JP4542117B2 - 可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 - Google Patents
可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4542117B2 JP4542117B2 JP2007118583A JP2007118583A JP4542117B2 JP 4542117 B2 JP4542117 B2 JP 4542117B2 JP 2007118583 A JP2007118583 A JP 2007118583A JP 2007118583 A JP2007118583 A JP 2007118583A JP 4542117 B2 JP4542117 B2 JP 4542117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- variable filter
- signal line
- filter element
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 222
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/2013—Coplanar line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0123—Frequency selective two-port networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/175—Series LC in series path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/40—Structural combinations of variable capacitors with other electric elements not covered by this subclass, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
Description
前記基板上において並列して延びる、二本の基板上グラウンド線および当該基板上グラウンド線間の信号線と、
前記二本の基板上グラウンド線を架橋し、前記信号線と対向する部位を有する、可動キャパシタ電極と、
前記信号線および前記基板上グラウンド線の間に位置し、前記可動キャパシタ電極との間に静電引力を発生させるための、駆動電極と、
前記基板内に設けられ、前記信号線と対向する部位を有し、前記二本の基板上グラウンド線と電気的に接続している、基板内グラウンド線と、を備え、
前記基板上グラウンド線、前記可動キャパシタ電極、および前記基板内グラウンド線は、グラウンド配線部を構成し、
前記信号線および前記グラウンド配線部は、分布定数伝送線路を構成する、可変フィルタ素子。
(付記2)基板と、
前記基板上において並列して延びる信号線と、
前記基板上に立設され、前記信号線と対向する部位を有する、可動キャパシタ電極と、
前記基板上に設けられ、前記可動キャパシタ電極との間に静電引力を発生させるための、駆動電極と、
前記基板内に設けられ、前記信号線と対向する部位を有し、前記可動キャパシタ電極と電気的に接続している、基板内グラウンド線と、を備え、
前記可動キャパシタ電極、および前記基板内グラウンド線は、グラウンド配線部を構成し、
前記信号線および前記グラウンド配線部は、分布定数伝送線路を構成する、可変フィルタ素子。
(付記3)前記信号線に並列して前記基板上に設けられ且つ前記基板内グラウンド線と電気的に接続している基板上グラウンド線を更に備える、付記2に記載の可変フィルタ素子。
(付記4)前記信号線上に誘電体部を更に備える、付記1から3のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子。
(付記5)前記基板は、複数の絶縁層および各絶縁層間の配線パターンからなる積層構造を有する多層配線基板である、付記1から4のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子。
(付記6)前記基板内グラウンド線は、前記多層配線基板において前記信号線に最も近い配線パターンに含まれる、付記5に記載の可変フィルタ素子。
(付記7)前記絶縁層はセラミックよりなる、付記5または6に記載の可変フィルタ素子。
(付記8)前記基板における前記信号線とは反対側の表面に電極パッドを更に備える、付記5から7のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子。
(付記9)前記基板を貫通する導電連絡部を更に備える、付記5から8のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子。
(付記10)付記1から9のいずれかに記載された複数の可変フィルタ素子を含み、当該複数の可変フィルタ素子は、直列に配されているか、或は、互いに並列に配されている、可変フィルタ素子。
(付記11)付記1から10のいずれかに記載の可変フィルタ素子と、
前記基板上に設けられた複数の受動素子と、を含む可変フィルタモジュール。
(付記12)前記複数の受動素子は、インダクタ、キャパシタ、または抵抗を含む、付記11に記載の可変フィルタモジュール。
(付記13)付記1から10のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子を製造するための方法であって、
各々が基板内グラウンド線を含む複数の可変フィルタ素子形成区画を有する配線基板ウエハを作製する工程と、
前記複数の可変フィルタ素子形成区画の各々において、前記配線基板ウエハ上に少なくとも信号線、駆動電極、および可変キャパシタ電極を形成する工程と、
前記配線基板ウエハを分割する工程と、を含む可変フィルタ素子製造方法。
(付記14)付記11または12に記載の可変フィルタモジュールを製造するための方法であって、
各々が基板内グラウンド線を含む複数の可変フィルタモジュール形成区画を有する配線基板ウエハを作製する工程と、
前記複数の可変フィルタモジュール形成区画の各々において、前記配線基板ウエハ上に少なくとも信号線、駆動電極、可変キャパシタ電極、および複数の受動素子群を形成する工程と、
前記配線基板ウエハを分割する工程と、を含む可変フィルタモジュール製造方法。
(付記15)前記分割工程より前に、前記形成区画ごとに封止キャップを搭載する工程を含む、付記13または14に記載の方法。
10 配線基板
10’ 配線基板ウエハ
10a 第1面
10b 第2面
11 絶縁層
12 配線パターン
12a グラウンド線
13 ビア
14,77 電極パッド
16 絶縁膜
17 犠牲層
21,72 信号線
22,73 グラウンド線
23,74 シャントインダクタ
24,28,75 可変キャパシタ電極
24a,28a 厚肉部
25,76 駆動電極
26 誘電体ドット
27 パッケージング部材
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上において並列して延びる、二本の基板上グラウンド線および当該基板上グラウンド線間の信号線と、
前記二本の基板上グラウンド線を架橋し、前記信号線と対向する部位を有する、可動キャパシタ電極と、
前記信号線および前記基板上グラウンド線の間に位置し、前記可動キャパシタ電極との間に静電引力を発生させるための、駆動電極と、
前記基板内に設けられ、前記信号線と対向する部位を有し、前記二本の基板上グラウンド線と電気的に接続している、基板内グラウンド線と、を備え、
前記基板上グラウンド線、前記可動キャパシタ電極、および前記基板内グラウンド線は、グラウンド配線部を構成し、
前記信号線および前記グラウンド配線部は、分布定数伝送線路を構成する、可変フィルタ素子。 - 基板と、
前記基板上において延びる信号線と、
前記基板上に立設され、前記信号線と対向する部位を有する、可動キャパシタ電極と、
前記基板上に設けられ、前記可動キャパシタ電極との間に静電引力を発生させるための、駆動電極と、
前記基板内に設けられ、前記信号線と対向する部位を有し、前記可動キャパシタ電極と電気的に接続している、基板内グラウンド線と、を備え、
前記可動キャパシタ電極、および前記基板内グラウンド線は、グラウンド配線部を構成し、
前記信号線および前記グラウンド配線部は、分布定数伝送線路を構成する、可変フィルタ素子。 - 前記信号線上に誘電体部を更に備える、請求項1または2に記載の可変フィルタ素子。
- 前記基板は、積層された複数の絶縁層と、絶縁層間に設けられた配線パターンを含む内部配線構造と、を有する多層配線基板である、請求項1から3のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子。
- 前記基板における、前記信号線とは反対側の表面に、電極パッドを更に備え、当該電極パッドと前記駆動電極とは、前記基板の前記内部配線構造を介して電気的に接続されている、請求項4に記載の可変フィルタ素子。
- 請求項1から5のいずれかに記載された複数の可変フィルタ素子を含み、当該複数の可変フィルタ素子は、直列に配されているか、或は、互いに並列に配されている、可変フィルタ素子。
- 請求項1から6のいずれかに記載の可変フィルタ素子と、
前記基板上に設けられた複数の受動素子と、を含む可変フィルタモジュール。 - 請求項1から6のいずれか一つに記載の可変フィルタ素子を製造するための方法であって、
各々が基板内グラウンド線を含む複数の可変フィルタ素子形成区画を有する配線基板ウエハを作製する工程と、
前記複数の可変フィルタ素子形成区画の各々において、前記配線基板ウエハ上に少なくとも信号線、駆動電極、および可変キャパシタ電極を形成する工程と、
前記配線基板ウエハを分割する工程と、を含む可変フィルタ素子製造方法。 - 請求項7に記載の可変フィルタモジュールを製造するための方法であって、
各々が基板内グラウンド線を含む複数の可変フィルタモジュール形成区画を有する配線基板ウエハを作製する工程と、
前記複数の可変フィルタモジュール形成区画の各々において、前記配線基板ウエハ上に少なくとも信号線、駆動電極、可変キャパシタ電極、および複数の受動素子群を形成する工程と、
前記配線基板ウエハを分割する工程と、を含む可変フィルタモジュール製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007118583A JP4542117B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 |
KR1020080038607A KR100889218B1 (ko) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | 가변 필터 소자, 가변 필터 모듈 및 이들의 제조 방법 |
EP09163004A EP2101412A1 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | Variable filter element, variable filter module and fabrication method thereof |
EP08103724A EP1986319A3 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | Variable filter element, variable filter module and fabrication method thereof |
TW097115239A TWI367595B (en) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | Variable filter element, variable filter module and fabrication method thereof |
CN2008100948441A CN101295809B (zh) | 2007-04-27 | 2008-04-28 | 可变滤波器元件、可变滤波器模块及其制造方法 |
US12/110,534 US20080266029A1 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-28 | Variable filter element, variable filter module and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007118583A JP4542117B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008278147A JP2008278147A (ja) | 2008-11-13 |
JP4542117B2 true JP4542117B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=39760632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007118583A Expired - Fee Related JP4542117B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080266029A1 (ja) |
EP (2) | EP2101412A1 (ja) |
JP (1) | JP4542117B2 (ja) |
KR (1) | KR100889218B1 (ja) |
CN (1) | CN101295809B (ja) |
TW (1) | TWI367595B (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135614A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Fujitsu Ltd | 可変容量素子 |
JP5294013B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-09-18 | 富士通株式会社 | フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
US7863752B2 (en) * | 2009-02-25 | 2011-01-04 | Capella Photonics, Inc. | MEMS device with integrated via and spacer |
JP2010220139A (ja) | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Fujitsu Ltd | フィルタ、フィルタリング方法、および通信装置 |
JP5218646B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-06-26 | 株式会社村田製作所 | 可変容量モジュールおよび整合回路モジュール |
US8362853B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-01-29 | Qualcomm Incorporated | Tunable MEMS resonators |
JP5240136B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2013-07-17 | 富士通株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
JP5428771B2 (ja) | 2009-11-06 | 2014-02-26 | 富士通株式会社 | 可変分布定数線路、可変フィルタ、および通信モジュール |
JP5418316B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2014-02-19 | 富士通株式会社 | Memsデバイス |
JP5565091B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2014-08-06 | 富士通株式会社 | 可変バンドパスフィルタ及び通信装置 |
JP5703813B2 (ja) | 2011-02-16 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
JP2012191521A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 可変フィルタ装置および通信装置 |
CN103703528A (zh) * | 2011-08-10 | 2014-04-02 | 富士通株式会社 | 具有可变电容元件的电子设备及其制造方法 |
JP6084614B2 (ja) * | 2011-08-19 | 2017-02-22 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc. | Rf応用のmems可変キャパシタおよびその製造方法 |
US9076808B2 (en) | 2011-09-02 | 2015-07-07 | Cavendish Kinetics, Inc. | RF MEMS isolation, series and shunt DVC, and small MEMS |
EP3028291B1 (en) * | 2013-08-01 | 2018-04-25 | Cavendish Kinetics, Inc. | Dvc utilizing mems resistive switches and mim capacitors |
WO2015056473A1 (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路モジュール |
CN103928731A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-16 | 华为技术有限公司 | Tem模介质滤波器和制造方法 |
US9811205B2 (en) * | 2015-09-29 | 2017-11-07 | Synaptics Incorporated | Variable time anti-aliasing filter |
JP6873127B2 (ja) * | 2015-11-16 | 2021-05-19 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc. | Mems無線周波数アプリケーションのesd保護 |
CN112136273A (zh) | 2018-05-10 | 2020-12-25 | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 | 存在可变且不确定的部分位贡献的精度数模转换 |
WO2020020324A1 (zh) | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 信号传输方法及装置、显示装置 |
CN209248493U (zh) | 2018-07-27 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 功能面板及终端 |
WO2020020347A1 (zh) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 功能面板及其制造方法、终端 |
WO2020020336A1 (zh) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 功能面板及其制造方法、终端 |
JP2020202483A (ja) * | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | フィルタモジュール |
CN117852472A (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-09 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 芯片版图的空桥布设方法、装置、设备及存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234606A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロ波伝送線路 |
JP2004040257A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高速信号線 |
JP2004363961A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sony Corp | 高周波信号フィルタ装置および電子機器 |
JP2005142982A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Hitachi Ltd | 高周波memsスイッチ及びその製造方法 |
JP2005277675A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波スイッチ装置とその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5374909A (en) * | 1992-02-28 | 1994-12-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Stripline filter having internal ground electrodes |
US5408053A (en) * | 1993-11-30 | 1995-04-18 | Hughes Aircraft Company | Layered planar transmission lines |
JPH09199970A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 可変フィルタ |
JPH10242794A (ja) | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 表面実装型容量内蔵圧電共振子 |
US6617943B1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-09-09 | Applied Micro Circuits Corporation | Package substrate interconnect layout for providing bandpass/lowpass filtering |
US6717496B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-04-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electromagnetic energy controlled low actuation voltage microelectromechanical switch |
JP3869756B2 (ja) | 2002-05-16 | 2007-01-17 | アルプス電気株式会社 | 結合度調整可能な共振フィルタ |
US7084724B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-08-01 | The Regents Of The University Of California | MEMS fabrication on a laminated substrate |
CA2418674A1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-07 | Tak Shun Cheung | Transmission lines and transmission line components with wavelength reduction and shielding |
JP4638711B2 (ja) | 2004-10-27 | 2011-02-23 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 共振器 |
US7276991B2 (en) * | 2005-09-09 | 2007-10-02 | Innovative Micro Technology | Multiple switch MEMS structure and method of manufacture |
DE602005013229D1 (de) * | 2005-09-28 | 2009-04-23 | Siemens Milltronics Proc Instr | Galvanische Trennungsvorrichtung für eine ebene Schaltung |
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2007118583A patent/JP4542117B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-25 KR KR1020080038607A patent/KR100889218B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-25 TW TW097115239A patent/TWI367595B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-04-25 EP EP09163004A patent/EP2101412A1/en not_active Withdrawn
- 2008-04-25 EP EP08103724A patent/EP1986319A3/en not_active Withdrawn
- 2008-04-28 US US12/110,534 patent/US20080266029A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-28 CN CN2008100948441A patent/CN101295809B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234606A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロ波伝送線路 |
JP2004040257A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高速信号線 |
JP2004363961A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sony Corp | 高周波信号フィルタ装置および電子機器 |
JP2005142982A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Hitachi Ltd | 高周波memsスイッチ及びその製造方法 |
JP2005277675A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波スイッチ装置とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100889218B1 (ko) | 2009-03-17 |
EP1986319A3 (en) | 2008-12-03 |
TW200901549A (en) | 2009-01-01 |
EP1986319A2 (en) | 2008-10-29 |
KR20080096441A (ko) | 2008-10-30 |
TWI367595B (en) | 2012-07-01 |
CN101295809B (zh) | 2012-11-14 |
EP2101412A1 (en) | 2009-09-16 |
US20080266029A1 (en) | 2008-10-30 |
JP2008278147A (ja) | 2008-11-13 |
CN101295809A (zh) | 2008-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4542117B2 (ja) | 可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 | |
JP4722795B2 (ja) | 配線基板および電子部品モジュール | |
JP4794538B2 (ja) | コンデンサ装置 | |
EP1482638A2 (en) | Film bulk acoustic resonator having supports and manufacturing method therefor | |
JP2010220139A (ja) | フィルタ、フィルタリング方法、および通信装置 | |
WO2003050909A1 (fr) | Dispositif de carte de circuit imprime et procede de fabrication | |
JP2004289760A (ja) | ローパスフィルタ内蔵配線基板 | |
JP2004007424A (ja) | 高周波装置とその製造方法 | |
JP2004254257A (ja) | ローパスフィルタ内蔵配線基板 | |
JP2004180032A (ja) | 誘電体フィルタ | |
US8508910B2 (en) | MEMS device | |
JP2004146748A (ja) | 薄膜キャパシタ素子 | |
JP4693588B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
JP5565091B2 (ja) | 可変バンドパスフィルタ及び通信装置 | |
JP4009178B2 (ja) | ローパスフィルタ | |
KR101097701B1 (ko) | 필터, 통신 모듈, 및 통신 장치 | |
JP2004350143A (ja) | バラントランス | |
JP2003023332A (ja) | 電子回路用配線基板 | |
JP2001044704A (ja) | 分布定数回路素子とその製造方法およびプリント配線板 | |
JP2006093996A (ja) | ダイプレクサ | |
JP2004296927A (ja) | 電子部品収納用配線基板 | |
JP3898590B2 (ja) | 積層ストリップラインフィルタ | |
JP3860800B2 (ja) | トラップ回路内蔵型フィルタ装置 | |
JP2003037465A (ja) | 電子回路用配線基板 | |
JP2004032555A (ja) | 高周波部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100622 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4542117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |