JP4077181B2 - 金属用又はセラミック用接合材及び金属又はセラミックの接合方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は金属又はセラミックの接合技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、特開平11−220073号公報「ヒートシンク付き回路基板」の段落番号[0014]に「活性金属成分を含むろー材によるろー付け法、有機接着剤による接合法、」が開示され、段落番号[0030]に、ろー材がアルミニウム粉末、シリコン粉末、銅粉末及び水素化チタニウム粉末を含むことが記載され、段落番号[0031]に「ろー材ペーストの塗布面にアルミニウム板(純度99.5%、厚み0.5mm)を接触配置し、真空度1×10-5Torr以下の高真空下で、温度640℃で30分加熱・・・」と記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述したろー付け法、有機接着剤による接合法のうち、有機接着剤による接合法では、トルエンなどの有機溶剤を使用するため、作業環境を適正に保つには高価な設備が必要となる。加えて、汚れた有機溶剤の処理にも高価な設備が必要となる。
【0004】
ろー付け法は、環境及び廃液処理は問題とならぬが、ろー材を添えた母材及び接合部品を真空炉に入れ、ろーが溶けるまでの温度(640℃)まで加熱しなければならない。この様な高温に母材などを置くと、母材などの表面と内部との温度差や上面と下面との温度差により、母材などが熱変形する。この熱変形を抑えるために、一般に高い圧力で母材を押圧する。
すなわち、ろー付け法では、母材などを高温まで加熱するため変形防止策を講じなければならないので、製造費が嵩む。
【0005】
そこで、本発明の目的は、有機接着剤による接合法やろー付け法に代わる接着技術を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1は、金属用又はセラミック用接合材において、この接合材は、0.25wt%〜18.0wt%のMg粉末と、25〜50wt%の水酸基溶媒と、残部のAlN粉末と、からなることを特徴とする。
【0007】
上記成分の接合材では、下記[化1]に示す反応が起こり、結果として1120kJの反応熱が発生する。この反応熱は、母材や接合部品がアルミニウム合金であって、表面に強固な酸化膜が存在するときに、この酸化膜を熱的に破壊する作用をなす。そのための多量の熱は自己発熱と外部から加える熱との合計で賄うときには、全量を外部か加える場合に比較して、外部から加える熱は少なくて済む。外部から加える熱が少なければ、母材やこれに接合する接合部品の温度上昇を下げることができ、低温であれば熱変形の防止対策を格別に講じる必要が無い。仮に、変形防止策を講じるとしてもこの防止策の押圧力は低圧に抑えることができる。
従来の有機接着剤では、有害ガスが発生するが、本発明ではその様なガスが発生せず、環境を良好に保つことができる。
【0008】
【化1】
【0009】
次に、成分の範囲を、下記[化2]に基づいて説明する。
【0010】
【化2】
【0011】
AlNの分子量(原子量の和)は41であり、これを8倍すると328となる。Mgの原子量は約24であり、これを3倍すると72となる。H2Oの分子量は18であり、これを12倍すると216になる。
従って、8:3:12(係数比)は重量比に換算すると、328:72:216になる。これを、百分率に換算すると、53wt%:12wt%:35wt%になる。すなわち、AlNの好適比率は53wt%、Mgの好適比率は12wt%、H2Oの好適比率は35wt%である。しかし、実用的にはこれらの比率は幅を広げることができる。
【0012】
実験の結果、Mgは0.25wt%未満では上記[化1]の反応が十分に進展しなかった。又、Mgが18wt%を超えるとAl2MgO4が過剰に生成され、接合強度が低下することが分かった。従って、Mgは0.25〜18wt%の範囲であればよい。
【0013】
また、水酸基溶媒は25wt%未満では前記反応が不十分になると共に接合材がペースト状にならず、塗布が良好に行えなかった。又、水酸基溶媒は50wt%を超えると流動性過剰となり塗布が行えなかった。従って、水酸基溶媒は25〜50wt%の範囲であればよい。
【0014】
請求項2の金属用又はセラミック用接合材では、水酸基溶媒は水であることを特徴とする。
【0015】
水酸基溶媒は水、エタノール、イソプロピルアルコール等が該当する。しかし、エタノールやイソプロピルアルコール等の揮発性溶媒では、混合中に発熱反応が起こり、ペーストが乾燥するため、接合材の取扱い並びに管理が難しくなる。この点、水であれば、ベーストの粘度を適正に保つことができ、接合材の管理が容易になる。
【0016】
請求項3の金属又はセラミックの接合方法は、接合材を構成する0.25wt%〜18.0wt%のMg粉末と、25〜50wt%の水酸基溶媒と、残部のAlN粉末とのうちで、Mg粉末とAlN粉末とを混練する混練工程と、
塗布直前に、混練済粉末に25〜50wt%の水酸基溶媒を混合する混合工程と、
得られた接合材を、金属又はセラミックからなる母材と接合部品のうちの少なくとも一方に塗布する塗布工程と、
接合材を介して母材に接合部品を密着させる密着工程と、
密着させた母材及び接合部品を150〜500℃に加熱して接合を促す加熱工程と、からなる。
【0017】
粉末は水酸基溶媒を加える前に、混練することで均等に混ざり、後の反応が起こりやすくなる。
混練済粉末に水酸基溶媒を加えると反応が始まるので、この工程は塗布直前に実施する。
【0018】
強固な酸化膜を熱的に破壊するための熱を、自己発熱と外部から加える熱の合計で賄う。自己発熱で[化1]に示した1120kJが期待できるので、残りを外部熱で補うべく150〜500℃まで加熱する。この温度は外部加熱のみで賄うときより十分に低温になる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を添付図に基づいて以下に説明する。
図1は本発明の接着方法で製造した大電流用パワーデバイスの断面図であり、大電流用パワーデバイス10は、半導体素子11と、この半導体素子11を支える絶縁基材12と、この絶縁基材12に接合したヒートスプレッタ13と、このヒートスプレッタ13に本発明の接合材14を用いて接合したヒートシンク15とからなり、半導体素子11の発熱をヒートスプレッタ13、ヒートシンク15の順で伝達し、外部へ放出することで、半導体素子11の温度上昇を抑えることができると言う構造物である。
【0020】
各構成要素の材料を説明する。絶縁基材12は窒化アルミニウム、ヒートスプレッタ13は熱伝導率の大きなアルミニウム、銅、炭化珪素(SiC)、ヒートシンク15も熱伝導率の大きなアルミニウム、銅、炭化珪素で構成する。
【0021】
以上の構成から大電流用パワーデバイスの接合方法を次に説明する。
図2(a)〜(c)は大電流用パワーデバイスの接合方法の説明図である。
(a):先ず、半導体素子11及び絶縁基材12を備えたヒートスプレッタ13と、ヒートシンク15と、接合材14とを準備する。ヒートスプレッタ13はアルミニウム(純度99.99%)、ヒートシンク15はアルミニウム合金A5052(2.5Mg,0.25Crを含むアルミニウム合金)であり、両者は異種金属であると言える。
【0022】
接合材14のために、AlN粉末50wt%とMg粉末10wt%と水40wt%とを準備する。併せて、ヒートシンク15やヒートスプレッタ13がアルミニウム又はアルミニウム合金であるため、添加材としてAlN粉末の7倍のAl粉末を準備する。そして、先ず、AlN粉末(50wt%)とMg粉末(10wt%)とAl粉末(AlN粉末の7倍)を乳鉢で十分に混練する。この混練済みの粉末に水(40wt)を混合して、添加材を含む接合材14とする。
【0023】
(b):接合材14をヒートスプレッタ13に塗布する。この接合材14にヒートシンク15を載せる。接合材14はヒートシンク15側に塗布してもよい。
【0024】
(c):図示せぬ真空炉に全てを入れるが、この時に支持台16,16にヒートスプレッタ13を載せる。これにより、接合材14にヒートシンク15の自重が掛る。この負荷による押し圧は約2MPaである。2MPaに達しない場合には、想像線で示すように、不足分に相当するウエイト17をヒートシンク15に載せればよい。そして、真空炉内を真空排気し、次に窒素を吹込み、酸素濃度が3〜20ppmの窒素雰囲気にする。
【0025】
そして、目標温度150℃、昇温速度10℃/分で加熱を開始し、150℃到達後は2時間放置する。この間に次に示す[化3]に示す反応が起こり、結果として1120kJの反応熱が発生する。この反応熱は、母材や接合部品がアルミニウム合金であって、表面に強固な酸化膜が存在するときに、この酸化膜を熱的に破壊する熱の一部に充当する。
【0026】
【化3】
【0027】
真空炉から取り出したものが図1に示すパワーデバイス10である。このパワーデバイス10の機械的性質を調べた。その内容を[表1]に示す。
【0028】
【表1】
【0029】
接合部厚、すなわち接合材14の厚さは約100μmであり、引張り試験機にかけて、引張強度を図ると共に引張破壊試験を実施した。その結果、引張強度は約20MPaであり、破壊部位は接合部品、すなわちヒートスプレッタ13内であった。従って、本発明による接合材を用い、本発明方法で得た接合部は従来の接着強度並みの強度があることが確認できた。
【0030】
なお、加熱温度を150℃に設定したのは次の通りである。
図2(a)において、半導体素子11は半田によって絶縁材12に固定してある。この半田は180℃で軟化若しくは溶解するため、図2(c)での加熱は180℃未満で実施する必要がある。
一方、本発明の接合材14は、自己発熱が期待できるため、外部加熱は125℃で従来並みの強度が発生することが確認できた。
そこで、125℃と180℃の中間をとって、実施例では150℃とした。
【0031】
ただし、接合強度は温度に依存するために、高強度を目的として外部加熱温度を180℃以上とする要求もある。そのための実施例を次に説明する。
図3(a)〜(d)は大電流用パワーデバイスの接合方法の別の説明図である。
(a):ヒートスプレッタ13と、ヒートシンク15と、接合材14とを準備する。ヒートスプレッタ13はアルミニウム(純度99.99%)、ヒートシンク15はアルミニウム合金A5052(2.5Mg,0.25Crを含むアルミニウム合金)であり、両者は異種金属であると言える。
【0032】
接合材14のために、AlN粉末50wt%とMg粉末10wt%と水40wt%とを準備する。併せて、ヒートシンク15やヒートスプレッタ13がアルミニウム又はアルミニウム合金であるため、添加材としてAlN粉末の7倍のAl粉末を準備する。そして、先ず、AlN粉末(50wt%)とMg粉末(10wt%)とAl粉末(AlN粉末の7倍)を乳鉢で十分に混練する。この混練剤みの粉末に水(40wt)を混合して、添加材を含む接合材14とする。
【0033】
(b):接合材14をヒートスプレッタ13に塗布する。この接合材14にヒートシンク15を載せる。接合材14はヒートシンク15側に塗布してもよい。
【0034】
(c):図示せぬ真空炉に全てを入れるが、この時に支持台16,16にヒートスプレッタ13を載せる。これにより、接合材14にヒートシンク15の自重が掛る。この負荷による押し圧は約2MPaである。2MPaに達しない場合には、不足分に相当するウエイトをヒートシンク15に載せればよい。そして、真空炉内を真空排気し、次に窒素を吹込み、酸素濃度が3〜20ppmの窒素雰囲気にする。
【0035】
そして、目標温度600℃、昇温速度10℃/分で加熱を開始し、600℃到達後は2時間放置する。
【0036】
(d):炉から取りだして反転させた後のヒートスプレッタ13に、半導体素子11及び絶縁基材12を半田などで取付ける。
【0037】
次に、本発明をエンジンに適用した例を示す。
図4(a)〜(c)はエンジンのシリンダ部とヘッドとの接合方法の説明図である。
(a):先ず、エンジンのシリンダ部21と、フィン22を備えたヘッド23と、を準備し、シリンダ部21に予めボルト24・・・(・・・は複数個を示す。以下同じ)を取付けておく。シリンダ部21の材質はアルミニウムダイカスト品(ADC−12)であり、ヘッド23の材質もアルミニウムダイカスト品(ADC−12)である。
そして、シリンダ部21の上面に接合材14を塗布する。この接合材14は先に説明したものと同じ組成物である。
【0038】
(b):シリンダ部21にヘッド23を載せ、ボルト24・・・にナット25・・・を取付け、ナット25・・・を回して、ヘッド23をシリンダ部21へ押圧する。この押圧力は2MPaに調整する。すなわち、ボルト24,ナット25が機械式ジャッキの作用を果す。このままで、シリンダ部21及びヘッド23を図示せぬ真空炉に入れる。
、真空炉内を真空排気し、次に窒素を吹込み、酸素濃度が3〜20ppmの窒素雰囲気にする。
【0039】
そして、目標温度400℃、昇温速度10℃/分で加熱を開始し、400℃到達後は2時間放置する。この間に次に示す[化4]に示す反応が起こり、結果として1120kJの反応熱が発生する。この反応熱は、母材や接合部品がアルミニウム合金であって、表面に強固な酸化膜が存在するときに、この酸化膜を熱的に破壊する熱の一部となる。
【0040】
【化4】
【0041】
(c):真空炉から取り出し、ボルト・ナットを取り除いたものが、シリンダ部・ヘッド組立体20となる。従来は、シリンダ部にボルトでヘッドを組みつけていたが、本発明では接合材14で両者を結合したことを特徴とする。
シリンダ部・ヘッド組立体20の機械的性質を調べた。その内容を[表2]に示す。
【0042】
【表2】
【0043】
接合部厚、すなわち接合材14の厚さは約85μmであり、引張り試験機にかけて、引張強度を図ると共に引張破壊試験を実施した。その結果、引張強度は約75MPaであり、破壊部位は母材、すなわちシリンダ部21内であった。従って、本発明による接合材を用い、本発明方法で得た接合部は十分に強度があることが確認できた。
【0044】
接合材の接合を促すために外部から施す加熱温度についてまとめると、従来並みの強度を得るためには125℃以上にする必要があり、又 、ろー付け温度(約640℃)より低温にして温度変形を防止することを考えると、600℃に留めたい。そこで、外部加熱温度は125〜600℃から選択する。
さらには、一定以上の強度を確保する上では150℃は必要であり、温度変形の発生を十分に抑えるには500℃に留める必要がある。そこで、好ましい外部加熱温度は150〜500℃から選択する。
【0045】
尚、本発明の接合材に添加する添加材は、母材や接合部品の性質に合せて適宜変更する。例えば、接合面にNiメッキを施してあれば、添加材はNi粉末とする。
【0046】
【発明の効果】
本発明は上記構成により次の効果を発揮する。
請求項1によれば、接合材の自己発熱反応が期待できるため、全熱量を外部か加える場合に比較して、外部から加える熱は少なくて済む。外部から加える熱が少なければ、母材やこれに接合する接合部品の温度上昇を下げることができ、低温であれば熱変形の防止対策を格別に講じる必要が無い。仮に、変形防止策を講じるとしてもこの防止策の押圧力は低圧に抑えることができる。
従来の有機接着剤では、有害ガスが発生するが、本発明ではその様なガスが発生せず、環境を良好に保つことができる。
【0047】
請求項2の金属用又はセラミック用接合材では、水酸基溶媒は水であることを特徴とする。水酸基溶媒は水、エタノール、イソプロピルアルコール等が該当する。しかし、エタノールやイソプロピルアルコール等の揮発性溶媒では、混合中に発熱反応が起こり、ペーストが乾燥するため、接合材の取扱い並びに管理が難しくなる。この点、水であれば、ベーストの粘度を適正に保つことができ、接合材の管理が容易になる。
【0048】
請求項3の金属又はセラミックの接合方法によれば、水酸基溶媒を加える前に、粉末を混練するので、粉末が均等に混ざり、後の反応が起こりやすくなる。そして、混練済粉末に水酸基溶媒を加える工程を塗布直前に実施するので、反応熱を有効に利用することができる。
【0049】
この結果、接合材の自己発熱反応が期待できるため、全熱量を外部か加える場合に比較して、外部から加える熱は少なくて済む。外部から加える熱が少なければ、母材やこれに接合する接合部品の温度上昇を下げることができ、低温であれば熱変形の防止対策を格別に講じる必要が無い。仮に、変形防止策を講じるとしてもこの防止策の押圧力は低圧に抑えることができる。
従来の有機接着剤では、有害ガスが発生するが、本発明ではその様なガスが発生せず、環境を良好に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の接着方法で製造した大電流用パワーデバイスの断面図
【図2】大電流用パワーデバイスの接合方法の説明図
【図3】大電流用パワーデバイスの接合方法の別の説明図
【図4】エンジンのシリンダ部とヘッドとの接合方法の説明図
【符号の説明】
13…母材としてのヒートスプレッタ、14…接合材、15…接合部品としてのヒートシンク、21…母材としてのシリンダ部、23…接合部品としてのヘッド。
Claims (3)
- 金属用又はセラミック用接合材において、この接合材は、0.25wt%〜18.0wt%のMg粉末と、25〜50wt%の水酸基溶媒と、残部のAlN粉末と、からなることを特徴とする金属用又はセラミック用接合材。
- 前記水酸基溶媒は水であることを特徴とする請求項1記載の金属用又はセラミック用接合材。
- 接合材を構成する0.25wt%〜18.0wt%のMg粉末と、25〜50wt%の水酸基溶媒と、残部のAlN粉末とのうちで、Mg粉末とAlN粉末とを混練する混練工程と、
塗布直前に、前記混練済粉末に25〜50wt%の水酸基溶媒を混合する混合工程と、
得られた接合材を、金属又はセラミックからなる母材と接合部品のうちの少なくとも一方に塗布する塗布工程と、
接合材を介して母材に接合部品を密着させる密着工程と、
密着させた母材及び接合部品を150〜500℃に加熱して接合を促す加熱工程と、からなる金属又はセラミックの接合方法。
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