JP5240136B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
電子部品およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5240136B2 JP5240136B2 JP2009208119A JP2009208119A JP5240136B2 JP 5240136 B2 JP5240136 B2 JP 5240136B2 JP 2009208119 A JP2009208119 A JP 2009208119A JP 2009208119 A JP2009208119 A JP 2009208119A JP 5240136 B2 JP5240136 B2 JP 5240136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- filter
- frequency
- electronic component
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
本発明者らは、高周波デバイスの基板の表面の絶縁性の劣化が高周波デバイスの損失に与える悪影響について検討した。その検討に際して、基板の表面に形成される導電性構造体として、図1に示すように分布定数型の帯域通過フィルタ素子X1を用いた。つまり、図1には、基板11の表面に帯域通過フィルタ素子X1が形成された電子部品である高周波フィルタ3が示されている。図2には高周波フィルタ3の等価回路が示されている。
基本的には、2つの酸素原子が解離することによって、SiO2が生成される。TEOSは通常では液体であるので、加熱してその蒸気をチャンバSCに供給する。O2を加えることによって、成膜レートを上昇することができる。TEOS−PECVD法は、ステップカバレージ性、埋め込み性に優れる。また、O3を添加することによるTEOS−SiO2の成膜もできる。O3を添加した場合は、より良いステップカバレージ性、埋め込み性が得られる。
(1)基板の表面がウエットプロセス中に用いる薬品に腐食される。これにより、基板の表面の骨格構造が空洞化される。そして、基板の表面に水、電化質、または金属イオンなど導電性に繋がる物質が吸着し易くなる。
(2)基板の表面がドライプロセス中に用いる加速された各種のイオンやラジカルにエッチングされる。これにより、基板の表面が粗くなり、基板の表面に水、電化質、または金属イオンなど導電性に繋がる物質が吸着し易くなる。
(3)製造プロセス中に使用している様々な薬品に腐食され、一部の金属元素が表面の複合金属酸化物の骨格構造から析出され、表面が導電性になってしまう。
(4)基板の表面に形成された導電性膜の不要な箇所において、導電性膜の除去が不十分である。つまり、基板の表面に導電性物質の残渣がある。これにより、基板の表面が腐食され、粗くなった表面に形成された導電性膜が除去し難くなり、残渣として残り易い傾向がある。
(5)以上の要因の複合現象や相乗現象がある。
(1)酸化膜12は耐薬品性が良く、かつ、加速イオンやラジカルに強い保護膜となる。酸化膜12によって、製造プロセス中において、基板11の表面が薬品や加速されたイオンまたはラジカルに曝されることがなくなる。このように、酸化膜12によって基板11が保護され、製造プロセスに起因する絶縁性の劣化を防止または抑制することができる。基板11の表面の絶縁抵抗の劣化が阻止されることにより、余分な高周波損失を招くことがなくなる。また、TEOS−CVD酸化膜はセラミクスとの相性がよい。酸化膜12の上に導電性構造体を形成すると密着性が良好であり、構造が丈夫になる。
(2)酸化膜12によって表面抵抗率を40KΩ/□以上にすることにより、帯域通過フィルタにおける通過損失が問題とならない程度に抑えられる。なお、解析は分布定数型の帯域通過フィルタ素子X1に対して行ったが、通過損失が飽和する傾向および飽和になり始めるしき値は一般性があると考えられる。
(3)酸化膜12は、絶縁性が良いので、除去する必要がない。したがって、高周波デバイスの製造プロセスが簡単化される。
〔通信モジュール〕
図11において、通信モジュールTMは、送信フィルタ51および受信フィルタ52からなる。送信フィルタ51および受信フィルタ52として、上に述べた高周波フィルタ3、またはその他の高周波フィルタを適用することが可能である。
〔通信装置〕
上に述べた高周波フィルタ3は、携帯電話機、携帯端末機などの移動体通信装置、Base−station(基地局)装置、固定通信装置など、種々の通信装置に適用することができる。
11 基板
12 酸化膜
46,47 犠牲層
X1 帯域通過フィルタ素子(導電性構造体、高周波フィルタ素子)
TM 通信モジュール(電子部品)
TS 通信装置
Claims (8)
- セラミックス基板と、
前記セラミックス基板の表面に形成され、TEOS−CVD法を用いて成膜された、表面抵抗率が40KΩ/□以上であるSiO2膜と、
前記セラミックス基板上に形成された導電性構造体と、を備える、
電子部品。 - 前記セラミック基板は、LTCC基板である、
請求項1記載の電子部品。 - 前記セラミックス基板の誘電率は4以上である、
請求項1または2記載の電子部品。 - 前記導電性構造体は高周波フィルタ素子である、
請求項1ないし3のいずれかに記載の電子部品。 - 前記導電性構造体はキャパシタである、
請求項1ないし3のいずれかに記載の電子部品。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の電子部品を備えた通信モジュール。
- セラミックス基板の表面に、TEOS−CVD法を用いてSiO2膜を形成する工程と、
表面にSiO2膜が形成された前記セラミックス基板に、MEMS技術を用いて導電性構造体を形成する工程と、
を含む電子部品の製造方法。 - 前記導電性構造体を形成する工程中に犠牲層形成工程および犠牲層除去工程が含まれている、
請求項7記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009208119A JP5240136B2 (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | 電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009208119A JP5240136B2 (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | 電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011061430A JP2011061430A (ja) | 2011-03-24 |
JP5240136B2 true JP5240136B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=43948580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009208119A Expired - Fee Related JP5240136B2 (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | 電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5240136B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000357774A (ja) * | 1999-06-15 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複数本導線線路、インダクタ素子及びモノリシックマイクロ波集積回路 |
JP4523478B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-08-11 | 京セラ株式会社 | 帯域通過フィルタ及び高周波モジュール、並びにこれを用いた無線通信機器 |
JP2007281715A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Sony Corp | 振動子 |
JP5233302B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2013-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、共振子、及び電子装置の製造方法 |
JP4542117B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2010-09-08 | 富士通株式会社 | 可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法 |
-
2009
- 2009-09-09 JP JP2009208119A patent/JP5240136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011061430A (ja) | 2011-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8320102B2 (en) | Capacitor, capacitor device, electronic component, filter device, communication apparatus, and method of manufacturing capacitor device | |
CN100574097C (zh) | 声表面波装置以及通信装置 | |
JP4819811B2 (ja) | 2つのバルク波共振器を備えたフィルタ装置 | |
TWI389451B (zh) | 使用電感器-電容器諧振器之薄膜帶通濾波器 | |
JP3996379B2 (ja) | 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成 | |
KR101543812B1 (ko) | Baw 구조체, baw 구조의 형성 방법 및 baw 구조를 포함하는 반도체 다이 | |
JP5229945B2 (ja) | フィルタ、デュープレクサ、および通信装置 | |
CN104205633B (zh) | 弹性波滤波器元件以及其制造方法 | |
WO2009120407A2 (en) | Integrated passive device and method with low cost substrate | |
JP2002268644A (ja) | モノリシックfbarデュプレクサおよびそれを作製する方法 | |
CN109378560B (zh) | 一种硅基腔体屏蔽滤波器 | |
JP7425084B2 (ja) | 広帯域性能を有するコンパクトな薄膜表面実装可能結合器 | |
US6650205B2 (en) | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same | |
WO2011036980A1 (ja) | 弾性波フィルタ | |
US20070170813A1 (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
JP5240136B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP2010093398A (ja) | フィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法 | |
JP4997961B2 (ja) | 集積化分波器 | |
US7009276B2 (en) | Thin film capacitor, thin film capacitor array and electronic component | |
JP2011192853A (ja) | 半導体装置 | |
KR20110055273A (ko) | 고주파 전력장치용 필터 및 그 필터를 구비한 고주파 전력장치 | |
US6580197B2 (en) | System and method for dissipating static charge generated in a surface acoustic wave device | |
US20210203303A1 (en) | Baw resonator with coil integrated in high impedance layer of bragg mirror or in additional high impedance metal layer below resonator | |
JP2001345667A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP2006014099A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5240136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |