JP4375644B2 - 感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に、正データ入出力ラインと負データ入出力ラインとの間の電圧差を増加させて感知増幅器の感度を向上させることのできる感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリー装置で、特定メモリーセルから読み出したデータは、データ入出力ライン対を介して感知増幅器に伝送され、感知増幅器は、データ入出力ライン対の小さい電圧差を感知して所定のロジックレベルを有する増幅された信号を出力する。
【0003】
図1は、2段感知増幅器構造を含んでいる従来の半導体メモリー装置を示すブロック図である。
【0004】
図1を参照すれば、従来の半導体メモリー装置は、メモリーセル11、第1感知増幅器12、第2感知増幅器13、及び遅延部14から構成される。
【0005】
読出し動作の時、メモリーセル11に格納されたデータは、カラム選択信号COLUMN_SELECTに応答して読み出され、正データ入出力ラインDBと負データ入出力ライン/DBに印加される。次いで、感知増幅器ストローブ信号SA_STROBEに応答してイネーブルされた第1感知増幅器12は、正データ入出力ラインDBと負データ入出力ライン/DBとの間の電圧差を感知して増幅し、増幅された信号を生成する。
【0006】
遅延部14は、感知増幅器ストローブ信号SA_STROBEを所定時間遅延して、遅延された感知増幅器ストローブ信号を出力する。次いで、第2感知増幅器13は、遅延された感知増幅器ストローブ信号に応答して上記増幅された信号を感知増幅する。
【0007】
上述した2段感知増幅器構造を有する従来の半導体メモリー装置で、正データ入出力ラインDBと負データ入出力ライン/DBとの間の電圧差が二つの感知増幅器12、13を介して大きく増加され、多様なノイズ要素による誤動作を効果的に防止できる。
【0008】
しかし、第2感知増幅器13は、第1感知増幅器12が動作した後、所定の時間が過ぎた後に動作するために、半導体メモリー装置の動作速度が制限されるという問題点がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、従来の半導体メモリー装置における問題点に鑑みてなされたものであって、正データ入出力ラインと負データ入出力ラインとの電圧差を増加させて感知増幅器の感度を増加させることのできる感知増幅器制御装置を提供することにその目的がある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた、本発明による感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置は、半導体メモリー装置において、データの格納のための多数のメモリーセルと、前記メモリーセルに連結されてデータを伝送し、正データ入出力ラインと負データ入出力ラインとからなるデータ入出力ライン対と、前記正データ入出力ラインと前記負データ入出力ラインとの間の電圧差を感知して増幅するための感知増幅手段と、第1端子が前記正データ入出力ラインに連結されているキャパシタと、第1制御信号に応答して前記データ入出力ライン対に印加されたデータを前記キャパシタの両端子に伝送するための第1スイッチング手段と、第2制御信号に応答して、前記キャパシタの第2端子を前記データ入出力ライン対に連結させるための第2スイッチング手段とを含んでなることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、本発明にかかる感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0012】
図2は、本発明にかかる感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置の概略を示す回路図である。
【0013】
図2を参照すれば、本発明にかかる半導体メモリー装置は、メモリーセル21、感知増幅器22、正データ入出力ラインDBと負データ入出力ラインDB/との間に連結されたキャパシタC21、データ入出力ライン対DBとDB/に印加されたデータを第1制御信号SW_CNT1に応答するキャパシタC21の二つの端子に伝送する第1スイッチング部23、及び第2制御信号SW_CNT2に応答してデータ入出力ライン対のいずれか一つのライン(例えば、DB)とキャパシタC21の片側の端子に連結された第2スイッチング部24からなる。
【0014】
この場合、第1制御信号SW_CNT1は、カラム選択信号COLUMN_SELECTと反転された感知増幅器ストローブ信号とを否定論理積した信号であり、第2制御信号SW_CNT2は、カラム選択信号COLUMN_SELECTと感知増幅器ストローブ信号SA_STROBEとを否定論理積した後、遅延部25により所定時間遅延された信号である。
【0015】
キャパシタC21のキャパシタンスは、感知増幅器の入力端子の静電容量より大きく、データ入出力ライン対の寄生静電容量より小さい値を有する。
【0016】
第1スイッチング部23は、第1制御信号SW_CNT1に応答して正データ入出力ラインDBを感知増幅器22の片側の入力端子に連結させるPMOSトランジスタMP21、キャパシタC21と負データ入出力ライン/DBとの間に連結され、ゲートで第1制御信号SW_CNT1を入力されるPMOSトランジスタM22からなる。
【0017】
第2スイッチング部24は、キャパシタC21の片側の端子と正データ入出力ラインDBとの間に連結されゲートで第2制御信号SW_CNT2を入力されるPMOSトランジスタMP23により具現される。
【0018】
以下、本発明にかかる感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置の動作を、図2を参照しながら説明する。
【0019】
カラム選択信号COLUMN_SELECTが活性化されれば、第1スイッチング部23に含まれたPMOSトランジスタMP21、MP22がターンオンされてメモリーセル21から読み出したデータに該当する電位がキャパシタC21の二つの端子に印加される。
【0020】
次いで、感知増幅器ストローブ信号SA_STROBEがローレベルに活性化されれば、PMOSトランジスタMP21、MP22は、ハイレベルの第2制御信号SW_CNT2に応答してターンオフされる。
【0021】
この場合、キャパシタC21の二つの端子の中、感知増幅器22の片側の入力端子に連結されていないキャパシタC21の他側の端子は、第2スイッチング部24に電気的に接続される。結局、第2スイッチング部24に含まれているPMOSトランジスタMP23は、活性化された感知増幅器ストローブ信号SA_STROBEに応答してターンオンされる。
【0022】
この場合、遅延部25は、第1スイッチング部23がターンオフされる前に第2スイッチング部24がターンオンされることを防止するための最小限の遅延時間を有している。すなわち、PMOSトランジスタMP3がターンオンされてキャパシタC21の二つの端子に印加される電位によるデータ損傷を効果的に防止できる。
【0023】
PMOSトランジスタMP23がターンオンされれば、キャパシタC21の片側の端子は、正データ入出力ラインDBに電気的に接続される。したがって、正データ入出力ラインDBの電位がキャパシタC21に誘導された電圧差により増加することとなる。
【0024】
したがって、感知増幅器22に入力される電圧差は、正データ入出力ラインDBと負データ入出力ライン/DBとの間の電圧差の二倍となる。
【0025】
図3は、本発明にかかる感知動作及び従来の技術にかかる感知動作を比較したシミュレーションを示す図面である。図面から分かるように、従来の感知動作と比較すると、本発明にかかる電圧差がさらに大きくなることによって、感知増幅器の感度が大きく向上される。
【0026】
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【0027】
【発明の効果】
上述したように、本発明にかかる感知増幅器制御装置は、正データラインと負データラインとの間の電圧差を感知動作前に約二倍に増幅して感知増幅器に伝達することによって、感知増幅器の感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】2段感知増幅器構造を含んでいる従来の半導体メモリー装置を示すブロック図である。
【図2】本発明にかかる感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置の概略を示す回路図である。
【図3】従来の技術と本発明とを比較した感知増幅動作のシミュレーション結果を示すグラフである。
【符号の説明】
21 メモリーセル
22 感知増幅器
23 第1スイッチング部
24 第2スイッチング部
25、26 遅延部
Claims (7)
- 半導体メモリー装置において、
データの格納のための多数のメモリーセルと、
前記メモリーセルに連結されてデータを伝送し、正データ入出力ラインと負データ入出力ラインとからなるデータ入出力ライン対と、
前記正データ入出力ラインと前記負データ入出力ラインとの間の電圧差を感知して増幅するための感知増幅手段と、
第1端子が前記正データ入出力ラインに連結されているキャパシタと、
第1制御信号に応答して前記データ入出力ライン対に印加されたデータを前記キャパシタの両端子に伝送するための第1スイッチング手段と、
第2制御信号に応答して、前記キャパシタの第2端子を前記データ入出力ライン対に連結させるための第2スイッチング手段とを含んでなることを特徴とする感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。 - 前記第1制御信号は、カラム選択信号と、前記感知増幅手段をイネーブルさせる感知増幅器ストローブ信号の反転信号とを否定論理積した信号であることを特徴とする請求項1に記載の感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。
- 前記第2制御信号は、前記カラム選択信号と前記感知増幅器ストローブ信号とを否定論理積した信号であることを特徴とする請求項2に記載の感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。
- 前記第1スイッチング手段は、第1制御信号に応答して前記データ入出力ライン対を前記感知増幅手段の片側の入力端子に連結させるための第1PMOSトランジスタと、
前記キャパシタの第2端子と前記負データ入出力ラインとの間に連結され、ゲートに前記第1制御信号が入力されるPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項3に記載の感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。 - 前記第2スイッチング手段は、前記キャパシタの第2端子と前記正データ入出力ラインとの間に連結され、ゲートに前記第2制御信号が入力されるPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。
- 前記カラム選択信号及び前記感知増幅器ストローブ信号を否定論理積した信号を所定時間遅延して、遅延された信号を前記第2制御信号として前記第2スイッチング手段に出力する遅延手段をさらに含んでなることを特徴とする請求項1または2に記載の感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。
- 前記キャパシタのキャパシタンスが前記感知増幅手段の入力端子の静電容量より大きく、前記データ入出力ライン対の寄生静電容量より小さいことを特徴とする請求項1に記載の感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置。
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