DE102017219640A1 - Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102017219640A1
DE102017219640A1 DE102017219640.8A DE102017219640A DE102017219640A1 DE 102017219640 A1 DE102017219640 A1 DE 102017219640A1 DE 102017219640 A DE102017219640 A DE 102017219640A DE 102017219640 A1 DE102017219640 A1 DE 102017219640A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cap
semiconductor device
recessed part
prevention film
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102017219640.8A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102017219640B4 (de
Inventor
Yasuo Yamaguchi
Mika Okumura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE102017219640A1 publication Critical patent/DE102017219640A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102017219640B4 publication Critical patent/DE102017219640B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0008—Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0041—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with techniques not provided for in B81B7/0038
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0077—Other packages not provided for in groups B81B7/0035 - B81B7/0074
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0888—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values for indicating angular acceleration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, einen auf dem Substrat vorgesehenen beweglichen Teil, einen Verbindungsstellenrahmen, welcher auf dem Substrat zum Umschließen des beweglichen Teils vorgesehen ist, eine Kappe, welche zum Verbindungsstellenrahmen gebondet ist, wobei die Kappe einen ausgesparten Teil aufweist und einen Raum über dem beweglichen Teil mit dem zum beweglichen Teil zeigenden ausgesparten Teil bedeckt, wobei die Kappe eine mit Unregelmäßigkeiten versehene Innenwand aufweist, und einen auf der Innenwand der Kappe gebildeten Verhinderungsfilm, wobei der Verhinderungsfilm Unregelmäßigkeiten auf seiner Oberfläche aufweist.

Description

  • Hintergrund
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung wie etwa einen Sensor und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung.
  • Stand der Technik
  • Die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2007-085747 offenbart ein Verfahren, in welchem eine Kappe an einem Verbindungsstellenrahmen, welcher auf einem Halbleitersubstrat vorgesehen ist, gebondet wird, wobei eine Aussparung der Kappe zum Halbleitersubstrat zeigt, um einen eingeschlossenen Raum bereitzustellen. Der eingeschlossene Raum enthält einen beweglichen Teil. Ferner ist ein duktiler, leitfähiger Schirmfilm auf der gesamten Innenoberfläche der Kappe vorgesehen.
  • Der bewegliche Teil ist in dem von dem Halbleitersubstrat und der Kappe bereitgestellten eingeschlossenen Raum vorgesehen. Der bewegliche Teil ist zum Beispiel ein Teil eines Beschleunigungssensors oder eines Winkelgeschwindigkeitssensors. Elektrische Eigenschaften und Vibrationseigenschaften des beweglichen Teils verändern sich entsprechend dem Druck in dem eingeschlossenen Raum. Dementsprechend muss, um eine zu erfassende physikalische Größe genau zu erfassen, der Druck in dem eingeschlossenen Raum auf einem vorbestimmten Druck gehalten werden. Um den eingeschlossenen Raum auf einem angemessenen Druck zu halten, wird ein Inertgas wie etwa Argon oder Stickstoff als Sperrgas verwendet, oder ein Vakuum wird in dem eingeschlossenen Raum erzeugt.
  • Allerdings gibt es Fälle, in denen der Druck in dem eingeschlossenen Raum aufgrund von Gasemission von der Kappe und Gasabsorption durch die Kappe nicht auf dem vorbestimmten Druck gehalten werden kann. Beispielsweise in dem Fall, in welchem die Kappe durch anodisches Bonden, bei welchem Bonden in einer Hochtemperatur-, Hochspannungsumgebung durchgeführt wird, an das Substrat gebondet wird, wird Sauerstoff von der Kappe emittiert und Stickstoff von der Kappe absorbiert.
  • Mit dem auf der gesamten Innenoberfläche der Kappe vorgesehenen duktilen, leitfähigen Schirmfilm kann der in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2007-085747 offenbarte kapazitive Beschleunigungssensor den Druck in dem eingeschlossenen Raum auf einem vorbestimmten Druck halten. Allerdings wird die Innenwand der Kappe in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2007-085747 durch eine planare Oberfläche gebildet. In dem Fall, in welchem die Innenwand der Kappe planar ist, tendiert der in dem eingeschlossenen Raum vorgesehene bewegliche Teil dazu, an der Innenwand der Kappe zu haften. Insbesondere gab es ein Problem, bei dem der bewegliche Teil aufgrund von elektrostatischen Kräften, welche wirken, wenn ein Verbindungsstellenrahmen und die Kappe anodisch gebondet werden, oder von äußeren Kräften oder von elektrostatischen Kräften, welche nach der Fertigstellung der Halbleitervorrichtung wirken, an der Innenwand der Kappe haftet.
  • Kurzbeschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung wurde zum Lösen der vorstehend beschriebenen Probleme konzipiert und es ist eine Aufgabe der vorstehenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung, welche den Druck in einem eingeschlossenen Raum zum Unterbringen eines beweglichen Teils auf einem vorbestimmten Druck halten kann und verhindern kann, dass der bewegliche Teil an einer Innenwand einer Kappe haftet, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
  • Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung ein Substrat, einen auf dem Substrat vorgesehenen beweglichen Teil, einen Verbindungsstellenrahmen, welcher auf dem Substrat zum Umschließen des beweglichen Teils vorgesehen ist, eine an dem Verbindungsstellenrahmen gebondete Kappe, wobei die Kappe einen ausgesparten Teil aufweist und mit dem zum beweglichen Teil zeigenden ausgesparten Teil einen Raum über dem beweglichen Teil abdeckt, wobei die Kappe eine mit Unregelmäßigkeiten versehene Innenwand aufweist, und einen Verhinderungsfilm auf, welcher auf der Innenwand der Kappe gebildet ist, wobei der Verhinderungsfilm auf seiner Oberfläche Unregelmäßigkeiten aufweist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die Schritte des Bildens eines Vorrichtungsaufbaus auf einem Substrat, wobei der Vorrichtungsaufbau einen beweglichen Teil, einen fixierten Teil und einen Verbindungsstellenrahmen, welcher den beweglichen Teil und den fixierten Teil umschließt, aufweist, des Bildens eines Verhinderungsfilms, welcher auf seiner Oberfläche Unregelmäßigkeiten aufweist, in einem ausgesparten Teil einer Kappe und des anodischen Bondens der Kappe und des Verbindungsstellenrahmens, sodass der ausgesparte Teil und der Verhinderungsfilm zum beweglichen Teil zeigen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die Schritte des Bildens eines Vorrichtungsaufbaus auf einem Substrat, wobei der Vorrichtungsaufbau einen beweglichen Teil, einen fixierten Teil und einen Verbindungsstellenrahmen, welcher den beweglichen Teil und den fixierten Teil umschließt, aufweist, des Bildens eines ausgesparten Teils in einer Kappe durch Sandstrahlen und dann Durchführen von Nassätzen an dem ausgesparten Teil, wodurch ein ausgesparter Teil gebildet wird, der eine Tiefe von 10 µm oder mehr aufweist, und des anodischen Bondens der Kappe und des Verbindungsstellenrahmens, sodass der ausgesparte Teil zum beweglichen Teil zeigt.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die Schritte des Bildens eines Vorrichtungsaufbaus auf einem Substrat, wobei der Vorrichtungsaufbau einen beweglichen Teil, einen fixierten Teil und einen Verbindungsstellenrahmen, welcher den beweglichen Teil und den fixierten Teil umschließt, aufweist, des Bildens einer Kappe, welche einen ausgesparten Teil aufweist, des Erwärmens der Kappe und des anodischen Bondens der Kappe und des Verbindungsstellenrahmens, sodass der ausgesparte Teil zum beweglichen Teil zeigt, in der gleichen Atmosphäre und bei der gleichen Temperatur wie beim Erwärmen der Kappe.
  • Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden durch die folgende Beschreibung ersichtlicher.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1;
    • 2 ist eine Draufsicht der Halbleitervorrichtung;
    • 3 ist eine Querschnittsansicht der Kappe;
    • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 2;
    • 5 ist ein Flussdiagramm, welches ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 2 darstellt;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 3; und
    • 7 ist ein Flussdiagramm, welches ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 3 darstellt.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Halbleitervorrichtungen und Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen oder entsprechenden Komponenten werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und die Wiederholung einer Erklärung dieser kann weggelassen worden sein.
  • Ausführungsform 1.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1. Diese Halbleitervorrichtung weist einen Vorrichtungsaufbau 10 auf, welcher als ein Beschleunigungssensor fungiert. Der Vorrichtungsaufbau 10 wird zum Beispiel durch Wiederholen von Ablagern und Ätzen von Isolierfilmen und Metallen auf einer Oberfläche eines Substrats 12, welches aus einem Halbleiter besteht, gebildet. Der Isolierfilm kann zum Beispiel Polysilizium, ein Oxidfilm oder ein Nitridfilm sein. Der Vorrichtungsaufbau 10 umfasst Elektroden 14, einen Verbindungsstellenrahmen 16 und einen beweglichen Teil 18, welche auf dem Substrat 12 gebildet sind.
  • Die Elektroden 14 bestehen aus Metall. Der Verbindungsstellenrahmen 16 wird zum Beispiel durch Ablagern von dotiertem Polysilizium auf einem Isolierfilm gebildet. Der bewegliche Teil 18 besteht zum Beispiel aus dotiertem Polysilizium. Eine Kappe 20 wird an dem Verbindungsstellenrahmen 16 gebondet. Die Kappe 20 besteht zum Beispiel aus Glas. Da die Kappe 20 einen ausgesparten Teil 20a aufweist, wird ein eingeschlossener Raum 24 zwischen der Kappe 20 und dem Substrat 12 gebildet.
  • 2 ist eine Draufsicht der Halbleitervorrichtung. In 2 ist die Kappe 20 wegen der Einfachheit der Erklärung weggelassen worden. Der Verbindungsstellenrahmen 16 ist so gebildet, dass er bei einer Draufsicht ringförmig ist. Der Verbindungsstellenrahmen 16 ist so vorgesehen, dass er den beweglichen Teil 18 umschließt. Fixierte Teile 32, welche von dem Verbindungsstellenrahmen 16 umschlossen sind, sind an Seiten des beweglichen Teils 18 vorgesehen. Die fixierten Teile 32 bestehen, so wie der bewegliche Teil 18, aus dotiertem Polysilizium. Der bewegliche Teil 18 und die fixierten Teile 32 fungieren als ein Kondensator. Um die Beschleunigung als ein elektrisches Signal basierend auf einer Veränderung der elektrostatischen Kapazität zwischen dem beweglichen Teil 18 und den fixierten Teilen 32 zu extrahieren, sind der bewegliche Teil 18 und die Elektrode 14 mit einem Verbindungselement 30 verbunden und die fixierten Teile 32 und die Elektroden 14 sind mit Verbindungselementen 34 verbunden. Die Verbindungselemente 30 und 34 bestehen zum Beispiel aus Polysilizium oder aus einem Metallfilm. Die Verbindungselemente 30 und 34 befinden sich teilweise unter dem Verbindungsstellenrahmen 16.
  • Zurückverweisend auf 1 ist der ausgesparte Teil 20a der Kappe 20 so vorgesehen, dass er zum beweglichen Teil 18 zeigt. Daher bedeckt die Kappe 20 einen Raum über dem beweglichen Teil 18. Die Innenwand der Kappe 20 ist mit Unregelmäßigkeiten versehen. Genauer ausgedrückt weist die Innenwand der Kappe 20 viele Höcker und Beulen auf und ist nicht planar. Ein Verhinderungsfilm 22 ist auf einer solchen Innenwand der Kappe 20 gebildet. Der Verhinderungsfilm 22 ist ein Film, welcher entlang der Unregelmäßigkeiten der Kappe 20 gebildet ist. Dementsprechend weist der Verhinderungsfilm 22 Unregelmäßigkeiten auf seiner Oberfläche auf. Der Verhinderungsfilm 22 ist ein Film zum Verhindern, dass Gas von der Kappe 20 in den Raum 24 emittiert wird und dass Gas in dem Raum 24 von der Kappe 20 absorbiert wird. Der Verhinderungsfilm 22 besteht bevorzugt aus Metall. Die Oberflächenrauheit der Innenwand der Kappe 20 und die Oberflächenrauheit des Verhinderungsfilms 22 sind bevorzugt gleich.
  • Ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 wird beschrieben. Zuerst werden die Elektrode 14, der Verbindungsstellenrahmen 16, der bewegliche Teil 18, die Verbindungselemente 30 und 34 und die fixierten Teile 32 auf dem Halbleitersubstrat 1 gebildet, wodurch der Vorrichtungsaufbau 10 fertiggestellt wird. 2 ist eine Draufsicht des fertiggestellten Vorrichtungsaufbaus 10. Der Schritt des Bildens eines Vorrichtungsaufbaus wird als ein Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritt bezeichnet. Der durch den Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritt gebildete Vorrichtungsaufbau 10 ist nicht auf einen Beschleunigungssensor beschränkt. Der Vorrichtungsaufbau kann jede Vorrichtung sein, in welcher der bewegliche Teil 18 in dem eingeschlossenen Raum 24 vorgesehen ist. Es können zum Beispiele verschiedene Arten von Sensoren wie etwa Winkelgeschwindigkeitssensoren, Aktoren und dergleichen als der Vorrichtungsaufbau verwendet werden.
  • Die Kappe 20 wird vor oder nach dem Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritt gebildet. Die Kappe 20 wird durch Zerspanen eines Glassubstrats gebildet. Genauer ausgedrückt wird ein Glassubstrat geätzt oder sandgestrahlt, um die Kappe 20, welche den ausgesparten Teil 20a aufweist, herzustellen. In dem oberen Teil der 3 ist die Kappe 20, welche den durch Sandstrahlen gebildeten ausgesparten Teil 20a aufweist, dargestellt. Um auf der Innenwand der Kappe 20 Unregelmäßigkeiten zu bilden, wird der ausgesparte Teil 20a bevorzugt durch Sandstrahlen gebildet. Der Schritt des Bildens der Kappe 20 wird als ein KappenBildungsschritt bezeichnet.
  • Daraufhin wird der Verhinderungsfilm 22 in dem ausgesparten Teil 20a der Kappe 20 gebildet. Der Verhinderungsfilm 22 wird relativ dünn gebildet, um nicht die Unregelmäßigkeiten der Innenwand der Kappe 20 zu glätten. Durch Bilden des Verhinderungsfilms 22 entlang der Unregelmäßigkeiten der Innenwand der Kappe 20, kann die Oberfläche des Verhinderungsfilms 22 mit Unregelmäßigkeiten versehen werden. Der Schritt des Bildens des Verhinderungsfilms 22 wird als ein Verhinderungsfilm-Bildungsschritt bezeichnet.
  • Nachdem der Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritt und der Verhinderungsfilm-Bildungsschritt abgeschlossen sind, wird ein Schritt des anodischen Bondens durchgeführt. In dem Schritt des anodischen Bondens werden die Kappe 20 und der Verbindungsstellenrahmen 16 anodisch gebondet, sodass der ausgesparte Teil 20a der Kappe 20 und der Verhinderungsfilm 22 zum beweglichen Teil 18 zeigen. Die Kappe 20 und der Verhinderungsfilm 22 werden von dem beweglichen Teil 18 ferngehalten. Eine Kappe kann an einem Verbindungsstellenrahmen gebondet sein, oder Kappen können jeweils an einer Mehrzahl von Verbindungsstellenrahmen, welche auf einem Wafer gleichzeitig gebildet werden, gebondet werden. Anodisches Bonden ist ein Verfahren zum Bonden eines Isoliermaterials wie etwa Glas mit einem Halbleiter wie etwa Silizium oder einem Leiter wie etwa Metall. In der vorliegenden Ausführungsform werden die aus Glas gebildete Kappe 20 und das dotierte Polysilizium auf dem Verbindungsstellenrahmen 16 aufeinander angeordnet und Wärme und Spannung werden darauf angewandt, wodurch die Kappe 20 und der Verbindungsstellenrahmen 16 zusammengebondet werden. Genauer ausgedrückt wird eine Spannung von beispielsweise mehreren hundert Volt zwischen der Seite des Substrats 12 als eine Anode und der Seite der Kappe 20 als eine Kathode angelegt. Die Erwärmungstemperatur ist bevorzugt etwa 400°C. Die Bearbeitungszeit ist in dem Bereich von mehreren zehn Minuten bis mehrere Stunden.
  • Der Schritt des anodischen Bondens wird in einer Inertgasatmosphäre aus Argon, Stickstoff oder dergleichen, oder einer Vakuumatmosphäre durchgeführt. Wenn Inertgas verwendet wird, kann der Druck in dem Raum 24 durch Steuern des Druckes des Inertgases gesteuert werden. Ein Schritt des anodischen Bondens, welcher in einer Inertgasatmosphäre unter Atmosphärendruck durchgeführt wird, verursacht, dass Gas von der Kappe 20 absorbiert wird und weist ein Risiko auf, dass der Druck in dem Raum 24 nicht auf einem vorbestimmten Druck gehalten werden kann. Des Weiteren verursacht ein Schritt des anodischen Bondens, welcher in einer Vakuumatmosphäre durchgeführt wird, dass Sauerstoff von der Kappe 20 emittiert wird und weist ein Risiko auf, dass der Druck in dem Raum 24 höher als der Vakuumdruck werden kann.
  • Allerdings kann in der Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung, da der Verhinderungsfilm 22 auf der Innenwand der Kappe 20 gebildet ist, verhindert werden, dass Gas von der Innenwand der Kappe 20 absorbiert wird und dass Gas von der Kappe 20 emittiert wird. Dementsprechend, wenn der Schritt des anodischen Bondens in einer Inertgasatmosphäre durchgeführt wird, enthält der Raum 24, welcher von dem ausgesparten Teil 20a und dem Substrat 12 umschlossen wird, Inertgas auf einem vorbestimmten Druck. Des Weiteren, wenn der Schritt des anodischen Bondens in einer Vakuumatmosphäre durchgeführt wird, wird ein Vakuum in dem Raum 24 erzeugt. Daher kann der Druck in dem eingeschlossenen Raum 24 nur durch Bereitstellen des Verhinderungsfilms 22 leicht auf einem vorbestimmten Druck gehalten werden. Diese Auswirkung kann Variationen im Druck in dem Raum 24 unter Produkten verringern.
  • Wenn die Oberfläche des Verhinderungsfilms 22 planar ist, tendiert der bewegliche Teil 18 dazu, an dem Verhinderungsfilm 22 zu haften. Genauer ausgedrückt würde der bewegliche Teil 18 wahrscheinlich aufgrund von elektrostatischen Kräften während des anodischen Bondens oder durch statische Elektrizität oder durch externe Kräfte nach der Herstellung der Vorrichtung an dem Verhinderungsfilm haften. Mit anderen Worten würde der bewegliche Teil 18 wahrscheinlich an der Kappe haften, wobei der Verhinderungsfilm zwischen diesen angeordnet ist. Dementsprechend ist in Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung die Oberfläche des Verhinderungsfilms 22 mit Unregelmäßigkeiten, wie in dem unteren Teil der 3 dargestellt, versehen. Dies kann die Kontaktfläche verringern, wenn der bewegliche Teil 18 mit dem Verhinderungsfilm 22 in Kontakt kommt. Dementsprechend kann verhindert werden, dass der bewegliche Teil 18 an der Innenwand der Kappe 20 haftet, wobei der Verhinderungsfilm 22 zwischen diesen angeordnet ist.
  • Es ist wichtig, die Kontaktfläche zwischen dem Verhinderungsfilm 22 und dem beweglichen Teil 18 kleiner als die Kontaktfläche zwischen einem Verhinderungsfilm, der als planar gebildet wurde, und einem beweglichen Teil durch Bilden wesentlicher Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche des Verhinderungsfilms 22 zu machen. Um zuverlässig zu verhindern, dass der bewegliche Teil 18 haftet, sollte die Oberflächenrauheit des Verhinderungsfilms 22 groß sein. Eine ausreichende Oberflächenrauheit kann durch Bereitstellen von Unregelmäßigkeiten, welche durch Sandstrahlen verursacht werden, auf der Innenwand der Kappe 20 und durch Bilden des Verhinderungsfilms 22 entlang der Unregelmäßigkeiten leicht erreicht werden. In dem Fall ist die Oberflächenrauheit des Verhinderungsfilms 22 bevorzugt gleich der Oberflächenrauheit des ausgesparten Teils 20a. Allerdings ist ein Verfahren, bei welchem dem Verhinderungsfilm 22 eine ausreichende Oberflächenrauheit gegeben wird, nicht besonders beschränkt. Beispielsweise kann ein Verhinderungsfilm, welcher eine angeraute Oberfläche aufweist, durch Bilden eines planaren Verhinderungsfilms und dann Bearbeiten des planaren Verhinderungsfilms durch Sandstrahlen oder dergleichen erhalten werden. Es sei angemerkt, dass erwartet wird, dass das „unplanar“ Machen der Oberfläche des Verhinderungsfilms die Auswirkung hat, dass bis zu einem gewissen Maße verhindert wird, dass der bewegliche Teil 18 haftet.
  • Durchführen des Schritts des anodischen Bondens verursacht, dass die Kappe 20 und der Verbindungsstellenrahmen 16 durch Kovalenzbindung stark gebondet werden. Daher kann die Halbleitervorrichtung mit dem luftdichten Raum 24 hergestellt werden. In der Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung gibt es, da der Verhinderungsfilm 22 den Druck in dem Raum 24 auf einem vorbestimmten Druck hält, keine Notwendigkeit, einen Getter wie etwa einen Sauerstoffabsorber in dem Raum 24 bereitzustellen oder den Druck anzupassen, wenn eine Bondingspannung angelegt wird. Dementsprechend ist die Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 für Miniaturisierung geeignet und kann durch ein einfaches Verfahren ohne komplizierter Druckanpassung hergestellt werden.
  • Die Halbleitervorrichtung und das Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung können innerhalb eines Bereiches modifiziert werden, in welchem Merkmale dieser nicht verloren gehen. Zum Beispiel kann der Verhinderungsfilm 22 aus einem anderen Material als Metall bestehen. Der Verhinderungsfilm besteht aus einem Material, welches gegen Wärme von ungefähr 400°C, welcher der Verhinderungsfilm während des anodischen Bondens ausgesetzt wird, beständig ist. Während verschiedene Modifikationen in der Ausführungsform 1 erwähnt wurden, können diese Modifikationen an Halbleitervorrichtungen und Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen entsprechend den nachstehenden Ausführungsformen angewandt werden. Es sei angemerkt, dass die Halbleitervorrichtungen und die Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen gemäß den nachstehenden Ausführungsformen viele Gemeinsamkeiten mit denen aus Ausführungsform 1 aufweisen und daher werden hauptsächlich Unterschiede zur Ausführungsform 1 beschrieben.
  • Ausführungsform 2.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 2. Die Kappe 20 weist einen ausgesparten Teil 20b auf. Der ausgesparte Teil 20b wird durch Nassätzen nach dem Sandstrahlen gebildet. Dementsprechend weist die Innenwand des ausgesparten Teils 20b eine höhere Planheit als die Innenwand der Kappe 20 in 1 auf. Die Lochtiefe y, welche durch den ausgesparten Teil 20b gebildet wird, ist beispielsweise 10µm oder mehr.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, welches ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 2 darstellt. Zuerst wird der gleiche Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritt S1 wie in Ausführungsform 1 durchgeführt. Daraufhin wird ein Schritt S2 durchgeführt. In dem Schritt S2 wird ein ausgesparter Teil in der Kappe durch Sandstrahlen gebildet. Die Lochtiefe, welche durch den ausgesparten Teil gebildet wird, ist bevorzugt 10µm oder mehr. In dem Fall, in welchem erwünscht ist, dass die Lochtiefe des ausgesparten Teils 10µm oder mehr ist, kann das Bilden des ausgesparten Teils durch Sandstrahlen im Vergleich zum Nassätzen in einer kürzeren Bearbeitungszeit durchgeführt werden und eine höhere Bearbeitungsgenauigkeit erhalten. Allerdings werden beim Bearbeiten durch Sandstrahlen wesentliche Unregelmäßigkeiten auf der Innenwand der Kappe gebildet und die Oberfläche der Innenwand der Kappe nimmt zu.
  • Daraufhin wird ein Schritt S3 durchgeführt. In dem Schritt S3 wird Nassätzen an dem durch Sandstrahlen gebildeten ausgesparten Teil durchgeführt, um den ausgesparten Teil 20b zu bilden, welcher eine Tiefe von 10 µm oder mehr aufweist. Beispielsweise wird Nassätzen an dem ausgesparten Teil unter Verwendung einer flüssigen Chemikalie wie etwa Fluorwasserstoff (HF) durchgeführt. Nassätzen unter Verwendung einer flüssigen Chemikalie ist nicht für das Erhöhen der Lochtiefe geeignet, kann aber die bearbeitete Oberfläche abflachen und die Oberfläche minimieren. Dementsprechend ist die Innenwand der Kappe 20 nach dem Schritt S3 planarer, als es die Innenwand der Kappe 20 nach Abschluss des Schritts S2 ist. Die Schritte S2 und S3 werden kollektiv als ein Kappenbildungsschritt bezeichnet. Die Reihenfolge des Kappenbildungsschritts und des Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritts kann umgekehrt sein.
  • Daraufhin wird ein Schritt S4 durchgeführt. Der Schritt S4 ist der gleiche wie der in der Ausführungsform 1 beschriebene Schritt des anodischen Bondens. Genauer ausgedrückt werden die Kappe 20 und der Verbindungsstellenrahmen 16 anodisch gebondet, sodass der ausgesparte Teil 20b zum beweglichen Teil 18 zeigt. Eine während des anodischen Bondens angelegte Spannung verursacht, dass der bewegliche Teil 18 elektrostatischen Kräften ausgesetzt wird. Wenn der bewegliche Teil 18 aufgrund der elektrostatischen Kräfte an der Kappe 20 haftet und festklebt, kann eine durch eine Beschleunigung verursachte Verschiebung des beweglichen Teils 18 nicht erfasst werden. Dementsprechend wird in der Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung der tiefe ausgesparte Teil 20b, welcher eine Tiefe von 10 µm oder mehr aufweist, gebildet, um die auf den beweglichen Teil 18 wirkenden elektrostatischen Kräfte zu verringern.
  • Wie vorstehend beschrieben wird der tiefe ausgesparte Teil 20b durch Sandstrahlen gebildet. Da die Innenwand der durch Sandstrahlen gebildeten Kappe große Unregelmäßigkeiten aufweist, nimmt die Oberfläche dieser zu. Mit der Zunahme der Oberfläche der Innenwand der Kappe nimmt die Menge von Gas zu, welche während des Schritts des anodischen Bondens emittiert oder absorbiert wird. Dementsprechend wird in der Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung, nachdem ein tiefer ausgesparter Teil durch Sandstrahlen gebildet wird, Nassätzen an dem ausgesparten Teil durchgeführt, wodurch eine flache bearbeitete Oberfläche gebildet wird. Dies verringert die Oberfläche der Innenwand der Kappe 20 und kann die Emission oder Absorption von Gas während des Schritts des anodischen Bondens verringern.
  • Ausführungsform 3.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 3. Der ausgesparte Teil 20a liegt in dem Raum 24 frei. 7 ist ein Flussdiagramm, welches ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform 3 darstellt. In der Ausführungsform 3 wird zuerst der gleiche Vorrichtungsaufbau-Bildungsschritt S1 wie der in Ausführungsform 1 durchgeführt. Dann wird ein Schritt S2 durchgeführt. In dem Schritt S2 wird eine Kappe gebildet, welche den ausgesparten Teil 20a aufweist. Dieser Schritt ist ein Kappenbildungsschritt. Im Gegensatz zur Ausführungsform 2 sind die Mittel zum Bilden des ausgesparten Teils 20a in der Kappe 20 nicht besonders beschränkt. Der ausgesparte Teil 20a wird durch Sandstrahlen oder Nassätzen oder eine Kombination dieser gebildet. In 6 ist der durch Sandstrahlen gebildete ausgesparte Teil 20a als ein Beispiel dargestellt.
  • Daraufhin wird ein Schritt S3 durchgeführt. In dem Schritt S3 wird die Kappe 20 erwärmt. Dieser Schritt wird als ein Erwärmungsschritt bezeichnet. Diese Erwärmung wird in der gleichen Atmosphäre und bei der gleichen Temperatur wie der darauffolgende Schritt des anodischen Bondens durchgeführt. Genauer ausgedrückt, wenn die Halbleitervorrichtung in dem Schritt des anodischen Bondens auf 400°C erwärmt und Inertgas in den Raum 24 eingeführt wird, wird die Kappe auf 400°C in einer Inertgasatmosphäre erwärmt. Wenn die Halbleitervorrichtung auf 400°C erwärmt und der Schritt des anodischen Bondens in einer Vakuumatmosphäre durchgeführt wird, wird die Kappe auf 400°C in einer Vakuumatmosphäre erwärmt.
  • Daraufhin wird ein Schritt S4 durchgeführt. Der Schritt S4 ist der Schritt des anodischen Bondens. In dem Schritt S4 werden die Kappe 20 und der Verbindungsstellenrahmen 16 in der gleichen Atmosphäre und bei der gleichen Temperatur wie in dem Erwärmungsschritt anodisch gebondet, sodass der ausgesparte Teil 20a zum beweglichen Teil 18 zeigt.
  • Wenn der Erwärmungsschritt in einer Inertgasatmosphäre durchgeführt wurde, ist das Glas auf und nahe der Oberfläche der Kappe 20 in einer gesättigten Kondition mit Inertgas gefüllt. Dementsprechend wird gas nicht durch die Kappe 20 in dem Schritt des anodischen Bondens, welcher bei der gleichen Temperatur wie in dem Erwärmungsschritt durchgeführt wird, absorbiert. Daher benötigt der Schritt des anodischen Bondens keine Gasabsorption berücksichtigende Druckregulierung und eine komplizierte Druckregulierung kann vermieden werden.
  • Wenn der Erwärmungsschritt in einer Vakuumatmosphäre durchgeführt wurde, enthält das Glas auf und nahe der Oberfläche der Kappe 20 kein Gas. Dementsprechend wird Gas nicht von der Kappe 20 in dem Schritt des anodischen Bondens, welcher bei der gleichen Temperatur wie in dem Erwärmungsschritt durchgeführt wird, emittiert. Daher benötigt der Schritt des anodischen Bondens keine Gasemission berücksichtigende Druckregulierung und eine komplizierte Druckregulierung kann vermieden werden.
  • Es sei angemerkt, dass Merkmale der Halbleitervorrichtungen und der Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kombiniert verwendet werden können.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verhinderungsfilm, welcher eine Innenwand einer Kappe bedeckt, mit Unregelmäßigkeiten versehen. Dementsprechend kann der Druck in einem eingeschlossenen Raum zum Unterbringen eines beweglichen Teils auf einem vorbestimmten Druck gehalten werden und es kann verhindert werden, dass der bewegliche Teil an der Innenwand der Kappe haftet.
  • Viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung sind angesichts der vorstehenden Lehren möglich. Es soll daher verstanden werden, dass Variationen innerhalb des Geltungsbereichs der beigefügten Patentansprüche anders als ausdrücklich beschrieben ausgeübt werden können.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2007085747 [0002, 0005]

Claims (13)

  1. Halbleitervorrichtung aufweisend: ein Substrat (12); einen beweglichen Teil (18), der auf dem Substrat (12) vorgesehen ist; einen Verbindungsstellenrahmen (16), welcher auf dem Substrat (12) zum Umschließen des beweglichen Teils (18) vorgesehen ist; eine Kappe (20), welche an dem Verbindungsstellenrahmen (16) gebondet ist, wobei die Kappe (20) einen ausgesparten Teil (20a) aufweist und einen Raum (24) über dem beweglichen Teil (18) mit dem zum beweglichen Teil (18) gewandten ausgesparten Teil (20a) bedeckt, wobei die Kappe (20) eine mit Unregelmäßigkeiten versehene Innenwand aufweist; und einen Verhinderungsfilm (22), welcher auf der Innenwand der Kappe (20) gebildet ist, wobei der Verhinderungsfilm (22) auf einer Oberfläche dessen Unregelmäßigkeiten aufweist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Oberflächenrauheit der Innenwand und eine Oberflächenrauheit des Verhinderungsfilms (22) gleich sind.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Kappe (20) und der Verbindungsstellenrahmen (16) durch Kovalenzbindung gebondet sind.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Verhinderungsfilm (22) aus Metall besteht.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein von dem ausgesparten Teil (20a) und dem Substrat (12) umschlossener Raum Inertgas enthält.
  6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein von dem ausgesparten Teil (20a) und dem Substrat (12) umschlossener Raum ein Vakuum ist.
  7. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, welches die Schritte aufweist: Bilden eines Vorrichtungsaufbaus (10) auf einem Substrat (12), wobei der Vorrichtungsaufbau (10) einen beweglichen Teil (18), einen fixierten Teil (32) und einen Verbindungsstellenrahmen (16), welcher den beweglichen Teil (18) und den fixierten Teil (32) umschließt, aufweist; Bilden eines Verhinderungsfilms (22), welcher auf einer Oberfläche dessen Unregelmäßigkeiten aufweist, in einem ausgesparten Teil (20a) einer Kappe (20); und anodisches Bonden der Kappe (20) und des Verbindungsstellenrahmens (16), sodass der ausgesparte Teil (20a) und der Verhinderungsfilm (22) zum beweglichen Teil (18) zeigen.
  8. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei eine Oberflächenrauheit des ausgesparten Teils (20a) und eine Oberflächenrauheit des Verhinderungsfilms (22) gleich sind.
  9. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei der Verhinderungsfilm (22) aus Metall besteht.
  10. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, welches die Schritte aufweist: Bilden eines Vorrichtungsaufbaus (10) auf einem Substrat (12), wobei der Vorrichtungsaufbau (10) einen beweglichen Teil (18), einen fixierten Teil (32) und einen Verbindungsstellenrahmen (16), welcher den beweglichen Teil (18) und den fixierten Teil (32) umschließt, aufweist; Bilden eines Ausgesparten Teils (20b) in einer Kappe (20) durch Sandstrahlen und dann Durchführen von Nassätzen an dem ausgesparten Teil (20b), wodurch ein ausgesparter Teil (20b), welcher eine Tiefe von 10 µm oder mehr aufweist, gebildet wird; und anodisches Bonden der Kappe (20) und des Verbindungsstellenrahmens (16), sodass der ausgesparte Teil (20b) zum beweglichen Teil (18) zeigt.
  11. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, welches die Schritte aufweist: Bilden eines Vorrichtungsaufbaus (10) auf einem Substrat (12), wobei der Vorrichtungsaufbau (10) einen beweglichen Teil (18), einen fixierten Teil (32) und einen Verbindungsstellenrahmen (16), welcher den beweglichen Teil (18) und den fixierten Teil (32) umschließt, aufweist; Bilden einer Kappe (20), welche einen ausgesparten Teil (20a) aufweist; Erwärmen der Kappe (20); und anodisches Bonden der Kappe (20) und des Verbindungsstellenrahmens (16), sodass der ausgesparte Teil (20a) zum beweglichen Teil (18) gewandt ist, in der gleichen Atmosphäre und bei der gleichen Temperatur wie beim Erwärmen der Kappe (20).
  12. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei die Kappe (20) und der Verbindungsstellenrahmen (16) in einer Inertgasatmosphäre gebondet werden.
  13. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei die Kappe (20) und der Verbindungsstellenrahmen (16) in einer Vakuumatmosphäre gebondet werden.
DE102017219640.8A 2017-01-27 2017-11-06 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung Active DE102017219640B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017013399A JP6729423B2 (ja) 2017-01-27 2017-01-27 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2017-013399 2017-01-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102017219640A1 true DE102017219640A1 (de) 2018-08-02
DE102017219640B4 DE102017219640B4 (de) 2023-04-20

Family

ID=62843000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017219640.8A Active DE102017219640B4 (de) 2017-01-27 2017-11-06 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11459226B2 (de)
JP (1) JP6729423B2 (de)
CN (1) CN108365014B (de)
DE (1) DE102017219640B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019135846A1 (de) * 2019-12-16 2021-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung mit mikroelektromechanischem system, die einen höcker-endanschlag enthält, und verfahren zu ihrer herstellung

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004042784A1 (de) * 2003-12-10 2005-07-07 Mitsubishi Denki K.K. Beschleunigungssensor und Verfahren zum Herstellen eines Beschleunigungssensors
JP2007085747A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 静電容量型加速度センサ
US20090053855A1 (en) * 2006-05-15 2009-02-26 Innovative Micro Technology Indented lid for encapsulated devices and method of manufacture
US20090179287A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Seiko Epson Corporation Functional device and manufacturing method thereof
CN105236345A (zh) * 2015-09-22 2016-01-13 杭州士兰微电子股份有限公司 Mems器件、半导体器件及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69116435T2 (de) * 1990-05-30 1996-08-14 Hitachi Ltd Halbleiterbeschleunigungsmesser und Kraftfahrzeugsteuerungssystem mit einem solchen
JP2728807B2 (ja) * 1991-07-24 1998-03-18 株式会社日立製作所 静電容量式加速度センサ
JP3613838B2 (ja) 1995-05-18 2005-01-26 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP3489273B2 (ja) * 1995-06-27 2004-01-19 株式会社デンソー 半導体力学量センサの製造方法
JPH11237402A (ja) 1998-02-19 1999-08-31 Akebono Brake Ind Co Ltd 半導体加速度センサ及びその自己診断法
JP2005077349A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサ
JP4645028B2 (ja) 2003-12-12 2011-03-09 株式会社村田製作所 陽極接合型密閉ケース及び陽極接合型デバイスの製造方法
JP2006133245A (ja) 2006-02-16 2006-05-25 Mitsubishi Electric Corp 容量式加速度センサ
US20070232107A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Denso Corporation Cap attachment structure, semiconductor sensor device and method
US7180019B1 (en) * 2006-06-26 2007-02-20 Temic Automotive Of North America, Inc. Capacitive accelerometer or acceleration switch
WO2008086537A2 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Analog Devices, Inc. Aluminum based bonding of semiconductor wafers
JP5790296B2 (ja) * 2011-08-17 2015-10-07 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー及び電子機器
US9988260B2 (en) * 2016-04-29 2018-06-05 Nxp Usa, Inc. Rough MEMS surface
CN106115615A (zh) 2016-08-17 2016-11-16 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 具有吸气剂的mems芯片及其圆片级封装方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004042784A1 (de) * 2003-12-10 2005-07-07 Mitsubishi Denki K.K. Beschleunigungssensor und Verfahren zum Herstellen eines Beschleunigungssensors
JP2007085747A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 静電容量型加速度センサ
US20090053855A1 (en) * 2006-05-15 2009-02-26 Innovative Micro Technology Indented lid for encapsulated devices and method of manufacture
US20090179287A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Seiko Epson Corporation Functional device and manufacturing method thereof
CN105236345A (zh) * 2015-09-22 2016-01-13 杭州士兰微电子股份有限公司 Mems器件、半导体器件及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CN 105 236 345 A *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019135846A1 (de) * 2019-12-16 2021-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung mit mikroelektromechanischem system, die einen höcker-endanschlag enthält, und verfahren zu ihrer herstellung
DE102019135846B4 (de) 2019-12-16 2023-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung mit mikroelektromechanischem system, die einen höcker-endanschlag enthält

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018119919A (ja) 2018-08-02
US11459226B2 (en) 2022-10-04
US20180215606A1 (en) 2018-08-02
CN108365014B (zh) 2021-08-06
JP6729423B2 (ja) 2020-07-22
CN108365014A (zh) 2018-08-03
DE102017219640B4 (de) 2023-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1836123B1 (de) Verfahren zum erzeugen eines vorgegebenen innendrucks in einem hohlraum eines halbleiterbauelements
DE102014202801B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
DE69934841T2 (de) Druckwandler und Herstellungsverfahren
DE102014210862B4 (de) Bauteil mit zwei Halbleiter-Bauelementen, zwischen denen mindestens zwei hermetisch dichte Kavernen ausgebildet sind, und Verfahren zum Herstellen einer entsprechenden Bondverbindung zwischen zwei Halbleiter-Bauelementen
DE102006025373B4 (de) Elektrostatischer Kapazitätsbeschleunigungssensor
DE4410631A1 (de) Kapazitiver Sensor bzw. Wandler sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP0941460B1 (de) Verfahren zur herstellung von mikromechanischen sensoren
DE102014210006A1 (de) Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung einer Sensoreinheit
EP1335878A1 (de) Mikrostrukturbauelement
EP0674164A1 (de) Kapazitiver Drucksensor bzw. kapazitiver Differenzdrucksensor
DE102015224545A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanisches Bauelements
DE102010029709B4 (de) Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
DE102019205347B4 (de) Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensorvorrichtung
DE102017219640A1 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
DE102019205349A1 (de) Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensor- oder Schaltervorrichtung
DE102016221055A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
DE102016200489A1 (de) Mikromechanisches Bauelement
DE102016208325A1 (de) Mikromechanisches Bauteil und Verfahren zum Verpacken eines Substrats mit einer mindestens eine piezoelektrische Schicht umfassenden mikroelektromechanischen Mikrofonstruktur
DE102019128767A1 (de) MEMS-Mikrofon und Herstellungsverfahren
DE102007019647A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit Auffüllschicht und Maskenschicht
DE19710375C2 (de) Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen
EP3601154B1 (de) Verfahren zur herstellung eines wenigstens teilweise gehäusten halbleiterwafers
EP3918641B1 (de) Einrichtung und verfahren zur herstellung einer plattenanordnung
DE10244786A1 (de) Mikromechanisches Bauelement und Verfahren
EP3995443A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R084 Declaration of willingness to licence
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final