DE102012200034A1 - Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit gesinterter Fügeschicht und Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit gesinterter Fügeschicht und Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012200034A1 DE102012200034A1 DE102012200034A DE102012200034A DE102012200034A1 DE 102012200034 A1 DE102012200034 A1 DE 102012200034A1 DE 102012200034 A DE102012200034 A DE 102012200034A DE 102012200034 A DE102012200034 A DE 102012200034A DE 102012200034 A1 DE102012200034 A1 DE 102012200034A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- subspace
- composite body
- sintering
- bodies
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B5/00—Presses characterised by the use of pressing means other than those mentioned in the preceding groups
- B30B5/02—Presses characterised by the use of pressing means other than those mentioned in the preceding groups wherein the pressing means is in the form of a flexible element, e.g. diaphragm, urged by fluid pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75317—Removable auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/755—Cooling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
- H01L2224/83005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83209—Compression bonding applying isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or a pressurised liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers (10), insbesondere eines Verbundkörpers (10) zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, der in einem fertiggestellten Zustand zumindest zwei stoffschlüssig miteinander verbundene Teilkörper (12, 14) umfasst, wobei der Stoffschluss durch zumindest eine in einer Fügerichtung (16) zwischen den Teilkörpern (12, 14) angeordnete Fügeschicht (18) herbeigeführt ist, die von einem gesinterten Werkstoff gebildet ist, gekennzeichnet durch folgende Schritte: a) Erstellen einer Anordnung der zumindest zwei Teilkörper (12, 14) und der in der Fügerichtung (16) zwischen den zumindest zwei Teilkörpern (12, 14) angeordneten, zumindest einen ungesinterten Fügeschicht (18) zu einem angeordneten Verbundkörper (10), b) Platzieren des angeordneten Verbundkörpers (10) in einen ersten Teilraum (36) einer im Wesentlichen gasdicht verschließbaren Sinterkammer (22) mit Kammerwänden (26) und einem im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler (32), der die Sinterkammer (22) in den ersten Teilraum (36) und zumindest einen zweiten Teilraum (38) aufteilt, in unmittelbarer Nähe des Raumteilers (32), wobei der Raumteiler (32) zumindest ein verformbares Teilelement (34) aufweist, dessen Position relativ zu den Kammerwänden (26) veränderbar ist, c) Herstellen einer positiven Raumdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum (38) und dem ersten Teilraum (36), und d) Erhitzen des angeordneten Verbundkörpers (10) zumindest bis auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers (10).
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers gemäß dem Gegenstand des unabhängigen Anspruchs 1 sowie eine Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers gemäß dem unabhängigen Anspruch 6.
- Stand der Technik
- Verbundkörper mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1 finden Anwendung auf dem Gebiet der Leistungselektronik, beispielsweise bei IGBTs (insulated-gate bipolar transistor), wobei versucht wird, Anforderungen an einen dauerhaften Verbund von Teilkörpern des Verbundkörpers hinsichtlich einer Erhöhung einer zulässigen maximalen Betriebstemperatur und einer angestrebten Erhöhung einer Anzahl von Temperaturzyklen zur Verlängerung der Lebensdauer eines elektronischen Bauelements durch zumindest eine Fügeschicht zu erfüllen, die durch einen Sintervorgang herstellbar ist. Derartige Verbundkörper, bei denen eine gesinterte Fügeschicht aus einer Silbersinterpaste hergestellt ist, werden beispielsweise in der deutschen Patentschrift
DE 10 2007 046 901 A1 beschrieben. Zur Herstellung einer Sinterverbindung wird ein pastenförmiger Ausgangswerkstoff, umfassend leicht zersetzbare Silberverbindungen sowie Silberflocken oder Nanosilber, als Fügeschicht verwendet. Bei einer Temperaturbehandlung des Ausgangswerkstoffs unter 300°C zersetzen sich die Silberverbindungen unter Ausbildung des elementaren Silbers und bilden zusammen mit den Silberflocken und dem Nanosilber die Sinterverbindung aus. Der Sintervorgang erfolgt dabei unter Beaufschlagung mit gegenüber den Standardbedingungen erhöhtem Druck. - Offenbarung der Erfindung
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers, insbesondere eines Verbundkörpers zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, der in einem fertiggestellten Zustand zumindest zwei stoffschlüssig miteinander verbundene Teilkörper umfasst, wobei der Stoffschluss durch zumindest eine in einer Fügerichtung zwischen den Teilkörpern angeordnete Fügeschicht herbeigeführt ist. Unter einer "Fügerichtung" soll in diesem Zusammenhang insbesondere die relative Richtung verstanden werden, in der zusammenzufügende Teile unmittelbar vor einer Zusammenfügung gegeneinander bewegt werden. Die Teilkörper können beispielsweise von Trägersubstraten oder von Funktionsschichten aus Halbleitermaterialien gebildet sein, die aus der Herstellung von elektronischen Bauelementen bekannt sind.
- Es wird vorgeschlagen, dass das Verfahren folgende Schritte umfasst:
- a) Erstellen einer Anordnung der zumindest zwei Teilkörper und der in der Fügerichtung zwischen den zumindest zwei Teilkörpern angeordneten, zumindest einen ungesinterten Fügeschicht zu einem angeordneten Verbundkörper,
- b) Platzieren des angeordneten Verbundkörpers in einen ersten Teilraum einer im Wesentlichen gasdicht verschließbaren Sinterkammer mit Kammerwänden und einem im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler, der die Sinterkammer in den ersten Teilraum und zumindest einen zweiten Teilraum aufteilt, in unmittelbarer Nähe des Raumteilers, wobei der Raumteiler zumindest ein verformbares Teilelement aufweist, dessen Position durch eine Druckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Teilraum (
36 ,38 ) relativ zu den Kammerwänden veränderbar ist, - c) Herstellen einer positiven Luftdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum und dem ersten Teilraum, und
- d) Erhitzen des angeordneten Verbundkörpers zumindest bis auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur.
- Dadurch kann insbesondere bei angeordneten Verbundkörpern, die eine dem Raumteiler zugewandte Außenfläche mit zumindest zwei Teilflächen umfasst, die nach dem Platzieren des angeordneten Verbundkörpers im ersten Teilraum in Bezug auf den Raumteiler unterschiedlich beabstandet sind, eine gleichmäßige Flächenpressung auf die zumindest zwei Teilflächen ermöglicht werden. Ferner kann in diesen Fällen eine Zeitersparnis durch Vermeidung von ansonsten notwendigen, aufwändigen Ausgleichsaufbauten erreicht werden.
- Weiterhin können bei mehreren angeordneten Verbundkörper unvermeidlicherweise auftretende Höhentoleranzen ausgeglichen und eine gleichmäßige Flächenpressung auf angeordnete Verbundkörper mit leicht unterschiedlicher Höhe erreicht werden, wodurch eine gleichzeitige Herstellung mehrerer Verbundkörper in einem Sintervorgang ermöglicht werden kann.
- Das verformbare Teilelement kann insbesondere auch irreversibel verformbar ausgebildet sein.
- Unter positiver Luftdruckdifferenz ist zu verstehen, dass im zweiten Teilraum ein im Vergleich zum ersten Teilraum der Sinterkammer erhöhter Luftdruck vorliegt, sodass auf Grund der Druckdifferenz das verformbare Teilelement in Richtung des ersten Teilraums verformt wird.
- Weiterhin wird vorgeschlagen, dass die positive Luftdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum und dem ersten Teilraum dadurch hergestellt wird, dass der Luftdruck im ersten Teilraum auf einen Wert unterhalb eines Umgebungsluftdruckwerts abgesenkt wird. Unter einem „Umgebungsluftdruckwert" soll in diesem Zusammenhang ein Luftdruck verstanden werden, der außerhalb der gasdicht verschließbaren Sinterkammer herrscht. Dadurch kann eine Reduzierung von Anzahl und Größe von Makroporen in der gesinterten Fügeschicht erreicht werden. Zusätzlich oder alternativ ist es möglich, dass der Luftdruck im zweiten Teilraum auf einen Wert oberhalb eines Umgebungsluftdruckwertes erhöht wird.
- Wenn der angeordnete Verbundkörper im ersten Teilraum unterhalb des Teilelements angeordnet wird, ist eine Beaufschlagung mit einer gleichmäßigen Flächenpressung in besonders einfacher Weise ermöglicht, bei der eine Gefahr einer unbeabsichtigten Verschiebung der Teilkörper des angeordneten Verbundkörpers in einem Zeitraum zwischen dem Platzieren des angeordneten Verbundkörpers und dem Erhitzen gering gehalten werden kann.
- Ferner wird vorgeschlagen, dass die Schritte a) und b) zu einer Herstellung zumindest zweier angeordneter Verbundkörper zumindest zweifach durchgeführt werden, bevor die Schritte c) und d) ausgeführt werden. Dadurch können zwei oder mehr angeordnete Verbundkörper in einem Herstellvorgang hergestellt werden, ohne dass aufwändige Ausgleichsaufbauten zum Ausgleich einer durch Fertigungstoleranzen potentiell vorhandenen Abstandsdifferenz in Bezug auf das Teilelement erstellt werden müssen. Insbesondere können dadurch auch strukturell unterschiedliche angeordnete Verbundkörper mit unterschiedlichen Bauhöhen in einem Herstellvorgang hergestellt werden.
- Des Weiteren wird vorgeschlagen, dass anschließend an den Schritt b) ein Trennelement zwischen den angeordneten Verbundkörpern und dem Raumteiler angeordnet wird. Vorteilhaft kann das Trennelement geringe Adhäsion gegenüber anderen Materialien aufweisen. Dadurch kann ein Anhaften der Verbundkörper an dem Teilelement an einem Ende eines Herstellvorgangs vermieden werden. Bevorzugt ist das Trennelement im Wesentlichen aus Polytetrafluorethylen (PTFE) hergestellt. Grundsätzlich kann das Trennelement aber auch aus einem anderen, dem Fachmann für diesen Zweck geeignet erscheinenden Material hergestellt und beispielsweise von einer Matte aus einem Silikonelastomer gebildet sein.
- Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Sintervorrichtung zur Herstellung eines Verbundkörpers, insbesondere eines Verbundkörpers zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, nach einem der aus- und weitergestalteten, vorteilhaften Verfahren.
- Die Sintervorrichtung umfasst:
- – eine im Wesentlichen gasdicht verschließbare Sinterkammer mit Kammerwänden,
- – einen im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler, das die Sinterkammer in einen ersten Teilraum und zumindest einen zweiten Teilraum aufteilt,
- – zumindest eine gasdurchlässige Verbindung zwischen der Sinterkammer und einem die Sintervorrichtung umgebenden Raum zum Luftaustausch,
- – zumindest eine Heizvorrichtung zur Erhöhung einer Temperatur zumindest eines der Teilräume auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur, wobei der Raumteiler zumindest ein Teilelement aufweist, dessen Position durch eine Raumdruckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Teilraum (
36 ,38 ) relativ zu den Kammerwänden veränderbar ist. - Unter "im Wesentlichen gasdicht" und „im Wesentlichen gasundurchlässig“ soll in diesem Zusammenhang insbesondere verstanden werden, dass das Objekt die beschriebene Eigenschaft in idealer Ausprägung aufweisen soll, jedoch eine in einer praktischen Ausgestaltung durch Unvollkommenheiten stets vorhandene Leckage und Gasdurchlässigkeit aufweisen darf.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Sintervorrichtung ist das verformbare Teilelement elastisch verformbar ausgebildet. Unter "elastisch verformbar" soll in diesem Zusammenhang insbesondere verstanden werden, dass eine Luftdruckdifferenz zwischen den beiden Seiten des Teilelements eine maximale, reversible Verformung des Teilelements von vorteilhaft zumindest 2 mm, bevorzugt von mehr als 4 mm und, besonders bevorzugt, von mehr als 5 mm hervorruft. Dadurch können auf konstruktiv einfache Weise Toleranzen von angeordneten Verbundkörpern ausgeglichen und gleichmäßige Flächenpressungen auf die angeordneten Verbundkörper während des Herstellvorgangs trotz unterschiedlicher Abstände zum Teilelement nach Platzieren der angeordneten Verbundkörper in dem ersten Teilraum erreicht werden.
- Derselbe Vorteil kann erzielt werden, wenn das verformbare Teilelement biegeweich ausgebildet ist. Unter einem "biegeweichen Objekt" soll in diesem Zusammenhang insbesondere ein Objekt verstanden werden, dass ausgehend von einem kräftefrei angeordneten Zustand in einer Richtung, die senkrecht zu Haupterstreckungsrichtungen des Objekts angeordnet ist, keine mechanischen Kräfte aufnehmen kann. Ein biegeweiches, flächiges Objekt beispielsweise, bei dem Haupterstreckungsrichtungen durch Abmessungen des Objekts in zwei nicht-parallelen, in der Fläche liegenden Richtungen gegeben sind, kann in einer Richtung senkrecht zur Fläche keine Kräfte aufnehmen, so dass es sich bei Anwendung einer solcherart gerichteten Kraft sofort irreversibel verformt. Das biegeweich ausgebildete Teilelement kann beispielsweise als ungespannt befestigte Folie ausgebildet sein.
- Grundsätzlich ist es möglich, insbesondere im zweiten Teilraum, alternativ zu Luft ein beliebiges gasförmiges oder flüssiges Medium vorzusehen und durch eine Druckbeaufschlagung eine positive Raumdruckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Teilraum auszubilden.
- Folglich ist für die Sintervorrichtung eine Druck erhöhende und/oder Druck vermindernde Vorrichtung vorzusehen.
- Zeichnung
- Weitere Vorteile ergeben sich aus der folgenden Zeichnungsbeschreibung. In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Die Zeichnung, die Beschreibung und die Ansprüche enthalten zahlreiche Merkmale in Kombination. Der Fachmann wird die Merkmale zweckmäßigerweise auch einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfassen.
- Es zeigen:
-
1 eine schematisierte Darstellung eines Verbundkörpers in einer Seitenansicht, und -
2 eine schematische, seitliche Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Sintervorrichtung mit angeordneten Verbundkörpern gemäß der1 . - Beschreibung des Ausführungsbeispiels
-
1 zeigt einen schematisierten Aufbau zweier Verbundkörper10 ,10‘ , die zum Aufbau von elektronischen Bauelementen Verwendung finden, in einem fertiggestellten Zustand in einer Seitenansicht. Jeder der Verbundkörper10 ,10‘ umfasst zwei Teilkörper12 ,12’ ,14 ,14’ . Die Teilkörper12 ,12’ ,14 ,14’ jedes der beiden Verbundkörper10 ,10‘ sind in einer Fügerichtung16 durch Stoffschluss miteinander verbunden, wobei der Stoffschluss durch eine in einer Fügerichtung16 zwischen den Teilkörpern12 ,12’ ,14 ,14’ angeordnete Fügeschicht18 ,18’ herbeigeführt ist. - Der erste Teilkörper
12 , der in der1 zuunterst dargestellt ist, besteht aus einem Substrat in Plattenform aus Siliziumkarbid (SiC). Die Fügeschicht18 oberhalb des ersten Teilkörpers12 ist von einem gesinterten Werkstoff gebildet, der vollständig aus gesintertem Silber besteht. Parallel zu einer Ebene, die senkrecht zur Fügerichtung16 angeordnet ist, ist der als Halbleiterschicht auf Siliziumbasis ausgebildete zweite Teilkörper14 vorgesehen. - Der zweite Verbundkörper
10‘ ist identisch zum ersten Verbundkörper10 ausgebildet. Durch Fertigungstoleranzen besteht dennoch zwischen den beiden Verbundkörpern10 ,10‘ im angeordneten Zustand eine Höhendifferenz20 , die in der1 zur Verdeutlichung übertrieben dargestellt ist. -
2 zeigt eine schematische, seitliche Ansicht einer erfindungsgemäßen Sintervorrichtung zur Herstellung der Verbundkörper10 ,10‘ . Die Sintervorrichtung umfasst eine im Wesentlichen gasdicht verschließbare Sinterkammer22 mit einem Innenraum24 , der von Kammerwänden26 , einem Bodenelement28 , einem Deckenelement30 und von einer nicht dargestellten Tür, die in einem geschlossenen Zustand parallel zur Zeichenebene angeordnet und dazu vorgesehen ist, die Sinterkammer22 gasdicht zu verschließen, begrenzt ist. Die Sinterkammer22 weist einen gasundurchlässigen Raumteiler32 auf, der an beiden Seiten und an einer der Tür abgewandten Längsseite mit den Kammer-wänden26 durch Schweißverbindungen stoffschlüssig verbunden ist und die Sinterkammer22 in einen ersten, unteren Teilraum36 und einen zweiten, oberen Teilraum38 aufteilt. An einer der Tür zugewandten Kante ist der Raumteiler32 , ebenso wie der Tür zugewandte Kanten der Kammerwände26 , mit Dichtungselementen ausgestattet, die einstückig geformt sind und eine Dichtungseinheit40 ausbilden. - Die der Tür in einem geschlossenen Zustand gegenüberliegende Kammerwand
26 weist in einem oberen Bereich des ersten Teilraums36 eine von einer Durchführung mit außen liegendem Anschlussstutzen gebildete gasdurchlässige Verbindung42 zwischen der Sinterkammer22 und einem die Sintervorrichtung umgebenden Raum auf, die zum Luftaustausch dient. In einem Betriebszustand der Sintervorrichtung sind an dem Anschlussstutzen eine (nicht dargestellte) Vakuumpumpe und ein (nicht dargestelltes) Belüftungsventil installiert. - Die Sintervorrichtung umfasst ferner eine kombinierte Heiz-/Kühlvorrichtung
44 , die am Bodenelement28 innerhalb des ersten Teilraums36 angeordnet ist und an ihrer dem Innenraum24 der Sinterkammer22 zugewandten Seite eine Ablagefläche46 ausbildet, die zur Ablage der zu sinternden, angeordneten Verbundkörpern10 ,10‘ dient. Die Heiz-/Kühlvorrichtung44 ist dazu vorgesehen, eine Temperatur in dem ersten Teilraum36 und insbesondere eine Temperatur von auf der Ablagefläche46 befindlichen, angeordneten Verbundkörper10 ,10’ auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur zwischen 100°C und 350°C zu erhöhen oder eine gegenüber der normalen Raumtemperatur erhöhte Temperatur in dem ersten Teilraum36 und der angeordneten Verbundkörper10 ,10’ zu erniedrigen. Dem Fachmann sind dazu geeignete Vorrichtungen geläufig, so dass an dieser Stelle darauf nicht näher eingegangen wird. - Des Weiteren weist der Raumteiler
32 ein in einem bevorzugt zentralen Bereich angeordnetes, verformbares Teilelement34 auf, dessen Position relativ zu den Kammer-wänden26 veränderbar ist. Das Teilelement34 ist von einer elastisch verformbaren Membran aus Polytetrafluorethylen (PTFE) in Rechteckform gebildet, wobei die Seiten des Rechtecks gasdicht mit dem Raumteiler32 verbunden sind. Alter-nativ kann das Teilelement34 auch von einer elastisch verformbaren Membran aus einem Silikonelastomer gebildet sein. Durch Beaufschlagung mit einer Flächenpressung von 0,1 MPa ist das Teilelement34 relativ zu den Kammerwänden26 reversibel um maximal 5 mm auslenkbar. - Zur Herstellung des Verbundkörpers
10 werden zunächst in der in der1 dargestellten Weise die Teilkörper12 ,14 und die in der Fügerichtung16 zwischen den zwei Teilkörpern12 ,14 angeordnete, ungesinterte Fügeschicht18 zu dem angeordneten Verbundkörper10 angeordnet. - Anschließend wird der angeordnete Verbundkörper
10 auf der Ablagefläche46 im ersten Teilraum36 in unmittelbarer Nähe, in einem minimalen Abstand von etwa 2 mm unterhalb des elastisch verformbaren Teilelements34 des Raumteilers32 platziert. - Diese beiden Vorgänge werden wiederholt, bis eine gewünschte Anzahl angeordneter Verbundkörper
10 ,10‘ unterhalb des elastisch verformbaren Teilelements34 platziert ist. - In einem nächsten Schritt wird ein von einer dünnen PTFE-Folie gebildetes Trennelement
48 zur Trennung der angeordneten Verbundkörper10 ,10‘ und des Raumteilers32 auf die angeordneten Verbundkörper10 ,10‘ gelegt. - Dann wird die Tür der Sintervorrichtung geschlossen und eine positive Luftdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum
38 und dem ersten Teilraum36 dadurch hergestellt, dass der Luftdruck im ersten Teilraum36 mittels der Vakuumpumpe auf einen Wert unterhalb eines Umgebungsluftdruckwerts abgesenkt wird. Durch eine Absenkung des Luftdrucks auf einen Wert von 1 mbar wird das elastisch verformbare Teilelement34 gleichmäßig in Richtung des ersten Teilraums36 verformt (in der2 gestrichelt dargestellt) und gelangt in Anlage mit den unterhalb des Teilelements34 platzierten, angeordneten Verbundkörpern10 ,10‘ auf die dadurch trotz der vorhandenen Höhendifferenz20 eine gleichmäßige Flächenpressung ausgeübt wird. - Nach Erreichen der vorbestimmten, positiven Luftdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum
38 und dem ersten Teilraum36 wird durch Aktivierung eines Heizelements der Heiz-/Kühlvorrichtung44 die Temperatur der angeordneten Verbundkörper10 ,10’ auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur erhöht und für eine vorbestimmte Zeit eines Sintervorgangs aufrechterhalten. - Während des Sinterungsvorgangs bleibt die Flächenpressung auf die angeordneten Verbundkörper
10 ,10’ erhalten, da sowohl eine Längenausdehnung der Verbundkörper10 ,10’ während einer anfänglichen Erhöhung der Temperatur auf die Sintertemperatur als auch eine Schrumpfung der Verbundkörper10 ,10’ durch eine Dickenveränderung der Fügeschicht18 ,18’ während des Sintervorgangs durch das elastisch verformbare Teilelement34 ausgeglichen wird. - Durch den gegenüber dem normalen Luftdruck abgesenkten Luftdruck im ersten Teilraum
36 wird eine Reduzierung von Makroporen innerhalb der gesinterten Fügeschicht18 ,18’ erreicht. - Nach Ablauf der für den Sintervorgang vorbestimmten Zeit wird das Heizelement der Heiz-/Kühlvorrichtung
44 deaktiviert und ein Kühlelement der Heiz-/Kühlvorrichtung44 aktiviert, um die Temperatur der nunmehr fertiggestellten Verbundkörper10 ,10’ in einer vorbestimmten Zeit auf die Raumtemperatur abzusenken. - Bei Erreichen der Raumtemperatur wird das Kühlelement der Heiz-/Kühlvorrichtung
44 deaktiviert und der Luftdruck im ersten Teilraum36 wird mittels des Belüftungsventils an den Luftdruck der Umgebung angeglichen. Dadurch verformt sich das elastisch verformbare Teilelement34 in reversibler Weise in seine Ausgangslage zurück und hebt sich von den Verbundkörpern10 ,10’ ab, so dass die Flächenpressung auf den Verbundkörpern10 ,10’ aufgehoben ist. Danach kann die Tür der Sintervorrichtung geöffnet und die fertiggestellten Verbundkörper10 ,10’ können entnommen werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102007046901 A1 [0002]
Claims (8)
- Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers (
10 ,10’ ), insbesondere eines Verbundkörpers (10 ,10’ ) zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, der in einem fertiggestellten Zustand zumindest zwei stoffschlüssig miteinander verbundene Teilkörper (12 ,12’ ,14 ,14’ ) umfasst, wobei der Stoffschluss durch zumindest eine in einer Fügerichtung (16 ) zwischen den Teilkörpern (12 ,12’ ,14 ,14’ ) angeordnete Fügeschicht (18 ,18’ ) herbeigeführt wird, die von einem gesinterten Werkstoff gebildet wird, gekennzeichnet durch folgende Schritte: a) Erstellen einer Anordnung der zumindest zwei Teilkörper (12 ,12’ ,14 ,14’ ) und der in der Fügerichtung (16 ) zwischen den zumindest zwei Teilkörpern (12 ,12’ ,14 ,14’ ) angeordneten, zumindest einen ungesinterten Fügeschicht (18 ,18’ ) zu einem angeordneten Verbundkörper (10 ,10’ ), b) Platzieren des angeordneten Verbundkörpers (10 ,10’ ) in einen ersten Teilraum (36 ) einer im Wesentlichen gasdicht verschließbaren Sinterkammer (22 ) mit Kammerwänden (26 ) und einem im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler (32 ), der die Sinterkammer (22 ) in den ersten Teilraum (36 ) und zumindest einen zweiten Teilraum (38 ) aufteilt, in unmittelbarer Nähe des Raumteilers (32 ), wobei der Raumteiler (32 ) zumindest ein verformbares Teilelement (34 ) aufweist, dessen Position durch eine Druckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Teilraum (36 ,38 ) relativ zu den Kammerwänden (26 ) veränderbar ist, c) Herstellen einer positiven Raumdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum (38 ) und dem ersten Teilraum (36 ), und d) Erhitzen des angeordneten Verbundkörpers (10 ,10’ ) zumindest bis auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die positive Raumdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum (
38 ) und dem ersten Teilraum (36 ) dadurch hergestellt wird, dass der Luftdruck im ersten Teilraum (36 ) auf einen Wert unterhalb eines Umgebungsluftdruckwerts abgesenkt wird und/oder der Luftdruck im zweiten Teilraum (38 ) auf einen Wert oberhalb eines Umgebungsluftdruckes erhöht wird. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der angeordnete Verbundkörper (
10 ,10’ ) im ersten Teilraum (36 ) unterhalb des Teilelements (34 ) angeordnet wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte a) und b) zu einer Herstellung zumindest zweier angeordneter Verbundkörper (
10 ,10’ ) zumindest zweifach durchgeführt werden, bevor die Schritte c) und d) ausgeführt werden. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass anschließend an den Schritt b) ein Trennelement (
48 ) zwischen den angeordneten Verbundkörpern (10 ,10’ ) und dem Raumteiler (32 ) angeordnet wird. - Sintervorrichtung zur Herstellung eines Verbundkörpers (
10 ,10’ ), insbesondere eines Verbundkörpers (10 ,10’ ) zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, nach einem der Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, umfassend: – eine im Wesentlichen gasdicht verschließbare Sinterkammer (22 ) mit die Sinterkammer (22 ) begrenzenden Kammerwänden (26 ), – einen im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler (32 ), der die Sinterkammer (22 ) in einen ersten Teilraum (36 ) und zumindest einen zweiten Teilraum (38 ) aufteilt, – eine Druck erhöhende und/oder Druck vermindernde Vorrichtung zur Ausbildung einer positiven Raumdruckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Teilraum, – zumindest eine Heizvorrichtung (44 ) zur Erhöhung einer Temperatur in zumindest einem der Teilräume (36 ,38 ) auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur, wobei der Raumteiler (32 ) zumindest ein verformbares Teilelement (34 ) aufweist, dessen Position durch eine Raumdruckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Teilraum (36 ,38 ) relativ zu den Kammerwänden (26 ) veränderbar ist. - Sintervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das verformbare Teilelement (
34 ) elastisch verformbar ausgebildet ist. - Sintervorrichtung nach zumindest einem der Ansprüche 6 oder 7, gekennzeichnet durch ein Trennelement (
48 ) zur Trennung der angeordneten Verbundkörper (10 ) und des Raumteilers (32 ).
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012200034A DE102012200034A1 (de) | 2012-01-03 | 2012-01-03 | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit gesinterter Fügeschicht und Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers |
PCT/EP2012/075048 WO2013102534A1 (de) | 2012-01-03 | 2012-12-11 | Verfahren zur herstellung eines verbundkörpers mit gesinterter fügeschicht und sintervorrichtung zur herstellung eines derartigen verbundkörpers |
EP12816024.9A EP2801106A1 (de) | 2012-01-03 | 2012-12-11 | Verfahren zur herstellung eines verbundkörpers mit gesinterter fügeschicht und sintervorrichtung zur herstellung eines derartigen verbundkörpers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012200034A DE102012200034A1 (de) | 2012-01-03 | 2012-01-03 | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit gesinterter Fügeschicht und Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012200034A1 true DE102012200034A1 (de) | 2013-07-04 |
Family
ID=47561535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012200034A Withdrawn DE102012200034A1 (de) | 2012-01-03 | 2012-01-03 | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit gesinterter Fügeschicht und Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2801106A1 (de) |
DE (1) | DE102012200034A1 (de) |
WO (1) | WO2013102534A1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69614804T2 (de) * | 1995-11-07 | 2001-12-20 | Sumitomo Electric Industries | Verbundwerkstoff und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE60208591T2 (de) * | 2001-09-27 | 2006-07-13 | Honda Giken Kogyo K.K. | Verbindungsmittel für metall oder keramik und verfahren zum verbinden von metall- oder keramikgegenständen unter verwendung des verbindungsmittels |
DE102007046901A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-09 | W.C. Heraeus Gmbh | Verfahren und Paste zur Kontaktierung von Metallflächen |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5352629A (en) * | 1993-01-19 | 1994-10-04 | General Electric Company | Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules |
US6172878B1 (en) * | 1997-12-27 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-element module and production process thereof |
JP3381781B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2003-03-04 | ソニーケミカル株式会社 | 電子部品接続体の製造方法及びその製造装置 |
US8253233B2 (en) * | 2008-02-14 | 2012-08-28 | Infineon Technologies Ag | Module including a sintered joint bonding a semiconductor chip to a copper surface |
DE102010020696B4 (de) * | 2010-05-17 | 2012-11-08 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum NTV-Sintern eines drei-dimensionale Konturen aufweisenden Halbleiterbauelementes |
-
2012
- 2012-01-03 DE DE102012200034A patent/DE102012200034A1/de not_active Withdrawn
- 2012-12-11 WO PCT/EP2012/075048 patent/WO2013102534A1/de active Application Filing
- 2012-12-11 EP EP12816024.9A patent/EP2801106A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69614804T2 (de) * | 1995-11-07 | 2001-12-20 | Sumitomo Electric Industries | Verbundwerkstoff und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE60208591T2 (de) * | 2001-09-27 | 2006-07-13 | Honda Giken Kogyo K.K. | Verbindungsmittel für metall oder keramik und verfahren zum verbinden von metall- oder keramikgegenständen unter verwendung des verbindungsmittels |
DE102007046901A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-09 | W.C. Heraeus Gmbh | Verfahren und Paste zur Kontaktierung von Metallflächen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013102534A1 (de) | 2013-07-11 |
EP2801106A1 (de) | 2014-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE202014002512U1 (de) | Elektrochemisches System | |
DE3300622C2 (de) | ||
EP2403630A1 (de) | Mikrostrukturierter formkörper mit perforierten teilen und verhfahren zu dessen herstellung | |
DE102009046143A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers | |
DE102017120243B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Applizieren einer Komponente an einem Bauteil mittels eines Manipulators | |
DE102011086108A1 (de) | Druckausgleichsvorrichtung, Gehäuse und Verfahren zum Herstellen einer Druckausgleichsvorrichtung | |
WO2015043993A2 (de) | Evakuierung einer folienkammer | |
DE102012200034A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit gesinterter Fügeschicht und Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers | |
DE3145698A1 (de) | Vorrichtung zum fertigen von bauteilen aus faserverstaerkten werkstoffen | |
DE102007051075A1 (de) | Aktorisch wirksames und/oder sensitives Element, Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung | |
DE102021134002B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung | |
DE102006040724A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektronischen Moduls und elektronisches Modul | |
DE10244786A1 (de) | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren | |
WO2022229261A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum membrankaschieren mit umbug in einem verfahrensschritt | |
DE102017012209A1 (de) | Drucksinterverfahren und Druckübertragungseinrichtung hierfür | |
DE102017219640A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung | |
DE102020116082B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung einer Mehrzahl von ersten und zweiten Verbindungspartnern | |
DE10242402A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren für das Verbinden von Objekten | |
EP3348383B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum applizieren einer komponente an einem bauteil mittels eines manipulators | |
DE102020129205A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement | |
DE102016111074A1 (de) | Gasführungsanordnung und Verfahren zum unterdruckunterstützten Verarbeiten eines Faserhalbzeugs | |
WO2016005557A1 (de) | Keramischer laminierter formkörper mit aussparungen | |
DE102014117065A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Faserverbundwerkstücks | |
AT517638B1 (de) | Aufnahmeeinrichtung zur Handhabung strukturierter Substrate | |
DE102014112870A1 (de) | Trockenlaufender Vakuumpumpstand und Steuerverfahren zu dessen Betrieb |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |