少
なく、浮上試験用透明模擬ディスクとして好適であるこ
とがわかる。
る磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスクは、いずれも電
気抵抗率が従来の模擬ディスクより約３〜５桁ほど小さ
い。更に摩耗度も従来品より小さく、石英ガラスに近
い、あるいは石英ガラスより小さい値であり、また破損
頻度についても、本発明によるディスクの方が破損が少
なく、浮上試験用透明模擬ディスクとして好適であるこ
とがわかる。
【００５０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のガラスま
たは結晶化ガラス製磁気ヘッド浮上量測定用透明模擬デ
ィスクは、導電性膜の形成という複雑な工程を必要とせ
ず、従来の模擬ディスクと同様な透過性および透過の均
質性を有しており、磁気ヘッド浮上量測定において、機
械的強度や耐摩耗性にも優れており、更に、適切な電気
抵抗率を有しているので、帯電による塵，埃の付着およ
びヘッドの接触時に生じる接触電流によるヘッド破損も
防止でき、従来のものに比べて格段に優れて有用な磁気
ヘッド浮上量測定用透明模擬ディスクが得られる。
たは結晶化ガラス製磁気ヘッド浮上量測定用透明模擬デ
ィスクは、導電性膜の形成という複雑な工程を必要とせ
ず、従来の模擬ディスクと同様な透過性および透過の均
質性を有しており、磁気ヘッド浮上量測定において、機
械的強度や耐摩耗性にも優れており、更に、適切な電気
抵抗率を有しているので、帯電による塵，埃の付着およ
びヘッドの接触時に生じる接触電流によるヘッド破損も
防止でき、従来のものに比べて格段に優れて有用な磁気
ヘッド浮上量測定用透明模擬ディスクが得られる。
【００５１】加えて、本発明のガラスまたは結晶化ガラ
ス製透明模擬ディスクは、従来品と比較して表面の帯電
電荷量が大幅に低減できるため、磁気ヘッドと模擬ディ
スク間のクーロン力を低減し、クーロン力による磁気ヘ
ッド浮上量の測定誤差が少なく、更にヘッドクラッシュ
も生じにくという効果も得られる。したがって、高密度
記録に伴う磁気ヘッド浮上量の低下においても、クーロ
ン力の影響を受けにくく、これにより磁気ヘッド破損を
防止でき、また精度の高い磁気ヘッド浮上量の測定結果
を得ることができるという、極めて有用な磁気ヘッド浮
上量測定用模擬ディスクであるといえる。
ス製透明模擬ディスクは、従来品と比較して表面の帯電
電荷量が大幅に低減できるため、磁気ヘッドと模擬ディ
スク間のクーロン力を低減し、クーロン力による磁気ヘ
ッド浮上量の測定誤差が少なく、更にヘッドクラッシュ
も生じにくという効果も得られる。したがって、高密度
記録に伴う磁気ヘッド浮上量の低下においても、クーロ
ン力の影響を受けにくく、これにより磁気ヘッド破損を
防止でき、また精度の高い磁気ヘッド浮上量の測定結果
を得ることができるという、極めて有用な磁気ヘッド浮
上量測定用模擬ディスクであるといえる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2−Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）
系ガラスまたは結晶化ガラスにおいて、１０8〜１０14
Ωcmの電気抵抗率を有し、摩耗度が９０以下であるガラ
スまたは結晶化ガラスからなる、磁気ヘッド浮上量測定
用模擬ディスク。 - 【請求項２】 重量％で、 ＳｉＯ2 ４０〜８５％ Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ） ２〜３０％ Ｐ2Ｏ5 ０〜１５％ Ｂ2Ｏ3＋Ａｌ2Ｏ3 ０〜３５％ Ｒ’Ｏ（Ｒ’＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｐｂ） ０〜３５％ ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０〜１０％ Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜 ２％ Ｌａ2Ｏ3＋Ｙ2Ｏ3＋Ｇｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ3 ０〜１０％ からなり、１０8〜１０14Ωcmの電気抵抗率を有し、摩
耗度が９０以下であるガラスからなる磁気ヘッド浮上量
測定用模擬ディスク。 - 【請求項３】 重量％で、 ＳｉＯ2 ４８〜６５％ Ｐ2Ｏ5 ０〜１５％ 但し、ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5 ５０〜７０％ Ａｌ2Ｏ3 １５〜３０％ Ｌｉ2Ｏ ２〜１０％ ＭｇＯ ０〜 ８％ ＺｎＯ ０〜 ８％ ＣａＯ ０〜 ８％ ＢａＯ ０〜 ７％ ＴｉＯ2 ０〜 ７％ ＺｒＯ2 ０〜 ７％ 但し、ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０．５〜１０％ Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜 ２％ からなり、１０8〜１０13Ωcmの電気抵抗率を有し、摩
耗度が７５以下である透明結晶化ガラスからなる磁気ヘ
ッド浮上量測定用模擬ディスク。 - 【請求項４】 上記の組成のガラス原料を溶融，成形お
よび徐冷後、核形成工程を６５０〜７５０℃，結晶化工
程を７５０〜８５０℃にて熱処理することにより得られ
る透明結晶化ガラスからなり、１０8〜１０13Ωcmの電
気抵抗率を有し、摩耗度が７５以下であることを特徴と
する、請求項３に記載の磁気ヘッド浮上量測定用模擬デ
ィスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102223A JP2883328B2 (ja) | 1997-05-27 | 1998-03-30 | 磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスク |
| US09/076,932 US6001445A (en) | 1997-05-27 | 1998-05-13 | Simulation disk for measuring flying height of a magnetic head |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15296597 | 1997-05-27 | ||
| JP9-152965 | 1997-05-27 | ||
| JP10102223A JP2883328B2 (ja) | 1997-05-27 | 1998-03-30 | 磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスク |
| US09/076,932 US6001445A (en) | 1997-05-27 | 1998-05-13 | Simulation disk for measuring flying height of a magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1143348A JPH1143348A (ja) | 1999-02-16 |
| JP2883328B2 true JP2883328B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=27309654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10102223A Expired - Lifetime JP2883328B2 (ja) | 1997-05-27 | 1998-03-30 | 磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6001445A (ja) |
| JP (1) | JP2883328B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19802919C1 (de) * | 1998-01-27 | 1999-10-07 | Schott Glas | Verwendung von Gläsern als Festplattensubstrate |
| JP4795522B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2011-10-19 | 株式会社オハラ | 高剛性ガラスセラミックス基板及び情報磁気記憶媒体ディスク |
| JP4412952B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-02-10 | 株式会社オハラ | 極低膨張透明ガラスセラミックス |
| US7226881B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-06-05 | Kabushiki Kaisha Ohara | Ultra low thermal expansion transparent glass ceramics |
| DE102004008824B4 (de) * | 2004-02-20 | 2006-05-04 | Schott Ag | Glaskeramik mit geringer Wärmeausdehnung sowie deren Verwendung |
| DE102005034785B3 (de) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Schott Ag | Glaszusammensetzung ausschließlich bestehend aus Oxiden,welche bei Reaktion mit Fluor schon bei niedrigen Temperaturen flüchtige Fluoride ausbilden, sowie deren Verwendung |
| JP5209075B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2013-06-12 | 有限会社 ナプラ | 電子デバイス及びその製造方法 |
| JP2015110508A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-06-18 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス |
| CN111807706B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-04-08 | 成都光明光电股份有限公司 | 微晶玻璃和微晶玻璃制品 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG59990A1 (en) * | 1995-04-25 | 1999-02-22 | Hitachi Electr Eng | Apparatus for measuring the flying height of magnetic heads |
| US5831733A (en) * | 1996-02-28 | 1998-11-03 | Zygo Corporation | Apparatus and methods for measuring gaps while compensating for birefringence effects in the measurement path |
| US5789756A (en) * | 1996-10-24 | 1998-08-04 | Guzik Technical Enterprises | Apparatus for measuring the flying height and orientation of a magnetic head relative to transparent medium based on frustrated total internal reflection |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP10102223A patent/JP2883328B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-13 US US09/076,932 patent/US6001445A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1143348A (ja) | 1999-02-16 |
| US6001445A (en) | 1999-12-14 |
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