JP4378167B2 - 半導体装置及びこれの製造方法 - Google Patents
半導体装置及びこれの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4378167B2 JP4378167B2 JP2003511313A JP2003511313A JP4378167B2 JP 4378167 B2 JP4378167 B2 JP 4378167B2 JP 2003511313 A JP2003511313 A JP 2003511313A JP 2003511313 A JP2003511313 A JP 2003511313A JP 4378167 B2 JP4378167 B2 JP 4378167B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- logic circuit
- circuit region
- gate structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/488—Word lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/09—Manufacture or treatment with simultaneous manufacture of the peripheral circuit region and memory cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
- H10B12/0383—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate wherein the transistor is vertical
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/05—Making the transistor
- H10B12/053—Making the transistor the transistor being at least partially in a trench in the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
基板上に障壁層と金属層と誘電キャップ層とを付着させるステップと、
基板から障壁層とポリシリコン層と誘電キャップ層との一部を除去してアレイ・ゲート構造を形成するステップと、基板上に窒化物層を付着させ、非アレイ領域とサポート領域内の上部酸化膜層とから窒化物層を除去するステップと、サポート犠牲酸化膜層を形成し、サポート・インプラントを形成し、犠牲層を除去し、サポート・ゲート酸化膜層を形成するステップと、基板上に第1のポリシリコン層を付着させ、第1のポリシリコン層をサポート・ゲート酸化膜までエッチングしてサポート・ゲート構造を形成するステップと、ゲート・アレイ構造およびサポート・ゲート構造の側壁にスペーサを形成し、アレイ領域においてビット線コンタクトを形成するためにスペーサを除去するステップと、第2のポリシリコン層を付着させ、マスクを付加してサポート・トランジスタのためのアレイおよびゲート導体内にランディング・パッドをパターニングし、形成するステップと、ランディング・パッドと、サポート・ゲート構造と、サポート・ゲート導体と、アレイ領域内のビット線拡散領域に重なる第2のポリシリコン層とをシリサイド化するステップとを含む。
サポート領域において第2のポリシリコン層を付着させ、ゲート・スタックを形成するゲート酸化膜層およびゲート・キャップ層までパターニングし、アレイ領域において第2のポリシリコン層を窒化物層までパターニングするステップと、基板上に第2の窒化物層を付着させ、その上にオルト珪酸テトラエチル層を付着させるステップと、アレイ領域と局所相互接続を形成する領域とにおいてオルト珪酸テトラエチル層の一部を除去するステップと、基板上に第3のポリシリコン層を共形に付着させ、サポート領域内のゲート・スタックの上の第3のポリシリコン層を平坦化するステップと、第3のポリシリコン層をパターニングして局所相互接続を画定し、サポート領域において窒化物層をさらに除去し、その中にインプラントを形成すると同時にゲート・スタックをドーピングするステップと、アレイ領域および局所相互接続においてポリシリコン層の露出部分をシリサイド化するステップとを含む。
1.アレイ領域の別々のリソグラフィ要件により、より強固なフォトリソグラフィ・プロセス・ウィンドウが得られるので有利である。当業者なら、同一層内にメモリ・フィーチャとロジック・サポート・フィーチャをフォトリソグラフィによりパターニングする際に遭遇する困難と、メモリ領域とロジック領域との大幅に異なる必要ピッチを別々にパターニングすることによって得られる利点がわかるであろう。
2.8F2未満のセルでは、ビット線と局所相互接続はポリシリコンのシリサイド化によって形成されるため、MO層と一般に呼ばれる従来の第1の金属層が不要である。MO層をなくすことによって、フォトリスグラフィによるパターニングが最も困難な層がなくなる。MO層は一般に、最小サイズのフィーチャを含む。
Claims (6)
- 半導体基板上にメモリ・アレイとロジック回路用のトランジスタとを形成した半導体装置の製造方法であって、
分離領域によって分離されたメモリ回路領域とロジック回路領域とを有するメモリ構造を設けるステップであって、前記メモリ回路領域が、前記半導体基板内に組み込まれた複数のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セルを含み、隣接し合うダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セルが上部酸化膜層によって被覆されたビット線拡散領域を介して互いに接続されている、上記ステップと、
前記半導体基板上に障壁層と金属層と誘電キャップ層とを付着させるステップと、
前記半導体基板から前記障壁層と前記金属層と前記誘電キャップ層との一部を除去して前記メモリ回路領域に、前記ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セルに接続するゲート構造を形成するステップと、
前記半導体基板の上と前記メモリ回路領域の前記ゲート構造の上に窒化シリコン層を付着させ、前記ロジック回路領域から前記窒化シリコン層を除去して、該窒化シリコン層により前記メモリ回路領域を保護するステップと、
前記窒化シリコン層により覆われていない前記ロジック回路領域の上部酸化膜層を除去して、犠牲酸化膜層を成長させ、前記ロジック回路領域にウェル及び閾値調整のための注入を行い、前記犠牲酸化膜層を除去するステップと、
前記ロジック回路領域にゲート酸化膜層を形成するステップと、
前記半導体基板上に第1ポリシリコン層を付着させ、該第1ポリシリコン層を前記ゲート酸化膜層までエッチングして前記ロジック回路領域に前記ロジック回路用のトランジスタのゲート構造を形成するステップと、
前記メモリ回路領域の前記窒化シリコン層と、前記ロジック回路領域の前記半導体基板及び前記ロジック回路用のトランジスタのゲート構造を覆うように障壁窒化物層を形成するステップと、
前記障壁窒化物層のうち、前記ロジック回路用のトランジスタに接続する相互接続部を設ける部分を除去するステップと、
前記障壁窒化物層及び前記窒化シリコン層をエッチングして前記メモリ回路領域の前記ゲート構造の側壁にスペーサを形成すると共に、前記メモリ回路領域の前記上部酸化膜層を除去して前記ビット線拡散領域を露出するステップと、
第2ポリシリコン層を付着してパターン化することにより、前記メモリ回路領域の前記ビット線拡散領域に接続するビット線を形成すると共に、前記相互接続部を形成するステップと、
前記ロジック回路領域の前記障壁窒化物層を除去して前記ロジック回路用のトランジスタのゲート構造に隣接するソース領域及びドレイン領域を形成するステップと、
前記ビット線、前記相互接続部、前記ソース領域、前記ロジック回路用のトランジスタのゲート構造及び前記ドレイン領域の表面をシリサイド化するステップとを含む方法。 - 前記誘電キャップ層がオルト珪酸テトラエチル層と窒化シリコン層とを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記分離領域が浅いトレンチ分離領域を含む、請求項1に記載の方法。
- デュアル仕事関数のロジック回路トランジスタと、DRAMアレイとを含む半導体装置であって、
ゲート構造と、該ゲート構造に隣接するソースおよびドレイン領域と、前記ゲート構造、前記ソースおよびドレイン領域上に設けられたシリサイド層とを有するロジック回路用トランジスタを含むロジック回路領域であって、前記ゲート構造が、ポリシリコン層と該ポリシリコン層上に設けられたシリサイド層を含む、前記ロジック回路領域と、
複数のDRAMセルと、隣接するDRAMセルを電気的に接続するビット線拡散領域と、前記DRAMセルに接続するワード線として働くゲート構造と、前記ビット線に設けられたシリサイド層とを含むメモリ回路領域であって、前記ワード線として働くゲート構造は、前記DRAMセル上に設けられた障壁層、金属層及び誘電キャップ層を有する、前記メモリ回路領域と、
前記ロジック回路領域を前記メモリ回路領域から電気的に分離する分離領域と、
前記分離領域上に配置されて前記ロジック回路用トランジスタに接続する相互接続構造であって、ポリシリコン層と該ポリシリコン層上に形成されたシリサイド層とを含む、前記相互接続構造とを含む、半導体装置。 - 前記分離領域が浅いトレンチ分離領域を含む、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記誘電キャップ層がオルト珪酸テトラエチル層とその上に配置された窒化シリコン層とを含む、請求項4に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/897,868 US6429068B1 (en) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Structure and method of fabricating embedded vertical DRAM arrays with silicided bitline and polysilicon interconnect |
PCT/GB2002/002961 WO2003005447A2 (en) | 2001-07-02 | 2002-06-27 | Structure and method of fabricating embedded vertical dram arrays with silicided bitline and polysilicon interconnect |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004534403A JP2004534403A (ja) | 2004-11-11 |
JP4378167B2 true JP4378167B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=25408567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003511313A Expired - Fee Related JP4378167B2 (ja) | 2001-07-02 | 2002-06-27 | 半導体装置及びこれの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6429068B1 (ja) |
EP (1) | EP1402576A2 (ja) |
JP (1) | JP4378167B2 (ja) |
KR (1) | KR100579365B1 (ja) |
IL (1) | IL159655A0 (ja) |
TW (1) | TW550751B (ja) |
WO (1) | WO2003005447A2 (ja) |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW471163B (en) * | 2000-08-17 | 2002-01-01 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method and structure of thin film resistor having a high resistance value |
JP2002217383A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置 |
KR100385955B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 다중막으로 이루어진 스페이서를 갖는 반도체 소자 및 그제조방법 |
US6429068B1 (en) * | 2001-07-02 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Structure and method of fabricating embedded vertical DRAM arrays with silicided bitline and polysilicon interconnect |
US20030052365A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-03-20 | Samir Chaudhry | Structure and fabrication method for capacitors integratible with vertical replacement gate transistors |
JP2003133437A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6630720B1 (en) | 2001-12-26 | 2003-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Asymmetric semiconductor device having dual work function gate and method of fabrication |
US6620677B1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-09-16 | Infineon Technologies Ag | Support liner for isolation trench height control in vertical DRAM processing |
US6635525B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | Method of making backside buried strap for SOI DRAM trench capacitor |
US6586808B1 (en) | 2002-06-06 | 2003-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having multi-work function gate electrode and multi-segment gate dielectric |
DE10232938B4 (de) * | 2002-07-19 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen Halbleiterspeicher |
US6750097B2 (en) | 2002-07-30 | 2004-06-15 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a patterened SOI embedded DRAM/eDRAM having a vertical device cell and device formed thereby |
US6927462B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-08-09 | Infineon Technologes Richmond, Lp | Method of forming a gate contact in a semiconductor device |
US6552382B1 (en) * | 2002-09-30 | 2003-04-22 | Intelligent Sources Development Corp. | Scalable vertical DRAM cell structure and its manufacturing methods |
US6979851B2 (en) * | 2002-10-04 | 2005-12-27 | International Business Machines Corporation | Structure and method of vertical transistor DRAM cell having a low leakage buried strap |
US6884676B2 (en) * | 2003-05-28 | 2005-04-26 | Infineon Technologies Ag | Vertical 8F2 cell dram with active area self-aligned to bit line |
KR100511045B1 (ko) * | 2003-07-14 | 2005-08-30 | 삼성전자주식회사 | 리세스된 게이트 전극을 갖는 반도체 소자의 집적방법 |
US6830968B1 (en) * | 2003-07-16 | 2004-12-14 | International Business Machines Corporation | Simplified top oxide late process |
US7164161B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of formation of dual gate structure for imagers |
TWI229940B (en) * | 2004-01-30 | 2005-03-21 | Nanya Technology Corp | Memory cell with a vertical transistor and fabrication method thereof |
US7244980B2 (en) * | 2004-02-09 | 2007-07-17 | Infineon Technologies Ag | Line mask defined active areas for 8F2 DRAM cells with folded bit lines and deep trench patterns |
US7410864B2 (en) | 2004-04-23 | 2008-08-12 | Infineon Technologies Ag | Trench and a trench capacitor and method for forming the same |
US7601646B2 (en) * | 2004-07-21 | 2009-10-13 | International Business Machines Corporation | Top-oxide-early process and array top oxide planarization |
US7633110B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory cell |
KR100574497B1 (ko) | 2004-12-24 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비대칭 리세스된 게이트를 갖는 mosfet 및 그 제조방법 |
US7078285B1 (en) | 2005-01-21 | 2006-07-18 | Sony Corporation | SiGe nickel barrier structure employed in a CMOS device to prevent excess diffusion of nickel used in the silicide material |
US7235473B2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-06-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Dual silicide semiconductor fabrication process |
DE102005042071B4 (de) * | 2005-08-31 | 2007-11-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur |
KR100675285B1 (ko) * | 2005-10-10 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 수직 트랜지스터를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 |
US7898014B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-03-01 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device structures with self-aligned doped regions and methods for forming such semiconductor device structures |
US8120123B2 (en) * | 2007-09-18 | 2012-02-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of forming the same |
DE102008047591B4 (de) | 2007-09-18 | 2019-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit reduzierter Dicke |
US7989307B2 (en) * | 2008-05-05 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same |
US8071440B2 (en) * | 2008-12-01 | 2011-12-06 | United Microelectronics Corporation | Method of fabricating a dynamic random access memory |
KR101623123B1 (ko) * | 2009-07-23 | 2016-05-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
TWI402972B (zh) * | 2009-11-05 | 2013-07-21 | Taiwan Memory Corp | 埋藏位元線及其製造方法 |
US8159015B2 (en) * | 2010-01-13 | 2012-04-17 | International Business Machines Corporation | Method and structure for forming capacitors and memory devices on semiconductor-on-insulator (SOI) substrates |
US8492811B2 (en) * | 2010-09-20 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Self-aligned strap for embedded capacitor and replacement gate devices |
KR101137928B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 제조 방법 |
JP5731858B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2015-06-10 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101205118B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2012-11-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8994085B2 (en) | 2012-01-06 | 2015-03-31 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit including DRAM and SRAM/logic |
US8653596B2 (en) | 2012-01-06 | 2014-02-18 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit including DRAM and SRAM/logic |
KR20130116099A (ko) * | 2012-04-13 | 2013-10-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9023723B2 (en) * | 2012-05-31 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a gate-all-around word line for a vertical channel DRAM |
KR102489949B1 (ko) | 2016-12-13 | 2023-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
DE102017122526B4 (de) | 2016-12-28 | 2022-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen von dieser |
US10770469B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10964701B2 (en) * | 2017-03-31 | 2021-03-30 | Intel Corporation | Vertical shared gate thin-film transistor-based charge storage memory |
US10762939B2 (en) * | 2017-07-01 | 2020-09-01 | Intel Corporation | Computer memory |
US10026740B1 (en) | 2017-10-30 | 2018-07-17 | Globalfoundries Inc. | DRAM structure with a single diffusion break |
US10541242B2 (en) | 2018-05-22 | 2020-01-21 | International Business Machines Corporation | Vertical transistor with eDRAM |
US11069688B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-07-20 | International Business Machines Corporation | Vertical transistor with eDRAM |
CN111435658B (zh) * | 2019-01-14 | 2023-05-23 | 联华电子股份有限公司 | 形成存储器堆叠结构的方法 |
US11424186B2 (en) | 2019-10-29 | 2022-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device and apparatus including the same |
US11624127B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Boron nitride layer, apparatus including the same, and method of fabricating the boron nitride layer |
US11201154B2 (en) | 2019-12-27 | 2021-12-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an apparatus including device structures including pillar structures, and related memory devices, and electronic systems |
US11152373B1 (en) * | 2020-05-07 | 2021-10-19 | Applied Materials, Inc. | Structures and methods for forming dynamic random-access devices |
US11818877B2 (en) | 2020-11-02 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Three-dimensional dynamic random access memory (DRAM) and methods of forming the same |
US20220209750A1 (en) * | 2020-12-29 | 2022-06-30 | Texas Instruments Incorporated | Quality factor of a parasitic capacitance |
KR20220143247A (ko) | 2021-04-16 | 2022-10-25 | 삼성전자주식회사 | 에지 절연층을 갖는 반도체 소자 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5497017A (en) * | 1995-01-26 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Dynamic random access memory array having a cross-point layout, tungsten digit lines buried in the substrate, and vertical access transistors |
US6083794A (en) | 1997-07-10 | 2000-07-04 | International Business Machines Corporation | Method to perform selective drain engineering with a non-critical mask |
EP0926741A3 (en) * | 1997-12-23 | 1999-11-03 | Texas Instruments Incorporated | Gate structure and method of forming same |
US6001721A (en) * | 1998-02-19 | 1999-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Silicide and salicide on the same chip |
JPH11284146A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nippon Steel Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2000123593A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
US6153459A (en) | 1998-11-16 | 2000-11-28 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating dual gate structure of embedded DRAM |
US6117732A (en) | 1998-11-17 | 2000-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Use of a metal contact structure to increase control gate coupling capacitance for a single polysilicon non-volatile memory cell |
US6133083A (en) | 1998-12-22 | 2000-10-17 | United Microelectronics Corp. | Method to fabricate embedded DRAM |
US6117723A (en) | 1999-06-10 | 2000-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Salicide integration process for embedded DRAM devices |
US6153902A (en) * | 1999-08-16 | 2000-11-28 | International Business Machines Corporation | Vertical DRAM cell with wordline self-aligned to storage trench |
US6261894B1 (en) * | 2000-11-03 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming dual workfunction high-performance support MOSFETs in EDRAM arrays |
US6258659B1 (en) * | 2000-11-29 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Embedded vertical DRAM cells and dual workfunction logic gates |
US6429068B1 (en) * | 2001-07-02 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Structure and method of fabricating embedded vertical DRAM arrays with silicided bitline and polysilicon interconnect |
-
2001
- 2001-07-02 US US09/897,868 patent/US6429068B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-16 US US10/147,150 patent/US6727539B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-27 JP JP2003511313A patent/JP4378167B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-27 KR KR1020037016884A patent/KR100579365B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-06-27 IL IL15965502A patent/IL159655A0/xx not_active IP Right Cessation
- 2002-06-27 EP EP02735647A patent/EP1402576A2/en not_active Withdrawn
- 2002-06-27 WO PCT/GB2002/002961 patent/WO2003005447A2/en active Application Filing
- 2002-07-01 TW TW091114516A patent/TW550751B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040012972A (ko) | 2004-02-11 |
KR100579365B1 (ko) | 2006-05-12 |
WO2003005447A2 (en) | 2003-01-16 |
WO2003005447A8 (en) | 2004-02-19 |
WO2003005447A3 (en) | 2003-08-28 |
US6429068B1 (en) | 2002-08-06 |
US20030003651A1 (en) | 2003-01-02 |
JP2004534403A (ja) | 2004-11-11 |
US6727539B2 (en) | 2004-04-27 |
IL159655A0 (en) | 2004-06-01 |
EP1402576A2 (en) | 2004-03-31 |
TW550751B (en) | 2003-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4378167B2 (ja) | 半導体装置及びこれの製造方法 | |
US6635526B1 (en) | Structure and method for dual work function logic devices in vertical DRAM process | |
JP3640486B2 (ja) | メモリ・セルおよびメモリ・セル構造を製造する方法 | |
KR100268419B1 (ko) | 고집적 반도체 메모리 장치 및 그의 제조 방법 | |
US20040026787A1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
US5879986A (en) | Method for fabrication of a one gigabit capacitor over bit line DRAM cell with an area equal to eight times the used minimum feature | |
US5258096A (en) | Method of forming local etch stop landing pads for simultaneous, self-aligned dry etching of contact vias with various depths | |
US7476584B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device with a bit line contact plug | |
KR100308187B1 (ko) | 디램 셀 제조방법 및 그에 의해 제조된 디램 셀 | |
US20060091454A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US6261894B1 (en) | Method for forming dual workfunction high-performance support MOSFETs in EDRAM arrays | |
KR20060127747A (ko) | 반도체 디바이스의 형성방법 | |
US5840591A (en) | Method of manufacturing buried bit line DRAM cell | |
US6214677B1 (en) | Method of fabricating self-aligned ultra short channel | |
US20020076895A1 (en) | Fabrication method for an embedded dynamic random access memory (DRAM) | |
KR100309619B1 (ko) | 스페이서를이용한집적회로형성방법 | |
US6071773A (en) | Process for fabricating a DRAM metal capacitor structure for use in an integrated circuit | |
JP3803960B2 (ja) | 半導体メモリ素子の製造方法 | |
KR100382333B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US6479355B2 (en) | Method for forming landing pad | |
KR100544596B1 (ko) | 반도체 장치 제조시 블랙 실리콘 감소 방법 및 반도체 장치 | |
US6908815B2 (en) | Dual work function semiconductor structure with borderless contact and method of fabricating the same | |
JP2008235793A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4260275B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR19990030299A (ko) | 수직형 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040225 |
|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20040225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080430 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |