JPH04218666A - セラミックコーティングの形成方法 - Google Patents
セラミックコーティングの形成方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ーティングを形成する方法に関する。特に、セラミック
コーティングを金属部品の表面に形成するための電子ビ
ーム物質蒸気デポジション(EB−PVD)技術の使用
に関する。
ウワード等の米国特許第4,248,940号明細書、
ストラングマンの米国特許第4,321,311号明細
書、及びデマレイの米国特許第4,676,994号明
細書に記載されている。典型的なセラミックは、マグネ
シア、セリアあるいはイットリアで安定化されたジルコ
ニアを含んでいる。他のタイプのセラミックコーティン
グも知られており、それらは、例えばAl2O3とMg
Oを、TiNとSi3N4を、そしてSiCを含んでい
る。 セラミックコーティングは、上述の特許でも述べられて
いるように、金属のコーティング層との組み合わせで使
用され、あるいは、基板表面に直接形成される。
技術によってセラミックコーティングを形成し、一方、
ストラングマンやデマレイの特許ではセラミックコーテ
ィングをEB−PVD技術によって形成する。幾人かの
開発者らは、セラミックコーティングのEB−PVDの
途中でコーティング室内に酸素を導入する方法を述べて
いる。例えば、1981年8月の代替燃料熱機関のため
の新規材料についての第2回会議の議事録におけるデマ
レイ等の論文を参照されたい。
術を利用して形成された熱バリアコーティングは、種々
の産業において有用性を示し、種々の適用に対する更な
る改良が行われている。本発明はこれらのニーズを満足
させるものである。
技術を使用して部品にセラミックコーティングを施すた
めの改良された方法である。この方法は、セラミックの
アニオン(負に荷電しているイオン)成分をコーティン
グ室に導入し、そして、部品の周りのセラミックターゲ
ット上に電子ビームを衝突させることによってコーティ
ングプロセス中に生成されるかかるアニオン成分や蒸発
物を閉じこめることを含んでいる。
ーゲットが電子ビームで蒸発された時に形成されるアニ
オンに対応するガス状種を言う。例えば、コーティング
ターゲットが酸化ジルコニウムである場合、形成される
アニオンは酸素イオンであり、アニオン成分は酸素ガス
あるいは酸素原子を供給することの可能な複合物である
。同様に、コーティングターゲットが窒化チタニウムで
ある場合、アニオンは窒素イオンであり、アニオン成分
は窒素ガスあるいは窒素原子を供給することの可能な複
合物である。
て特徴付けられる環境においてセラミックターゲットが
蒸発された時、化学等量以下の状態まで反応を受けるタ
イプのセラミックコーティングの堆積に、特に使用され
る。かかるセラミックの一例はジルコニアであり、これ
は低圧室内でのEB−PVDプロセス中に化学等量以下
の核種ZrO2−Xを形成すべく反応する。
ティング室内に流れ込み、コーティング室の外部に置か
れたアニオン成分源と流体的に連通しているチューブを
通って、コーティングされるべき部品へ向かう。コーテ
ィング室内において、コーティングされるべき部品をき
っちりと囲い込む囲いがあり、この囲いとその中の部品
がコーティングターゲットの上に配置されている。チュ
ーブはアニオン成分を直接囲いの中に流し込み、この囲
いは、また、セラミックターゲット上への電子ビームの
衝突によって生成される蒸気を、これを通して放出する
少なくとも1の開口を含んでいる。蒸気は部品表面上で
凝縮し、囲いは、アニオン成分をコーティングされてい
る部品の近くに閉じこめ、高品質のコーティングを形成
することとなる。
品質なセラミックコーティングを施す方法に関する。
には限られないが、ジルコニウムをベースとしたもの(
例えば、ジルコニアや酸化安定ジルコニア)、マグネシ
ウムをベースにしたもの(例えば、マグネシア)、そし
て、セリウムをベースにしたもの(例えば、セリアや酸
化安定セリア)を含む。
ロセス中に、コーティングすべき部品の表面上で生じる
反応に関連している。この反応は、従来技術の方法を使
用しては達成されない特性を有する、化学等量の(ある
いは、化学等量に近い)EB−PVDが適用された円柱
の粒状セラミックコーティングを形成することとなる。
来の(従来技術)方法は、電子ビームを、低いガス圧に
保たれた密閉室内で、コーティングターゲット上に衝突
させるステップを含んでいる。ターゲットは所望のコー
ティング成分に対応した成分を有する。ビームがターゲ
ットを蒸発させると、ベーパ(これ以降、蒸気と称す)
が室を満たし、室内に吊るされた部品表面上に凝縮する
。
トを蒸発させた場合、生成された蒸気は熱力学的に不安
定で、電離型の反応を経て、ターゲットのカチオン成分
(正に荷電した原子)及びアニオン成分を形成する。か
かるタイプのコーティングターゲットの一例はジルコニ
ア(ZrO2)であり、これは、低い気圧において蒸発
された時、正に荷電されたカチオン(ZrO2−Xと示
される)及び負に荷電されたアニオン(ZrO2+Xと
示される)を形成する。分離して存在するカチオン成分
及びアニオン成分を含む蒸気が表面上に凝縮した時に形
成されるところのコーティングは、常に化学等量となる
ものではない。同数のカチオンとアニオンが部品の表面
上に凝縮しないことから、かかる化学等量以下のコーテ
ィングが形成される。この発明は、EB−PVDプロセ
ス中に化学等量のコーティングが生成されることを保証
する方法を記述している。
ィングサイクル中、部品の表面をターゲットのアニオン
成分で連続的に洗うことによって生成される。これが達
成される好適な方法は、導入されたアニオン成分を即座
に、コーティングされるべき部品の周囲の空間に閉じこ
めることである。アニオン成分の閉じ込めは、コーティ
ングされるべき部品を取り囲むコーティング室の内部で
装置を使用することによって最良に行われる。この装置
(これ以降、反応室と称す)は、好ましくは、コーティ
ング行われている部品よりもほんの僅かに大きく、アニ
オン成分はコーティングサイクル中に反応室内に流れ込
み、そして連続的に部品の表面を洗う。結果として、反
応室は、コーティングされるべき部品が、アニオン成分
の高い分圧で特徴づけられる環境で取り囲まれるように
なる。反応室内に過剰のアニオンが流し込まれる結果、
室内のアニオン成分の量は、ターゲットの蒸発によって
生成される成分よりも多くなる。好ましくは、反応室内
のアニオン成分の量は、コーティングターゲットに近い
ところの量よりも、4から5倍多くなる。
衝突させて生成される蒸気も、また、反応室内に入り、
かかる蒸気が部品の表面上に凝縮した時、コーティング
が形成される。そして、アニオン成分がコーティングと
衝突した時、反応が起こり、コーティング内のアニオン
の不足を充足する。
示す。
置5を示し、この装置は、壁11で形成された密閉コー
ティング室10と、コーティング室10を真空にする手
段12とを含んでいる。この装置5は、さらに、電子ビ
ーム銃14、セラミックターゲット16、そして、コー
ティングされるべき1またはそれ以上の部品20をコー
ティング室10内に支持するための手段とを含んでいる
。かかる装置は、全て、業界においては従来のタイプの
ものである。図1では、明確化のために、電子ビーム銃
14と、セラミックターゲット16と、そして真空手段
12だけを示す。かかる部品は、それぞれ複数使用され
得るであろうことが理解される。
コーティング室10の外部に配置され、その成分源26
から延びた、1またはそれ以上の管すなわちチューブ2
2を通してコーティング室10内に入る。それぞれのチ
ューブ22は1またはそれ以上のチューブ出口端28で
終わっている。それぞれのチューブ22は、アニオン成
分を、出口端28を通して流すように構成配置され、コ
ーティングが行われるべき部品20に向けられている。 図に示されるように、それぞれの出口端28は、部品2
0とコーティングターゲット16との間に配置されてい
る。アニオン成分はそれぞれの出口端を通して部品20
に向かい、蒸気はコーティングターゲット16から部品
20へ移動する方向と共存する方向(すなわち、逆進方
向ではない)へ流れる。
22は、コーティング室10内でコーティングターゲッ
ト16上に吊るされている反応室30内にアニオン成分
を直接的に流し込む。コーティングされるべきそれぞれ
の部品20は反応室30内に、以下にさらに詳細に述べ
られる方法によって吊り下げられている。反応室30は
、部品20の背面21に密接して置かれ、それぞれのチ
ューブ出口端28にほぼ対向する関係に置かれた頂上壁
40を含んでいる。(部品20の背面21はコーティン
グターゲット16から離れて面した表面である。)図に
も示されるように、頂上壁40はコーティング室の壁1
1と部品20の背面21との間に配置されている。電子
ビームのセラミックターゲット上への衝突によって生成
される蒸気は、セラミックターゲット16から離された
底壁42内の開口46を通して反応室30内に入る。
0と42と共に、コーティングされるべきそれぞれの部
品20を取り囲む囲いを形成する側壁32を含んでいる
。反応室30の寸法はコーティング室10の寸法よりも
小さい。その結果、反応室30は、コーティング室10
の内部容積よりも小さな内部容積を形成する。頂上壁4
0はその内部に開口52を有し、コーティング作業中に
、反応室30内に流れ込むアニオン成分が反応室30か
ら出ることが出来るようにしている。頂上及び底の開口
46と52は、それぞれ、コーティングターゲット16
の上に実質的に垂直に配列されている。
オン成分をコーティングされるべき部品のすぐ周囲を取
り囲む空間に閉じ込めることである。反応室30は、部
品20の周囲に高アニオン成分の高い分圧を作り出す。 蒸気が反応室30に入り、部品表面に衝突する時、蒸気
は表面上に凝縮し、コーティングを形成する。アニオン
成分が凝縮物と衝突すると、化学反応によって凝縮物と
結合してコーティング内のアニオンの欠乏が補われ、も
って、化学等量の(ほぼ化学等量の)コーティングが形
成される。
成分の分圧を上昇させ、アニオン成分が凝縮物と衝突す
るであろう確率を増加させる。アニオン成分は反応室3
0内において、アニオン成分が凝縮物と衝突して反応し
、すなわち、その開口を通って反応室30から出るまで
、一方の壁から他方へと跳ね返る。それ故、反応室30
は部品20の周囲のアニオン成分の分圧を増加させ、部
品の周囲のアニオンの残留時間を増大させる。
反応室30からのアニオン成分を、コーティングターゲ
ット16上に衝突する電子ビームと交差しない、あるい
は衝突しない方向へ放出すことである。開口52の好適
な構造が図2に示されており、コーティングターゲット
16から離れる方向に延びる壁54は開口52に隣接し
、煙突状の構造物56を形成している。
定するための手段48は、好ましくは、部品が縦方向の
軸あるいはその他の軸の周りを回転し、そして/または
、並動することが出来るように構成されている。コーテ
ィング動作中の反応室30内での部品20の移動(例え
ば、回転、並動、あるいは傾斜)により、部品の表面全
体にわたって均一な厚さを有するコーティングの形成を
促進する。
反応室30内に入れるためのチューブ22は、反応室の
壁32を通過し、コーティングサイクル中のアニオン成
分の流れがそれぞれの部品20へ向かうように配置され
ている。好ましくは、チューブ22は、部品表面に対し
てアニオン成分を直接流すように配置される。最も好ま
しくは、それぞれのチューブ22は、小径で密接して配
置された複数の孔58を有し、これらの孔はアニオン成
分を、水平方向に対して約45゜の角度で、部品表面に
向かって流す。チューブは、孔が少なくとも部分的に反
応室30に入って来る蒸気から遮蔽されるように方向付
けられている。この構成により、蒸気が凝縮して孔58
を実際に塞ぐことを排除する。
ティングされるべき場合、その室は好ましくは個々の部
屋60、62とに分けられ、その内部にそれぞれのコー
ティングされるべき部品が固定される。部屋60と62
は、壁54にほぼ平行な壁58の間に、反応室30の長
さ方向に沿って延びた分割壁64によって形成されてい
る。この分割壁64は、反応室30内において、アニオ
ン成分が跳ね返ることが出来る表面の量を増大させる働
きをする。
アのコーティングを、ドゥール等の米国特許第4,20
9,349号明細書に記載された様なニッケルを基礎と
した超合金から製造された部品上に堆積するのに有用で
あり、その内容は参照によってこの明細書に取り入れら
れる。コーティングを施す前に、部品が最小のクロミウ
ム、アルミニウム、そして、1あるいはそれ以上の希土
類成分(すなわち、周期律表の原子番号57から71ま
での成分を含み、イットリウムを加える)を含むコーテ
ィングによって覆われる。好ましくは、この金属コーテ
ィングはグプタ等の米国再発行特許32,121号明細
書に記載された合金であり、この合金の内容は参照によ
ってこの明細書に取り入れられ、かかる合金はニッケル
、コバルト、クロミウム、アルミニウム、イットリウム
、シリコン及びハフニウムを含んでいる。金属コーティ
ングが、それから、約250ミクロンの平均直径を有す
るガラスの玉でたたかれる。このたたく強さは、金属コ
ーティングに約75AA以下の表面組織を作り出す程度
である(「AA」の用語は、ANSIのB46−1に従
って、プロフィルメータによって測定した時の、10−
6インチ以内の表面粗さの算術平均値を意味する)。た
たかれる前に、部品は水素雰囲気中で約1080゜C±
15゜Cの温度で1時間から4時間熱処理され、そして
、空冷と同等あるいはそれより速い速度で冷却される。 たたいた後、コーティングされた部品の表面が、従来の
湿式研磨砂ブラスティングプロセスで洗浄される。 それから、部品が、図に示された型の反応室内に吊るさ
れ、これは、図にもまた示すように、従来のEB−PV
Dコーティング室内で方向付けられている。コーティン
グ室は約5×10−3ミリバールの圧力まで真空にされ
、一方、イットリア安定ジルコニアのターゲットが電子
ビームで蒸発される。真空プロセスの間、商業的に純粋
な酸素ガスが、アニオン成分として反応室内に、毎分約
800基準立方センチメータの速度で流し込まれる。
ンレス鋼の合金から構成されている。チューブは室内で
約10センチメータ(cm)の長さに沿って約6.5ミ
リメートル(mm)離れて配置された直径0.75ミリ
メートルの孔を有している。これらの孔は水平方向に対
して約45゜の角度で方向付けられ、図にも示されるよ
うに、コーティングがされるべきもののそれぞれの中心
線に対向している。頂部と底の開口はコーティングター
ゲットの上に垂直に配列されている。部品は頂部と底の
壁との間の約中途に置かれており、チューブは底壁とほ
ぼ同じ高さで室に入る。
は、化学的当量であり、周期的な酸化分解に対しても優
れた抵抗力を有する。接合コーティングは約125から
200ミクロンの厚さであり、セラミックコーティング
は約250から375ミクロンの厚さであり、このセラ
ミックコーティングはEB−PVDプロセスにおいて形
成されるコーティングの特性である円柱形の粒状微細構
造を有している。
発明になるコーティングの形成方法によれば、種々の産
業において有用な、化学等量で安定な高品質のコーティ
ングを形成することを可能にするという優れた効果を発
揮する。
略図である。
である。
部品 21 背面 22 チューブ 26 アニオン源 28 開口端 30 反応室 32 側壁 40 頂上壁 42 底壁 46,52 開口 48 固定手段 56 煙突状構造物 58 孔 60,62 部屋 64 分割壁
Claims (7)
- 【請求項1】 円柱形の粒状セラミックコーティング
を部品に施すための方法であって、電子ビームをコーテ
ィングターゲットに衝突させることによって、低いガス
圧に保持されたコーティング室内で上記コーティングに
対応する成分を有するコーティングターゲットを蒸発さ
せ、上記蒸発ステップによって生成された蒸気はターゲ
ットのカチオン成分とアニオン成分を形成し、その内部
に部品が配置されている反応室内にアニオン成分を流し
込み、上記流し込みのステップは、上記蒸発ステップ中
に生成されるアニオン成分よりも過剰のアニオン成分が
、反応室内に与えられるようにして行われ、そして反応
室で上記アニオン成分を部品の周りに制限し、そして、
部品の表面上に蒸気を凝縮させ、アニオン成分を凝縮し
た蒸気に反応させてコーティングを形成する各ステップ
から成ることを特徴とするセラミックコーティングの形
成方法。 - 【請求項2】 請求項1において、さらに、アニオン
成分を反応室から排気することを含むことを特徴とする
セラミックコーティングの形成方法。 - 【請求項3】 請求項2において、さらに、部品を軸
回りに回転することを含むことを特徴とするセラミック
コーティングの形成方法。 - 【請求項4】 請求項3において、コーティングター
ゲットが、ジルコニア、マグネシア及びセリアから成る
群から選択され、そして、アニオン成分は酸素ガスであ
ることを特徴とするセラミックコーティングの形成方法
。 - 【請求項5】 2層のコーティングを金属表面に施す
ための方法であって、クロム、アルミニウム、及び1ま
たはそれ以上の希土類成分を含む金属コーティングの層
を施し、その後セラミックコーティングの層を金属コー
ティングの層に施し、セラミックコーティングの層は、
低いガス圧に保持されたコーティング室内で上記コーテ
ィングに対応した成分を有するコーティングターゲット
を、電子ビームをコーティングターゲットに衝突させる
ことによって蒸発させ、上記蒸発ステップによって生成
された蒸気はターゲットのカチオン成分とアニオン成分
を形成し、その内部に部品が配置されている反応室内に
アニオン成分を流し込み、上記流し込みのステップは、
上記蒸発ステップ中に生成されるアニオン成分よりも過
剰のアニオン成分が、反応室内に与えられるようにして
行われ、そして反応室で上記アニオン成分を部品の周り
に制限し、そして、部品の表面上に蒸気を凝縮させ、ア
ニオン成分を凝縮した蒸気に反応させてコーティングを
形成する各ステップから成る2層コーティングの形成方
法。 - 【請求項6】 請求項5において、上記金属コーティ
ング層は、基本的にはニッケル、クロム、コバルト、ア
ルミニウム、イットリウム、シリコン及びハフニウムか
ら成ることを特徴とする2層コーティングの形成方法。 - 【請求項7】 請求項6において、コーティングター
ゲットが、ジルコニア、マグネシア及びセリアから成る
群から選択されることを特徴とする2層コーティングの
形成方法。
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