JP4329738B2 - 液晶装置の製造装置、液晶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
この特許文献1の技術は、特に画素電極等の配線などによって配向膜の下地に段差部が形成されている場合に、そのままで無機材料を斜方蒸着すると、段差部の近傍で無機材料の蒸着ムラや蒸着されない蒸着不良領域ができてしまう、といった技術課題を解決したもので、特に第一の無機斜方蒸着膜と第二の無機斜方蒸着膜とを、方位角方向を異ならせて形成するようにしたものである。
しかしながら、その場合には、特に下地膜形成のための装置と配向膜形成のための装置とを別に用意する必要があり、装置コストが高くなってしまうといった新たな課題が生じてしまう。
成膜室と、該成膜室内にて前記基板に無機材料を物理的蒸着法で蒸着し、下地膜及び配向膜を形成するための蒸着手段とを備え、
前記成膜室内の、前記蒸着手段における蒸着源の略上方に、前記配向膜の下地となる下地膜の形成エリアを有し、
前記成膜室内の、前記蒸着手段における蒸着源の斜め上方に、前記配向膜の形成エリアを有し、該配向膜の形成エリアには、無機材料を選択的に蒸着させるためのスリット状の開口部を有した遮蔽板が設けられ、
前記成膜室には、前記基板を保持し搬送するための搬送手段が備えられ、該搬送手段には、前記下地膜の形成エリアにおいて、前記基板を保持した状態で該基板を下降させて前記蒸着手段に近づかせ、かつ、その位置から上昇させるように該基板を昇降させる、昇降機構が設けられていることを特徴としている。
このようにすれば、下地膜の成膜レートを配向膜の成膜レートに比較して高くすることができ、これにより下地膜の膜厚を十分に厚くして平坦化膜としての機能を高めることができる。
このようにすれば、前記昇降機構によって特に下地膜の形成エリア側で基板を下降し、蒸着源との間の距離を狭めることにより、下地膜の成膜レートを高くすることが可能になる。したがって、下地膜の膜厚を十分に厚くして平坦化膜としての機能を高めることができる。
このようにすれば、前記回動機構によって特に下地膜の形成エリア側で基板を回動させることにより、形成する下地膜の膜厚や膜質のむらを無くすことができる。
基板上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜上に配向膜を形成する工程とを備えてなり、
同一の成膜室内において、一の基板への下地膜の形成と、他の基板への配向膜の形成とを、同一の蒸着手段を用いて並行して行うようにし、
前記基板上に下地膜を形成する工程では、
前記蒸着手段における蒸着源の略上方の下地膜形成エリアにおいて、搬送手段によって前記一の基板を保持した状態で、昇降機構により前記一の基板を下降させて前記蒸着源に近づかせて前記下地膜の形成し、その後、前記昇降機構によって前記一の基板を上昇させ、
前記下地膜上に配向膜を形成する工程では、
前記下地膜形成エリアにおいて下地膜が形成された後に、搬送手段によって前記蒸着手段における蒸着源の斜め上方の配向膜形成エリアに移動された前記他の基板を、前記搬送手段によって保持した状態で、前記下地膜上に前記配向膜を形成する
ことを特徴としている。
このようにすれば、下地膜の成膜レートを配向膜の成膜レートに比較して高くすることができ、これにより下地膜の膜厚を十分に厚くして平坦化膜としての機能を高めることができる。
このようにすれば、基板を回動させつつ下地膜を形成するので、得られる下地膜の膜厚や膜質のむらを無くすことができる。
この液晶装置によれば、前述したように装置コストが軽減され、さらに材料の使用効率を高められているので、製造コストの低減化が図られたものとなる。また、配向膜の下地に段差部が形成されることによる技術課題も解決され、これによって品質の向上が図られたものとなる。
この電子機器によれば、製造コストの低減化、及び品質の向上が図られた液晶装置を備えているので、この電子機器自体も製造コストの低減化、及び品質の向上が図られたものとなる。
図1は本発明における液晶装置の製造装置の一実施形態の概略構成を示す図であり、図1中符号1は液晶装置の製造装置(以下、製造装置と記す)である。この製造装置1は、液晶装置の構成部材となる基板Wの表面に、同一の無機材料からなる下地膜と配向膜とを共に形成するためのもので、真空チャンバーによって形成される成膜室2と、下地膜材料でありかつ配向膜材料となる無機材料を昇華させる蒸着手段3と、を備えて構成されたものである。
なお、この蒸着手段3には、その蒸着源3aを開閉可能に覆うシャッター12が備えられている。このシャッター12は、本実施形態では図示しない進退機構に接続されて、蒸着源3aを開放した状態(図1中に実線で示す状態)と、蒸着源3aを覆った状態(図1中に二点鎖線で示す状態)との間を、移動できるように構成されたものである。このような構成のもとにシャッター12は、後述するように特に配向材料の昇華開始初期において、蒸着源3aを覆うことで、蒸着源3aの昇華速度が安定するまで、基板Wに対する成膜を停止させることができるようになっている。
下地膜の形成エリア13は、前述したように蒸着源3aの直上部となっていることから、例えば蒸着源3aの斜め上方の配向膜の形成エリア14に比べ、蒸着源3aからの距離が短くなっている。したがって、蒸着源3aから昇華した無機材料の拡散の度合いが少なく、その濃度が比較的高い状態にある。すなわち、一般に蒸着法での成膜レートは、距離の2乗に反比例すると言われている。よって、この下地膜の形成エリア13では、配向膜の形成エリア14に比べ、無機材料の成膜レートが高くなっている。
なお、成膜室2内には、その内壁面に配向膜材料が付着するのを防止するため、防着板(図示せず)が成膜室2に対して着脱可能に配設されている。
まず、真空ポンプ6を作動させ、成膜室2内を所望の真空度に調整しておくとともに、図示しない加熱手段によって成膜室2内を所定の温度に調整する。また、これとは別に、シャッター12で蒸着源3aを覆っておく。そして、この状態で蒸着手段3を作動させ、配向膜材料を昇華させる。
ここで、給材室4に予め待機させておいた基板Wとしては、例えば図2(a)に示すように、基板本体80A上に、駆動素子や配線等を含む積層構造83を形成し、さらにその上に画素電極49を形成してなる素子基板である。このような基板Wにあっては、積層構造83や画素電極49により、その表面、すなわち配向膜を形成する側の面に、段差部が形成されたものとなっている。
また、シャッター12を移動させて蒸着源3aを開放する。すると、蒸着源3aからは、昇華した無機材料が上方に向けて放射状に出射する。
一方、保持アーム10を下地膜の形成エリア13に移動させたら、前記の昇降機構を働かせ、アーム部10bを下降させることで基板Wを下降させ、これを蒸着源3aに近づける。このように基板Wを蒸着源3aに近づけることにより、無機材料の成膜レートが高くなり、この無機材料からなる下地膜を所望する厚さ、すなわち、後述する配向膜より十分に厚い厚さに成膜することができる。また、このように基板Wを下降させたら、前記の回動機構を働かせ、基板Wを回動させる。
また、これと並行して、もう一つの保持アーム10を前記と同様にして給材室4に入れ、別に待機させておいた基板Wを保持させ、さらに下地膜の形成エリア13に移動させる。なお、このような二つの基板Wの移動の際には、前記のシャッター12を作動させ、蒸着源3aを覆っておく。
一方、配向膜の形成エリア14では、レール9に対して保持アーム10を連続的あるいは断続的に移動させることにより、先に下地膜を形成した基板Wを遮蔽板4上の所定位置にまで到達させ、その成膜面を開口部16に臨ませる。
一方、下地膜の形成エリア13に位置する保持アーム10についても、前記と同様にして走行(移動)させ、下地膜85を形成した基板Wを配向膜の形成エリア13に移動させる。
以下、このような処理を繰り返すことにより、基板Wに対して下地膜85の形成と配向膜86の形成とを、並行して連続的に行うことができる。
また、搬送手段8に回動機構を設け、特に下地膜の形成エリア13側で基板Wを回動させるようにしたので、形成する下地膜85の膜厚や膜質のむらを無くすことができ、これにより平坦化膜としての機能を高めることができる。
このように構成することで、下地膜の形成エリア13では前記の蒸着手段3に加え、第2の蒸着手段18によっても蒸着処理がなされるので、下地膜の成膜レートを配向膜の成膜レートに比較してより高くすることができ、これにより下地膜85の膜厚を十分に厚くして平坦化膜としての機能をより高めることができる。
図4は、本発明の液晶装置の一実施形態の概略構成を示すTFTアレイ基板の平面図であり、図4中符号80はTFTアレイ基板(基板)である。このTFTアレイ基板80の中央には画像作製領域101が形成されている。その画像作製領域101の周縁部に前記シール材89が配設されて、画像作製領域101に液晶層(不図示)が封止されている。この液晶層は、TFTアレイ基板80上に液晶が直接塗布されて形成されたもので、シール材89には液晶の注入口が設けられていない、いわゆる封口レス構造となっている。そのシール材89の外側には、後述する走査線に走査信号を供給する走査線駆動素子110と、後述するデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動素子120とが実装されている。その駆動素子110、120から、TFTアレイ基板80の端部の接続端子79にかけて、配線76が引き廻されている。
そして、外部から入力された各種信号が、接続端子79を介して画像作製領域101に供給されることにより、液晶装置が駆動されるようになっている。
また、TFT素子30の形成領域に対応する基板本体80Aの表面に、第1遮光膜51aが形成されている。第1遮光膜51aは、液晶装置に入射した光が、半導体層41aのチャネル領域41a’、低濃度ソース領域41bおよび低濃度ドレイン領域41cに侵入することを防止するものである。
非選択電圧印加時の液晶装置60では、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層50の厚さ方向に約90°ねじれたらせん状に積層配置されている。そのため、液晶装置60に入射した直線偏光は、約90°旋光されて液晶装置60から出射する。この直線偏光は、偏光板68の透過軸と一致するため、偏光板68を透過する。したがって、非選択電圧印加時の液晶装置60では白表示が行われるようになっている(ノーマリーホワイトモード)。
次に、本発明の電子機器としてプロジェクタの一実施形態について、図8を用いて説明する。図8は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
Claims (6)
- 対向する一対の基板間に液晶を挟持してなり、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
成膜室と、該成膜室内にて前記基板に無機材料を物理的蒸着法で蒸着し、下地膜及び配向膜を形成するための蒸着手段とを備え、
前記成膜室内の、前記蒸着手段における蒸着源の略上方に、前記配向膜の下地となる下地膜の形成エリアを有し、
前記成膜室内の、前記蒸着手段における蒸着源の斜め上方に、前記配向膜の形成エリアを有し、該配向膜の形成エリアには、無機材料を選択的に蒸着させるためのスリット状の開口部を有した遮蔽板が設けられ、
前記成膜室には、前記基板を保持し搬送するための搬送手段が備えられ、該搬送手段には、前記下地膜の形成エリアにおいて、前記基板を保持した状態で該基板を下降させて前記蒸着手段に近づかせ、かつ、その位置から上昇させるように該基板を昇降させる、昇降機構が設けられていることを特徴とする液晶装置の製造装置。 - 前記成膜室には、前記下地膜の形成エリア側にのみ選択的に蒸着物を飛ばす、第2の蒸着手段が備えられていることを特徴とする請求項1記載の液晶装置の製造装置。
- 前記搬送手段には、前記基板を保持した状態で回動させる回動機構が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置の製造装置。
- 対向する一対の基板間に液晶を挟持してなり、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に配向膜を形成してなる液晶装置の製造方法であって、
基板上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜上に配向膜を形成する工程とを備えてなり、
同一の成膜室内において、一の基板への下地膜の形成と、他の基板への配向膜の形成とを、同一の蒸着手段を用いて並行して行うようにし、
前記基板上に下地膜を形成する工程では、
前記蒸着手段における蒸着源の略上方の下地膜形成エリアにおいて、搬送手段によって前記一の基板を保持した状態で、昇降機構により前記一の基板を下降させて前記蒸着源に近づかせて前記下地膜の形成し、その後、前記昇降機構によって前記一の基板を上昇させ、
前記下地膜上に配向膜を形成する工程では、
前記下地膜形成エリアにおいて下地膜が形成された後に、搬送手段によって前記蒸着手段における蒸着源の斜め上方の配向膜形成エリアに移動された前記他の基板を、前記搬送手段によって保持した状態で、前記下地膜上に前記配向膜を形成する
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記一の基板への下地膜の形成を、前記蒸着手段を用いて行うとともに、該蒸着手段とは別の第2の蒸着手段をも用いて行うことを特徴とする請求項4記載の液晶装置の製造方法。
- 前記一の基板への下地膜の形成を、該一の基板を回動させつつ行うことを特徴とする請求項4又は5に記載の液晶装置の製造方法。
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