DE10232938B4 - Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen Halbleiterspeicher - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen Halbleiterspeicher,
bei dem
in einem Halbleiterkörper (1) streifenförmige dotierte Bereiche (2) parallel in Abständen zueinander hergestellt werden, die als Bitleitungen und als Source-/Drain-Bereiche eines jeweiligen Speichertransistors vorgesehen sind,
lateral zu den dotierten Bereichen (2) jeweils eine als Gate-Dielektrikum vorgesehene Schichtfolge aus einer unteren Begrenzungsschicht (3), einer Speicherschicht (4) und einer oberen Begrenzungsschicht (5) aufgebracht wird und
jeweils auf der von dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite eines dotierten Bereiches (2) ein Oxidbereich (6) ausgebildet wird, der dicker als die untere Begrenzungsschicht (3) ist,
dadurch gekennzeichnet, dass vor der Herstellung der oberen Begrenzungsschicht (5) eine Opferschicht (10) aus einem gegenüber dem Material der Speicherschicht (4) und Polysilizium selektiv ätzbaren Material auf die Speicherschicht (4) aufgebracht wird,
unter Verwendung einer Maske (7) Öffnungen (8) in der Opferschicht (10), der Speicherschicht (4) und der unteren Begrenzungsschicht (3) bis auf den...
in einem Halbleiterkörper (1) streifenförmige dotierte Bereiche (2) parallel in Abständen zueinander hergestellt werden, die als Bitleitungen und als Source-/Drain-Bereiche eines jeweiligen Speichertransistors vorgesehen sind,
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Description
- Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen Halbleiterspeicher.
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen SONOS-Speicher, bei dem zwischen der vergrabenen Bitleitung und der Gate-Elektrode ein isolierender Oxidbereich ausgebildet wird.
- Bei SONOS-Speichern, insbesondere bei NROM-Speichern (zum Beispiel
US 5,768,192 ,US 6,011,725 und WO 99/60631), werden vergrabene Bitleitungen in Halbleitermaterial hergestellt, indem das Material durch Einbringen von Dotierstoff elektrisch leitend dotiert wird. Anteile dieser Bitleitungen bilden gleichzeitig die Source-/Drain-Bereiche der Transistoren der einzelnen Speicherzellen. Angrenzend an die vergrabenen Bitleitungen sind daher die Kanalbereiche vorhanden, auf denen ein Gate-Dielektrikum aufgebracht ist, auf dem die jeweilige Gate-Elektrode angeordnet ist. Mit den Gate-Elektroden verbunden sind die Wortleitungen, die quer zu den vergrabenen Bitleitungen und davon elektrisch isoliert über den Bitleitungen verlaufen. Um die kapazitive Kopplung zwischen den vergrabenen Bitleitungen und den Wortleitungen bzw. den jeweils benachbarten Gate-Elektroden möglichst gering zu halten, muss der jeweilige Oxidbereich über der Bitleitung ausreichend dick sein und selbstjustiert zu der Bitleitung angebracht werden. Gleichzeitig ist es erforderlich, dafür zu sorgen, dass der Rand der unteren Begrenzungsfläche des Source-/Drain-Bereiches bzw. der vergrabenen Bitleitung, die so genannte Junction, im richtigen vorgegebenen Abstand zu der Gate-Elektrode verläuft. - Als Gate-Dielektrikum ist eine Schichtfolge vorhanden, die eine für das Einfangen von Ladungsträgern an Source und Drain vorgesehene Speicherschicht zwischen Begrenzungsschichten umfasst. Das Material der Begrenzungsschichten besitzt eine hö here Energiebandlücke als das Material der Speicherschicht, so dass die Ladungsträger, die in der Speicherschicht zwischen den Begrenzungsschichten gefangen sind, dort lokalisiert bleiben.
- Als Material für die Speicherschicht kommt vorzugsweise ein Nitrid in Frage; als umgebendes Material ist vorrangig ein Oxid geeignet. Bei einer Speicherzelle im Materialsystem von Silizium ist die Speicherzelle in diesem Beispiel Siliziumnitrid mit einer Energiebandlücke von etwa 5 eV, die umgebenden Begrenzungsschichten Siliziumoxid mit einer Energiebandlücke von etwa 9 eV. Die Speicherschicht kann ein anderes Material mit einer kleineren Energiebandlücke als derjenigen der Begrenzungsschichten sein, wobei die Differenz der Energiebandlücken für einen guten elektrischen Einschluss der Ladungsträger (confinement) möglichst groß sein soll. In Verbindung mit Siliziumoxid kann z. B. Tantaloxid (im Fall stöchiometrischer Zusammensetzung Ta2O5), Hafniumoxid (im Fall stöchiometrischer Zusammensetzung HfO2), Hafniumsilikat, Titanoxid (im Fall stöchiometrischer Zusammensetzung TiO2), Zirkonoxid (im Fall stöchiometrischer Zusammensetzung ZrO2), Aluminiumoxid (im Fall stöchiometrischer Zusammensetzung Al2O3) oder intrinsisch leitendes (undotiertes) Silizium als Material der Speicherschicht eingesetzt werden. Die relative Dielektrizitätszahl des Materials der Speicherschicht ist vorzugsweise größer als 4.
- Eine derartige Anordnung lässt sich herstellen, indem unter Verwendung einer Maske in das Gate-Dielektrikum Öffnungen im Bereich der herzustellenden Bitleitungen geätzt werden und anschließend Dotierstoff in das Halbleitermaterial eingebracht wird. Eine nachfolgende Oxidation muss so lange ausgeführt werden, dass ein ausreichend dicker Oxidbereich über der vergrabenen Bitleitung entsteht. Dabei tritt jedoch das Problem auf, dass infolge der Wärmeeinwirkung der Dotierstoff aus dem implantierten Bereich ausdiffundiert und zu weit in den Bereich unterhalb des Gate-Dielektrikums, d. h. zu weit in die Nähe der aufzubringenden Gate-Elektrode gelangt. Die gemäß dem Stand der Technik vorhandenen Schwierigkeiten werden anhand der beigefügten
1 und2 erkennbar, die Zwischenprodukte des Herstellungsverfahrens eines NROM-Speichers mit den herkömmlichen Verfahrensschritten im Querschnitt darstellen. - Auf einem Halbleiterkörper
1 oder Substrat aus Halbleitermaterial sind eine erste Oxidschicht3 , eine Nitridschicht4 und eine zweite Oxidschicht5 ganzflächig übereinander aufgebracht. Diese ONO-Schichtfolge ist als Gate-Dielektrikum vorgesehen. Auf die zweite Oxidschicht5 wird eine Lackmaske7 aufgebracht, mit deren Hilfe Öfnungen8 im Bereich der herzustellenden Bitleitungen ausgeätzt werden. Diese Öffnungen8 reichen mindestens bis in die erste Oxidschicht3 hinein. Ein allenfalls verbleibender restlicher Schichtanteil der ersten Oxidschicht3 ist hinreichend dünn, so dass Dotierstoff in einen Implantationsbereich9 des Halbleiterkörpers1 eingebracht werden kann. Dieser Dotierstoff ist zur Ausbildung der vergrabenen Bitleitungen vorgesehen. Anschließend erfolgt ein Oxidationsschritt, mit dem eine die Implantationsbereiche abdeckende Oxidschicht hergestellt wird. - In der
2 ist das Ergebnis des Oxidationsprozesses dargestellt. Die freien Oberflächen und Ränder der Nitridschicht4 sind oxidiert. Zwischen den Anteilen der Nitridschicht4 befindet sich jeweils ein Oxidbereich6 , der wesentlich dicker ist als die erste Oxidschicht3 . Dieser Oxidbereich6 trennt die hergestellte vergrabene Bitleitung, die durch den dotierten Bereich2 gebildet wird, elektrisch von einer auf der zweiten Oxidschicht5 über der Nitridschicht4 aufzubringenden Gate-Elektrode. Die seitlichen Anteile20 des dotierten Bereiches2 ragen aber infolge der durch den Oxidationsprozess verursachten thermischen Diffusion des Dotierstoffes bis weit unter den von der Nitridschicht4 überdeckten Bereich, so dass die Junctions21 , d. h. die äußeren Ränder der Grenzflächen der dotierten Bereiche2 , jeweils sehr weit im Innern des von der Nitridschicht4 überdeckten Bereiches liegen. Der dotierte Bereich2 reicht daher zu weit in den von der Gate-Elektrode später überdeckten und nicht oberseitig durch den Oxidbereich6 elektrisch isolierten Bereich. Diese unerwünschte Struktur kann nur dadurch vermieden werden, dass der vorhergehende Oxidationsprozess kürzer durchgeführt wird. Dann kann aber der Oxidbereich6 nur mit verminderter Dicke hergestellt werden, was wiederum eine schlechte Abkopplung der vergrabenen Bitleitungen von den darüberliegenden Wortleitungen nach sich zieht. - In der
US 6 326 268 B1 ist ein Herstellungsverfahren für MONOS-Speicherzellen beschrieben, bei dem unter Verwendung einer Padoxidschicht und einer Padnitridschicht als Maske ein Rückätzen des Halbleitermateriales in einem für Source und Drain vorgesehenen Bereich erfolgt und anschließend Bor- und Arsenimplantationen zur Ausbildung von Source- und Drain-Bereichen eingebracht werden. Dann wird ein Oxid abgeschieden und planarisiert, um über den Source-/Drain-Bereichen Bitleitungsoxide anzubringen. - In der
US 5 841 163 ist ein Verfahren zur Herstellung von dotierten Bereichen unterhalb einer Feldisolationsschicht in einer Speicherzellenanordnung mit einer ONO-Schichtfolge beschrieben, wobei eine Polysiliziumschicht vor der Feldoxidation auf dem Halbleitersubstrat vorhanden ist. - In der
US 6 242 305 B1 ist ein Herstellungsverfahren für Bitleitungen beschrieben, bei dem auf einem Halbleiterkörper eine ONO-Speicherschichtfolge aufgebracht und mittels einer Maske strukturiert wird und in den Öffnungen eine Bor- und Arsenimplantation zur Ausbildung von Bitleitungen eingebracht wird. Anschließend wird in die Öffnungen ein als Bitleitungsoxid vorgesehenes Oxid abgeschieden und planarisiert. - In der
US 6 172 396 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer ROM-Struktur beschrieben, bei dem zwischen den Floating-Gates ein isolierender Bereich ausgebildet wird, indem ein dotierter Bereich oxidiert wird. - In der
US 5 966 603 , derUS 5 545 907 , derUS 5 168 334 und derUS 4 947 222 sind Herstellungsverfahren für Speicherzellen beschrieben, bei denen über den Bitleitungen jeweils Bitleitungsoxide hergestellt werden. - Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung vergrabener Bitleitungen für SONOS-Speicher anzugeben, bei dem die Ränder der vergrabenen Bitleitungen in vorgegebenem Abstand zu den Rändern der Gate-Elektroden angeordnet werden können und gleichzeitig eine ausreichend dicke Oxidisolation selbstjustiert hergestellt werden kann.
- Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den aus der
US 6 326 268 B1 bekannten Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruches 1 mit den weiteren Merkmalen des Anspruches 1 beziehungsweise mit dem Verfahren mit den aus derUS 6 242 305 B1 bekannten Merkmalen des Oberbegriffes des Anspruches 2 mit den weiteren Merkmalen des Anspruches 2 gelöst. - Bei dem Verfahren wird die vergrabene Bitleitung unter Verwendung einer Dotierstoffquelle aus Polysilizium hergestellt, die zuvor über dem für die vergrabene Bitleitung vorgesehenen Bereich aufgebracht wird. Damit wird das Ausmaß der Diffusion in Grenzen gehalten und das dotierte Polysilizium ist wegen der raschen Oxidation besonders geeignet zur Ausbildung der isolierenden Oxidbereiche über den vergrabenen Bitleitungen. Ein alternatives Verfahren sieht vor, statt einer für das Gate-Dielektrikum vorgesehenen Schichtfolge zunächst nur einen Teil dieser Schichtfolge aufzubringen und mit einer dickeren Opferschicht auf der Oberseite zu vervollständigen. Nachdem für die vergrabenen Bitleitungen in den vorgesehenen Bereichen Implantierungen von Dotierstoff erfolgt sind, wird die aufgebrachte Schichtfolge so weit rückgeätzt, dass zwischen den implantierten Bereichen und den restlichen Anteilen der Schichtfolge jeweils ein bestimmter vorgegebener Abstand eingestellt wird. Da somit ein größerer Anteil der Oberseite des Halbleitermateriales freigelegt wird, ergibt sich bei einer anschließenden Oxidation des Halbleitermateriales ein wesentlich breiterer Oxidbereich über den vergrabenen Bitleitungen. Der eingebrachte Dotierstoff diffundiert nicht viel weiter als bis zum Rand dieses Oxidbereiches und gelangt nicht weit unter die restlichen Anteile der für das Gate-Dielektrikum vorgesehenen Schichtfolge. Die schwächer dotierten Randbereiche der vergrabenen Bitleitungen werden so von einer dickeren Oxidschicht bedeckt, als das mit herkömmlichen Verfahren erreicht wird.
- Es folgt eine genauere Beschreibung von Beispielen des Verfahrens an Hand der beigefügten
1 bis9 . - Die
1 und2 zeigen Querschnitte von Zwischenprodukten des eingangs erläuterten Verfahrens aus dem Stand der Technik. - Die
3 bis6 zeigen Zwischenprodukte einer ersten Variante des Verfahrens nach verschiedenen Verfahrensschritten im Querschnitt. - Die
7 bis9 zeigen Zwischenprodukte einer alternativen Variante des Verfahrens nach verschiedenen Verfahrensschritten im Querschnitt. - Die
3 zeigt im Querschnitt einen Halbleiterkörper1 , auf den zunächst eine untere Begrenzungsschicht3 , zum Beispiel eine erste Oxidschicht, und eine Speicherschicht4 , zum Beispiel eine Nitridschicht, aufgebracht worden sind. Es wird dann statt der oberen Begrenzungsschicht zunächst eine Opferschicht10 aufgebracht, für die insbesondere ein abgeschiedenes Oxid unter Einsatz von TEOS (Tetraethylorthosilikat), DCS (Dichlorsilan), HCS (Hexachlorsilan) oder dergleichen oder ein HDP-Oxid (high density plasma) geeignet ist. In einem nachfolgenden Fotolithographieschritt werden dann in dieser Schichtfolge Öffnungen im Bereich der herzustellenden vergrabenen Bitleitungen hergestellt. Danach wird Polysilizium11 abgeschieden, mit dem die Öffnungen gefüllt werden. - Gemäß dem Querschnitt der
4 können vor dem Abscheiden des Polysiliziums11 zunächst an den Wänden der Öffnungen8 Spacer12 hergestellt werden, um die Grabenweite genau einzustellen. - Das Polysilizium
11 wird während der Abscheidung oder anschließend elektrisch leitend dotiert, was insbesondere mit Arsen als Dotierstoff geschehen kann. Entsprechend der Darstellung der5 wird das Polysilizium11 auf einen restlichen Anteil13 rückgeätzt. Die Opferschicht10 wird dann entfernt, wobei die Nitridschicht4 als Ätzstoppschicht dient. - Es wird dann auf der Oberfläche der Anordnung die obere Begrenzungsschicht
5 , zum Beispiel eine zweite Oxidschicht, aufgebracht, so dass sich die in der6 im Querschnitt dargestellte Struktur ergibt. Dazu wird in dem Beispiel vorzugsweise eine Nassoxidation vorgenommen, damit eine obere Schichtlage der Nitridschicht mit oxidiert wird. Im Fall einer trockenen Oxidation muss die gesamte zweite Oxidschicht gesondert aufgebracht werden. In diesem Verfahrensschritt der Oxidation wird der restliche Anteil13 des Polysiliziums stärker oxidiert, so dass der relativ dicke Oxidbereich6 entsteht. Der Dotierstoff diffundiert außerdem aus dem Polysilizium in das Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers1 und bildet dort den eingezeichneten Diffusionsbereich14 , der eine geringere seitliche Ausdehnung aufweist als ein nach dem Stand der Technik hergestellter dotierter Bereich2 , der für die vergrabene Bitleitung vorgesehen ist. Vorzugsweise wird ein Rest15 des Polysiliziums über dem Diffusionsbereich14 stehen gelassen, damit auf den vergrabenen Bitleitungen eine dünne Schicht einer gleichmäßig hohen Dotierstoffkonzentration vorhanden ist. In dem Diffusionsbereich14 stellt sich nämlich infolge der Diffusion ein Gauß-Profil des Dotierstoffes ein. Für ein nachfolgendes Aufbringen der Anschlusskontakte über den vergrabenen Bitleitungen ist daher ein restlicher Polysiliziumstreifen gleichmäßiger Dotierstoffkonzentration von Vorteil. Es ist aber auch möglich, das Polysilizium vollständig aufzuoxidieren. Der Oxidationsprozess kann im Prinzip sogar soweit fortgesetzt werden, dass auch ein Anteil des Halbleiterkörpers1 mit oxidiert wird. Die vergrabenen Bitleitungen werden dann ausschließlich durch den jeweiligen Diffusionsbereich14 gebildet. Das erste Ausführungsbeispiel ist aber aus den genannten Gründen bevorzugt. Ein verbleibender Polysiliziumstreifen hat außerdem den Vorteil, dass der Bahnwiderstand der Bitleitungen geringer ist. - Mit diesem Verfahren ist es möglich, die Eigenschaften der SONOS-Zellen über einen weiteren Bereich genau einzustellen. Insbesondere bei Verwendung der Spacer
12 gemäß4 ist es möglich, die Position der Junctions der vergrabenen Bitleitung und der Kante der Gate-Elektrode sehr genau zueinander einzustellen. Unter Einsatz dieses Verfahrens ist es möglich, den Maßstab der Technologie unter 170 nm zu reduzieren (shrinkage). - Eine andere Möglichkeit, den Oxidbereich
6 über der vergrabenen Bitleitung ausreichend breit herzustellen, sieht statt der Diffusion des Dotierstoffes in die Bitleitung eine laterale Rückätzung der Speicherschicht4 , zum Beispiel der Nitridschicht, vor. Gemäß dem in der7 dargestellten Querschnitt werden auch bei dieser Variante des Verfahrens auf den Halbleiterkörper1 zunächst die untere Begrenzungsschicht3 , zum Beispiel eine erste Oxidschicht, die Speicherschicht4 , zum Beispiel eine Nitridschicht, und die Opferschicht10 aufgebracht. Unter Verwendung einer geeigneten Fotolithographie werden die Öffnungen hergestellt, durch die hindurch Dotierstoff zur Ausbildung von Implantationsberei chen9 eingebracht wird. Die Öffnungen können bis auf den Halbleiterkörper1 hinab ausgebildet werden; es kann statt dessen eine dünne restliche Schichtlage der unteren Begrenzungsschicht3 wie in der7 dargestellt auf dem Halbleitermaterial gelassen werden. Als Opferschicht ist hier ebenfalls ein abgeschiedenes Oxid (TEOS) besonders geeignet. - Die untere Begrenzungsschicht
3 , die Speicherschicht4 und die Opferschicht10 werden dann, wie in der8 dargestellt, isotrop rückgeätzt, so dass in etwa die schrägen Flanken16 beidseitig des Implantationsbereiches9 entstehen. Als Ätzmittel ist in dem angegebenen Beispiel insbesondere eine gepufferte Lösung aus HF und Ethylenglykol geeignet, da mit diesem Ätzmittel das Nitrid der Speicherschicht und das Oxid etwa gleich stark geätzt werden. Die untere Begrenzungsschicht3 und die Speicherschicht4 werden so um einen Abstand D von dem Implantationsbereich9 zurückgesetzt. - Die in der
9 im Querschnitt dargestellte Struktur erhält man durch eine anschließende Oxidation des jetzt freiliegenden Halbleitermateriales an der Oberseite des Halbleiterkörpers1 . Wie aus dem in der9 dargestellten Querschnitt im Vergleich zu dem entsprechenden Querschnitt der2 hervorgeht, kann mit diesem Verfahren im Unterschied zu dem Stand der Technik ein Oxidbereich6 hergestellt werden, der den dotierten Bereich2 der vergrabenen Bitleitung fast auf voller Breite abdeckt, so dass die Junctions21 des dotierten Bereiches2 allenfalls knapp unter die Ränder der Speicherschicht4 reichen. Die seitlichen Anteile20 des dotierten Bereiches befinden sich größtenteils unterhalb des Oxidbereiches6 . Damit ergibt sich eine bessere elektrische Isolation gegenüber den seitlich des dotierten Bereiches2 auf der Oberseite der oberen Begrenzungsschicht5 aufzubringenden Gate-Elektroden. Auch mit dieser Variante des Verfahrens lässt sich daher die relative Position der Junctions und der Kanten der Gate-Elektrode sehr genau in der gewünschten Weise einstellen. -
- 1
- Halbleiterkörper
- 2
- dotierter Bereich
- 3
- untere Begrenzungsschicht
- 4
- Speicherschicht
- 5
- obere Begrenzungsschicht
- 6
- Oxidbereich
- 7
- Maske
- 8
- Öffnung
- 9
- Implantationsbereich
- 10
- Opferschicht
- 11
- Polysilizium
- 12
- Spacer
- 13
- restlicher Anteil des Polysiliziums
- 14
- Diffusionsbereich
- 15
- Rest des Polysiliziums
- 16
- Flanke
- 20
- seitlicher Anteil des dotierten Bereiches
- 21
- Junction
- D
- Abstand
Claims (5)
- Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen Halbleiterspeicher, bei dem in einem Halbleiterkörper (
1 ) streifenförmige dotierte Bereiche (2 ) parallel in Abständen zueinander hergestellt werden, die als Bitleitungen und als Source-/Drain-Bereiche eines jeweiligen Speichertransistors vorgesehen sind, lateral zu den dotierten Bereichen (2 ) jeweils eine als Gate-Dielektrikum vorgesehene Schichtfolge aus einer unteren Begrenzungsschicht (3 ), einer Speicherschicht (4 ) und einer oberen Begrenzungsschicht (5 ) aufgebracht wird und jeweils auf der von dem Halbleiterkörper (1 ) abgewandten Seite eines dotierten Bereiches (2 ) ein Oxidbereich (6 ) ausgebildet wird, der dicker als die untere Begrenzungsschicht (3 ) ist, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Herstellung der oberen Begrenzungsschicht (5 ) eine Opferschicht (10 ) aus einem gegenüber dem Material der Speicherschicht (4 ) und Polysilizium selektiv ätzbaren Material auf die Speicherschicht (4 ) aufgebracht wird, unter Verwendung einer Maske (7 ) Öffnungen (8 ) in der Opferschicht (10 ), der Speicherschicht (4 ) und der unteren Begrenzungsschicht (3 ) bis auf den Halbleiterkörper (1 ) reichend hergestellt werden, dotiertes Polysilizium (11 ) in die Öffnungen (8 ) eingebracht wird, die Opferschicht (10 ) entfernt wird und die obere Begrenzungsschicht (5 ) auf der Speicherschicht (4 ) hergestellt wird und zumindest ein Anteil des Polysiliziums (11 ) oxidiert wird, um den Oxidbereich (6 ) zu bilden. - Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Bitleitung für einen Halbleiterspeicher, bei dem in einem Halbleiterkörper (
1 ) streifenförmige dotierte Bereiche (2 ) parallel in Abständen zueinander hergestellt werden, die als Bitleitungen und als Source-/Drain-Bereiche eines jeweiligen Speichertransistors vorgesehen sind, lateral zu den dotierten Bereichen (2 ) jeweils eine als Gate-Dielektrikum vorgesehene Schichtfolge aus einer unteren Begrenzungsschicht (3 ), einer Speicherschicht (4 ) und einer oberen Begrenzungsschicht (5 ) aufgebracht wird und jeweils auf der von dem Halbleiterkörper (1 ) abgewandten Seite des dotierten Bereiches (2 ) ein Oxidbereich (6 ) ausgebildet wird, der dicker als die untere Begrenzungsschicht (3 ) ist, dadurch geken nzeichnet, dass vor der Herstellung der oberen Begrenzungsschicht (5 ) eine Opferschicht (10 ) auf die Speicherschicht (4 ) aufgebracht wird, unter Verwendung einer Maske (7 ) Öffnungen (8 ) in der Opferschicht (10 ), der Speicherschicht (4 ) und der unteren Begrenzungsschicht (3 ) hergestellt werden, durch diese Öffnungen (8 ) Dotierstoff in Implantationsbereiche (9 ) des Halbleiterkörpers (1 ) eingebracht wird, seitliche Wände der Öffnungen (8 ) und die Oberseite der Opferschicht (10 ) rückgeätzt werden, wobei das Material der Opferschicht (10 ), der Speicherschicht (4 ) und der unteren Begrenzungsschicht (3 ) zumindest mit soweit übereinstimmenden Ätzraten abgetragen wird, dass glatte Flanken (16 ) an diesen Schichten gebildet werden, Reste der Opferschicht (10 ) selektiv zu dem Material der Speicherschicht (4 ) entfernt werden und die obere Begrenzungsschicht (5 ) auf der Speicherschicht (4 ) hergestellt wird und an einer freien Oberfläche des Halbleiterkörpers (1 ) jeweils zwischen den Flanken (16 ) der Oxidbereich (6 ) gebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Oxidationsprozess unter Wärmeeinwirkung so lange erfolgt, bis der in die Implantationsbereiche (
9 ) eingebrachte Dotierstoff zu einem von der Speicherschicht (4 ) überdeckten Anteil des Halbleiterkörpers (1 ) diffundiert ist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Opferschicht (
10 ) als abgeschiedenes Oxid hergestellt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Speicherschicht (
4 ) ein Material aus der Gruppe von Siliziumnitrid, Tantaloxid, Hafniumoxid, Hafniumsilikat, Titanoxid, Zirkonoxid, Aluminiumoxid und intrinsisch leitendem Silizium ist.
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