JP4524716B2 - ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 - Google Patents
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009063210A JP4524716B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-16 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008067344 | 2008-03-17 | ||
| JP2008234997 | 2008-09-12 | ||
| JP2009063210A JP4524716B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-16 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010053620A Division JP5434701B2 (ja) | 2008-03-17 | 2010-03-10 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010093225A JP2010093225A (ja) | 2010-04-22 |
| JP4524716B2 true JP4524716B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=41090843
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009063210A Expired - Fee Related JP4524716B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-16 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
| JP2010053620A Active JP5434701B2 (ja) | 2008-03-17 | 2010-03-10 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール |
| JP2013007864A Active JP5440721B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-18 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
| JP2013129704A Active JP5613914B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-06-20 | パワーモジュール用基板 |
Family Applications After (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010053620A Active JP5434701B2 (ja) | 2008-03-17 | 2010-03-10 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール |
| JP2013007864A Active JP5440721B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-18 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
| JP2013129704A Active JP5613914B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-06-20 | パワーモジュール用基板 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8637777B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| EP (1) | EP2259308B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| JP (4) | JP4524716B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| KR (1) | KR101610973B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| CN (1) | CN101971329B (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| WO (1) | WO2009116439A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5640569B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2014-12-17 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP5640570B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2014-12-17 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP2011119653A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| KR101708964B1 (ko) * | 2010-01-12 | 2017-02-21 | 니폰게이긴조쿠가부시키가이샤 | 액냉 일체형 기판 및 액냉 일체형 기판의 제조 방법 |
| JP5479181B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-04-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 絶縁基板とその絶縁基板を有するモジュール |
| JP5614127B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-10-29 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
| JP2012049437A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板およびその製造方法 |
| JP5577980B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-08-27 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP5392272B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-01-22 | 株式会社豊田自動織機 | 両面基板、半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| JP6122573B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2017-04-26 | 日本軽金属株式会社 | 液冷一体型基板の製造方法 |
| JP5678684B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2015-03-04 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP5786569B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2015-09-30 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| WO2013060211A1 (zh) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | 灯壳式散热器的制作方法、灯壳式散热器及led照明装置 |
| WO2013089099A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、フラックス成分侵入防止層形成用ペーストおよび接合体の接合方法 |
| KR101367211B1 (ko) * | 2012-02-13 | 2014-02-26 | 광전자 주식회사 | 파워모듈용 알루미늄 베이스 플레이트 |
| JP6127540B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-05-17 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP5548722B2 (ja) | 2012-03-30 | 2014-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP5987418B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-09-07 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP2013229579A (ja) | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| JP2014112732A (ja) * | 2012-03-30 | 2014-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| KR101540146B1 (ko) | 2012-06-22 | 2015-07-28 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈용 방열 시스템 |
| US8941208B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-01-27 | General Electric Company | Reliable surface mount integrated power module |
| JP6201297B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-09-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅板付きパワーモジュール用基板及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP6056432B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2017-01-11 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP5971171B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁基板及びその製造方法、半導体装置 |
| JP6621076B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-12-18 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| WO2014156835A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属-セラミックス板積層体の製造装置及び製造方法、パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法 |
| JP6116404B2 (ja) * | 2013-07-01 | 2017-04-19 | 昭和電工株式会社 | 放熱装置 |
| JP6139329B2 (ja) * | 2013-08-16 | 2017-05-31 | 日本碍子株式会社 | セラミック回路基板及び電子デバイス |
| JP6086150B2 (ja) * | 2014-01-08 | 2017-03-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 抵抗器及び抵抗器の製造方法 |
| JP5949817B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2016-07-13 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP6287428B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-03-07 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP6384112B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-09-05 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板 |
| CN106463477B (zh) * | 2014-07-04 | 2019-03-12 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板单元及功率模块 |
| JP6692299B2 (ja) | 2015-02-02 | 2020-05-13 | 株式会社東芝 | 窒化珪素回路基板およびそれを用いた電子部品モジュール |
| JP6638282B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2020-01-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 冷却器付き発光モジュールおよび冷却器付き発光モジュールの製造方法 |
| JP2017224748A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 株式会社Uacj | 回路基板付きヒートシンク及びその製造方法 |
| CN107683016A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-02-09 | 生益电子股份有限公司 | 一种快速散热pcb |
| WO2019126948A1 (zh) | 2017-12-25 | 2019-07-04 | 华为技术有限公司 | 一种参数调整方法及相关设备 |
| JP7119689B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-08-17 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法及びヒートシンク付き絶縁回路基板 |
| JP7363613B2 (ja) * | 2020-03-13 | 2023-10-18 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク一体型絶縁回路基板 |
| CN116134607B (zh) * | 2020-07-27 | 2025-03-11 | 株式会社东芝 | 接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法 |
| KR102720892B1 (ko) * | 2021-07-27 | 2024-10-23 | 주식회사 아모센스 | 히트싱크 일체형 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| DE102022204169A1 (de) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Elektronische Baugruppe |
| KR20240041536A (ko) * | 2022-09-23 | 2024-04-01 | 주식회사 아모그린텍 | 히트싱크 일체형 파워모듈용 기판 및 그 제조방법 |
| EP4539116A1 (en) * | 2023-05-22 | 2025-04-16 | LX Semicon Co., Ltd. | A heat dissipation substrate for a power semiconductor module, a power semiconductor module including the heat dissipation substrate, and a power converter including the power semiconductor module |
| EP4539117A1 (en) * | 2023-05-22 | 2025-04-16 | LX Semicon Co., Ltd. | A heat dissipation substrate for a power semiconductor module, a power semiconductor module including the heat dissipation substrate, and a power converter including the power semiconductor module |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0723964Y2 (ja) * | 1988-11-11 | 1995-05-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体装置用軽量基板 |
| JP3171234B2 (ja) | 1997-03-26 | 2001-05-28 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
| JP3180677B2 (ja) | 1996-08-22 | 2001-06-25 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
| JP4556307B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2010-10-06 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール及びパワーモジュール用緩衝材の製造方法 |
| US6707671B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power module and method of manufacturing the same |
| JP4077181B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2008-04-16 | 本田技研工業株式会社 | 金属用又はセラミック用接合材及び金属又はセラミックの接合方法 |
| JP4387658B2 (ja) | 2002-10-30 | 2009-12-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付セラミック回路基板及びその製造方法 |
| JP3938079B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2007-06-27 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP4438526B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2010-03-24 | 株式会社安川電機 | パワー部品冷却装置 |
| KR100765604B1 (ko) * | 2004-11-26 | 2007-10-09 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4207896B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2009-01-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
| JP4037425B2 (ja) | 2005-07-04 | 2008-01-23 | 電気化学工業株式会社 | セラミック回路基板およびそれを用いた電力制御部品。 |
| JP5061442B2 (ja) | 2005-09-15 | 2012-10-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁回路基板および冷却シンク部付き絶縁回路基板 |
| JPWO2007105361A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2009-07-30 | 株式会社東芝 | 電子部品モジュール |
| JP4786407B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2011-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール |
| JP2008004871A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール |
| JP5392272B2 (ja) | 2011-01-13 | 2014-01-22 | 株式会社豊田自動織機 | 両面基板、半導体装置、半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-03-11 US US12/922,732 patent/US8637777B2/en active Active
- 2009-03-11 EP EP09721361.5A patent/EP2259308B1/en active Active
- 2009-03-11 CN CN2009801091880A patent/CN101971329B/zh active Active
- 2009-03-11 WO PCT/JP2009/054654 patent/WO2009116439A1/ja not_active Ceased
- 2009-03-11 KR KR1020107017399A patent/KR101610973B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-16 JP JP2009063210A patent/JP4524716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-10 JP JP2010053620A patent/JP5434701B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-18 JP JP2013007864A patent/JP5440721B2/ja active Active
- 2013-06-20 JP JP2013129704A patent/JP5613914B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5613914B2 (ja) | 2014-10-29 |
| US20110017496A1 (en) | 2011-01-27 |
| EP2259308B1 (en) | 2022-06-15 |
| JP2013065918A (ja) | 2013-04-11 |
| JP2013179374A (ja) | 2013-09-09 |
| US8637777B2 (en) | 2014-01-28 |
| KR101610973B1 (ko) | 2016-04-08 |
| WO2009116439A1 (ja) | 2009-09-24 |
| EP2259308A1 (en) | 2010-12-08 |
| KR20100138875A (ko) | 2010-12-31 |
| JP2010171437A (ja) | 2010-08-05 |
| CN101971329B (zh) | 2012-11-21 |
| JP2010093225A (ja) | 2010-04-22 |
| EP2259308A4 (en) | 2014-11-05 |
| JP5434701B2 (ja) | 2014-03-05 |
| JP5440721B2 (ja) | 2014-03-12 |
| CN101971329A (zh) | 2011-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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