JPS5934232B2 - 反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法 - Google Patents
反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法Info
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- JPS5934232B2 JPS5934232B2 JP56119149A JP11914981A JPS5934232B2 JP S5934232 B2 JPS5934232 B2 JP S5934232B2 JP 56119149 A JP56119149 A JP 56119149A JP 11914981 A JP11914981 A JP 11914981A JP S5934232 B2 JPS5934232 B2 JP S5934232B2
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- G02—OPTICS
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- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/027—Graded interfaces
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成す
る方法に関する。
る方法に関する。
不均質光学的薄膜はその裏面すなわちこれを支持する基
体構成物に接する面から表面すなわち外部に露出してい
る面に向つてすなわち厚さ方向に光学的屈折率が変化す
るような薄膜であつて、特に表面に向つて屈折率が単調
に減少するものは光学的選択吸収膜または光学的反射防
止膜として広く利用されている。
体構成物に接する面から表面すなわち外部に露出してい
る面に向つてすなわち厚さ方向に光学的屈折率が変化す
るような薄膜であつて、特に表面に向つて屈折率が単調
に減少するものは光学的選択吸収膜または光学的反射防
止膜として広く利用されている。
このような不均質光学的薄膜を形成する公知の方法は、
第１図に示すように基体構成物１０の１表面１１に対向
するように高屈折率物質Ａを収容する第１蒸発源１２と
低屈折物質Ｂを収容する第２蒸発源１３とを配置し、膜
厚モニターすなわち蒸着速度モニター１４および１５に
よつてＡ物質とＢ物質の蒸着速度を監視しながら蒸着作
業を行ない、この際に第２図に示すようにＡ物質の蒸着
速度Ｄを時間Ｓと共に単調に低減させかつＢ物質の蒸着
速度Ｄを時間ｓと共に増大させることからなる。
第１図に示すように基体構成物１０の１表面１１に対向
するように高屈折率物質Ａを収容する第１蒸発源１２と
低屈折物質Ｂを収容する第２蒸発源１３とを配置し、膜
厚モニターすなわち蒸着速度モニター１４および１５に
よつてＡ物質とＢ物質の蒸着速度を監視しながら蒸着作
業を行ない、この際に第２図に示すようにＡ物質の蒸着
速度Ｄを時間Ｓと共に単調に低減させかつＢ物質の蒸着
速度Ｄを時間ｓと共に増大させることからなる。
上述のようにして基体構成物１０の面１１の上に形成さ
れた薄膜１６（第３図）は、面１１に接する薄膜１６の
裏面１７（薄膜の厚さ方向の座標をＸとしてｘ＝０）か
ら外部に露出している薄膜表面１８（ｘ＝ｄ）へ向つて
第４図に示すように高屈折率物質Ａの割合が減少し低屈
折率物質Ｂの割合が増大するような構成を有する。第４
図において縦座標Ｃは含有％を示す。従つて裏面１７（
ｘ＝０）から表面１８（ｘ＝ｄ）に向つて屈折率が低減
しかくして薄膜１６は不均質光学的薄膜を構成する。上
述したような方法はたしかに不均質光学的薄膜を形成す
るに利用できるけれども、明らかに長尺、大寸または大
面積の基体構成物の表面上に不均質光学的薄膜を形成す
るに適せず、また蒸着速度を時間的に変化させるという
厄介な作業を必要とする。
れた薄膜１６（第３図）は、面１１に接する薄膜１６の
裏面１７（薄膜の厚さ方向の座標をＸとしてｘ＝０）か
ら外部に露出している薄膜表面１８（ｘ＝ｄ）へ向つて
第４図に示すように高屈折率物質Ａの割合が減少し低屈
折率物質Ｂの割合が増大するような構成を有する。第４
図において縦座標Ｃは含有％を示す。従つて裏面１７（
ｘ＝０）から表面１８（ｘ＝ｄ）に向つて屈折率が低減
しかくして薄膜１６は不均質光学的薄膜を構成する。上
述したような方法はたしかに不均質光学的薄膜を形成す
るに利用できるけれども、明らかに長尺、大寸または大
面積の基体構成物の表面上に不均質光学的薄膜を形成す
るに適せず、また蒸着速度を時間的に変化させるという
厄介な作業を必要とする。
この発明はかかる従来の方法の欠点を除去して長尺のフ
ィルム、長尺の箔、大寸の円筒体などの長尺、大寸また
は大面積の基体構成物の表面上に不均質光学的薄膜を容
易にかつ確実に形成でさるようにすることを目的とする
。
ィルム、長尺の箔、大寸の円筒体などの長尺、大寸また
は大面積の基体構成物の表面上に不均質光学的薄膜を容
易にかつ確実に形成でさるようにすることを目的とする
。
この目的の達成のためこの発明による方法は、基体構成
物を移送しながら移送路に沿つて蒸着速度が単調に変化
するようにして基体構成物の表面上に蒸着薄膜を形成し
、この際に蒸着薄膜を反応気体にさらすことを特徴とす
る．蒸着速度の単調な変化は蒸着物質の蒸発源と移送路
の間またはその近くの適当位置に遮板のような遮体を配
置することによつて達成するのが望ましい。
物を移送しながら移送路に沿つて蒸着速度が単調に変化
するようにして基体構成物の表面上に蒸着薄膜を形成し
、この際に蒸着薄膜を反応気体にさらすことを特徴とす
る．蒸着速度の単調な変化は蒸着物質の蒸発源と移送路
の間またはその近くの適当位置に遮板のような遮体を配
置することによつて達成するのが望ましい。
蒸着薄膜を反応気体にさらす際に移送路に沿つて反応気
体流の入射密度を単調に変化させることも望ましい。
体流の入射密度を単調に変化させることも望ましい。
１実施例によれば蒸着物質がクロムであつて反応気体が
酸索である。
酸索である。
以下図面を参照しながらこの発明の実施例について詳述
する。
する。
第５図および第６図に図示される真空蒸着装置において
長尺のフイルム状の基体構成物２０は真空蒸着槽２１の
中で左上方の巻出しローラ２２から巻出され第１偏向ロ
ーラ２３で偏向したのちに水平方向に左から右へ移送さ
れ第２偏向ローラ２４でさらに偏向して右上方の巻取り
ローラ２５に巻取られる。
長尺のフイルム状の基体構成物２０は真空蒸着槽２１の
中で左上方の巻出しローラ２２から巻出され第１偏向ロ
ーラ２３で偏向したのちに水平方向に左から右へ移送さ
れ第２偏向ローラ２４でさらに偏向して右上方の巻取り
ローラ２５に巻取られる。
基体構成物２０の水平移送路２６の左端近くの直上には
適当な距離だけ離して蒸着物質Ａ例えばクロムの蒸発源
２７が配置される。水平移送路２６の下方にこれに接近
して第１遮板（板状の遮体）２８および第２遮板（板状
の遮体）２９が設けられ、第１遮板２８は蒸発源２７の
垂直上方より左側で蒸着物質Ａが基体構成物２０に達し
ないようにする遮断をする。また第２遮板２９は水平移
送路２６の右端近くの位置から右方で蒸着物質Ａが基体
構成物２０に達しないようにする。このような配置によ
れば、第５図に垂直破線３０で示される限界と斜行破線
３１で示される限界との間で飛行する蒸着物質Ａが水平
移送中の基体構成物２０の下面に達する。この場合にフ
イルム状基体構成物２０の各表面部分に対する蒸着速度
Ｄは、明らかに、この部分が限界３０のところの位置３
２から限界３１のところの位置３３に向うに従つて単調
に低減し、第７図に示すようになる．この第７図におい
て横座標は移送距離Ｌを示しＬは位置３２において０、
位置３３においてｔであるとする。
適当な距離だけ離して蒸着物質Ａ例えばクロムの蒸発源
２７が配置される。水平移送路２６の下方にこれに接近
して第１遮板（板状の遮体）２８および第２遮板（板状
の遮体）２９が設けられ、第１遮板２８は蒸発源２７の
垂直上方より左側で蒸着物質Ａが基体構成物２０に達し
ないようにする遮断をする。また第２遮板２９は水平移
送路２６の右端近くの位置から右方で蒸着物質Ａが基体
構成物２０に達しないようにする。このような配置によ
れば、第５図に垂直破線３０で示される限界と斜行破線
３１で示される限界との間で飛行する蒸着物質Ａが水平
移送中の基体構成物２０の下面に達する。この場合にフ
イルム状基体構成物２０の各表面部分に対する蒸着速度
Ｄは、明らかに、この部分が限界３０のところの位置３
２から限界３１のところの位置３３に向うに従つて単調
に低減し、第７図に示すようになる．この第７図におい
て横座標は移送距離Ｌを示しＬは位置３２において０、
位置３３においてｔであるとする。
従つて基体構成物２０の各表面部分の蒸着時間Ｔ（蒸着
開始時すなわち位置３２においてＴ＝０、蒸着終了時す
なわち位置３３においてＴ＝ｔとする）に対してもＤは
第８図に示すように低減する。しかるに第５図および第
６図の真空蒸着装置においては蒸着物質Ａと反応して蒸
着物質Ａよりも屈折率の低い物質Ｂを生成するような気
外物質Ｇすなわち反応気体が蒸着作業中に気体導入管３
４によつて真空蒸着槽２１の中へ導人される。
開始時すなわち位置３２においてＴ＝０、蒸着終了時す
なわち位置３３においてＴ＝ｔとする）に対してもＤは
第８図に示すように低減する。しかるに第５図および第
６図の真空蒸着装置においては蒸着物質Ａと反応して蒸
着物質Ａよりも屈折率の低い物質Ｂを生成するような気
外物質Ｇすなわち反応気体が蒸着作業中に気体導入管３
４によつて真空蒸着槽２１の中へ導人される。
例えば蒸着物質Ａがクロムの場合にはこれと反応して低
屈折率の酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）Ｂを生じる酸素が反
応気体Ｇとして導入される。従つて基体構成物２０の各
表面部分について、蒸着速度Ｄが大きい場所では到着す
る反応気体Ｇの量に比べて蒸着沈積する蒸着物質Ａの量
が多いからＡの量に比べて反応生成されるＢの量が少く
、蒸着速度Ｄが小さい場所では逆にＡの量に比べてＢの
量が多くなる。かくして第９図に示すように基体構成物
の各表面部分について形成される薄膜１６（第３図参照
）はｘがＯからｄに向うに従つて高屈折率の蒸着物質Ａ
の量が単調に減少し低屈折率の反応生成物質Ｂの量が単
調に増大するようになる。（ｘ＝０がＬ−０すなわち位
置３２に対応しｘ一ｄがＬ−ｔすなわち位置３３に対応
することは明らかである。）第５図および第６図におい
て、３５は光学モニターの投受光器を示し、３６は補助
の遮板を示し、また３７はシヤツタを表わす。
屈折率の酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）Ｂを生じる酸素が反
応気体Ｇとして導入される。従つて基体構成物２０の各
表面部分について、蒸着速度Ｄが大きい場所では到着す
る反応気体Ｇの量に比べて蒸着沈積する蒸着物質Ａの量
が多いからＡの量に比べて反応生成されるＢの量が少く
、蒸着速度Ｄが小さい場所では逆にＡの量に比べてＢの
量が多くなる。かくして第９図に示すように基体構成物
の各表面部分について形成される薄膜１６（第３図参照
）はｘがＯからｄに向うに従つて高屈折率の蒸着物質Ａ
の量が単調に減少し低屈折率の反応生成物質Ｂの量が単
調に増大するようになる。（ｘ＝０がＬ−０すなわち位
置３２に対応しｘ一ｄがＬ−ｔすなわち位置３３に対応
することは明らかである。）第５図および第６図におい
て、３５は光学モニターの投受光器を示し、３６は補助
の遮板を示し、また３７はシヤツタを表わす。
第１０図に示される真空蒸着装置は相並んで平行に配置
された２個の冷却筒３８および３９を有し、フイルム状
の基体構成物２０は巻出しローラ２２から巻出され、い
くつかの偏向案内ローラ２３ａ，２３ｂで偏向されたの
ちに第１冷却筒３８に接触しながらこれの下側の第１弧
状移送路２６ａを通り、偏向案内ローラ４０で偏向され
たのちに第２冷却筒３９に接触しながらこれの下側の第
２弧状移送路２６ｂを通り、いくつかの偏向案内ローラ
２４ａ，２４ｂで偏向されたのちに巻取りローラ２５に
巻取られる。
された２個の冷却筒３８および３９を有し、フイルム状
の基体構成物２０は巻出しローラ２２から巻出され、い
くつかの偏向案内ローラ２３ａ，２３ｂで偏向されたの
ちに第１冷却筒３８に接触しながらこれの下側の第１弧
状移送路２６ａを通り、偏向案内ローラ４０で偏向され
たのちに第２冷却筒３９に接触しながらこれの下側の第
２弧状移送路２６ｂを通り、いくつかの偏向案内ローラ
２４ａ，２４ｂで偏向されたのちに巻取りローラ２５に
巻取られる。
蒸着物質Ａの蒸発源２７は第１冷却筒３８から下方に離
れたこの冷却筒３８の軸線の直下に位置する。３つの遮
板４１，４２および４３が設けられていて、これによつ
て限界４５と４６の間を飛行する蒸着物質Ａが位置４７
と４８の間で第１弧状移送路２６ａの基体構成物２０の
下面に沈積すなわち蒸着し、また限界４９と５０の間を
飛行する蒸着物質が位置５１と５２の間で第２弧状移送
路２６ｂの基体構成物２０の下面に蒸着する．限界４５
は第１冷却筒３８の面に直交する垂直の面であり、限界
４９は第２冷却筒３９の面に直交する斜めの面である。
れたこの冷却筒３８の軸線の直下に位置する。３つの遮
板４１，４２および４３が設けられていて、これによつ
て限界４５と４６の間を飛行する蒸着物質Ａが位置４７
と４８の間で第１弧状移送路２６ａの基体構成物２０の
下面に沈積すなわち蒸着し、また限界４９と５０の間を
飛行する蒸着物質が位置５１と５２の間で第２弧状移送
路２６ｂの基体構成物２０の下面に蒸着する．限界４５
は第１冷却筒３８の面に直交する垂直の面であり、限界
４９は第２冷却筒３９の面に直交する斜めの面である。
限界４６は位置４８で５１と蒸着速度が等しくなるよう
に選択された第１冷却筒３８の面に対して斜めの面であ
り、限界５０は第２冷却筒３９の面に対して斜めの面で
ある。このような配備によれば蒸着速度は第１弧状移送
路２６ａにおいて位置４７から４８に向つて低減し、さ
らに第２弧状移送路において位置４８と等しい値の位置
５１から５２１ｔｃ．向つて低減する。第１０図の装置
では気体導入管３４が真空蒸着槽（第１０図に図示なし
）の中まで詳しくは両冷却筒３８，３９の下方近くまで
延長し例えは２個の噴出口４４ａ，４４ｂを有する。
に選択された第１冷却筒３８の面に対して斜めの面であ
り、限界５０は第２冷却筒３９の面に対して斜めの面で
ある。このような配備によれば蒸着速度は第１弧状移送
路２６ａにおいて位置４７から４８に向つて低減し、さ
らに第２弧状移送路において位置４８と等しい値の位置
５１から５２１ｔｃ．向つて低減する。第１０図の装置
では気体導入管３４が真空蒸着槽（第１０図に図示なし
）の中まで詳しくは両冷却筒３８，３９の下方近くまで
延長し例えは２個の噴出口４４ａ，４４ｂを有する。
この噴出口４４の形状、寸法、個数は種種に変化でき例
えは管壁に沿つて多くの小孔を配列したものでよいが、
いずれの場合にも気体導入管３４によつて導入され噴出
口４４から噴出される反応気体Ｇの流れの入射密度が両
移送路２６ａ，２６ｂに沿つて位置４７から４８へさら
に位置５１から５２・＼向つて単調に増大するような方
向性を与えるように決定される。この決定は真空気体運
動論に基いて当業者が達成できるものであるから詳述し
ない。このような反応気体流の入射密度の単調な増加に
よつて第９図に示したようなＸがＯからｄに向うに従つ
て蒸着物質Ａの量が単調に減少し低屈折率の反応生゛成
物Ｂの量が単調に増大するという傾向が助長されること
は明らかである。第１１図に示される真空蒸着装置では
円筒状の基体構成物５３が矢印で示すように自転しなが
ら水平の移送路に沿つて左から右・＼直線的に動かされ
る。
えは管壁に沿つて多くの小孔を配列したものでよいが、
いずれの場合にも気体導入管３４によつて導入され噴出
口４４から噴出される反応気体Ｇの流れの入射密度が両
移送路２６ａ，２６ｂに沿つて位置４７から４８へさら
に位置５１から５２・＼向つて単調に増大するような方
向性を与えるように決定される。この決定は真空気体運
動論に基いて当業者が達成できるものであるから詳述し
ない。このような反応気体流の入射密度の単調な増加に
よつて第９図に示したようなＸがＯからｄに向うに従つ
て蒸着物質Ａの量が単調に減少し低屈折率の反応生゛成
物Ｂの量が単調に増大するという傾向が助長されること
は明らかである。第１１図に示される真空蒸着装置では
円筒状の基体構成物５３が矢印で示すように自転しなが
ら水平の移送路に沿つて左から右・＼直線的に動かされ
る。
移送路の下方Ｋは同じ高さで間隙が左から右・＼向つて
次第に疎になるように蒸着物質Ａの多くの蒸発源５４ａ
，５４ｂ，５４ｃおよび５４ｄが配置される。多くの遮
板（遮体）５５ａ，５５５ｂ，５５ｃ，５５ｄおよび５
５ｅは各蒸発源から基体構成物５３の表面へ向う蒸着物
質Ａの飛行方向を限定する。上述したような蒸発源の配
置によれは明らかに移送路に沿つて蒸着速度が単調に減
少する。第１１図の装置でも反応気体Ｇが導入されるが
その詳述は省略する。図示したかつたが第１１図と同様
の真空蒸着装置において蒸発源５４ａ，５４ｂ，５４ｃ
および５４ｄを等間隔に配置し、これらの入力電力を左
から右・＼向つて次第に小さくすることによつても、移
送路に沿つて蒸着速度が次第に低減する。
次第に疎になるように蒸着物質Ａの多くの蒸発源５４ａ
，５４ｂ，５４ｃおよび５４ｄが配置される。多くの遮
板（遮体）５５ａ，５５５ｂ，５５ｃ，５５ｄおよび５
５ｅは各蒸発源から基体構成物５３の表面へ向う蒸着物
質Ａの飛行方向を限定する。上述したような蒸発源の配
置によれは明らかに移送路に沿つて蒸着速度が単調に減
少する。第１１図の装置でも反応気体Ｇが導入されるが
その詳述は省略する。図示したかつたが第１１図と同様
の真空蒸着装置において蒸発源５４ａ，５４ｂ，５４ｃ
および５４ｄを等間隔に配置し、これらの入力電力を左
から右・＼向つて次第に小さくすることによつても、移
送路に沿つて蒸着速度が次第に低減する。
第１２図の装置においては、円筒状の基体構成物５３が
矢印で示すように自転しながら円形の移送路に沿つて公
転する。蒸発源２７および遮体を構成する遮板２８，２
９および３６の配置は第５図の場合と実質的に同じであ
るので詳しい説明を省略する。この第１２図の装置でも
反応気体Ｇが導入される。この発明による不均質光学的
薄膜の形成方法は各種真空蒸着装置に関連させながら上
述したことから明らかなように長尺、大寸または大面積
の基体構成物の表面に大規模に工業的に薄膜を形成でき
るという利点を有し、しかも蒸着速度を時間的に変化さ
せることなしにこの形成が遮板の配置などの単純な手段
によつて容易に達成できる。
矢印で示すように自転しながら円形の移送路に沿つて公
転する。蒸発源２７および遮体を構成する遮板２８，２
９および３６の配置は第５図の場合と実質的に同じであ
るので詳しい説明を省略する。この第１２図の装置でも
反応気体Ｇが導入される。この発明による不均質光学的
薄膜の形成方法は各種真空蒸着装置に関連させながら上
述したことから明らかなように長尺、大寸または大面積
の基体構成物の表面に大規模に工業的に薄膜を形成でき
るという利点を有し、しかも蒸着速度を時間的に変化さ
せることなしにこの形成が遮板の配置などの単純な手段
によつて容易に達成できる。
基体構成物はフイルム、箔、平面または円筒などの形状
にでき、その材質としてはアルミニウム、銅、不銹鋼、
ニツケル、ニツケル被膜アルミニウム、ガラス、半導体
、プラスチツクなどが存する。蒸着物質Ａ、反応気体Ｇ
およびこれらの反応によつて生じる反応生成物質Ｂとし
ては例えば次のものが利用できる。前述した各種の実施
例において蒸着速度が移送路に沿つて移送方向に低減し
、場合によつては反応気体流の入射密度が移送路に沿つ
て移送方向に増大し、また蒸着物質と反応気体の反応に
よつて蒸着物質より低屈折率の反応生成物質が生じると
したが、蒸着速度が移送方向に増大し、或いは入流密度
が移送方向に減少し、或いは反応によつて高屈折率の反
応生成物質を生じるようにすることも勿論可能である。
にでき、その材質としてはアルミニウム、銅、不銹鋼、
ニツケル、ニツケル被膜アルミニウム、ガラス、半導体
、プラスチツクなどが存する。蒸着物質Ａ、反応気体Ｇ
およびこれらの反応によつて生じる反応生成物質Ｂとし
ては例えば次のものが利用できる。前述した各種の実施
例において蒸着速度が移送路に沿つて移送方向に低減し
、場合によつては反応気体流の入射密度が移送路に沿つ
て移送方向に増大し、また蒸着物質と反応気体の反応に
よつて蒸着物質より低屈折率の反応生成物質が生じると
したが、蒸着速度が移送方向に増大し、或いは入流密度
が移送方向に減少し、或いは反応によつて高屈折率の反
応生成物質を生じるようにすることも勿論可能である。
次に第１０図に示すようなフイルム巻取式真空蒸着装置
を使用し、光学モニター３５によつて形成膜面の反射率
を監視しながら膜厚を制御して、蒸着物質ＡとしてＣｒ
を使用しアルミニウム箔の基体構成物２０のつや面（ほ
ば鏡面）の上・にＣｒ−Ｃｒ２Ｏ３の選択吸収薄膜を形
成した３つの例について以下に述べる。
を使用し、光学モニター３５によつて形成膜面の反射率
を監視しながら膜厚を制御して、蒸着物質ＡとしてＣｒ
を使用しアルミニウム箔の基体構成物２０のつや面（ほ
ば鏡面）の上・にＣｒ−Ｃｒ２Ｏ３の選択吸収薄膜を形
成した３つの例について以下に述べる。
これら３例において、第１冷却筒３８および第２冷却筒
３９の直径は４０ｃｍ、第１冷却筒３８と第２冷却筒３
９の軸線間距離は５２ｃｍ、蒸発源２７と位置４７，４
８，５１および５２の距離はそれぞれ３５ｃｍ，４５ｃ
ｍ，５８ｃｍおよび６５ｃｍ位置４７，４８，５１およ
び５２における入射角度（蒸着物質の入射方向と冷却筒
３８，３９の法面とがはさむ角度）はそれぞれ０度，７
０度，０度および６０度であつた。第１例においては、
基体構成物であるアルミニウム箔の大きさは５０μｍ厚
×７５ｗｒｆｎ幅×１５０ｍ長さ、真空蒸着槽内の圧力
は４Ｘ１０→から１Ｘ１０−４トール、アルミニウム箔
の移送速度は０．４ｍ／分であつた。
３９の直径は４０ｃｍ、第１冷却筒３８と第２冷却筒３
９の軸線間距離は５２ｃｍ、蒸発源２７と位置４７，４
８，５１および５２の距離はそれぞれ３５ｃｍ，４５ｃ
ｍ，５８ｃｍおよび６５ｃｍ位置４７，４８，５１およ
び５２における入射角度（蒸着物質の入射方向と冷却筒
３８，３９の法面とがはさむ角度）はそれぞれ０度，７
０度，０度および６０度であつた。第１例においては、
基体構成物であるアルミニウム箔の大きさは５０μｍ厚
×７５ｗｒｆｎ幅×１５０ｍ長さ、真空蒸着槽内の圧力
は４Ｘ１０→から１Ｘ１０−４トール、アルミニウム箔
の移送速度は０．４ｍ／分であつた。
反応気体酸素が空気として移送路全体にほぼ均等に導入
され、約５００λの厚さの薄膜が得られた。薄膜を被着
した基体構成物の反射率特性は第１３図に示す通りであ
り、形成された薄膜の組成分布は第１４図に示す通りで
あつた。ただし第１３図において横座標はμｍを単位と
する波長λを示しまた縦座標は反射率Ｒを％で示し、第
１４図において横座標は薄膜の表面からの深さＨをＸで
示しまたその深さにおけるＣｒの容積パーセントをイオ
ン照射表面分析で求めたものを縦座標で示す。第２例に
おいては、アルミニウム箔の大きさは５０μｍ厚Ｘ７５
ｍＸｌ５Ｏｍ長さ、真空槽内の圧力は１×１０−４トー
ル、移送速度は１ｍ／分であつた。
され、約５００λの厚さの薄膜が得られた。薄膜を被着
した基体構成物の反射率特性は第１３図に示す通りであ
り、形成された薄膜の組成分布は第１４図に示す通りで
あつた。ただし第１３図において横座標はμｍを単位と
する波長λを示しまた縦座標は反射率Ｒを％で示し、第
１４図において横座標は薄膜の表面からの深さＨをＸで
示しまたその深さにおけるＣｒの容積パーセントをイオ
ン照射表面分析で求めたものを縦座標で示す。第２例に
おいては、アルミニウム箔の大きさは５０μｍ厚Ｘ７５
ｍＸｌ５Ｏｍ長さ、真空槽内の圧力は１×１０−４トー
ル、移送速度は１ｍ／分であつた。
酸素それ自身が反応気体として圧力約１気圧流量毎分６
０Ｕで移送路全体にほぼ埼等に導入され、約７００λの
厚さの薄膜が得られた。反射率特性は第１３図に対応す
る第１５図に示す通りであり薄膜の組成分布は第１４図
に対応する第１６図に示す通りであつた。なお各深さＨ
における元素分析の結果を第１７図に示す。この図にお
いて縦座標はＣｒ，ＯおよびＡｔの原子％を示し、破線
Ｎは薄膜と基体構成物の実質的境界を表わす。第３例に
おいては、アルミニウム箔の大きさは４０μｍ厚×７５
ｗｒ１幅×２００ｍ長さ、真空槽内の圧力は４Ｘ１０−
５トール、移送速度は１ｍ／分であつた。反応気体（酸
素）の導入のため、内径８ｍＴｎ外径１０７Ｊｍで長さ
１２０ｗｎの気体導入管ノ３４がアルミ箔の移送方向に
直角にかつ移送面にまた第１冷却筒３８および第２冷却
筒３９からそれぞれ１０ｃｍおよび７ｃｍになるように
配置された。
０Ｕで移送路全体にほぼ埼等に導入され、約７００λの
厚さの薄膜が得られた。反射率特性は第１３図に対応す
る第１５図に示す通りであり薄膜の組成分布は第１４図
に対応する第１６図に示す通りであつた。なお各深さＨ
における元素分析の結果を第１７図に示す。この図にお
いて縦座標はＣｒ，ＯおよびＡｔの原子％を示し、破線
Ｎは薄膜と基体構成物の実質的境界を表わす。第３例に
おいては、アルミニウム箔の大きさは４０μｍ厚×７５
ｗｒ１幅×２００ｍ長さ、真空槽内の圧力は４Ｘ１０−
５トール、移送速度は１ｍ／分であつた。反応気体（酸
素）の導入のため、内径８ｍＴｎ外径１０７Ｊｍで長さ
１２０ｗｎの気体導入管ノ３４がアルミ箔の移送方向に
直角にかつ移送面にまた第１冷却筒３８および第２冷却
筒３９からそれぞれ１０ｃｍおよび７ｃｍになるように
配置された。
この気体導入管の管壁に直径２７ｍの孔を２０７ｍ間隔
で１列に３個形成し、これを噴出口とし中央孔がほぼ上
方に向くようにして酸素が移送面すなわち蒸着面の方向
に噴出された。反射率特性は第１３図に対応する第１８
図に示す通りであつた。
で１列に３個形成し、これを噴出口とし中央孔がほぼ上
方に向くようにして酸素が移送面すなわち蒸着面の方向
に噴出された。反射率特性は第１３図に対応する第１８
図に示す通りであつた。
第１図は従来の不均質光学的薄膜形成用真空蒸着装置を
略示する図、第２図は第１図の装置における蒸着速度の
時間変化を示すグラフ、第３図は不均質光学的薄膜の拡
大断面図、第４図は第３図の薄膜における厚さ方向の組
成変化を示すグラフ。 第５図はこの発明の方法に適した真空蒸着装置の第１例
の線図的側面図、第６図は第５図に示される装置の線図
的平面図、第７図は第５図の装置における移送距離と蒸
着速度の関係を示すグラフ、第８図は第５図の装置にお
ける蒸着時間と蒸着速度の関係を示すグラフ、第９図は
第５図の装置で得られる薄膜の組成分布を示すグラフ、
第１０図はこの発明の方法に適した真空蒸着装置の第２
例の線図的側面図、第１１図はこの発明の方法に適した
真空蒸着装置の第３例の線図的側面図、第１２図はこの
発明の方法に適した真空蒸着装置の第４例の線図的側面
図、第１３図はこの発明の方法の第１例で得られた薄膜
に関する反射率特性を示すグラフ、第１４図はこの発明
の方法の第１例で得られた薄膜の組成分布を示すグラフ
、第１５図および第１６図はこの発明の方法の第２例に
関する第１３図および第１４図にそれぞれ対応するグラ
フ、第１７図はこの発明の方法の第２例で得られた薄膜
の元素分析の結果を示すグラフ、第１８図はこの発明の
方法の第３例に関する第１３図に対応するグラフである
。図面において、１０は基体構成物、１２と１３は蒸着
物質の蒸発源、１６は不均質光学的薄膜、２０はフイル
ム状の基体構成物、２６，２６ａ，２６ｂは移送路、２
７は蒸発源、２８と２９は遮板として構成された遮体、
３４は気体導入管、４１，４２および４３は遮板、５３
は円筒状の基体構成物、５４ａ，５４ｂ，５４ｃおよび
５４ｄは蒸発源、５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄおよ
び５５ｅは遮板を示す。
略示する図、第２図は第１図の装置における蒸着速度の
時間変化を示すグラフ、第３図は不均質光学的薄膜の拡
大断面図、第４図は第３図の薄膜における厚さ方向の組
成変化を示すグラフ。 第５図はこの発明の方法に適した真空蒸着装置の第１例
の線図的側面図、第６図は第５図に示される装置の線図
的平面図、第７図は第５図の装置における移送距離と蒸
着速度の関係を示すグラフ、第８図は第５図の装置にお
ける蒸着時間と蒸着速度の関係を示すグラフ、第９図は
第５図の装置で得られる薄膜の組成分布を示すグラフ、
第１０図はこの発明の方法に適した真空蒸着装置の第２
例の線図的側面図、第１１図はこの発明の方法に適した
真空蒸着装置の第３例の線図的側面図、第１２図はこの
発明の方法に適した真空蒸着装置の第４例の線図的側面
図、第１３図はこの発明の方法の第１例で得られた薄膜
に関する反射率特性を示すグラフ、第１４図はこの発明
の方法の第１例で得られた薄膜の組成分布を示すグラフ
、第１５図および第１６図はこの発明の方法の第２例に
関する第１３図および第１４図にそれぞれ対応するグラ
フ、第１７図はこの発明の方法の第２例で得られた薄膜
の元素分析の結果を示すグラフ、第１８図はこの発明の
方法の第３例に関する第１３図に対応するグラフである
。図面において、１０は基体構成物、１２と１３は蒸着
物質の蒸発源、１６は不均質光学的薄膜、２０はフイル
ム状の基体構成物、２６，２６ａ，２６ｂは移送路、２
７は蒸発源、２８と２９は遮板として構成された遮体、
３４は気体導入管、４１，４２および４３は遮板、５３
は円筒状の基体構成物、５４ａ，５４ｂ，５４ｃおよび
５４ｄは蒸発源、５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄおよ
び５５ｅは遮板を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体構成物を移動しながら移送路に沿つて蒸着速度
が単調に変化するようにして基体構成物の表面上に蒸着
薄膜を形成し、この際に蒸着薄膜を反応気体にさらすこ
とを特徴とする反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形
成する方法。 ２ 蒸着物質の蒸発源と移送路の間またはその近くの適
当位置に遮体を配置することによつて移送路に沿う蒸着
速度の単調な変化を達成する特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ３ 移送路に沿つて反応気体流の入射密度が単調に変化
するようにして蒸着薄膜を反応気体にさらす特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の方法。 ４ 蒸着物質がクロムかつ反応気体が酸素である特許請
求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119149A JPS5934232B2 (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法 |
| US06/373,144 US4416216A (en) | 1981-07-31 | 1982-04-29 | Apparatus for forming an inhomogeneous optical layer |
| AU86325/82A AU553810B2 (en) | 1981-07-31 | 1982-07-22 | Condensation of substances onto metals to produce inhomogeneous optical layer |
| US06/491,791 US4428979A (en) | 1981-07-31 | 1983-05-03 | Method for forming an inhomogeneous optical layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119149A JPS5934232B2 (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5822376A JPS5822376A (ja) | 1983-02-09 |
| JPS5934232B2 true JPS5934232B2 (ja) | 1984-08-21 |
Family
ID=14754123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119149A Expired JPS5934232B2 (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 反応蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4416216A (ja) |
| JP (1) | JPS5934232B2 (ja) |
| AU (1) | AU553810B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208813A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置とその製造方法 |
| DE3434213A1 (de) * | 1984-09-18 | 1986-03-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von glas, insbesondere fuer glasfasern fuer die optische nachrichtentechnik |
| JPS6159688U (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-22 | ||
| US4697866A (en) * | 1984-10-15 | 1987-10-06 | Honeywell Inc. | Apparatus and method for fabricating a sandwich lens |
| JP2584619B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1997-02-26 | 株式会社フジクラ | 非軸対称光フアイバ母材の製造方法 |
| DE4221620C2 (de) * | 1992-07-01 | 2001-05-23 | Emtec Magnetics Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Metallschicht auf ein polymeres Trägermaterial |
| DE4227588C2 (de) * | 1992-08-20 | 2001-05-03 | Emtec Magnetics Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Metallschicht auf ein polymeres Trägermaterial |
| JP4329738B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の製造装置、液晶装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3520716A (en) * | 1966-06-07 | 1970-07-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of vapor depositing multicomponent film |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56119149A patent/JPS5934232B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-04-29 US US06/373,144 patent/US4416216A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-22 AU AU86325/82A patent/AU553810B2/en not_active Ceased
-
1983
- 1983-05-03 US US06/491,791 patent/US4428979A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU8632582A (en) | 1983-02-03 |
| US4416216A (en) | 1983-11-22 |
| US4428979A (en) | 1984-01-31 |
| JPS5822376A (ja) | 1983-02-09 |
| AU553810B2 (en) | 1986-07-31 |
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