CN1086679C - 磁盘用微晶玻璃基片 - Google Patents

磁盘用微晶玻璃基片 Download PDF

Info

Publication number
CN1086679C
CN1086679C CN97104801A CN97104801A CN1086679C CN 1086679 C CN1086679 C CN 1086679C CN 97104801 A CN97104801 A CN 97104801A CN 97104801 A CN97104801 A CN 97104801A CN 1086679 C CN1086679 C CN 1086679C
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass
cristobalite
magnetic disk
sio
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN97104801A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1167736A (zh
Inventor
山口胜彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ohara Inc
Original Assignee
Ohara Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ohara Inc filed Critical Ohara Inc
Publication of CN1167736A publication Critical patent/CN1167736A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1086679C publication Critical patent/CN1086679C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0018—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739—Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73911—Inorganic substrates
    • G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明提供一种磁盘用微晶玻璃基片，适用于接触记录方式，具有10以下的表面粗糙度和较高的磨损性。基片的构成是，微晶玻璃的主结晶相为α-方英石(α-SiO2)和二硅酸锂(Li2O·SiO2)，该结晶相中α-方英石/二硅酸锂的重量比为0.25-0.35，晶粒的粒径为0.1-1.0μm，磁盘基片的研磨表面粗糙度(Ra)为2-10A，且，磨损度(Aa)为5-15之间。

Description

磁盘用微晶玻璃基片
本发明是关于磁盘用基片，特别是关于接触·记录磁盘用玻璃陶瓷基片。
伴随着个人计算机的多种形式化，需要大容量的磁盘装置。结果，为了增大面记录密度，磁盘必需增加环节(bit)和磁道的密度，也必需缩小环节单元的尺寸。对应于环节单元的缩小，必然产生磁头更加接近盘表面才能起作用，将磁头从盘面向上的浮动量取为0.025μm以下，使磁头和盘在大体接触状态下进行记录，以得到接触·记录的方式。
在这种接触·记录方式中，由于磁头向上的浮动量可在0.025μm以下，所以要求磁盘的表面粗造度(Ra)在10以下，具有相当高的耐磨损性，以承受和磁头的接触。
过去的磁盘基片材料，虽然使用了铝合金，但是，在铝合金基片上，由于各种材料缺陷的影响，在研磨中引起基片表面突起，或产生凹凸不平的疵点，就平坦性和平滑性不够，而且，由于铝合金是软性材料，很容易变形，所以难以薄形化，进而，由于磁头接触易产生变形伤害，而使整个盘损坏掉，所以完全不能适应当今的高密度记录。
作为消除铝合金基片缺点的材料，已知有化学强化玻璃的钠钙硅玻璃(SiO2-CaO-Na2O)和铝硅酸盐玻璃(SiO2-Al2O Na2O)，这种情况，(1)研磨，在化学强化后进行，在盘的薄片化中，强化层的不稳定因素很高。(2)由于玻璃中含有必要成分Na2O，所以成膜特性变坏，为防止Na2O溶出，必需进行全面保护性包涂处理，其缺点是难以保证制品的低成本，高生产。
进而，对于铝合金基片的化学强化玻璃基片，已知有好多种微晶玻璃。例如，特开平6-329440号公报记载的SiO2-Li2O-MgO-P2O5系微晶玻璃，具有作为主晶相的二硅酸锂(Li2O·2SiO2)和α-石英(α-SiO2)，α-石英(α-SiO2)的天状颗粒大小，虽然可以控制，但研磨成的表面粗糙度(Ra)为15-50范围，作为目标的表面粗糙度(Ra)为10A以下，否则就不能适应低浮动，快速记录，以提高记录容量。
本发明的目的是提供一种磁盘用微晶玻璃基片。由于通过硬盘的高密度化，以适应接触·记录的方式，消除上述老技术中的缺点，使其表面粗糙度在10以下，并具有较高的耐磨损性能。
本发明者们，为达到上述目的，进行了大量研究和试验，结果发现，在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统中，对MgO和ZnO作为必要成分的基础玻璃，在严格限定热处理条件下，通过热处理而获得的主结晶相由α-方英石(α-SiO2)和二硅酸锂(Li2O·2SiO2)形成的微晶玻璃中，α-方英石对二硅酸锂的重量比，限定在0.25-0.35这样一个狭窄的范围内，对磁盘基片研磨形成的表面粗糙度(Ra)为2-10，磨损度(Aa)为5-15范围内，这样在接触·记录中，获得了一种理想的磁盘基片，并达到了本发明。
即，达到本发明目的的，本发明第一种磁盘用微晶玻璃基片，其特征是，微晶玻璃的主结晶相是α-方英石(α-SiO2)和二硅酸锂(Li2O·2SiO2)，该对晶相的重量比，α-方英石/二硅酸锂为0.25-0.35，具有晶粒的粒径为0.1-1.0μm范围为佳，磁盘基片研磨形成的表面粗糙度(Ra)为2-10，而且，磨损度(Aa)为5-15范围。
本发明第二种磁盘用微晶玻璃基片，其特征是，在第一种磁盘用基片中，微晶玻璃是以重量百分比，SiO2 75-83％、Li2O 7-13％、Al2O3 1-5％、P2O5 1-3％、MgO 0.5-3％、ZnO 0.5-3％、K2O 0-5％、As2O3和/或Sb2O3 0-2％形成的基础玻璃，通过热处理而得到的。
本发明微晶玻璃的组成，虽然可以用和基础玻璃相同的氧化物基准进行表示，但是，对于基础玻璃的组成作上述限定的理由，还要做如下论述。
利用对基础玻璃的热处理，生成主结晶相为二硅酸锂(Li2O·2SO2)和α-方英石，SiO2成分是极为重要的成分，其量不足75.0％时，所得玻璃的析出结晶很不稳定，组织也很容易变的粗大，而超过83.0％时，基础玻璃的熔融又变得很困难。
通过玻璃的加热处理，生成主结晶相为二硅酸锂(Li2O·2SO2)的结晶，Li2O成分也是极为重要的成分，但是，其量不足7％时，上述析晶变得很困难，同时，基础玻璃的熔融也很困难。当超过13％时，所得微晶玻璃的析晶变得不稳定，组织也容易变得粗大，从而化学耐久性和硬度也会恶化。K2O是提高玻璃熔融性的成分，可含到5％。
MgO是规定析晶的重要成分，其量不足0.5％时，α-方英石析出增大，耐磨损性变坏。而超过3％时，α-石英析出增大，由于晶粒变得粗大，使表面粗糙度恶化。由于ZnO也具有同等效果，只能添加到3％。
P2O5分成，作为玻璃的晶核形成剂是不可少的，其量不足1％时，Li2O·2SO2，α-SiO2晶粒变得粗大，不能获得所期望的表面粗糙度和磨损度。当超过3％时，玻璃成形时很容易失透，失透又引起晶粒子粗大化。
Al2O3是提高微晶玻璃离学耐久性的有效成分，其含量不足1％时，不能达到其目的，当含量超过5％，熔融性恶化。As2O3和/或Sb2O3成分，作为玻璃熔融时的澄清剂是必须添加的，它们的1种，或2种的合计量低于2％，就足够了。
另外，本发明中，除了所用玻璃的上述成分外，以不损害期望特性为限度，也可以含有少量的其它成分，如B2O3、CaO、CrO、BaO、TiO2、SnO和ZrO2。
本发明的微晶玻璃基片，对于晶化时的晶相重量比，规定的α-方英石/二硅酸锂＝0.25-0.35。这要通过XRD的峰高来观察各晶相的比率，通过α-方英石(101)、二硅酸锂(130)的峰面来决定各自的使用比。将该比率限定为0.25-0.35的理由是，该重量比在0.25-0.35的范围内，研磨后基片的表面粗糙度为2-10A，而获得理想的表面粗糙度，如图1所示，重量比不足0.25，或超过0.35时，磨损度(Aa)含急剧恶化，在0.25-0.35的范围内，可获得磨损度(Aa)大约在15以下的理想表面特性，这可以由大量的试验结果进行判明。
本发明微晶玻璃基片的磨损度为5-15，最好为5-12。据此，在磁头的浮动量为0.025μm以下的接触。记录中，具有足够的耐磨性能。
在制造本发明的磁盘用微晶玻璃中，熔解具有上述组成的玻璃，在进行热或/和冷成形后，在核形成400-550℃、结晶化720-820℃的温度下，进行结晶化热处理，进而使用一般广为人知的方法，对热处理微晶玻璃进行研磨和抛光，使表面粗糙度为2-10A的范围。
以下以实施例说明本发明。表1-表4列出了本发明磁盘用微晶玻璃基片的实施组成例(No.1-10)和2个过去的SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系微晶玻璃的比较组成例，这些微晶玻璃的成核温度，晶化温度、析晶相、结晶粒径、研磨后的表面粗糙度(Ra)、磨损度的测定结果也一并列出。组成匀以重量百分比示出。
表1
                    实施例
    1     2     3
 SiO2     82.0     80.0     78.0
 Li2O     7.0     10.0     11.0
 Al2O3     1.0     2.0     3.3
 MgO     0.5     2.0     1.0
 ZnO     1.0     0.5     0.5
 K2O     5.0     4.3     4.0
 P2O5     3.0     1.0     2.0
 As2O3     0.5
 Sb2O3     0.2     0.2
 其他
 核形成温度(℃×时间)     450×4     480×5     540×5
 结晶化温度(℃×时间)     720×2     800×1     780×2
 结晶相     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石
 α-方英石/＝硅酸锂     0.30     0.25     0.25
 结晶粒度(μm)     0.1     0.6     0.6
 表面粗糙度(Ra)     3     7     7
 磨损度(Aa)     6     12     9
表2
                   实施例
    4     5     6
 SiO2     79.0     75.0     79.3
 Li2O     7.0     13.0     11.0
 Al2O3     5.0     5.0     3.5
 MgO     2.0     2.0     0.5
 ZnO     3.0     3.0     0.5
 K2O     1.0     3.0
 P2O5     2.5     1.5     1.0
 As2O3     0.2
 Sb2O3     0.5     0.5
 其他     ZrO21.0
 核形成温度(℃×时间)     500×1     300×4     540×2
 结晶化温度(℃×时间)     800×5     820×2     780(2
 结晶相     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石
 α-方英石/＝硅酸锂     0.28     0.28     0.26
 结晶粒度(μm)     0.8     0.6     0.4
 表面粗糙度(Ra)     8     5     4
 磨损度(Aa)     10     8     6
表3
                      实施例
    7     8     9
 SiO2     76.3     82.0     79.5
 Li2O     12.0     7.0     10.0
 Al2O3     4.0     1.0     3.0
 MgO     0.5     0.5     0.5
 ZnO     1.0     1.0     2.0
 K2O     4.0     5.0
 P2O5     1.0     2.0     2.5
 As2O3     0.5
 Sb2O3     0.2     0.5
 其他 Ti2O    1.0  CaO     0.5  B2O3   1.0
 BaO     0.5   SrO     1.0
 核形成温度(℃×时间)     550×5     540×2     500×4
 结晶化温度(℃×时间)     770×5     770×3     820×5
 结晶相     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石
 α-方英石/＝硅酸锂     0.34     0.30     0.30
 结晶粒度(μm)     0.7     0.5     0.8
 表面粗糙度(Ra)     8     7     9
 磨损度(Aa)     10     8     7
表4
    实施例               比较例
    10     2     3
 SiO2     78.0     73.0     76.0
 Li2O     11.0     8.0     9.7
 Al2O3     1.0     5.0     3.5
 MgO     2.0     4.0     1.5
 ZnO     1.0     0.5
 K2O     2.0     4.0     3.5
 P2O5     3.0     4.0     3.5
 As2O3     0.5     0.3
 Sb2O3     0.5
 其他  SnO        0.5  SrO        1.0  Na2O       1.0
 TiO2       1.0
 核形成温度(℃×时间)     480×5     500×2     500×3
 结晶化温度(℃×时间)     750×2     800×5     800×5
 结晶相     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石     Li2Si2O5α-方英石
 α-方英石/＝硅酸锂     0.25     /     0.15
 结晶粒度(μm)     0.2     1.3     2.0
 表面粗糙度(Ra)     3     35     15
 磨损度(Aa)     6     20     21
显示本发明实施例3和比较例1，2的晶粒状态电子显微镜照片，分别示于图2、图3和图4。
上述实施例的玻璃，可以将任何一种氧化物、碳酸盐、硝酸盐等原料进行混合，使用通常的熔解装置，在1350-1500℃下，将混料熔融，搅拌均匀后，加工成期望的形状，再冷却，得到玻璃成形体。随后，对其进行热处理，成核后(400-550℃)，在晶化温度(720-820℃)期间保持1-5小时，得到所要的微晶玻璃。制作表面粗糙度测定试料时，将上述微晶玻璃进行精加工，抛光10-20分钟，得到平均粒径为9-12μm的磨料。关于磨损度依照日本光学硝子工业会指定的方法进行。即，将30×30×10mm的玻璃角片试料，水平放在距60rpm铸铁制平面皿(250mmφ)中心80mm处，一边垂直释加9.8N(1kgf)的负重，一边在5分钟内均等提供20ml添加10g 800#(平均粒度20μm)研磨材料(A质氧化铝磨粒)的水，进行磨损测定研磨前后的试料质量，求出磨损质量。同样，用日本工学硝子工业会指定的求标试料磨损质量的方法，按下式算出的值取作磨损度(Aa)。
Figure C9710480100111
正如从表1所见，实施例的微晶玻璃，对于比较例，任何一个表面粗糙度(Ra)的值不足10A，表面特性优良，所要改善的效果显著。即使是磨损度，任何一个都表示出低于12的小值，从而可知具有优良的耐磨损性。
正如以上所述，根据本发明，微晶玻璃的主结晶相是α-方英石(α-SiO2)和二硅酸锂(Li2·2SiO2)，该结晶α-方英石/二硅酸锂的重量比为0.25-0.35，晶粒的粒径为0.1-1.0μm。经研磨的磁盘基片表面粗糙度(Ra)为2-10，而且，磨损度(Aa)在5-15之间，作为接触-·记录用是最好的磁盘用微晶玻璃基片。
图1是表示α-方英石/二硅酸锂构成比和磨损度之间的关系曲线图。
图2是表示本发明实施例的晶粒状态电子显微镜照片。
图3是表示比较例1的晶粒状态电子显微镜照片。
图4是表示比较例2的晶粒状态电子显微镜照片。

Claims (2)

1.一种磁盘用微晶玻璃晶片，其特征在于，所述微晶玻璃包括下述组分，以重量％表示为，
SiO2                     75-83
Li2O                     7-13
Al2O3                   1-5
P2O5                    1-3
MgO                       0.5-3，和
ZnO                       0.5-3；
所述微晶玻璃的主结晶相为α-方英石(α-SiO2)，和二硅酸锂(Li2O·2SiO2)；
所述晶相中α-方英石/二硅酸锂约重量比为0.25-0.35；
结晶粒的粒径为0.1-1.0μm；
所述磁盘基片的研磨表面粗糙度Ra为2-10，且，磨损度Aa的范围为5-15。
2.根据权利要求1所述的磁盘用微晶玻璃基片，其特征在于，所述微晶玻璃是通过加热处理以下成分形成的基础玻璃而获得，该基础玻璃构成，以重量％表示为，SiO2 75-83％、Li2O 7-13％、Al2O3 1-5％、P2O5 1-3％、MgO 0.5-3％、ZnO 0.5-3％、K2O0-5％、As2O3和/或Sb2O3 0-2％。
CN97104801A 1996-02-02 1997-02-02 磁盘用微晶玻璃基片 Expired - Fee Related CN1086679C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4037496 1996-02-02
JP40374/96 1996-02-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1167736A CN1167736A (zh) 1997-12-17
CN1086679C true CN1086679C (zh) 2002-06-26

Family

ID=12578886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN97104801A Expired - Fee Related CN1086679C (zh) 1996-02-02 1997-02-02 磁盘用微晶玻璃基片

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5866489A (zh)
EP (1) EP0788093B1 (zh)
KR (1) KR100188901B1 (zh)
CN (1) CN1086679C (zh)
DE (1) DE69721353T2 (zh)
MY (1) MY115524A (zh)
SG (1) SG52914A1 (zh)
TW (1) TW366331B (zh)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3416033B2 (ja) * 1996-09-05 2003-06-16 株式会社オハラ 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法
US6120922A (en) * 1997-04-28 2000-09-19 Goto; Naoyuki Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
US6383645B1 (en) * 1998-03-23 2002-05-07 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for an information storage medium
US6395368B1 (en) * 1998-08-10 2002-05-28 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
SG84541A1 (en) * 1998-08-19 2001-11-20 Hoya Corp Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same
JP2000203880A (ja) * 1998-09-11 2000-07-25 Ohara Inc 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板及びその製造方法、並びに情報記憶媒体ディスク
CN100449616C (zh) * 1999-02-12 2009-01-07 通用电气公司 数据存储介质及其形成方法、压印衬底及检索数据的方法
US6440531B1 (en) * 1999-05-13 2002-08-27 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Hydrofluoric acid etched substrate for information recording medium
JP4831854B2 (ja) 1999-07-06 2011-12-07 コニカミノルタオプト株式会社 結晶化ガラス組成物
JP4337176B2 (ja) 1999-07-06 2009-09-30 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成
JP4849702B2 (ja) 1999-07-06 2012-01-11 コニカミノルタオプト株式会社 結晶化ガラス
JP4158282B2 (ja) 1999-07-06 2008-10-01 コニカミノルタオプト株式会社 磁気ディスク用結晶化ガラス基板
JP2001026458A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP2001026446A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP2001026456A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP2001026454A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP4265035B2 (ja) 1999-07-14 2009-05-20 コニカミノルタオプト株式会社 結晶化ガラス組成物
JP4207316B2 (ja) 1999-07-14 2009-01-14 コニカミノルタオプト株式会社 結晶化ガラス組成物
JP2001026452A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP4265036B2 (ja) 1999-07-14 2009-05-20 コニカミノルタオプト株式会社 結晶化ガラス組成物
JP2001026440A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP4284763B2 (ja) 1999-07-14 2009-06-24 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成
JP2001026451A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP2001026445A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Minolta Co Ltd ガラス組成
US6677259B2 (en) * 1999-08-10 2004-01-13 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramics for a light filter
JP3107304B1 (ja) * 1999-08-10 2000-11-06 株式会社オハラ 光フィルター用ガラスセラミックス及び光フィルター
US6426311B1 (en) * 2000-02-01 2002-07-30 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramics
JP4300676B2 (ja) 2000-04-03 2009-07-22 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成物
JP4273623B2 (ja) 2000-04-03 2009-06-03 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成物
JP2001287967A (ja) 2000-04-03 2001-10-16 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP4224925B2 (ja) 2000-04-03 2009-02-18 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成物
JP4273625B2 (ja) 2000-04-03 2009-06-03 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成物
JP2001287931A (ja) 2000-04-03 2001-10-16 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP4207358B2 (ja) 2000-04-03 2009-01-14 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成
JP2001287934A (ja) 2000-04-03 2001-10-16 Minolta Co Ltd ガラス組成
JP4273624B2 (ja) 2000-04-03 2009-06-03 コニカミノルタオプト株式会社 ガラス組成物
CN1103326C (zh) * 2000-11-16 2003-03-19 湖北新华光信息材料股份有限公司 一种化学钢化玻璃磁盘基板制作方法
US20020155216A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-24 Reitz John Bradford Spin coated media
TW200724506A (en) * 2005-10-07 2007-07-01 Ohara Kk Inorganic composition
JP4467597B2 (ja) 2007-04-06 2010-05-26 株式会社オハラ 無機組成物物品
CN101909816B (zh) * 2008-10-01 2013-01-23 旭硝子株式会社 研磨浆料、其制造方法、研磨方法及磁盘用玻璃基板的制造方法
JP6896427B2 (ja) * 2014-05-16 2021-06-30 イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトＩｖｏｃｌａｒ Ｖｉｖａｄｅｎｔ ＡＧ 主要な結晶相としてＳｉＯ２を有するガラスセラミック
DE202015009943U1 (de) * 2015-08-25 2021-10-12 Ivoclar Vivadent Ag Lithiumsilikat-Tiefquarz-Glaskeramik
CN112939469B (zh) * 2021-03-23 2022-03-08 成都光明光电股份有限公司 微晶玻璃和微晶玻璃制品

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480044A (en) * 1984-02-01 1984-10-30 Corning Glass Works High expansion glass-ceramic articles
CN1114954A (zh) * 1993-05-19 1996-01-17 株式会社小原 磁盘基片用的玻璃-陶瓷及其制法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391522A (en) * 1993-05-19 1995-02-21 Kabushiki Kaisya Ohara Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same
US5626935A (en) * 1993-05-19 1997-05-06 Kabushiki Kaisya Ohara Magnetic disk substrate and method for manufacturing the same
EP0729924B1 (en) * 1993-05-19 2000-01-26 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic for a magnetic disk substrate
JP2959363B2 (ja) * 1993-12-09 1999-10-06 株式会社オハラ 磁気ディスク用着色結晶化ガラス
JP2799544B2 (ja) * 1994-04-28 1998-09-17 株式会社オハラ 情報記録ディスク用結晶化ガラス
US5744208A (en) * 1994-06-24 1998-04-28 Corning Incorporated Glass-ceramics containing lithium disilicate and tridymite
US5582363A (en) * 1995-07-06 1996-12-10 Davis; Don Aircraft instrument panel cover
JPH10158034A (ja) * 1996-10-04 1998-06-16 S Ii C Kk 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480044A (en) * 1984-02-01 1984-10-30 Corning Glass Works High expansion glass-ceramic articles
CN1114954A (zh) * 1993-05-19 1996-01-17 株式会社小原 磁盘基片用的玻璃-陶瓷及其制法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69721353D1 (de) 2003-06-05
TW366331B (en) 1999-08-11
KR100188901B1 (ko) 1999-06-01
US5866489A (en) 1999-02-02
EP0788093B1 (en) 2003-05-02
DE69721353T2 (de) 2004-04-08
US5985777A (en) 1999-11-16
SG52914A1 (en) 1998-09-28
KR970061805A (ko) 1997-09-12
CN1167736A (zh) 1997-12-17
EP0788093A1 (en) 1997-08-06
MY115524A (en) 2003-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1086679C (zh) 磁盘用微晶玻璃基片
JP2799544B2 (ja) 情報記録ディスク用結晶化ガラス
US5726108A (en) Glass-ceramic magnetic disk substrate
JP3140702B2 (ja) 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク
JP2516553B2 (ja) 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法
JP2736869B2 (ja) 磁気ディスク基板の製造方法
EP0781731B1 (en) Glass composition for magnetic disk substrates and magnetic disk substrate
US7754356B2 (en) Glass for data storage medium substrate, glass substrate for data storage medium and magnetic disk
KR100374902B1 (ko) 글라스 세라믹스
JP3384286B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板
JPH09208260A (ja) 磁気ディスク用結晶化ガラス基板
JP3187321B2 (ja) 化学強化用ガラス組成物および化学強化ガラス物品
JP3420192B2 (ja) ガラスセラミックス
US6184162B1 (en) Glasses and glass-ceramics with high E-moduli
US6582826B1 (en) Glass-ceramics
US6372319B1 (en) Nucleating agents for crystallized glasses, crystallized glasses, magnetic discs substrate and magnetic discs
WO2003022767A1 (en) Processing of transparent glass-ceramic
US9688573B2 (en) Glass composition, chemically strengthened glass, and glass substrate for information recording medium
US6191058B1 (en) Glass-ceramic substrate for a magnetic disk
EP0755901B1 (en) Glass composition for making magnetic disk substrates and magnetic disk substrate
JPH1143348A (ja) 磁気ヘッド浮上量測定用模擬ディスク
JPH10241134A (ja) 情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた磁気記録媒体
JP4266095B2 (ja) ガラスセラミックス
JP3152905B2 (ja) 磁気ディスク用結晶化ガラス基板
JP4045076B2 (ja) 情報記録ディスク用ガラス基板

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee